日本开发新的透明导电材料
ito靶材成分
ito靶材成分介绍ITO（Indium Tin Oxide）是一种重要的透明导电材料，具有广泛的应用前景。
ITO 靶材是制备ITO薄膜的原材料，其成分对薄膜性能具有重要影响。
本文将深入探讨ITO靶材的成分及其对薄膜性能的影响。
ITO靶材组成ITO靶材是由两种主要元素组成的化合物，即铟（Indium）和锡（Tin）氧化物。
在靶材中，铟和锡的摩尔比例可根据具体应用的要求进行调节。
一般而言，ITO靶材中铟的摩尔含量在90%到95%之间，而锡的摩尔含量则在5%到10%之间。
ITO成分的影响ITO靶材的成分对薄膜的导电性、透明性以及机械性能等方面都有重要影响。
下面将分别介绍成分对这些性能的影响。
1. 导电性ITO靶材的主要应用之一是制备透明导电薄膜。
靶材的成分对薄膜的导电性能有直接影响。
一般来说，靶材中锡含量的增加可以提高薄膜的导电性能。
这是因为锡在氧化物中具有更多的自由电子，能够更有效地传导电荷。
2. 透明性ITO薄膜常用于液晶显示器、光伏电池等领域，因此其透明性是一个重要的性能指标。
靶材中铟含量的增加可以提高薄膜的透明性。
这是因为铟有较高的电子亲和力，能够促使氧化物形成致密的晶格结构，从而降低散射。
3. 机械性能ITO薄膜通常需要在柔性基底上制备，因此其机械性能也非常重要。
靶材中铟和锡的摩尔比例对薄膜的机械稳定性有影响。
含有较高铟含量的靶材可以提高薄膜的柔韧性。
ITO靶材制备ITO靶材制备通常采用物理气相沉积（PVD）技术，如磁控溅射等。
下面将介绍ITO 靶材的制备步骤。
1. 材料选择制备ITO靶材的关键是正确选择铟和锡的前驱体。
常用的铟前驱体有铟粉、氧化铟等，而锡前驱体则有锡粉、氧化锡等。
这些前驱体需要具备较高的纯度和可溶性。
2. 目标制备目标是实际用于沉积薄膜的ITO靶材。
通过将铟和锡前驱体混合，加热并进行特定处理，可以制备出具有所需成分的ITO靶材。
为了达到更高的纯度和均匀性，通常会采用多次烧结和热压的方法。
ito靶材的制备
ITO靶材ITO靶材简介ITO靶材是三氧化二铟和二氧化锡的混合物，是ITO薄膜制备的重要原料。
ITO靶主要用于ITO膜透明导电玻璃的制作，后者是制造平面液晶显示的主要材料，在电子工业、信息产业方面有着广阔而重要的应用。
ITO靶的理论密度为7115g/ cm3。
优质的成品IT O靶应具有≥99%的相对密度。
这样的靶材具有较低电阻率、较高导热率及较高的机械强度。
高密度靶可以在温度较低条件下在玻璃基片上溅射，获得较低电阻率和较高透光率的导电薄膜，甚至可以在有机材料上溅射ITO导电膜。
目前质量最好的ITO溅射靶，具有≥99%相对密度。
靶材制备技术日本新金属学会在二十世纪九十年代初期就把ITO靶材列为高科技金属材料的第一位。
我国在“九五”期间也曾将它作为国家“九五”攻关重点项目进行立项研究，尝试了热压、烧结以及热等静压几种制备方法，但是未能形成大规模的工业化生产。
国外生产的ITO 靶材早已投放市场，主要产家有德国Leybold （莱博德）公司、日本Tosoh（东曹）公司、日本Energy（能源公司）、日本SamITO（住友）公司以及韩国Samsung（三星）公司。
国内生产靶材的公司主要有：株洲冶炼集团有限责任公司、宁夏九0五集团、威海市蓝狐特种材料开发有限公司、韶关西格玛技术有限公司和柳州华锡有限责任公司等。
ITO靶材的制造技术高性能的ITO靶材必须具备以下的性能：高密度，ITO靶材的理论密度为7.15g/cm3，商业产品相对密度至少要达98%以上，目前高端用途的产品密度在99。
5%左右；高耐热冲击性；组织均一无偏析现象；微细均匀的晶粒大小；纯度达到99。
99%。
目前ITO靶材的生产工艺和技术设备已较为成熟和稳定，其主要制备方法有热等静压法、真空热压法、常温烧结法、冷等静压法。
真空热压法真空热压是利用热能与机械能将材料陶瓷致密化的工艺，可制备出密度达91%~96%的高密度ITO陶瓷靶。
热压法的工艺流程是利用加热加工模具后，注入试料，以压力将模型固定于加热板，控制试料之熔融温度及时间，以达融化后硬化、冷却，再予以取出模型成品即可。
玻璃制造中的透明导电薄膜技术
19世纪末，科学家发现某些金属氧化物具有导电性
20世纪初，科学家开始研究透明导电薄膜材料
1950年代，美国科学家首次制备出透明导电氧化物薄膜
技术发展阶段
商业化阶段：20世纪90年代，ITO透明导电薄膜开始广泛应用于液晶显示器、太阳能电池等领域
早期研究：20世纪50年代，美国贝尔实验室首次发现透明导电薄膜
透明导电薄膜的应用：如触摸屏、太阳能电池、LED等
透明导电薄膜的性能改进：如提高导电性、透光率、稳定性等
玻璃制造中的透明导电薄膜技术应用案例
显示屏幕制造中的应用
透明导电薄膜技术在显示屏幕制造中的应用
透明导电薄膜技术可以提高显示屏幕的透光率和导电性
透明导电薄膜技术可以降低显示屏幕的功耗和发热量
透明导电薄膜技术可以增强显示屏幕的显示效果和稳定性
技术创新：开发新型材料、改进制备工艺、优化结构设计等
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汇报人：
解决方案：改进制备工艺，提高薄膜的均匀性和稳定性
解决方案：采用新型材料和工艺，如氧化铟锡（ITO）、石墨烯等
技术瓶颈：透明导电薄膜的成本问题
技术瓶颈：透明导电薄膜的稳定性和可靠性问题
解决方案：开发低成本、高效率的制备技术，降低生产成本
市场发展前景
透明导电薄膜技术在太阳能电池、触摸屏等领域具有巨大的市场潜力
掺杂技术：通过掺杂技术，改变薄膜的导电类型和电导率，满足不同应用需求
玻璃制造中的Hale Waihona Puke 明导电薄膜技术发展历程技术起源
1970年代，日本科学家研制出第一代透明导电薄膜材料ITO（氧化铟锡）
1990年代，第二代透明导电薄膜材料AZO（氧化铝锌）和GZO（氧化镓锌）相继问世
2000年代，第三代透明导电薄膜材料如石墨烯、碳纳米管等开始受到关注
氧化铟锡作用
氧化铟锡作用一、引言氧化铟锡（ITO）是一种广泛应用于透明导电领域的材料，其具有优异的光学和电学性能。
自20世纪70年代以来，ITO已经成为平板显示器、智能手机、液晶显示器等电子产品中最重要的透明导电材料之一。
本文将从ITO的基本性质、制备方法、应用领域和未来发展方向等方面进行详细阐述。
二、ITO的基本性质1.光学性能ITO具有高透过率和低反射率的特点，其可见光透过率可达80%-90%，且随着薄膜厚度增加而减小。
在近红外波段（700-2500nm），ITO具有较高的透过率，可达70%以上。
此外，ITO还具有较好的抗紫外线和耐腐蚀性能。
2.电学性能ITO具有良好的导电性能，其电阻率在10-4到10-3Ω·cm之间，因此被广泛应用于透明导电领域。
此外，ITO还具有较高的载流子迁移率和较低的载流子浓度。
3.热稳定性在高温下，ITO薄膜的电学性能不会发生明显的变化，因此可以在高温环境下使用。
三、ITO的制备方法1.物理气相沉积法物理气相沉积法是一种常用的ITO制备方法。
其基本原理是将ITO靶材加热至高温，使靶材表面发生蒸发，然后通过惰性气体（如氩气）将蒸汽输送到基底上进行沉积。
该方法可以得到较高质量的ITO薄膜，但成本较高。
2.化学气相沉积法化学气相沉积法是一种易于控制且成本较低的ITO制备方法。
其基本原理是将ITO前驱体（如铟酸盐和锡酸盐）溶解在有机溶剂中，然后通过喷雾或旋涂等方式将溶液喷洒或涂布到基底上，在高温下使前驱体分解形成ITO薄膜。
3.溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是一种简单易行、成本低廉的ITO制备方法。
其基本原理是将铟和锡盐以及有机酸等溶解在有机溶剂中，形成溶胶，然后通过热处理和凝胶化过程得到ITO薄膜。
四、ITO的应用领域1.平板显示器平板显示器是ITO最主要的应用领域之一。
ITO作为液晶显示器中透明电极的材料，可以实现液晶分子的定向排列和电场控制，从而实现图像的显示。
2.智能手机智能手机是ITO另一个重要的应用领域。
ITO导电玻璃及相关透明导电膜之原理及应用
ITO导电玻璃及相关透明导电膜之原理及应用ITO(氧化铟锡)导电玻璃是一种具有透明度和导电性能的材料，由透明的玻璃基底上涂布一层氧化铟锡薄膜而成。
它的导电性能源自薄膜中的氧化铟锡纳米颗粒，这些颗粒具有优异的导电性质。
以下是ITO导电玻璃及相关透明导电膜的原理和应用。
原理:ITO导电玻璃的导电性原理是利用其在可见光范围内具有很高的透光性和很低的电阻率。
ITO薄膜是一种高度透明的导电材料，其电导率主要由氧化铟和氧化锡的摩尔百分数以及沉积过程中的结晶度和缺陷控制。
氧化铟锡纳米颗粒之间的晶格缺陷能帮助电子从一个颗粒跳到另一个颗粒，从而实现电荷的传导。
应用:1.平板显示器和触摸屏：ITO导电玻璃广泛应用于平板显示器和触摸屏技术中。
它可用于制造透明导电电极，使电子信号能够在屏幕上自由传输。
ITO导电玻璃的高透明性和高导电性能使得屏幕具有清晰度和触摸灵敏度。
2.太阳能电池：ITO导电玻璃也被用于太阳能电池电极中。
由于它的导电性和透明性，ITO薄膜可以作为电池的正极和负极，使得光线可以穿过电极层并和光敏材料发生相互作用，从而产生电流。
3.液晶显示器：ITO导电玻璃也用于LCD显示器中的透明导电电极。
这些导电电极可用于在液晶屏幕上创建电场，控制液晶的定向和排列，从而实现像素的显示和图像的变化。
4.柔性电子学：ITO导电薄膜可以被用于制备柔性电子设备。
由于其高柔韧性和可塑性，ITO导电薄膜可以在弯曲或弯折的形状下维持导电性能，因此可以用于在可弯曲或可折叠的电子设备中，如可弯折的显示屏幕和柔性电子电路中。
5.光学涂层：除了导电性能，ITO导电玻璃还具有抗反射和防紫外线功能。
因此它可以用于制备抗反射涂层和防紫外线涂层，用于光学领域中的镜片、窗户和透镜等。
总结:ITO导电玻璃是一种重要的导电材料，具有高透明性和优异的导电性能，具有广泛的应用潜力。
从平板显示器到太阳能电池，从液晶显示器到柔性电子学，以及光学涂层，ITO导电玻璃在许多领域中都发挥着重要作用。
ito材料
ito材料ITO材料是一种用于制备ITO透明导电薄膜的材料，其中ITO 代表着铟锡氧化物（Indium Tin Oxide）。
ITO材料具有优异的透明性和导电性，被广泛应用于电子显示器、太阳能电池、触摸屏和光电器件等领域。
ITO材料的制备主要是通过物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）的方法。
这种方法利用高温和低压下的真空环境，将金属铟和锡在氧气氛围中蒸发，然后在基底表面生成ITO薄膜。
通过调节蒸发速率和氧气流量，可以控制ITO 薄膜的组成和性能。
ITO薄膜通常具有高透过率和低电阻率的特点。
其透明性使得光线可以穿过薄膜，适用于各种显示器件。
此外，ITO薄膜还具有良好的电导率，可用于导电电极和连接器。
它们的导电性能可以通过调整薄膜的厚度和添加适量的掺杂剂来改善。
在电子显示器方面，ITO薄膜广泛应用于液晶显示器和有机发光二极管显示器（OLED）。
液晶显示器利用ITO薄膜作为透明导电电极，来控制液晶分子的排列和光的透射，从而实现像素点的切换和显示功能。
OLED显示器则利用ITO薄膜作为透明电极和光辐射层，实现高亮度、高对比度和快速响应的显示效果。
除了电子显示器，ITO材料还广泛用于太阳能电池和触摸屏等领域。
在太阳能电池中，ITO薄膜用作透明导电电极，将光能转化为电能。
触摸屏则利用ITO薄膜作为感应电极，感应触摸信号，并将其转化为计算机或其他设备可以识别的信号。
然而，ITO材料也存在一些问题。
首先，铟和锡是稀有金属，供应有限，使得ITO薄膜的成本较高。
其次，ITO薄膜在柔性基底上的应用存在困难，因为ITO薄膜易碎且不耐弯曲。
因此，研究人员正在寻找代替ITO材料的新型透明导电材料，以解决这些问题。
总之，ITO材料作为一种优秀的透明导电材料，广泛应用于电子显示器、太阳能电池、触摸屏和光电器件等领域。
虽然存在一些问题，但其透明性和导电性使得ITO材料成为了许多先进技术的关键组成部分。
2024年ITO导电膜市场分析现状
2024年ITO导电膜市场分析现状1. 引言ITO导电膜（Indium Tin Oxide，以下简称ITO）是目前工业界最常用的一种透明导电膜材料。
它具有优异的光学透明性和电导率，被广泛应用于触摸屏、液晶显示器、光伏电池、太阳能电池等领域。
本文将对ITO导电膜市场的现状进行分析。
2. ITO导电膜市场规模根据市场研究机构对ITO导电膜市场的调查数据显示，自2015年以来，ITO导电膜市场规模持续增长。
截至2020年，全球ITO导电膜市场规模已超过100亿美元。
预计在未来几年内，这一市场规模将继续保持增长趋势。
3. ITO导电膜市场应用3.1 触摸屏触摸屏是ITO导电膜的主要应用领域之一。
随着智能手机、平板电脑等电子设备的普及，对高性能触摸屏的需求不断增加。
ITO导电膜因其高透明度和优异的导电性能，成为触摸屏制造商的首选材料。
3.2 液晶显示器ITO导电膜在液晶显示器中的应用也非常广泛。
液晶显示器作为电子产品的核心组成部分，市场需求量巨大。
ITO导电膜在液晶显示器中充当透明电极，其导电性能对显示器的质量和性能有着重要影响。
3.3 光伏电池光伏电池是利用太阳能转换成电能的设备。
ITO导电膜被广泛用作光伏电池的透明电极，可以提高光伏电池的光吸收效率和转换效率，增加发电量。
3.4 太阳能电池太阳能电池是将太阳光转化为电能的设备。
ITO导电膜的高透明度和低电阻特性，使其成为太阳能电池的理想材料。
在太阳能电池制造过程中，ITO导电膜用于制作透明电极，提供高效的电流收集和传输。
4. ITO导电膜市场竞争格局目前，全球ITO导电膜市场竞争激烈，主要厂商包括美国的3M、日本的东京玻璃、韩国的LG化学等。
这些公司在ITO导电膜的生产技术、产品质量和客户服务方面具有较大优势。
5. ITO导电膜市场发展趋势5.1 氧化铟锡替代品的兴起随着全球稀缺资源的不断减少和价格的上涨，寻找替代ITO导电膜的材料成为研究的热点。
目前，一些新型材料如氧化铟锌（InZnO）导电膜和氧化铟锡锌（InSnZnO）导电膜正逐渐走进市场。
igzo导电原理
igzo导电原理IGZO导电原理是一种新的纳米科技，它是一种新型的透明导电材料，可以用于制造大面积的薄膜晶体管。
IGZO是由铟铪锌氧化物组成，具有超高的电子迁移率和低的阈值电压，因此在应用领域有很大的潜力。
本文将详细介绍IGZO导电原理的几个步骤。
1.材料制备IGZO导电原理的首要步骤是材料制备。
IGZO是通过将铟、铪、锌和氧等元素混合，并通过物理或化学方法制备的。
这些元素在加热时会形成一种结晶的固体材料。
制备的质量直接影响了IGZO薄膜晶体管性能的稳定性和电气特性。
2.薄膜制备IGZO导电材料不仅具有优异的电学性质，而且具有透明、柔性和轻薄等特点，因此可以制备成薄膜形式。
薄膜晶体管通常由薄膜、背板及源极、漏极和栅极构成。
IGZO薄膜产生的电子从源极流向漏极，其中栅极可调控电路中的电流。
3.电子漂移当IGZO薄膜晶体管在工作时，电子从源极进入薄膜中，然后经过漂移运动，最终到达漏极。
材料的高电子迁移率可以让电子从源极“飞快”地传输到漏极，而不会产生电阻和热量，因此可有效地实现高频率和高响应快速性。
4.控制接触区域IGZO导电原理的最后一步是控制接触区域。
当电子漂移到漏极时，需要在栅极处施加电压，以控制这个过程。
这时，屏幕会识别出用户的操作，通过控制接触区域，从而改变电路的状态。
所以，对于不同颜色、纹理或运动的部分，不同的IGZO导电薄膜会被激活，从而创建不同的电路状态。
总之，IGZO导电原理是一种新型透明导电材料，可用于制造大面积的薄膜晶体管。
这种导电材料以其高电子迁移率和低阈值电压在电路设计和制造过程中有着广泛的应用。
以上介绍的几步骤是IGZO导电原理的核心内容，也是相当重要的。
TCO简介
TCO薄膜的简介透明导电氧化物(transparentconductiveoxide简称TCO)薄膜主要包括In、Sb、Zn和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料，具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等共同光电特性，广泛地应用于太阳能电池、平面显示、特殊功能窗口涂层及其他光电器件领域。
透明导电薄膜以掺锡氧化铟(tindopedindiumoxide简称ITO)为代表，研究与应用较为广泛、成熟，在美日等国已产业化生产。
近年来ZnO薄膜的研究也不断深入，掺铝的ZnO薄膜(简称AZO)被认为是最有发展潜力的材料之一。
同时，人们还开发了Zn2SnO4、In4Sn3O12、MgIn2O4、CdIn2O4等多元透明氧化物薄膜材料。
TCO薄膜的制备工艺以磁控溅射法最为成熟，为进一步改善薄膜性质，各种高新技术不断被引入，制备工艺日趋多样化。
本文综述以ITO和AZO为代表的TCO 薄膜的研究进展及应用前景。
一、TCO薄膜的发展TCO薄膜最早出现于20世纪初，1907年Badeker首次制成了CdO透明导电薄膜，引起了人们的较大兴趣。
但是，直到第二次世界大战，由于军事上的需要，TCO薄膜才得到广泛的重视和应用。
1950年前后出现了SnO2基和In2O3基薄膜。
ZnO基薄膜兴起于20世纪80年代。
相当长一段时间，这几种材料在TCO薄膜中占据了统治地位。
直到上世纪90年代中期，才有新的TCO薄膜出现，开发出了多元TCO薄膜、聚合物基体TCO薄膜、高迁移率TCO薄膜以及P型TCO薄膜。
而SnO2基和In2O3基材料也通过掺加新的元素而被制成了高质量TCO 薄膜。
最近，据媒体报导，美国俄勒冈大学研究人员对TCO材料的研究取得重大突破，他们研制出一种便宜、可靠且对环境无害的透明导电薄膜材料。
该材料可用于制作透明晶体管，用来制造非常便宜的一次性电子产品、大型平面显示器和可折叠又方便携带的电器。
科学家称，这项研究成果将引导新产业和消费领域的发展。
《2024年ASA柔性透明导电膜的制备及其在太阳电池中的应用》范文
《ASA柔性透明导电膜的制备及其在太阳电池中的应用》篇一一、引言随着科技的飞速发展，柔性电子器件逐渐成为电子领域的研究热点。
ASA柔性透明导电膜作为一种新型的导电材料，因其优异的导电性能、透明度及柔韧性，在太阳电池等柔性电子器件中具有广泛的应用前景。
本文将详细介绍ASA柔性透明导电膜的制备方法及其在太阳电池中的应用。
二、ASA柔性透明导电膜的制备1. 材料选择ASA柔性透明导电膜的制备主要涉及的材料包括ASA导电聚合物、溶剂及添加剂等。
其中，ASA导电聚合物是制备导电膜的核心材料，具有优异的导电性能和透明度。
2. 制备方法ASA柔性透明导电膜的制备过程主要包括溶液制备、涂布成膜及热处理等步骤。
首先，将ASA导电聚合物、溶剂及添加剂按照一定比例混合，制备成均匀的溶液。
然后，将溶液涂布在基材上，形成一定厚度的膜层。
最后，通过热处理等手段，使膜层形成稳定的导电结构。
三、ASA柔性透明导电膜的性能ASA柔性透明导电膜具有优异的导电性能、透明度及柔韧性。
其导电性能主要来源于ASA导电聚合物中的共轭结构，使其具有较低的电阻率。
同时，良好的透明度使得导电膜在可见光范围内具有较高的透过率，有利于提高太阳电池的光电转换效率。
此外，优异的柔韧性使得导电膜能够适应各种弯曲、折叠等变形，满足柔性电子器件的需求。
四、ASA柔性透明导电膜在太阳电池中的应用1. 替代传统导电膜ASA柔性透明导电膜可以替代传统太阳电池中的ITO（氧化铟锡）导电膜。
由于ITO成本较高且易碎，限制了太阳电池的广泛应用。
而ASA柔性透明导电膜具有良好的导电性能和柔韧性，且成本较低，可以有效地降低太阳电池的制造成本。
2. 提高光电转换效率ASA柔性透明导电膜的高透过率有利于提高太阳电池的光电转换效率。
通过将ASA柔性透明导电膜应用于太阳电池的透明电极，可以提高光线的利用率，从而提高光电转换效率。
3. 适应不同类型太阳电池ASA柔性透明导电膜具有良好的适应性，可以应用于不同类型的太阳电池，如硅基太阳电池、薄膜太阳电池及有机太阳电池等。
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日本开 发新 的透 明导 电材料
日本东海大学开发 出主要成分为Ｍ （Ｈ ｇ０ ）的透明导电薄膜 。虽然 目前电阻率等性能仍较
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维普资讯 ２０ 年 第源自３ ０８ 期 这些技术增加了金属熔融的时间， 从而增加了材质 的均匀性， 减少 了缺 陷 （ 型氧化物、 Ｉ 氮化物等 ） ，而这些缺陷对 Ｔ． １ Ｖ、Ｔ．Ａ ．Ｓ － ｒ ＭｏＳ 和 Ｔ．７ ｉＡ． ６ ４ ｉ １ ｎ４ － ．ｉ ｉ 加工 的回转件性能的 ６ ２ Ｚ２ １ 影响尤其重要。
８
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２０ 年 第 ３ ０８ 期
明的，Ｍ （Ｈ。 ｇ Ｏ） 结晶中的Ｃ 网络提供 了导电性。 东海大学研究人员使用了Ｒ磁控溅射法， Ｆ 将金属镁和石墨放在低真空中进行溅射， 形成 Ｍ 和Ｃ ｇ 的混合物薄膜 。工艺过程不需要进行温度控制，基本在室温下进行 。将形成的薄膜在 水蒸汽下放置１， ５ ｉ ，Ｈ０Ｈ ｇ ０－ ｍ ｎ ｚ Ｍ 逐渐进行反应，不透 明的膜就变成 了透明的膜。该工艺除 － １ ￣ 了加入Ｃ 以外，与金属镁在水里产生发热反应生成Ｍ （Ｈ 和心 ｇＯ） 的原理相同。 制成的透明导 电薄膜厚２ ４ ， ． ｍ 粒径为数十域 百纳米。 若不加ｃ 用溅射法可生成 比阻 ， 抗 非常 高 的绝缘 晶 体 。加入Ｃ 以后 的 比阻抗 ＬＩ０ １ （Ｑｃ ）大很 多 ，为 １－（ ）左右 。 ￣Ｔ的 ０ ｍ ０ Ｑｃ ｍ 今后将对如何降低 比阻抗做进一步研究。 该大学称 ， 通过调整Ｃ 的比例及选择最佳 网络形式， 可在维持现有透明度的基础上，在导电性方面有可能超过Ｉ０ Ｔ 。另外，新开发的薄膜光透过 率较高， 加入Ｃ 的材料的光透过率在３０ｍ １ 波长范围为８．％ 后 ８ ｎ￣ ｍ ９８ ，在红外领域则更高。今 后将进一步减小粒径、提高均匀性，降低反射率。 将新开发的材料进行实际应用还需解决很多问题， 如膜与基板的密着性、 电阻的稳定性、 对温度 的依赖性及是否会转变为半导体等。 ｇ０ ） ３ ＂将分解为Ｍ ０ ２， Ｍ（ 。 ０ ｎ 在３ Ｃ ｇ ￣Ｈ 而在１０ ０ ０ ℃以 下 则 基本 稳定 。 ’ （ 杨晓婵 摘译 ）