06年832微电子器件考研试题
电子科技大学(成都)考研历年真题之832微电子器件2008--2015年考研真题
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共 48 分，每空 1.5 分） 1、PN 结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（ （ 高而（ ）向偏置的
微电子器件 试题共 6 页，第 1 页
） ，因此τb/τB 可以表示 ） 。 ）的控制能力。 ） 。 （第二个空填 “大” 或 “小” ，
） ， 该控制能力越 （
）单向导电性。 （从以下选项中选择） C 空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层
8、MOSFET 的跨导是（
）特性曲线的斜率，而漏源电导是（
）特性曲
3、防止 PN 结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（ （
）的半导体材料，其热稳定性越好。 （第二个空填“大”或“小” ） ） ，共发射极增量输
4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（ 出电阻越（ ） 。 （填“大”或“小” ）
5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb 和τB，则 1/τB 表示的物理 意义为（ （ 6、MOSFET 的亚阈区摆幅 S 反应了在亚阈区中（ 栅氧化层越厚， 则S越 （ 第三个空填“强”或“弱” ） 7、当金属和 P 型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表 面将形成（ A 电子阻挡层 E 具有 ） ，该结构（ B 电子反阻挡层 F 不具有
2、一个 NPN 双极型晶体管，掺杂浓度为 NE=5×1018cm-3，NB=5×1016cm-3，NC=1×1013cm-3，发 射区和基区宽度为 WE=10µm，WB=2µm。偏置条件为 IB=2mA，VBC=-3V。电子和空穴的扩散 系数分别为 Dn=40cm2/s 和 Dp=20cm2/s，电子和空穴的寿命均为 1µs。求： （1） 器件的共发射极直流短路电流放大系数 β 为多少？ （2） 器件的跨导 gm 为多少？ （10 分）
2010年电子科大微电子器件考研试题
电子科技大学2010年攻读硕士学位研究生入学试题832微电子器件一、填空题1.在反偏的P+N结中，电场峰值出现在()处，且N掺杂浓度越低，则耗尽区宽度越()。
耐压越()。
向P+区扩展的耗尽区宽度比向N区扩展的耗尽区宽度()，N区耗尽区电荷总数与P+区耗尽区电荷总数()。
(5分)2.在分析PN电流电压特性时，肖克莱方程做了以下假设。
①()近似；②()近似，③()假设，④在耗尽层中不存在产生-复合电流，此外也未计入中性区的()。
如果考虑耗尽区的产生-复合过程，则总的反向电流为()和()之和。
(6分)3.对于硅材料，P+N+结的主要击穿机理是()，P+N-结的主要击穿机理是()。
其中，雪崩击穿是由于()现象所造成，雪崩击穿的判定条件是满足表达式()。
(4分)4.当P+N-P结构的N-区全耗尽时，该结构的电流电压特性呈现()状态；当P+N-N 结构的N-区全耗尽时，该结构的电流电压特性呈现()状态。
(2分)5.晶体管的共基电流增益与基区输运系数和发射结发射效率有关。
其中，基区输运系数被定义为()电流与()电流之比，影响它的主要结构和材料参数为()。
发射结发射效率被定义为()电流和()电流之比，影响它的结构和材料主要参数为()。
(6分)6.随集电极电流逐渐增加，在小注入和中等注入水平情况，晶体管电流增益会()，进入大注入状态，会出现()效应。
在极低电流水平下．电流增益是较小的。
要提高该状态下电流增益，应()体内陷阱。
(3分)7.降低基极电阻的工艺和版图措施有①()②()③()。
(3分)8.在高频晶体管中，当W B较大时，提高f T的主要措施是()和()，但是上述做法会带来()，因此需折衷。
(3分)。
9.在高频晶体管中，工作频率每增加一倍，|ßw|()，功率增益()；可定义()和()的乘积为高频优值，记为M。
(4分)10.对于MOSFET当()时，MOSFET电流仍然存在，这称为亚阈值导电。
此时，沟道表面处于()。
电子科技大学832微电子器件17年考研真题
考试科目：832 微电子器件一、填空题（共45分，每空1.5分）1、根据输运方程，载流子的（扩散）电流主要与载流子浓度梯度相关，而（漂移）电流主要与载流子浓度相关。
2、俄歇复合的逆过程是（碰撞电离）。
3、当PN结反偏时候，反向电流由（少子）扩散电流和势垒区（产生）电流构成。
4、在二极管的反向恢复过程中，中性区存储的非少子浓度降低有两个原因，一是（载流子复合），二是（反向电流抽取）。
5、薄基区二极管是指P区和N区中至少有一个区的长度远小于该区的（少子扩散长度）。
在其它条件相同的情况下，薄基区二极管的中性区宽度越（小），扩散电流越大。
6、（热击穿）又称为二次击穿，这种击穿通常是破坏性的。
7、双极型晶体管的基区少子渡越时间是指少子在基区内从发射结渡越到集电结的平均时间，等于（基区非平衡少子电荷）除以基区少子电流。
8、半导体薄层材料的方块电阻与材料的面积无关，而与（掺杂浓度）和（厚度）相关。
（备注：填电阻率和厚度也可以）。
9、双极型晶体管的电流放大系数具有（正）温度系数，双极型晶体管的反向截止电流具有（正）温度系数。
（填”正”，”负”或”零”）10、双极型晶体管用于数字电路时，其工作点设置在（截至）区和（饱和）区；MOSFET用于模拟电路时，其直流工作点设置在（饱和）区。
11、由于短沟道器件的沟道长度非常短，起源于漏区的电力线将有一部分贯穿沟道区终止于源区，造成源漏之间的（势垒高度）降低，从而造成漏极电流的（变大）。
（第二个空填”变大”，”变小”或”不变”）12、高频小信号电压是指信号电压是指信号电压的振幅小于（KT/q）；高频小信号通常是叠加在（直流偏置）上的。
13、MOSFET漏源击穿的机理有两种，一种是（漏极PN结击穿），一种是（沟道穿通）。
14、漏源交流短路的情况下，MOSFET的（沟道载流子）电荷随（栅极）电压的变化，定义为MOSFET的本征栅极电容。
15、长沟道MOSFET的跨导与沟道长度（成反比），与栅源电压（成正比），而发生速度饱和的短沟道MOSFET的跨导与沟道长度（无关）。
832微电子器件考试大纲详细
考试科目832微电子器件考试形式笔试（闭卷）考试时间180分钟考试总分150分一、总体要求主要考察学生掌握“微电子器件”的基本知识、基本理论的情况，以及用这些基本知识和基本理论分析问题和解决问题的能力。
二、内容1．半导体器件基本方程1）半导体器件基本方程的物理意义2）一维形式的半导体器件基本方程3）基本方程的主要简化形式2．PN结1）突变结与线性缓变结的定义2）PN结空间电荷区的形成4）耗尽区宽度、内建电场与内建电势的计算5）正向及反向电压下PN结中的载流子运动情况6）PN结的能带图7）PN结的少子分布图8) PN结的直流伏安特性9）PN结反向饱和电流的计算及影响因素10）薄基区二极管的特点11）大注入效应12）PN结雪崩击穿的机理、雪崩击穿电压的计算及影响因素、齐纳击穿的机理及特点、热击穿的机理13）PN结势垒电容与扩散电容的定义、计算与特点14）PN结的交流小信号参数与等效电路15）PN结的开关特性与少子存储效应2）基区输运系数与发射结注入效率的定义及计算3）共基极与共发射极直流电流放大系数的定义及计算4）基区渡越时间的概念及计算5）缓变基区晶体管的特点6）小电流时电流放大系数的下降7）发射区重掺杂效应8）晶体管的直流电流电压方程、晶体管的直流输出特性曲线图9）基区宽度调变效应10）晶体管各种反向电流的定义与测量11）晶体管各种击穿电压的定义与测量、基区穿通效应12）方块电阻的概念及计算13）晶体管的小信号参数14）晶体管的电流放大系数与频率的关系、组成晶体管信号延迟时间的四个主要时间常数、高频晶体管特征频率的定义、计算与测量、影响特征频率的主要因素15）高频晶体管最大功率增益与最高振荡频率的定义与计算，影响功率增益的主要因素4．绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）1）MOSFET的类型与基本结构2）MOSFET的工作原理3）MOSFET阈电压的定义、计算与测量、影响阈电压的各种因素、阈电压的衬底偏置效应4）MOSFET在非饱和区的简化的直流电流电压方程5）MOSFET的饱和漏源电压与饱和漏极电流的定义与计算6）MOSFET的直流输出特性曲线图7）MOSFET的有效沟道长度调制效应8）MOSFET的直流参数及其温度特性9）MOSFET的各种击穿电压10）MOSFET的小信号参数11）MOSFET跨导的定义与计算、影响跨导的各种因素12）MOSFET的高频等效电路及其频率特性13）MOSFET的主要寄生参数14）MOSFET的最高工作频率的定义与计算、影响最高工作频率的主要因素15）MOSFET的短沟道效应以及克服短沟道效应的措施。
三峡大学2006年研究生入学考试试题(微机原理及应用)
14、中断服务程序可放在用户可用的内存的任何区域。……………………………………………………………（ ）
三、简述题(每题6分，共18分)
1、什么叫静态RAM？静态RAM有什么特点？
2、8086 / 8088是怎样解决地址线和数据线的复用问题的? ALE信号何时处于有效电平?
3、CPU在内部结构上由那几部分组成?CPU应具备那些主要功能?
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四、问答题(共20分)
1、画图说明，在8088内部怎样形成20位物理地址？(4分)
2、什么是DRAM的读——修改——写周期？(4分)
3、串行异步通信字符格式中的停止位和空闲位有什么不同？(4分)
4、在对存储器芯片进行片选时，全译码方式、部分译码方式和线选方式各有何特点？(8分)
10、8255A中端口A使用的是INTR，及等线是端口C的线。……………………………………………………………（ ）
11、RS－232C接口是常用的串行通信接口，这个接口可用地址总线寻址。……………………………………………………………（ ）
12、串行异步接口的双向工作方式指的是在串行接口上可同时发送和接收串行数据。………………………………………………………（ ）
4、8088的数据可以存放在几个不连续的段中。…………………………………………………………………（ ）
5、8088中，取指令和执行指令可以重叠操作。………………………………………………………………（ ）
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6、8088的可屏蔽中断的优先权高于非屏蔽中断。…………………………………………………………（ ）
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(NEW)重庆大学光电工程学院《832电子技术一(含模拟电路、数字电路)》历年考研真题汇编
目 录2002年重庆大学584电子技术（1）（含模拟电路、数字电路）考研真题2003年重庆大学471电子技术（1）考研真题2004年重庆大学474电子技术1（含模拟和数字电子技术）考研真题2005年重庆大学474电子技术1（含模拟和数字电子技术）考研真题2006年重庆大学433电子技术（含模拟电路、数字电路）考研真题2007年重庆大学442电子技术1（含模拟电子技术和数字电子技术）考研真题2008年重庆大学841电子技术1（含模拟电子技术和数字电子技术）考研真题2009年重庆大学841电子技术1（含模拟电子技术和数字电子技术）考研真题2010年重庆大学832电子技术一（含模拟电路、数字电路）考研真题2011年重庆大学832电子技术一（含模拟电路、数字电路）考研真题2012年重庆大学832电子技术一（含模拟电路、数字电路）考研真题2013年重庆大学832电子技术（含模拟电路、数字电路）考研真题2014年重庆大学832电子技术一（含模拟电路、数字电路）考研真题2015年重庆大学832电子技术（含模拟电路、数字电路）考研真题2002年重庆大学584电子技术（1）（含模拟电路、数字电路）考研真题2003年重庆大学471电子技术（1）考研真题一、各三极管3个电极对地电位如图一所示，判断各管所处的状态。
（15分）图题一二、放大电路如图题二所示，已知，，，，，试求：（1）电路的Q点；（2）电压增益、输入电阻及输出电阻；（3）若，求。
（20分）图题二三、分析图题三电路，要求：（20分）1．判断电路的级间反馈的极性及组态；2．说明反馈对电路的输入电阻，输出电阻有何影响（增大或减小）；3．在深度负反馈条件下，推出电流的计算式。
图题三四、在题图四所示电路中，设、为理想运放，、为理想二极管。
（20分）1．写出与的关系式；画出相应的电压传输特性曲线（不考虑运放最大输出电压范围对的限制）；2．若输入电压为正弦波，即，试画出与对应的波形。
832微电子器件-电子科技大学2015硕士入学考试真题
电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题电子科技大学2016年硕士研究生入学考试初试自命题科目及代码汇总•111单独考试政治理论•241法语(二外)•242德语(二外)•243日语(二外)•244英语(二外仅日语方向) •288单独考试英语•601数学分析•602高等数学•613分子生物学•615日语水平测试•616公共管理综合•621英语水平测试•622心理学综合•623新闻传播理论•625宪法学•688单独考试高等数学•689西方行政史•690中国近现代史•691政治学原理•692数学物理基础•694生物学综合•694生物学综合•695口腔综合•804行政法与行政诉讼法学•805新闻传播实务•806行政管理综合•808金融学基础•809管理学原理•811大学物理•812地理信息系统基础•813电磁场与电磁波•814电力电子技术•815电路分析基础•818固体物理•820计算机专业基础•821经济学基础•824理论力学•825密码学基础与网络安全•830数字图像处理•831通信与信号系统•832微电子器件•834物理化学•835线性代数•836信号与系统和数字电路•839自动控制原理•840物理光学•845英美文学基础知识及运用•846英语语言学基础知识及运用•847日语专业基础知识及应用•852近代物理基础•853细胞生物学•854国际政治学•855辩证唯物主义和历史唯物主义•856测控通信原理•857概率论与数理统计•858信号与系统•859测控通信基础•860软件工程学科基础综合电子科技大学2015年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共45分，每空1分）1、泊松方程的积分形式即是（）定理，它的物理意义是：流出一个闭合曲面的电通量等于该闭合曲面围成的体积内的（）。
2、PN结的扩散电容和势垒电容有很多不同之处。
微电子学考试题库及答案
微电子学考试题库及答案1、PN结电容可分为过渡区电容和扩散电容两种，它们之间的主要区别在于扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。
2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对VT 的影响为下降，对于窄沟道器件对VT的影响为上升。
4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是寄生参数小，响应速度快等。
5、PN结击穿的机制主要有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿等几种，其中发生雪崩击穿的条件为V B>6E g/q。
6、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因有沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。
8、热平衡时突变PN结的能带图、电场分布，以及反向偏置后的能带图和相应的I-V特性曲线。
答案：见最后附件9、PN结电击穿的产生机构两种；（答案：雪崩击穿、隧道击穿或齐纳击穿。
）10、双极型晶体管中重掺杂发射区目的；（答案：发射区重掺杂会导致禁带变窄及俄歇复合，这将影响电流传输，目的为提高发射效率，以获取高的电流增益。
）11、晶体管特征频率定义；（答案：随着工作频率f的上升，晶体管共射极电流放大系数下降为时所对应的频率，称作特征频率。
）12、P沟道耗尽型MOSFET阈值电压符号；（答案：）13、MOS管饱和区漏极电流不饱和原因；（答案：沟道长度调制效应和漏沟静电反馈效应。
）15、MOSFET短沟道效应种类；（答案：短窄沟道效应、迁移率调制效应、漏场感应势垒下降效应。
）16、扩散电容与过渡区电容区别。
（答案：扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。
）。
2、截止频率fT答案：截止频率即电流增益下降到1时所对应的频率值。
3、耗尽层宽度W。
答案：P型材料和N型材料接触后形成PN结，由于存在浓度差，就会产生空间电荷区，而空间电荷区的宽度就称为耗尽层宽度W。
华南理工大学2006年部分考研真题(待续)
华南理工大学2006年硕士研究生入学考试半导体物理试卷一、解释下列概念：（20分）1、霍尔效应：2、共有化运动3、杂质补偿4、肖特基势垒5、非平衡载流子寿命二、简述硅和砷化镓能带结构的异同。
（10分）三、简述产生半导体激光的基本条件。
（10分）四、简述半导体光吸收的主要物理过程，并在能带示意图上定性表示之。
（10分）五、试述什么是简并、非简并半导体；给出非简并、弱简并及简并半导体的区分标准，并说明其含义。
（15分）六、请解释迁移率概念，并说明对于半导体硅而言影响其迁移率的主要因素。
（15分）七、请定性画出n-n型异质结平衡时能带图，并给予简要解释。
（15分）八、用n型Si衬底制成MOS电容，解释该结构在积累、耗尽、弱反型、强反型下的电容值变化规律，并画出高频、低频的C-V曲线。
（15分）九、在半导体硅材料中掺入施主杂质浓度ND = 1015/cm3，受主杂质浓度NA = 4×1014/cm3；设室温下本征硅材料的电阻率ri=2.2×105W.cm，假设电子和空穴的迁移率分别为mn =1350cm2/(V.S), mp = 500cm2/(V.S)，不考虑杂质浓度对迁移率的影响，求掺杂样品的电导率。
（20分）十、施主浓度ND = 1016/cm3的n型单晶硅片，求室温下功函数是多少？若忽略表面态的影响，当它同金属Al、Au、Mo接触时，分别形成何种接触？并定性画出该n型硅与金属Al接触前后的能带示意图。
已知硅的电子亲和能Xs =4.0eV，NC = 1019/cm3，设金属的功函数分别为Wal = 4.05 eV, WAu = 5.20eV, WMo = 4.21 eV。
（20分）华南理工大学2006年硕士研究生入学考试辩证唯物主义与历史唯试卷一、单项选择题：（在每小题的备选答案中选出一个正确答案，填在答题纸的相应题号的空格内。
每小题2分，共40分）1、哲学的基本问题是（）A.世界观和方法论的关系问题B.物质和运动的关系问题C.理论和实践的关系问题D.思维和存在的关系问题2、绝对真理是指（）。
电子科技大学832微电子器件2020年考研专业课初试大纲
考试形式 笔试（闭卷）
考试时间 180 分钟
考试总分 150 分
一、总体要求 主要考察学生掌握“微电子器件”的基本知识、基本理论的情况，以及用这些基本知识和基本
理论分析问题和解决问题的能力。 二、内容
1．半导体器件基本方程 1）半导体器件基本方程的物理意义 2）一维形式的半导体器件基本方程 3）基本方程的主要简化形式 2．PN 结 1）突变结与线性缓变结的定义 2）PN 结空间电荷区的形成 3）耗尽近似与中性近似 4）耗尽区宽度、内建电场与内建电势的计算 5）正向及反向电压下 PN 结中的载流子运动情况 6）PN 结的能带图 7）PN 结的少子分布图 8) PN 结的直流伏安特性 9）PN 结反向饱和电流的计算及影响因素 10）薄基区二极管的特点 11）大注入效应 12）PN 结雪崩击穿的机理、雪崩击穿电压的计算及影响因素、齐纳击穿的机理及特点、热击 穿的机理 13）PN 结势垒电容与扩散电容的定义、计算与特点 14）PN 结的交流小信号参数与等效电路 15）PN 结的开关特性与少子存储效应 3．双极型晶体管 1）双极型晶体管在四种工作状态下的少子分布图与能带图 2）基区输运系数与发射结注入效率的定义及计算 3）共基极与共发射极直流电流放大系数的定义及计算 4）基区渡越时间的概念及计算 5）缓变基区晶体管的结构与电学特性 6）小电流时电流放大系数的下降 7）发射区重掺杂效应 8）晶体管的直流电流电压方程、晶体管的直流输出特性曲线图 9）基区宽度调变效应 10）晶体管各种反向电流的定义与测量方法 11）晶体管各种击穿电压的定义与测量方法、基区穿通效应 12）方块电阻的概念及计算 13）晶体管的小信号参数
14）晶体管的电流放大系数与频率的关系、组的定义、计算与测量、影响特征频率的主要因素