等离子体刻蚀机(至圣)培训
等离子清洗培训教程
等离子清洗培训教程等离子清洗是一种常用的表面处理技术，广泛应用于钢铁、汽车、航空航天、电子、生物医药等领域。
通过等离子反应使工件表面的有机物质离解、溶解、氧化或还原，从而达到清洗、去污、脱脂、除漆、改性等目的。
下面，我将为大家介绍一下等离子清洗的基本原理和操作步骤。
一、等离子清洗的基本原理在等离子清洗过程中，通过放电设备产生高电压高电流，在两个电极之间产生等离子体。
当等离子体经过极化作用后，会出现极化碰撞、电离反应、电动力聚集等过程，从而产生一系列的物理和化学现象。
等离子体产生的物理和化学作用可以将工件表面的有机物质降解、氧化或还原为易于清洗的化合物。
二、等离子清洗的操作步骤1.准备工作：首先，需要准备好等离子清洗设备，包括放电装置、电极等。
清洗设备的选择要根据工件的尺寸、形状和材料特性进行合理选择。
2.工件准备：将需要清洗的工件准备好，进行检查并进行初步清洗。
工件表面不能有过多的附着物，以免影响等离子清洗效果。
3.设置清洗参数：根据工件的特性以及清洗的要求，设置合适的清洗参数，包括电压、电流、处理时间等。
通常可以根据经验值进行初步设置，然后进行试验以确定最佳参数。
4.开始清洗：将工件放入清洗设备中，并启动设备开始清洗。
在清洗过程中，需要注意观察清洗效果，并根据需要进行调整。
清洗时间一般较短，通常几分钟到几十分钟不等。
5.清洗后处理：清洗完成后，将工件取出，并进行后处理。
后处理的方式根据具体情况可以有多种选择，包括冷却、表面处理等。
6.检查清洗效果：清洗完成后，需要对清洗效果进行检查。
可以通过目测、触摸或使用特定仪器进行检查。
如果清洗效果不满意，可以根据需要进行二次清洗。
三、等离子清洗的注意事项1.安全操作：等离子设备通常需要高电压和高电流，因此在操作过程中需要注意安全。
避免触摸电极和导线，确保设备连接正确。
2.保护电极：电极是等离子清洗中重要的组成部分，因此需要注意保护。
避免使用过高的电压和电流，以免损坏电极。
等离子培训资料
煤粉锅炉等离子点火系统培训资料烟台龙源电力技术股份有限公司2008年10月前言本培训资料为烟台龙源电力技术股份有限公司对使用等离子的电厂用户培训使用。
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本培训资料发放对象为电厂用户和烟台龙源电力技术股份有限公司内部维护人员调试、运行维护使用，未经烟台龙源电力技术股份有限公司许可，不得外传。
编写：尹占军杜永斌薛若连校核：刘清澄陈学渊杨家驹王雨勃程跃彬牛涛林淑胜崔学霖刘鹏张孝勇都淑丽宋浩审核：唐宏批准：王公林目录第一部分等离子点火技术基本原理与系统 (4)1．概述 (5)1.1 等离子点火技术的开发背景及功能 (5)1.2 等离子点火技术的发展历程 (6)2．等离子发生器及其辅助系统 (8)2.1 等离子发生器工作原理 (8)2.2 等离子冷却水系统 (9)2.3 等离子载体风系统 (10)2.4 等离子电源系统 (10)3．等离子燃烧器点火原理 (10)4．等离子点火风粉系统 (10)5．等离子点火监控系统 (11)5.1 等离子燃烧器壁温测量系统 (11)5.2 一次风风速测量系统 (11)5.3 图像火焰监视 (11)第二部分等离子点火系统的调试 (13)1．冷却水系统的调试 (14)2．等离子载体风和火检冷却风系统的调试 (16)3．冷炉制粉系统的调试（一般中储式制粉系统无此项） (18)4．燃烧器冷态通风试验及风量标定 (21)5．电源供电系统的调试 (21)6．等离子控制系统的调试 (24)7．图像火检系统的调试 (25)8．等离子发生器冷态拉弧试验 (26)9．等离子点火装臵各项联锁、保护的传动试验 (27)10．等离子点火装臵的整套启动试运 (29)11．等离子点火安全注意事项 (33)第三部分等离子点火系统的检修维护及问题处理 (40)1、等离子发生器的检修及维护 (41)2、输送弧组件的检修及维护 (53)3、等离子燃烧器或等离子点火燃烧器的检修及维护 (54)4、冷炉制粉系统的检修及维护 (56)5、辅助系统的检修 (56)7、电源系统的维护 (60)8、常见故障的处理 (73)第一部分等离子点火技术基本原理与系统烟台龙源电力技术股份有限公司2008年10月1. 概述1.1 等离子点火技术的开发背景及功能火力发电机组中的煤粉锅炉，其点火及低负荷稳燃的传统方法是燃用柴油、重油或燃气。
等离子刻蚀工艺
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目录
1、 等离子体的产生原理及定义 2 、等离子刻蚀工艺的目的 3 、等离子刻蚀基本原理 4、等离子体引起的损伤 5、等离子体引起的微粒污染及解决(jiějué)方法
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1、等离子体(děnglízǐtǐ)的产生原 理及定义
固态
液态
气态
等离子体
随着温度的升高，一般物质依次表现为固体、液 体和气体。它们统称为物质的三态。 如果温度升高到10e4K甚至10e5K，分子间和原子间的运动十分 剧烈，彼此间已难以(nányǐ)束缚，原子中的电子具有相当大的动 能而摆脱原子核对它的束缚，成为自由电子，原子失去电子变成 带正电的离子。这样，物质就变成了一团由电子和带正电的的离 子组成的混合物 ，这种混合物叫等离子体。它是利用外加电场的 驱动而形成，并且会产生辉光放电(Glow Discharge)现象。
等离子体会在硅片表面造成大量微粒。这些微粒是在等离子体辉光 放电过程中，通过化学反应或机械碰撞等形式形成的。 由于等离子层边界与放硅片的电极的电位差，带负电的粒子悬浮在等离 子层界面(jièmiàn)上，当维持等离子体放电的电源被切断时，这些粒子就 会落到硅片表面上，影响刻蚀的清洁度。
在工艺过程即将结束关断等离子放电电源以前，用适当的改变射频 电源功率、气体流量、磁场的方法，可以去除悬浮在等离子体壳层边界 上的微粒，尽量把微粒子排向室外。
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3、 等离子刻蚀基本原理
•
利用放电产生的游离基与材料发生化学反应
(压强一般大于10Pa)，形成挥发性产物(chǎnwù)，
从而实现刻蚀。它的特点是选择性好、对衬底的损
伤较小，但各向异性较差。在VLSI工艺中，等离子
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电离过程:
e + A A+ + 2e
kion P2
三体复合过程:
e + A+ + M A + M
krecom P3
等离子体分类
常压热平衡条件下氮等离子体的电离度 a 随
温度变化
T ( °K )
a
5,000
3.2×10-7
10,000
0.0065
15,000
0. 22
20,000
0. 82
等离子体分类
(二) 按电离度分类
e + A A+ + 2e
忽略二阶电离, ni = ne, nn为中性粒子浓度
a = ne /(ne+ nn)
1). 完全电离等离子体
a=1
2). 部分电离等离子体 0.01 < a < 1
3). 弱电离等离子体 ~10-12 < a < 0.01
等离子体分类
SAHA 方程 在仅含单种气体的完全平衡和局域热力学平
大连凌水有O3发生器工厂，从数百瓦到数十千瓦）
衡等离子体中存在着电离平衡: A ↔ A+ + e
SAHA推导出如下方程:
a2/(1-a2) =
2.4×10 - 4 (T 5/2/P ) exp(-wi /kT)
P 气压 (Torr) T 绝对温度 ( °K) wi 气体分子（原子）电离电位 ( eV) k Boltzman常数 (8.614×10-5 eV•deg-1)
Xe* Xe* + h
Xe* + Xe + M Xe2* + M
Xe2* Xe2* + h
刻蚀培训
2013-8-9 17
当刻蚀气体被通入刻蚀反应腔中，在射频电场的作用下产生等离子体辉 光放电，反应气体分解成各种中性的化学活性基团，分子、电子、离子； 由于电子和离子的质量不同使得质量较轻的电子能够响应射频电场的变 化而离子却不能，正是这种差异在电极上产生负偏压 Vdc(Negative DC bias) ，离子在负偏压的加速下轰击硅片表面形成反应离子刻蚀；一个持 续的干法刻蚀必须要满足这些条件：在反应腔内有源源不断的自由基团； 硅片必须靠等离子体足够近以便反应基团可以扩散到其表面；反应物应 被硅片表面吸附以持续化学反应；挥发性的生成物应可从硅片表面解吸 附并被抽出反应腔。上面的任一种条件末达到刻蚀过程都会中断。刻蚀 的具体过程可描述为如下六个步骤： 1. 刻蚀物质的产生；射频电源施加在一个充满刻蚀 气体的反应腔上，通 过等离子体辉光放电产生电子、离子、活性反应基团。 2. 刻蚀物质向硅片表面扩散； 3. 刻蚀物质吸附在硅片表面上； 4. 在离子轰击下刻蚀物质和硅片表面被刻蚀材料发生反应； 5. 刻蚀反应副产物在离子轰击下解吸附离开硅片表面； 6. 挥发性刻蚀副产物和其它未参加反应的物质被真空泵抽出反应腔。
2013-8-9 8
SiO2湿法腐蚀
金属湿法腐蚀
金属旋转腐蚀： 设备：SPW-612-A，要改造成6寸的 TEMP：53±1℃ 腐蚀液：H3PO4：HNO3：HAC：H2O=80：5：5：10 工艺程序：
ITEM/STEP N T C V unit RPM sec 喷液 9.6 0 1 600 166 1 3 2 700 5 0 3 800 168 1 4 900 5 0 5 60 5 6
2013-8-9
19
蚀刻培训讲义
蚀刻培训讲义一、流程入板→膨松→退膜→水洗→蚀刻→氨水洗→水洗→孔处理（沉金板）→水洗→退锡→水洗→烘干→出板二、目的将板面上多余之铜蚀去得到符合要求的线路图形三、控制要点与工作原理1．膨松：一种浸泡式过程，先将其软泡，将给后工序退膜。
控制条件：浓度3-5% 温度50±5℃行板速率2．退膜用3%的强碱或10-13%的RR-2有机去膜液剥除，抗氧化剂防止铜面氧化，除泡剂消泡。
1．蚀刻a.概述目前，印刷电路板（PCB）加工的典型工艺采用“图形电镀法”。
即先在板子外层需保留的铜箔上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将其余的铜箔腐蚀掉，称为蚀刻。
要注意的是，这时的板子上面有两层铜，在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的，其余的将形成最终所需要的电路。
在这种类型的电镀叫图形电镀，其特点是镀铜层仅存在于铅锡抗蚀层。
另外一种工艺称为“全板镀铜工艺”，与图形电镀相比，全板镀铜的最大缺点是板面各处都要镀两次铜而且蚀刻时还必须都把它们腐蚀掉。
因此当导线线宽十分精细时将会产生一系列的问题。
同时，侧腐蚀会严重影响线条的均匀性。
目前，锡或铅锡是最常用的抗蚀层，用在氨性蚀刻剂的蚀刻工艺中，氨性蚀刻剂是普遍使用的化工药液，与锡或铅锡不发生任何化学反应。
氨性蚀刻剂主要是指氨水/氯化氨蚀刻液，下面作主要介绍。
对蚀刻质量的基本要求就是能够将除抗蚀层下面以外的所有铜层完全去除干净，止此而已。
从严格意义上讲，如果要精确地界定，那么蚀刻质量必须包括导线线宽的一致性和侧蚀程度。
由于目前腐蚀液的固有特点，不仅向下而且对左右各方向都产生蚀刻作用，所以侧蚀几乎是不可避免的。
侧蚀问题是蚀刻参数中经常被提出来讨论的一项,它被定义为蚀刻深度与侧蚀宽度之比, 称为蚀刻因子。
在印刷电路工业中，它的变化范围很宽泛，从1到5。
显然，小的侧蚀度或大的蚀刻因子是最令人满意的。
蚀刻设备的结构及不同成分的蚀刻液都会对蚀刻因子或侧蚀度产生影响，或者用乐观的话来说，可以对其进行控制。
晶体硅太阳能电池刻蚀工艺培训
刻蚀工艺培训
等离子刻蚀常见工艺问题
4.异常现象：刻饰边缘有小缺口，刻饰不均匀。 分析原因：由入射和反射功率不匹配引起的辉光功率不
稳定。
解决办法：该问题通常可通过两个调谐旋钮和功率旋钮
刻蚀工艺培训
➢ 湿法刻蚀优点： 1.避免使用有毒气体CF4。 2.背面更平整，背面反射率优于干刻，能更有效的利用长 波增加Isc。背场更均匀，减少了背面复合，从而提高太 阳能电池的Voc。
刻蚀工艺培训
刻蚀工艺参数
配槽
槽体及换 液周期
HF
2#（1天） 48L(24L/次
300L
*2次)
3#（14天） 30.4L(15.2
清洗
20℃ 常温
刻蚀工艺培训
➢ 湿法刻蚀影响因素：
带速、温度、槽体内各药液浓度、外围抽风、液面高度等。
➢ 检测工艺点： 1.方阻提升升在范围之内 2.减重在范围之内 3.3#槽药液浸入边缘在范围之内 4.片子是否吹干，表面状况是否良好
刻蚀工艺培训
➢ KUTLLER刻蚀设备特点： 先去PSG，后刻蚀。此种方法优点是避免了先刻蚀由于毛 细作用，导致PECVD后出现白边。缺点是由于气相腐蚀的 原因，在刻蚀后方阻会上升。
● 去PSG的原理：
SiO 2 6HF H2SiF6 2H2O
刻蚀工艺培训
去PSG的目的
去PSG 的目的
磷硅玻璃使硅片在空气中容易受潮， 导致电流的降低和功率的衰减
死层的存在大大增加了发射区电子 的复合，会导致少子寿命的降低
磷硅玻璃的存在使得PECVD后 产生色差
第三届国内等离子体数值模拟培训会报告内容
1
报告提纲
（一）低气压射频等离子体源介绍 （二）容性和感性耦合放电的流体模型 （三）中性流场/中性粒子的流体模型 （四）化学反应数据库 （五）边界条件和器壁表面过程 （六）输运系数及理论 （七）流体模拟的数值技巧 （八）流体模型的局限与扩展
2
（一）低气压射频等离子体源介绍
基本方程（电子和正负离子） 漂移扩散近似 有效场近似 驻波效应
17
VHF-CCP源的驻波效应（续）
实验 诊断体等离子体密度
18
VHF-CCP源的驻波效应（续）
实验 诊断体离子通量密度
19
VHF-CCP源的驻波效应（续）
流体模拟电离率二维剖面图
20
1.2 ICP源介绍
21
两种ICP放电装置示意图
22
模式跳变和回滞现象
线圈电压激发容性/E放电模式 线圈电流激发感性/H放电模式
33
具体工艺技术（续）
干刻 离子注入
PECVD
磁控溅射
34
（二）容性和感性耦合放电的流体 模型
容性耦合放电的流体模型 感性耦合放电的流体模型 等离子体流体方程的推导
35
流体力学名称
Fluid mechanics Fluid statics Fluid dynamics
36
2.1 容性耦合放电的流体模型
独立控制理论
高频决定等离子体密度 低频决定离子轰击能量
➢双频CCP源 ➢提高等离子体密度 ➢降低晶元介质损伤
等离子体密度正比于频率平方
VHF-CCP源 驻波效应 径向不均匀性 等离子体密度量级赶上ICP源
8
ECR放电特性和装置结构