半导体相关技术及流程
半导体铜制程
半导体铜制程随着现代科技的进步，半导体技术在各个领域都得到了广泛的应用。
而半导体铜制程作为一种重要的制程技术，在半导体工业中扮演着重要的角色。
本文将从半导体铜制程的定义、工艺流程、应用以及未来发展等方面进行阐述。
一、半导体铜制程的定义半导体铜制程，简称Cu制程，是指在半导体工艺中使用铜材料代替传统的铝材料作为金属导线的制程。
相比于铝制程，铜制程具有更低的电阻、更高的导电性能和更好的热稳定性，能够提高芯片性能和可靠性。
二、半导体铜制程的工艺流程半导体铜制程的工艺流程主要包括以下几个步骤：1. 清洗与准备：在制程开始之前，需要对芯片表面进行清洗和准备工作，以确保杂质的去除和表面的平整度。
2. 模板和光刻：在芯片表面涂覆一层光刻胶，然后使用光刻机将图案投射到光刻胶上，形成光刻模板。
3. 蚀刻：使用蚀刻液将光刻模板上的图案转移到芯片表面，去除不需要的材料。
4. 铜填充：将铜材料填充到蚀刻后的孔洞中，形成金属导线。
5. 漂镀：通过电化学方法在芯片表面形成一层保护层，以提高导线的导电性和抗氧化性。
6. 研磨和抛光：将芯片表面进行研磨和抛光，使其平整度更高，以便后续工艺步骤的进行。
7. 后续工艺：根据具体需求，可以进行多次重复的蚀刻、填充、漂镀等工艺步骤，以形成复杂的电路结构。
三、半导体铜制程的应用半导体铜制程在现代半导体工业中得到了广泛的应用。
其主要应用领域包括：1. 微电子芯片：半导体铜制程可以用于制造微电子芯片中的金属导线，提高芯片的电路性能和可靠性。
2. 太阳能电池：半导体铜制程可以用于太阳能电池的制造，提高电池的光电转换效率。
3. 集成电路：半导体铜制程可以用于集成电路的制造，提高电路的性能和集成度。
4. 电子元器件：半导体铜制程可以用于制造各种电子元器件，如电容器、电感器等，提高元器件的性能和可靠性。
四、半导体铜制程的未来发展随着半导体技术的不断发展，半导体铜制程也在不断完善和创新。
未来，半导体铜制程的发展趋势主要包括以下几个方面：1. 制程精度的提高：随着制程精度要求的不断提高，半导体铜制程需要更加精细的工艺控制和设备技术，以满足高性能芯片的制造需求。
半导体后端工艺流程
半导体后端工艺流程【摘要】半导体后端工艺流程是半导体制造过程中的重要环节，涉及多个步骤和技术。
工艺准备阶段是整个流程的第一步，包括材料准备和设备校准等工作。
接着是掩膜图形制作，通过光刻技术将芯片上的电路图案转移到光刻胶上。
然后是晶圆清洁与表面处理，保证芯片表面无尘且具有良好的附着性。
电子束光刻是一种高精度的刻蚀技术，用于制作微小且复杂的芯片结构。
最后是蚀刻与沉积，通过化学腐蚀和沉积来改变芯片表面的性质。
半导体后端工艺流程需要精密的操作和先进的设备支持，是半导体制造中至关重要的环节。
【关键词】半导体后端工艺流程，工艺准备阶段，掩膜图形制作，晶圆清洁与表面处理，电子束光刻，蚀刻与沉积，半导体后端工艺流程总结1. 引言1.1 半导体后端工艺流程概述半导体后端工艺流程是指在半导体芯片制造的最后一道工序，主要包括工艺准备、掩膜图形制作、晶圆清洁与表面处理、电子束光刻和蚀刻与沉积等步骤。
这些步骤在半导体制造过程中起着至关重要的作用，直接影响着芯片的性能和质量。
在半导体后端工艺流程中，工艺准备阶段是整个流程的第一步，包括准备所需的材料、设备和工艺参数设置。
掩膜图形制作是将设计好的电路图案转移到晶圆上的关键步骤，需要通过光刻技术来实现。
晶圆清洁与表面处理是为了去除晶圆表面的杂质和氧化层，保证后续工艺的顺利进行。
电子束光刻是一种高精度的图案转移技术，可以将微米甚至亚微米级别的图案精确地转移到晶圆表面。
蚀刻与沉积是指利用化学蚀刻和蒸发沉积等方法，在晶圆表面形成所需的结构和层。
通过以上步骤的顺利进行，半导体后端工艺流程可以完成芯片的制造，从而生产出高性能、高质量的半导体产品。
半导体后端工艺流程是半导体制造中不可或缺的环节，对整个半导体产业的发展起着重要的推动作用。
2. 正文2.1 工艺准备阶段工艺准备阶段是半导体后端工艺流程中至关重要的一步。
在这个阶段，工程师们需要进行各种准备工作，以确保后续的工艺步骤能够顺利进行。
半导体制造工艺流程大全
掺杂
扩散
将杂质元素扩散到晶圆表面一定深度，以改变材料的电学性 质。
离子注入
将杂质离子注入到晶圆表面一定深度，以改变材料的电学性 质。
03 半导体制造设备与材料
制造设备
01
ห้องสมุดไป่ตู้
02
03
04
清洗设备
用于清洗硅片表面的杂质和尘 埃，确保硅片的清洁度。
热处理设备
用于对硅片进行高温处理，实 现晶体结构的重排和掺杂元素
面临的挑战与问题
制程良率
01
随着芯片尺寸不断缩小，制程良率成为一大挑战，需要不断提
高制造工艺的精度和稳定性。
材料限制
02
目前用于半导体制造的材料有限，寻找新的、适合未来发展的
材料是关键。
环保与能源消耗
03
半导体制造过程中需要大量的能源和水资源，同时产生的废料
和污染也需得到妥善处理和控制。
THANKS FOR WATCHING
半导体制造的重要性
半导体制造是现代电子工业的基础， 涉及到众多高科技领域的发展。
半导体制造技术的不断进步，推动了 电子产品的微型化、高性能化和智能 化。
02 半导体制造工艺流程
晶圆制备
原材料选择
根据制造需求选择合适 的单晶硅原材料，确保
其纯度和晶体结构。
切割
研磨
抛光
将单晶硅锭切割成一定 直径的圆形硅片，即晶
圆。
对晶圆表面进行研磨， 以去除表面损伤和杂质。
通过抛光技术使晶圆表 面光滑，达到原子级水
平。
薄膜沉积
物理沉积
通过物理方法将气体中的元素沉积到晶圆表面， 形成薄膜。
化学沉积
通过化学反应将气体中的元素沉积到晶圆表面， 形成薄膜。
半导体制造工艺流程_图文
SiO2 P+
AL
N+ N-epi
P-SUB
Al P+
主要制程介绍
矽晶圓材料（Wafer）
圓晶是制作矽半導體IC所用之矽晶片，狀似圓 形，故稱晶圓。材料是「矽」， IC（ Integrated Circuit）厂用的矽晶片即為 矽晶體，因為整片的矽晶片是單一完整的晶體 ，故又稱為單晶體。但在整體固態晶體內，眾 多小晶體的方向不相，則為复晶體（或多晶體 ）。生成單晶體或多晶體与晶體生長時的溫度 ，速率与雜質都有關系。
外延层电阻
SiO2
R
N+
R
P+
P
P+
N-epi
P-SUB
集成电路中电阻5
MOS中多晶硅电阻
多晶硅
SiO2氧化层Si源自其它：MOS管电阻集成电路中电容1
SiO2 P+
A-
N+E P+-I
N+-BL P-SUB
B+
A-
B+
N P+ Cjs
发射区扩散层—隔离层—隐埋层扩散层PN电容
集成电路中电容2
N+
後段backend构装packaging测试制程initialtestandfinaltest一晶圆处理制程晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件如电晶体电容体逻辑闸等为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程以微处理器microprocessor为例其所需处理步骤可达数百道而其所需加工机台先进且昂贵动辄数千万一台其所需制造环境为为一温度湿度与含尘particle均需控制的无尘室cleanroom虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关
很完整半导体制造工艺流程
VCC AL
N+
P+
P-SUB
集成电路中电阻2
发射区扩散电阻
SiO2
R
P+ N+
N-epi N+-BL
P-SUB
R P+
集成电路中电阻3
基区沟道电阻
SiO2 P+
R
N+
P N-epi
N+-BL
P-SUB
R P+
集成电路中电阻4
外延层电阻
SiO2
R
N+
R
P+
P
P+
N-epi
P-SUB
集成电路中电阻5
E p+
N P
NPN
PNP
NPN晶体管刨面图
SiO2
B
N+ E
AL C
P
P+
P+
N-epi
N+-BL
P-SUB
1.衬底选择
P型Si ρ 10Ω.cm 111晶向,偏离2O~5O
晶圆（晶片） 晶圆（晶片）的生产由砂即（二氧化硅）开始， 经由电弧炉的提炼还原成 冶炼级的硅，再经由 盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透 过慢速分 解过程，制成棒状或粒状的「多晶 硅」。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解 后，再 利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公分 长，重76.6公斤的 8寸 硅晶棒，约需 2天半 时间长成。经研磨、抛光、切片后，即成半导 体之原料 晶圆片
MOS中多晶硅电阻
多晶硅
SiO2
氧化层
Si
其它：MOS管电阻
集成电路中电容1
SiO2 P+
半导体制造工艺流程解读
半导体制造工艺流程解读第一章半导体制造概述 (2)1.1 半导体材料简介 (2)1.2 半导体器件分类 (2)第二章晶圆制备 (3)2.1 晶圆生长 (3)2.2 晶圆切割与抛光 (4)第三章光刻工艺 (4)3.1 光刻原理 (4)3.2 光刻胶与光刻技术 (5)3.2.1 光刻胶 (5)3.2.2 光刻技术 (5)3.3 光刻后处理 (5)第四章离子注入 (5)4.1 离子注入原理 (6)4.2 离子注入工艺流程 (6)第五章化学气相沉积 (6)5.1 化学气相沉积原理 (6)5.2 化学气相沉积工艺 (7)第六章物理气相沉积 (8)6.1 物理气相沉积原理 (8)6.2 物理气相沉积工艺 (8)6.2.1 真空蒸发沉积 (8)6.2.2 电子束蒸发沉积 (8)6.2.3 磁控溅射沉积 (9)6.2.4 分子束外延沉积 (9)第七章湿法刻蚀 (9)7.1 湿法刻蚀原理 (9)7.2 湿法刻蚀工艺 (10)第八章等离子体刻蚀 (11)8.1 等离子体刻蚀原理 (11)8.2 等离子体刻蚀工艺 (11)第九章掺杂与扩散 (12)9.1 掺杂原理 (12)9.1.1 掺杂剂的选择 (12)9.1.2 掺杂方法 (12)9.2 扩散工艺 (12)9.2.1 扩散原理 (13)9.2.2 扩散工艺流程 (13)9.2.3 扩散工艺参数 (13)第十章封装与测试 (13)10.1 封装工艺 (13)10.1.1 封装概述 (13)10.1.2 芯片贴装 (14)10.1.3 塑封 (14)10.1.4 引线键合 (14)10.1.5 打标 (14)10.2 测试方法与标准 (14)10.2.1 测试方法 (14)10.2.2 测试标准 (14)10.2.3 测试流程 (14)第一章半导体制造概述1.1 半导体材料简介半导体材料是现代电子技术的基础，其导电功能介于导体和绝缘体之间。
半导体材料的导电功能可以通过掺杂、温度、光照等外界条件进行调控。
揭秘半导体制造全流程(上篇)
为帮助大家了解和认识半导体及相关工艺，我们将以三期文章推送，为大家逐一介绍每个步骤。
当听到“半导体”这个词时，你会想到什么？它听起来复杂且遥远，但其实已经渗透到我们生活的各个方面：从智能手机、笔记本电脑、信用卡到地铁，我们日常生活所依赖的各种物品都用到了半导体。
每个半导体产品的制造都需要数百个工艺，泛林集团将整个制造过程分为八个步骤：晶圆加工-氧化-光刻-刻蚀-薄膜沉积-互连-测试-封装。
为帮助大家了解和认识半导体及相关工艺，我们将以三期微信推送，为大家逐一介绍上述每个步骤。
第一步晶圆加工所有半导体工艺都始于一粒沙子！因为沙子所含的硅是生产晶圆所需要的原材料。
晶圆是将硅(Si)或砷化镓(GaAs)制成的单晶柱体切割形成的圆薄片。
要提取高纯度的硅材料需要用到硅砂，一种二氧化硅含量高达95%的特殊材料，也是制作晶圆的主要原材料。
晶圆加工就是制作获取上述晶圆的过程。
①铸锭首先需将沙子加热，分离其中的一氧化碳和硅，并不断重复该过程直至获得超高纯度的电子级硅(EG-Si)。
高纯硅熔化成液体，进而再凝固成单晶固体形式，称为“锭”，这就是半导体制造的第一步。
硅锭（硅柱）的制作精度要求很高，达到纳米级，其广泛应用的制造方法是提拉法。
②锭切割前一个步骤完成后，需要用金刚石锯切掉铸锭的两端，再将其切割成一定厚度的薄片。
锭薄片直径决定了晶圆的尺寸，更大更薄的晶圆能被分割成更多的可用单元，有助于降低生产成本。
切割硅锭后需在薄片上加入“平坦区”或“凹痕”标记，方便在后续步骤中以其为标准设置加工方向。
③晶圆表面抛光通过上述切割过程获得的薄片被称为“裸片”，即未经加工的“原料晶圆”。
裸片的表面凹凸不平，无法直接在上面印制电路图形。
因此，需要先通过研磨和化学刻蚀工艺去除表面瑕疵，然后通过抛光形成光洁的表面，再通过清洗去除残留污染物，即可获得表面整洁的成品晶圆。
第二步氧化氧化过程的作用是在晶圆表面形成保护膜。
它可以保护晶圆不受化学杂质影响、避免漏电流进入电路、预防离子植入过程中的扩散以及防止晶圆在刻蚀时滑脱。
半导体后道工艺流程
半导体后道工艺流程
半导体后道工艺流程主要包括以下步骤：
1. 清洗：将经过前道工艺的晶圆进行清洗，以去除表面的杂质和残留物。
2. 形成：使用光刻技术，在晶圆表面形成各种不同结构和图案。
这包括使用光刻胶覆盖晶圆，并通过曝光和显影来形成所需图案。
3. 清洗和去除：将经过形成步骤的晶圆进行再次清洗，以去除可溶解的光刻胶和其他残留物。
还可能需要使用化学品等方法来去除一些非期望的物质。
4. 沉积：通过化学气相沉积或物理气相沉积等方法，在晶圆上沉积一层薄膜。
这是为了增加晶圆的功能或保护。
5. 蚀刻：使用化学液体或等离子体来去除晶圆上的部分材料，以形成所需的结构。
这是为了加工晶圆上的微细器件或连接电路。
6. 清洗和去除：将晶圆进行再次清洗，以去除残留的化学液体或等离子体以及其他杂质。
7. 导电薄膜形成：对晶圆进行进一步处理，以在需要的区域形成导电层或金属。
8. 绝缘层形成：在需要的区域形成绝缘层，以隔离电路或器件。
9. 放热处理：对已完成的晶圆进行退火、烘烤或其他热处理，以改善器件性能和稳定性。
10. 封装和测试：将晶圆切割成单独的芯片，然后封装到塑料
或陶瓷芯片包装中。
最后对封装的芯片进行测试，以确保其良好功能。
半导体工艺流程
半导体工艺流程
《半导体工艺流程》
半导体工艺流程是指将硅片或其他半导体材料转化为集成电路芯片的过程。
通过一系列的加工步骤和工艺技术，将原始的半导体材料加工成具有特定功能的集成电路芯片。
整个工艺流程包括晶圆清洁、光刻、薄膜沉积、离子注入、退火、刻蚀等多个步骤。
首先，晶圆清洁是整个工艺流程的第一步，通过一系列的化学溶液和超声波清洗，将硅片表面的杂质和污染物去除，以确保后续加工步骤的成功进行。
接下来是光刻步骤，即利用光刻胶和掩膜来进行芯片的图案定义和传输。
薄膜沉积是指在硅片表面沉积金属或氧化物薄膜，以用于制作晶体管、电容器等器件。
离子注入则是通过注入掺杂剂来改变半导体材料的电性能，形成PN结构。
退火是指对晶圆进行高温处理，以改善晶体结构
和电性能。
最后，刻蚀是将薄膜材料进行局部加工并形成电路结构的步骤。
在整个半导体工艺流程中，每个步骤都需要高度精密的设备和严格的工艺控制。
任何一步的失误都可能导致整个芯片的失败。
因此，工艺工程师需要不断优化和改进工艺流程，以提高芯片的生产效率和质量。
随着技术的进步和创新，半导体工艺流程也在不断发展，新的工艺技术不断涌现，以满足市场对更高性能和更小尺寸芯片的
需求。
因此，半导体工艺流程的研究和发展具有重要的意义，将对电子产业和信息技术的发展产生深远影响。
半导体新产品导入流程
半导体新产品导入流程随着科技的不断发展，半导体新产品的研发和推出成为了一个重要的环节。
半导体新产品的导入流程是一个复杂而精细的过程，需要经过多个环节和各种操作。
本文将介绍半导体新产品导入的流程和相关内容。
1. 产品规划阶段在半导体新产品导入流程中，首先需要进行产品规划。
这一阶段的目标是明确新产品的定位、功能和特点，制定产品的技术要求和市场定位。
在产品规划阶段，需要进行市场调研和竞品分析，以确定产品的差异化竞争策略。
2. 技术研发阶段在产品规划确定后，进入技术研发阶段。
这一阶段的目标是开展相关技术研发工作，包括设计、制造和测试等。
在设计阶段，需要进行电路设计、芯片布局和制造工艺等工作。
在制造过程中，需要进行芯片的制作、封装和测试。
技术研发阶段的完成将为后续的导入工作奠定基础。
3. 试产阶段在技术研发完成后，需要进行试产阶段的工作。
试产阶段的目标是验证产品的可行性和稳定性，检验产品的质量和性能。
在试产中，需要进行小批量的生产和测试，以获取实际产品的性能数据和客户反馈。
试产阶段的结果将决定是否继续进行正式的生产。
4. 供应链准备阶段在试产验证通过后，需要进行供应链准备阶段的工作。
这一阶段的目标是确保供应链的稳定和可靠，满足产品的生产和交付需求。
供应链准备包括供应商的选择和评估、物料的采购和库存管理等。
同时，还需要建立起与供应商和合作伙伴的有效沟通和合作机制。
5. 生产与测试阶段供应链准备完成后，进入生产与测试阶段。
这一阶段的目标是实现产品的大规模生产和测试，确保产品的质量和性能。
在生产过程中，需要进行芯片的制造、封装和测试等工作。
同时，还需要进行产品的质量控制和质量保证，确保产品符合标准和要求。
6. 市场推广阶段在产品生产完成后，需要进行市场推广阶段的工作。
这一阶段的目标是将产品推向市场，获取用户的认可和市场份额。
市场推广包括渠道的建设和拓展、营销活动的策划和执行等。
同时，还需要进行用户反馈的收集和产品改进的工作，以不断提升产品的竞争力和用户满意度。
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等级概念：如1000级，每立方英尺内,大于等于
0.5的灰尘颗粒不能超过1000颗
芯片制作完整过程包括 ：芯片设计、晶圆制造
、芯片生产（封装、测试）等几个环节。
芯片设计
晶圆制造，FAB晶圆厂。 芯片封装
设计
芯片测试
封装测试厂晶圆制造芯片封测IC Design IC设计
Wafer Fab 晶圆制造
洁净度级别
粒 径 (um)
0.1 0.2 0.3 0.5 5.0
1 35 7.5 3
1
NA
10 350 75 30 10
NA
100 NA 750 300 100 NA
1000 NA NA
NA 1000 7
10000 NA NA
NA 10000 70
100000 NA NA
NA 100000 700
外观测试：它通过IC的图像二元化分析与测试。检查IC的管脚（
如管脚形状、间距、平坦度、管脚间异物等）、树脂（异物附着 、树脂欠缺）、打印（打印偏移、欠缺）、IC方向等项目，并分 拣出外观不合格品。
包装的主要目的是保证运输过程中的产品安全 ，及长期存放时的产品可靠性。因此对包装材 料的强度、重量、温湿度特性、抗静电性能都 有一定的要求。
陈灿文 2012.3.26
1.半导体相关知识介绍 2.半导体产业介绍 3.半导体晶圆制造 4.半导体封装测试 5.封装形式介绍 6.封装测试厂流程细则 7.半导体中国产业分布，著名半导体厂
晶圆制造工艺的微米是指IC内电路与电路之间的距离。制造工艺的趋势是向 密集度愈高的方向发展，。密度愈高的IC电路设计，意味着在同样大小面积 的IC中，可以拥有密度更高、功能更复杂的电路设计。微电子技术的发展与 进步，主要是靠工艺技术的不断改进，使得器件的特征尺寸不断缩小，从而
，成产的成本越低，但对工艺就要求的越高。
石英/沙子
初步提纯
一定纯度的硅
高度提纯
（多晶硅）纯硅
溶
单晶 硅晶 棒
经过一系列的操作
◦ 多晶硅硅锭中晶体的晶向是杂乱无章的，如果使用 它来制作半导体器件，其电学特性将非常糟糕，所 以必须把多晶硅制作成单晶硅，这个过程可以形象 地称作拉单晶(Crystal Pulling)。
机器构造
主电控
模具预热台
去残胶/ 塑封料 进料
LF进料
LF Shifter 进 料
塑封料 手 进料 臂
模具
出
料
产品出料
手
臂
MD(封胶）的作用：是为了保护器件不受环境影响（外 部冲击，热及水伤）而能长期可靠工作,在表面封一层 胶。
封装形式按封装材料划分为：金属封装、陶瓷封装、塑料封装。 塑料封装材料：环氧树脂塑封料。
正印烘烤 Mark Cure
彎腳裝盤 Lead Trim & Form
PDIP 產品 除膠渣 Deflsh 電鍍 Solder Plating 蓋正印
Write Epoxy 点银浆
Die Attach 芯片粘接
Epoxy Cure 银浆固化
➢ 银浆成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag）； ➢ 有三个作用：将Die固定在Die Pad，散热作用，导电作用；
Epoxy Storage： 零下50度存放；
Epoxy Aging： 使用之前回温24H，除去气
◦ 将高纯度的多晶硅碾碎，放入石英坩埚，加高温到 1400°C，注意反应的环境是高纯度的惰性气体氩 (Ar)。
◦ 精确的控制温度，单晶硅就随着晶种被拉出来了。
◦ 经过切片后产生真正成型的晶园。
◦ 半导体工业使用的晶园并不是纯粹的硅晶园，而是 经过掺杂了的N型或者P型硅晶园。这是一套非常复
杂的工艺，用到很多不同种类的化学药品。做完这 一步，晶园才可以交付到半导体芯片制作工厂。
银浆分 配器
装片头
校正台 簿膜
吸嘴 芯片 簿膜
競寞
抓片头 圆片
WB目的:为了使芯片能与外界传送及接收信号，就必须在芯片的接 触电极与框架的引脚之间，一个一个对应地用键合线连接起来， 这个过程叫键合。
线分为：金线，银线，铜线，铝线…
➢ 金线采用的是99.99%的高纯度金； ➢ 同时，出于成本考虑，目前有采用铜
冲塑
切筋
切脚
冲弯
切吊筋
利用激光在封胶体上刻字。如标准商标，产品型 号等。
机器上有个激光头产生激光源，将电脑设计好的 图标与文字打印在封胶体上。
测试工序是确保向客户提供产品的电气性能符合要求的关键工序.
它利用与中测相类似的测试台以及自动分选器，测定IC的电气特 性，把良品、不良品区分开来.
测试按功能可分为DC测试（直流特性）、AC测试（交流特性或 timing特性）及FT测试（逻辑功能测试）三大类。同时还有一些 辅助工序，如BT老化、插入、拔出、实装测试、电容充放电测试 等。
集成度不断提高，功耗降低，器件性能得到提高。
晶圆尺寸.6寸——8寸——12寸——16寸（400um)
芯片的厚度：整体芯片的厚度。
引脚大小及个数
封装形式
「无尘室」是指将一定空间范围内之空气中的微 粒子、有害空气、细菌等之污染物排除，并将 室内之温度、湿度、洁净度、室内压力、气流 速度与气流分布、噪音振动及照明、静电控制 在某一需求范围内，而所给予特别设计的车间 。
一般此工序好多工厂是不会在测试，除了特别需求 。
Grading研磨
Taping 粘胶带
Back Grinding
磨片
De-Taping 去胶带
➢ 将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到 封装需要的厚度；
➢ 磨片时，需要在正面（Active Area）贴胶带保护电路区域 同时研磨背面。研磨之后，去除胶带，测量厚度；
是否為 BGA 產品
No
壓模 Molding 蓋背印 Back Mark 壓模後烘烤 Postmold Cure
Yes
BGA 產品
點膠 Wire Coating
是否需要植散熱片
No
烘烤 Cureing 電漿清洗 Plasma
Yes
植散熱片
接下 頁
為何種產品
一般產品
切連桿 Dejunk 除膠渣 Deflsh 電鍍 Solder Plating 蓋正印 Mark
Bond Ball：第一焊点。指金线在Cap的作用下，在Pad上形成的焊接点 ，一般为一个球形；
Wedge：第二焊点。指金线在Cap的作用下，在Lead Frame上形成的焊 接点，一般为月牙形（或者鱼尾形）；
W/B四要素：压力（Force）、超声（USG Power）、时间（Time）、 温度（Temperature）；
线和铝线工艺的。优点是成本降低， 同时工艺难度加大，良率降低；
Key Words：
Capillary：陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个
Bonding Tool，内部为空心，中间穿上金线，并
分别在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成第
一和第二焊点；
EFO：打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温，将 外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形，以便在Pad上形成第一焊点 （Bond Ball）；
EFO打 火杆在 磁嘴前 烧球
Cap下降到 芯片的Pad 上，在压力 和超声形成 第一焊点
Cap牵 引金 线上 升
Cap运动轨 迹形成良 好的Wire
Loop
Cap下降 Cap侧向划 Cap上提，
到Lead
开，将金线 完成一次动
Company Logo
Auto Mold模
接下頁
接下頁
上片 Die Bond
銀膠烘烤 Epoxy Cure
一般產品
推力試驗 Pushing Test
接線拉力推球試驗 Wire Pull & Ball
接線 Wire Bond
接線目檢 PBI
是否需要覆晶
No
前段製程完成
特殊產品
電漿清洗 Plasma
Yes
覆晶膠 Die Coating 覆晶膠烘烤 Coating Cure
一般制程工序流程分为前/后道。 前道：Grading,Sawing,die bond,wire bond. 后道：Molding,Tirm From,Test,Packing
形 成
晶圆
此工序主要针对Wafer测试。
晶圆厂出厂的晶圆不是全是好的。只是那边测试,会 给个MAP图标注！那边是坏die,那些是好die,所以
撕膠布Detaping Wafer
是否使用UV Tape Yes
貼晶圓
Wafer Mount ( UV Tape )
No
貼晶圓Wafer Mount ( Blue Tape )
晶圓切割
Wafer Saw
晶圓清洗
Wafer Clean 晶圓檢驗
PSI 是否照UV
Yes
紫外線照射UV
No
封 装 测 试 整 体 流 程 细 则
Wafer Mount 晶圆安装 贴蓝膜
Wafer Saw 晶圆切割
Wafer Wash 清洗
UV 光照
➢ 将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得 即使被切割开后，不会散落；
➢ 通过Saw Blade将整片Wafer切割成一 个个独立的Dice，方便后面的 Die Attach 等工序；
➢ Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘，清洁Wafer； ➢ UV光照，光照后，底下贴膜不会沾的太紧。
我们一般会听到是几寸的晶圆厂。一般现在有6寸,8寸,12 寸晶圆。正在研究16寸400mm晶圆。这里的几寸是指 Wafer的直径。
1英寸=25.4mm，6寸晶圆就是直径为150mm的晶圆。8 寸 200mm,12寸 300mm。