电子科技大学2015年《832微电子器件》考研专业课真题试卷
电子科技大学(成都)考研历年真题之832微电子器件2008--2015年考研真题
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共 48 分，每空 1.5 分） 1、PN 结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（ （ 高而（ ）向偏置的
微电子器件 试题共 6 页，第 1 页
） ，因此τb/τB 可以表示 ） 。 ）的控制能力。 ） 。 （第二个空填 “大” 或 “小” ，
） ， 该控制能力越 （
）单向导电性。 （从以下选项中选择） C 空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层
8、MOSFET 的跨导是（
）特性曲线的斜率，而漏源电导是（
）特性曲
3、防止 PN 结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（ （
）的半导体材料，其热稳定性越好。 （第二个空填“大”或“小” ） ） ，共发射极增量输
4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（ 出电阻越（ ） 。 （填“大”或“小” ）
5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb 和τB，则 1/τB 表示的物理 意义为（ （ 6、MOSFET 的亚阈区摆幅 S 反应了在亚阈区中（ 栅氧化层越厚， 则S越 （ 第三个空填“强”或“弱” ） 7、当金属和 P 型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表 面将形成（ A 电子阻挡层 E 具有 ） ，该结构（ B 电子反阻挡层 F 不具有
2、一个 NPN 双极型晶体管，掺杂浓度为 NE=5×1018cm-3，NB=5×1016cm-3，NC=1×1013cm-3，发 射区和基区宽度为 WE=10µm，WB=2µm。偏置条件为 IB=2mA，VBC=-3V。电子和空穴的扩散 系数分别为 Dn=40cm2/s 和 Dp=20cm2/s，电子和空穴的寿命均为 1µs。求： （1） 器件的共发射极直流短路电流放大系数 β 为多少？ （2） 器件的跨导 gm 为多少？ （10 分）
电子科技大学836信号与系统和数字电路考研历年真题及解析
电子科技大学考研历年真题解析——836信号与系统和数字电路主编：弘毅考研编者：阿欢弘毅教育出品【资料说明】《信号与系统和数字电路历年真题解析（专业课）》系电子科技大学优秀考研辅导团队集体编撰的“历年考研真题解析系列资料”之一。
历年真题是除了参考教材之外的最重要的一份资料，其实，这也是我们聚团队之力，编撰此资料的原因所在。
历年真题除了能直接告诉我们历年考研试题中考了哪些内容、哪一年考试难、哪一年考试容易之外，还能告诉我们很多东西。
1.命题风格与试题难易第一眼看到电子科技大学历年试题的同学，都觉得试题“简单”。
其实，这也是很多学生选择电子科技大学的原因吧。
电子科技大学的试题不偏、不怪，80% 的题目可以在课本上找到部分的答案。
这不同于一些学校的试题，比如清华大学，理论性很强，说不会答，一点也答不上来。
电子科大的试题，不管你复习的怎么样，一般都能答上一点，至于能答到什么程度，则因人而异。
试题很“简单”或者“很难”与“能得高分”根本不是一回事。
试题很基础，所以每个学生都能答上，但是想得高分，就要比其他学生强，要答出别人答不出来的东西。
要答出别人答不出来的东西，这容易吗？大家不要被试题表象所迷惑。
、2.考试题型与分值大家要了解有哪些题型，每个题型的分值。
从最近五年看，电子科技大学的题型基本没变，个别年份有选择题和判断对错题。
每个题型的分值是不一样的，一个选择题或者填空题解释一般也就是3-5分，可一个计算题就是15分以上。
这要求我们平时一定要注意计算正确性和书写整洁的练习。
对于数字电路，比较重要的是组合逻辑电路的分析与设计和时序逻辑电路的分析与设计的题目，对于分析类的题目，只要按照分析的步骤分析就可以了，而对于设计类的题目，可能每种类型的设计有其特定的设计方法和步骤，这就要求考生多练习了。
3.各章节的出题比重对于信号与系统，熟练掌握傅里叶变换，S变换，Z变换的性质，熟练掌握这三个变换的常见变换对，及常见题型即可。
成都电子科技大学近代物理基础2011-2015年考研初试真题+答案
电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：852 近代物理基础注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一．选择题（10小题，每题3分，共30分）1．一维无限深方势阱中的粒子，其能级与量子数n的关系是（）。
(A)正比于n(B)正比于n2(C)正比于n3(D)正比于1/n22. 粒子自旋的本质是（）(A)内秉自由度(B)绕自身对称轴的高速旋转(C)反映出粒子性(D)具有能量的特点3.一把直尺相对于Σ系静止，直尺与x轴交角为θ，今有一观察者以速度v沿x轴运动，他看到直尺与x 轴交角为（）(A)θ(B)tg‒1[(1‒v2/c2)‒1/2 tgθ](C)2θ(D)tg‒1[(1‒v2/c2)1/2 tgθ]4. 在伽利略变换下（）(A)牛顿定律是协变的，麦克斯韦方程不是协变的。
(B)牛顿定律不是协变的，麦克斯韦方程是协变的。
(C)牛顿定律和麦克斯韦方程都不是协变的。
(D)牛顿定律和麦克斯韦方程都是协变的。
5. 关于光子描述正确的说法是（）(A) 静止质量为零，运动时质量也为零。
(B)静止质量不为零，运动质量为零。
(C)静止质量和运动质量均不为零。
(D)静止质量为零，以光速运动的质量不为零。
6. 氢原子(库仑引力势场中的电子)的径向波函数具有（）的形式。
共3页第3页(A)合流超几何函数(B)球贝塞尔函数(C)连带勒让德函数(D)厄密函数7. 下面哪种说法是不正确的？（）(A)一切粒子都具有波粒二象性(B)微观粒子的波动性是大量粒子相互作用表现出的集体效应(C)宏观物体的波动性极不明显(D)微观粒子的状态可用波函数描述8. 均匀无穷长直圆柱形螺线管每单位长度线圈匝数为n，电流强度为I，则管内和管外磁感应强度B分别为（）(A)n μ0 I和0(B)n μ0 I和n μ0 I /2(C)2 n μ0 I和n μ0 I(D)n μ0 I/2和09. 在绝缘介质与导体的分界面上，在静电情况下，导体外的电场线（）于导体表面；在恒定电流的情况下，导体内电场线总是（）于导体表面。
电子科技大学【2015 年攻读硕士学位研究生入学考试试题】241专业课真题
.
A. le sien B. la sienne
C. le vôtre
D. la vôtre
18. Je ne veux pas sortir
je suis fatigué.
A. bien que
B.parce que
C. à condition que
me
19. Un Français
cinq fait aujourd’hui partie de ce qu’on appelle le troisième âge.
第4页
共 10 页
D. Nous travaillerons vite avant que ce soit fini.
Section B: 在以下内容中，句子的顺序打乱了。把这些句子重新排序以恢复短文。 （每题 1 分，共 3 分）
8.L’art de réussir une fête 1. Envoyer un plan d’accès détaillé à chaque participant. 2. Donner du rythme à la soirée avec de la musique dès l’apéritif. 3. Organiser un jeu au moment du dessert. 4. Dresser une jolie table avec une belle nappe et des bougies. A. 4 – 2 – 3 – 1 B. 1 – 4 – 2 – 3 C. 2 – 1 – 4 – 3 D. 2 – 4 – 1 – 3
C.d’où
D.par lequel
vin, s’il vous plaît.
A. le
电子科技大学2015年硕士研究生微电子器件考研真题_电子科技大学专业课真题
电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共45分，每空1分）1、泊松方程的积分形式即是（）定理，它的物理意义是：流出一个闭合曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（）。
2、PN结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。
例如：（）只存在于正向偏压之下；（）的正负电荷在空间上是分离的；（）能用作变容二极管。
3、锗二极管和相同掺杂浓度、相同尺寸的硅二极管相比，其反向饱和电流更（），正向导通压降更（）。
4、碰撞电离率是指每个载流子在（）内由于碰撞电离产生的（）的数目。
电场越（），材料的禁带宽度越（），碰撞电离率将越大。
5、温度升高时，PN结的雪崩击穿电压将（），这是因为温度升高将导致晶格振动加强，因而载流子的平均自由程（）。
6、MOSFET用于数字电路时，其工作点设置在（）区和（）区；双极型晶体管用于模拟电路时，其直流偏置点设置在（）区。
7、双极型晶体管的t b既是基区渡越时间，又是（）电阻与（）电容的乘积。
8、双极型晶体管的跨导代表其（）电流受（）电压变化的影响。
双极型晶体管的直流偏置点电流I E越大，跨导越（）；工作温度越高，跨导越（）。
（第三、四个空填“大”或“小”）9、一般来说，双极型晶体管的几个反向电流之间的大小关系为：I ES（）I CS；I CBO（）I CEO；BV CBO（）BV CEO；BV EBO（）BV CBO（填“>”、“<”或“=”）10、当双极型晶体管集电极反偏，发射极开路时，发射极电流（）零，发射结上的偏压（）零。
（填“>”、“<”或“=”）11、增加双极型晶体管的基区宽度将（）厄尔利电压，（）基极电阻，（）基区输运系数。
12、NMOS的衬底相对于源端应该接（）电位。
当|V BS|增加时，其阈值电压将（）。
（第二个空填“增大”、“减小”或“不变”）13、MOSFET的沟道载流子和位于半导体内的载流子相比，除受到（）散射及电离杂质散射作用外，还会受到（）散射，因此，通常沟道载流子的迁移率（）体内载流子迁移率。
电子科大考研真题：836信号与系统和数字电路
输出 RCO
0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
图 2-3
第6页 共7页
三：设计题（二小题共 25 分）（设计题可以不画具体电路图，但必须有详细且明确的连接 关系表达，如逻辑函数表达；器件管脚说明，信号-管脚连接表等。） 1）（10 分）设计一个实现 Z=2.5·Y 乘法运算的组合电路，其中 Y 是输入，为 4_bit 二进 制码字；Z 为二进制输出。（电路实现结构、器件自选，必须说明设计思路。） 2）（15 分）试用 D 触发器和必要的逻辑门设计一个时钟同步状态机电路。电路功能要求： 在电路复位（低电平复位）有效后，每输入 5 个时钟脉冲时，在第 3 个和第 4 个时钟脉冲处， 输出端 Z 都有一个脉冲输出（波形如图 3-2 所示）。由于后续电路对输出信号 Z 的脉冲边沿 有要求，请在设计中考虑器件延时对输出波形的影响；要求能自启动。（电路结构、器件自 选，必须说明设计思路。）
二、（１０分）已知 LTI（线性时不变）连续时间系统冲激响应为 h0 (t) ，当输入是 f0 (t) 时，
响应为 y0 (t) 。如果另一 LTI 连续时间系统冲激响应 h(t) 和输入信号 f (t) 分别表示如下，
并设其响应为 y (t) 。用卷积的概念和性质求系统的响应 y (t) （用 y0 (t) 表示）。（请给出推
j sin(5πt)
h 2(t)
y3 (t)
f(t)
h 1(t)
y1(t)
y(t)
图 2 (a)
F(ω) 1
−2π
0
2π ω
图 2 (b) 图 2、第４题图
第3页 共7页
五、（16 分）求解下列问题：
∞
∑ （1）信号 m(t) = δ (t − kT ) ，T > 0 ，是否周期信号，若是，周期是多少？ k =0 ∞
2015电子科大考研试题814电力电子技术
2015电子科大考研试题814电力电子技术电子科技大学2015 年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：814 电力电子技术注：所有答案必须写在答题纸上，做在试卷或草稿纸上均无效。
一、单项选择题(每小题 2 分，共 28 分。
从每小题的四个备选答案，选出一个正确答案，并将正确答案的号码写在答题纸上。
) 1、经过直接交交变频的软启动器而接在交流电机上的电流频率不会超过A. 50Hz B. 5Hz C. 15Hz D. 400Hz 2、电流型逆变器中间直流环节贮能元件是。
A.电容 B.电感 C.蓄电池 3、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来 A. 分流 B. 降压 C. 过电压保护。
D.电动机。
D. 过电流保护4、逆导晶闸管是将大功率二极管与器件集成在一个管芯上而成。
A.大功率三极管B.逆阻型晶闸管C.双向晶闸管D.可关断晶闸管 5、单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ 。
A.π-α B.π+α C.π-δ-α D.π+δ-α 6、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin 选在下面那一种范围合理A.30o-35o B.10o-15o C.0o-10o D.0o 。
=7、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关。
A . α、负载电流 Id 以及变压器漏抗XB B. α以及负载电流IdC . α和U2 D. α、U2 以及变压器漏抗 XB 8、若增大 SPWM 逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是。
A.增大三角波幅度 B.增大三角波频率 C.增大正弦调制波频率 D.增大正弦调制波幅度 9、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为 A.减小输出幅值 C.减小输出谐波。
B.增大输出幅值 D.减小输出功率负载。
10、晶闸管可控整流电路中直流端的直流电动机应该属于 A. 电阻性 B. 电感性 C. 反电动势 D. 阻感反电力电子技术试题第 1 页共 5 页11、功率晶体管 GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为 A.一次击穿 B.二次击穿 C.临界饱和 D.反向截止 12、三相半波可控整流电路的自然换相点是A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处 C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30° D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60° 13、晶闸管两端并联一个 RC 电路的作用是 A. 分流 B. 降压 C. 过电压保护。
成都电子科技大学微电子器件2008-2016年考研初试真题+答案
电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共44分，每空1分）1、PN结的内建电势也称为扩散电势，是指耗尽区中从（）处到（）处的电位差。
掺杂浓度越高，内建电势将越（）。
2、根据耗尽近似和中性近似，在PN结势垒区内，（）已完全耗尽；而在势垒区之外，（）浓度等于电离杂质浓度，维持电中性。
3、在相同的电场强度和温度下，锗材料和硅材料相比较，碰撞电离率更高的是（），其原因是它的（）更小。
4、在计算实际PN结的雪崩击穿电压或势垒电容时，如果结两侧掺杂浓度相差较小，浓度梯度较小，而结深较大时，则可将其近似为（）结求解。
5、温度升高时，PN结的齐纳击穿电压会（），因为（）随温度升高减小了。
6、一个PN结二极管在制备完成后对其进行了电子辐照，该二极管的反向恢复时间将（），原因是电子辐照在半导体中引入了（）。
7、当PN结的正向电流增大时，其直流增量电阻会（），扩散电容会（）。
（填“变大”，“变小”或“不变”）8、双极型晶体管的基区宽度越小，其共发射极增量输出电阻越（），厄尔利电压越（）。
（填“大”或“小”）9、双极型晶体管的发射结注入效率是指（）电流与（）电流之比。
10、双极型晶体管的基区发生大注入时，由于基区载流子浓度急剧增加，其发射结注入效率γ会（）；同时，和PN结大注入相类似，基区内会发生（）效应。
11、高频双极型晶体管的工作频率范围一般在：（）< f <（）。
12、双极型晶体管的高频优值是指（）与（）的乘积。
13、小电流时，双极型晶体管的电流放大系数会下降，这是由于（）在（）中所占的比例增加所引起的。
14、MOS结构中，半导体的表面势是指从（）到（）的电势差。
一般来说，实际MOS结构的表面势是（）零的，这主要是由于（）以及（）所引起。
（第三个空填“>”、“<”或“=”）15、为了降低栅氧化层电荷的影响，MOSFET通常会采用（）晶面来制作。
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电子科技大学
2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题
考试科目：832 微电子器件
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共45分，每空1分）
1、泊松方程的积分形式即是（）定理，它的物理意义是：流出一个闭合
曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（）。
2、PN结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。
例如：（）只存在于正向偏
压之下；（）的正负电荷在空间上是分离的；（）能用作变容二极管。
3、锗二极管和相同掺杂浓度、相同尺寸的硅二极管相比，其反向饱和电流更（），正
向导通压降更（）。
4、碰撞电离率是指每个载流子在（）内由于碰撞电离产生的（）
的数目。
电场越（），材料的禁带宽度越（），碰撞电离率将越大。
5、温度升高时，PN结的雪崩击穿电压将（），这是因为温度升高将导致晶格振动
加强，因而载流子的平均自由程（）。
6、MOSFET用于数字电路时，其工作点设置在（）区和（）区；
双极型晶体管用于模拟电路时，其直流偏置点设置在（）区。
7、双极型晶体管的t b既是基区渡越时间，又是（）电阻与（）
电容的乘积。
8、双极型晶体管的跨导代表其（）电流受（）电压变化的影响。
双
极型晶体管的直流偏置点电流I E越大，跨导越（）；工作温度越高，跨导越（）。
（第三、四个空填“大”或“小”）
9、一般来说，双极型晶体管的几个反向电流之间的大小关系为：I ES（）I CS；
I CBO（）I CEO；BV CBO（）BV CEO；BV EBO（）BV CBO
（填“>”、“<”或“=”）
10、当双极型晶体管集电极反偏，发射极开路时，发射极电流（）零，发射结上的偏
压（）零。
（填“>”、“<”或“=”）。