等离子体刻蚀.
电子工艺技术-drie
电子工艺技术-drie电子工艺技术是指用于制造电子产品的一套工艺和技术方法。
随着电子技术的广泛应用，电子工艺技术的发展也越发重要。
下面将介绍一下常见的电子工艺技术之一：DRIE（深孔等离子体刻蚀）技术。
DRIE技术是一种用于制造微纳米结构的重要工艺技术。
它通过高速离子的刻蚀效应，可以实现对深孔和高纵横比结构的精确加工。
这种技术可以用于制造MEMS（微电子机械系统）器件、集成电路芯片的封装和夹持等领域。
DRIE技术的原理主要包括两个步骤：刻蚀和沉积。
在刻蚀过程中，可以通过调节刻蚀气体的种类和流量、调节刻蚀参数（如功率、压力等）来控制离子束对待加工物表面的刻蚀效果，从而实现对待加工物的制造。
刻蚀过程中，刻蚀气体会在真空环境中被激发形成等离子体，通过加速器把等离子体加速并束缚成为高速的离子束，然后将其引导到待加工物表面。
刻蚀气体的选择和刻蚀参数的调节都对最终的加工效果有着重要的影响。
在沉积过程中，可以通过控制刻蚀过程的一些参数来实现对待加工物表面的修复或平滑。
常见的沉积技术有PECVD（等离子体增强化学气相沉积）和ALD（原子层沉积）等。
它们可以根据加工要求来选择沉积材料和控制沉积层的厚度和均匀性，从而实现对待加工物的精确加工和表面修复。
DRIE技术具有许多优点。
首先，它可以在高温、高真空和强电磁场等特殊环境下进行制造，可以制造出形状复杂且精确的微纳米结构。
其次，DRIE技术还可以实现对不同材料的加工，包括硅、玻璃、陶瓷和金属等。
这种多材料加工的能力使得DRI工艺在多个领域都有广泛的应用。
总之，DRIE技术是一种先进的微纳米加工技术，它可以制造出形状复杂且精确的微纳米结构。
随着电子技术的不断发展，尤其是MEMS技术的广泛应用，DRIE技术在电子工艺技术中起到了举足轻重的作用。
随着工艺和设备的不断改进，DRIE技术将会有更多的应用领域和发展前景。
o2等离子刻蚀 功率
氧等离子体刻蚀（O2 Plasma Etching）是一种干法刻蚀技术，常用于半导体制造、微机电系统（MEMS）等领域。
其主要原理是利用等离子体中的活性物种与被刻蚀材料之间的化学反应，实现对材料的去除。
在 O2 等离子体刻蚀过程中，氧气分子被离解成高活性的氧原子和氧离子，它们与被刻蚀材料的表面发生化学反应，生成挥发性的产物，从而实现刻蚀的目的。
O2 等离子体刻蚀的优点包括刻蚀速率高、选择性好、对衬底损伤小等。
O2 等离子体刻蚀的功率通常是根据具体的刻蚀要求和设备特性来确定的。
一般来说，刻蚀功率越高，刻蚀速率越快，但同时也会增加对衬底的损伤和等离子体不稳定性的风险。
因此，在选择刻蚀功率时需要综合考虑刻蚀速率、选择性、刻蚀均匀性和设备的能力等因素。
在实际应用中，O2 等离子体刻蚀的功率范围通常在几十瓦到几百瓦之间，具体数值取决于被刻蚀材料的种类、刻蚀深度、刻蚀面积以及设备的特性等因素。
此外，刻蚀功率还可以通过调整气体流量、压强和射频功率等参数来进行优化。
需要注意的是，O2 等离子体刻蚀过程中会产生一些副产物，如臭氧和一氧化碳等，这些副产物可能对刻蚀效果和设备造成影响。
因此，在进行 O2 等离子体刻蚀时，需要对副产物进行适当的控制和处理。
总之，O2 等离子体刻蚀的功率是根据具体的刻蚀要求和设备特性来确定的，需要综合考虑刻蚀速率、选择性、刻蚀均匀性和设备的能力等因素。
在实际应用中，需要对刻蚀参数进行优化，以获得最佳的刻蚀效果。
电感耦合等离子体刻蚀和离子束刻蚀的区别
电感耦合等离子体刻蚀和离子束刻蚀的区别
电感耦合等离子体刻蚀和离子束刻蚀是两种常见的刻蚀技术，主要用于半导体器件制造和微纳加工领域。
它们的区别如下：
1. 工作原理：电感耦合等离子体刻蚀是利用电磁感应将高频电场引起的等离子体加热，通过等离子体中的离子和气体中的化学物质反应来实现物质的刻蚀。
离子束刻蚀则是利用高能离子束对物质表面进行打击和剥离，从而实现刻蚀效果。
2. 刻蚀效果：电感耦合等离子体刻蚀通常能够实现较快的刻蚀速率，并且能够实现比较均匀的刻蚀深度。
离子束刻蚀在刻蚀速率方面可能较慢，但可以实现更高的刻蚀精度和控制性。
3. 反应物种：电感耦合等离子体刻蚀主要依赖等离子体与反应气体中的反应物种进行化学反应刻蚀。
而离子束刻蚀则主要是通过离子束的物理撞击效应进行剥离刻蚀。
4. 设备结构和成本：电感耦合等离子体刻蚀设备一般较为复杂，包括功率源、匹配网络、电极等部件。
而离子束刻蚀则一般相对简单，只需一个离子束源。
因此，离子束刻蚀设备的成本可能相对较低。
总的来说，电感耦合等离子体刻蚀和离子束刻蚀各有优缺点，选择哪种刻蚀技术要根据具体的应用需求和实际情况来决定。
等离子体刻蚀工艺
等离子体刻蚀工艺嘿，朋友们！今天咱来聊聊等离子体刻蚀工艺，这可真是个厉害的玩意儿啊！你想想看，就好像我们要在一个小小的微观世界里搞大工程。
等离子体刻蚀呢，就像是一把超级精细的小刻刀，能在那些极小极小的材料上雕琢出我们想要的图案和形状。
它的工作原理其实挺有意思的。
等离子体就像是一群活跃的小精灵，在那里蹦蹦跳跳的，然后和材料发生反应，一点一点地把不需要的部分给去掉。
这多神奇呀！说起来，这等离子体刻蚀工艺就像是一位手艺精湛的工匠。
它得小心翼翼地把握好每一个细节，不能有丝毫的马虎。
要是稍微出点差错，那可就全完蛋啦！就好比你要雕一个精美的木雕，一刀刻错了，那整个作品不就毁了嘛！在很多高科技领域，等离子体刻蚀工艺那可是大显身手呢！比如说在半导体制造中，没有它可不行。
它能让那些小小的芯片变得更加精密，功能更强大。
你说，这是不是很了不起？而且哦，它还很灵活呢！可以根据不同的需求，调整各种参数，就像我们可以根据自己的喜好去搭配衣服一样。
想要刻蚀得深一点？没问题！想要刻蚀得快一点？也能做到！这就好像我们做饭，不同的食材、不同的火候、不同的调料，就能做出各种美味的菜肴。
等离子体刻蚀工艺也是这样，通过不同的设置，能创造出各种各样的奇迹。
再想想，要是没有等离子体刻蚀工艺，我们现在用的那些高科技产品会变成什么样呢？那肯定没这么先进啦！它就像是背后的无名英雄，默默地为我们的科技进步贡献着力量。
你说它难不难？当然难啦！这可不是随便谁都能玩得转的。
需要专业的知识和技能，还得有丰富的经验。
但正是因为它有难度，才更有挑战性，不是吗？所以啊，等离子体刻蚀工艺真的是个非常非常重要的东西。
它让我们的生活变得更加丰富多彩，让那些看似不可能的事情变成了可能。
我们真应该好好感谢它，给我们带来这么多的便利和惊喜！总之，等离子体刻蚀工艺就是这么牛，就是这么厉害！它在科技的舞台上闪闪发光，为我们创造着一个又一个的奇迹！。
等离子刻蚀原理
等离子刻蚀原理
等离子刻蚀是一种常用的微纳加工技术，用于在半导体制造中去除杂质、形成纳米结构以及精确地刻蚀表面。
其原理基于等离子体（即带正电荷的高能离子和自由电子）与被刻蚀材料表面发生相互作用。
在等离子刻蚀过程中，首先需要产生等离子体。
这通常是通过将高纯度的气体（如氯气、氟气、苦味气等）引入到封闭的真空室中，并在高能电场和电弧场下对气体进行激发。
这种激发将气体分解成离子和电子，并形成带电的等离子体。
然后，这些带电的等离子体会被加速，并通过电场和磁场的调控，使其定向地撞击到待刻蚀材料表面。
撞击过程中，离子会传递给待刻蚀材料表面一部分能量，并激发该材料表面原子或分子的束缚电子。
这些激发的表面原子或分子可能会离开其原子或分子固定位置，形成反应产物，然后通过扩散和抛射的方式迁移到其他位置。
与此同时，撞击后的原子或分子释放出来的电子也会在等离子体中传递，并参与到一系列的电子和离子反应中。
这些反应将控制刻蚀速度、形状、深度和表面粗糙度等参数。
此外，通过调节激发条件、等离子体密度、控制气体的种类和流量等因素，可以对刻蚀过程进行精确控制，实现不同的刻蚀效果和图形。
总的来说，等离子刻蚀原理是利用带电的等离子体与待刻蚀材料表面相互作用，通过离子和电子的传递和相互反应，实现对
材料表面的精确刻蚀。
这种技术在半导体制造、光学器件制造和微纳加工领域具有广泛的应用。
等离子刻蚀有机
等离子刻蚀有机
等离子刻蚀（plasma etching）是一种常用的微纳加工技术，
用于在固态材料表面进行精确的微米至纳米尺度的刻蚀。
它利用一种高能量的等离子体（由离子、电子和中性分子组成）来溶解或蚀削材料表面，从而实现微纳结构的制备。
在有机材料刻蚀中，常用的等离子刻蚀方法包括射频辅助等离子体刻蚀（RF plasma etching）和微波辅助等离子体刻蚀（microwave plasma etching）。
等离子刻蚀有机材料的目的通
常是制备出特殊形状的微结构，或者改变材料表面的化学特性。
等离子刻蚀有机材料的步骤如下：
1. 将待刻蚀的有机材料置于真空环境中，通常在封闭式的刻蚀室中进行。
2. 在刻蚀室中加入刻蚀气体，常用的刻蚀气体有氧气（O2）、氮气（N2）等。
3. 引入高能量的等离子体，可以通过提供射频（RF）功率或
微波功率来激发等离子体。
激发后的等离子体会与刻蚀气体中的分子发生碰撞，产生高能离子和自由基。
4. 高能离子和自由基与待刻蚀的有机材料表面发生碰撞，并引起化学或物理反应。
这些反应可能导致有机材料的溶解、氧化或氟化等。
5. 根据反应的条件和材料性质，控制刻蚀过程的速率和形貌。
需要注意的是，等离子刻蚀有机材料可能会引起表面的化学改变，甚至损坏材料的结构，因此在选择刻蚀条件和参数时需要进行严密的控制。
此外，由于有机材料通常具有较高的可燃性，
因此刻蚀过程需要特殊的安全防护措施，以防止火灾等事故的发生。
等离子体刻蚀
等离子体刻蚀I I并联电阻偏小V 正常曲线V预抽和主抽反1应腔内的气压达到工艺要求以实现低气压,下以步送气即输送CF4气体.在这样的条件下辉光使CF4等离子态,辉光是整个刻蚀过程的关键步骤.主要工艺参数是:辉光功率,反射功率,辉光时间.控制好这三个参数,基本整个刻蚀过程就自动按要求完成.辉光功率过大,时间过长的话,会使硅片被刻蚀过度,等离子体中高能电子会轰击硅原子,造成缺陷,影响电池质量,而影响整个硅片的转换效率.刻蚀功率过小时间过长也不好,会使刻蚀不完全,漏电流增大.因此功率过大,过小,时间过长过短都会影响电池的性能.所以必须找到每台机器功率和辉光时间之间平衡点,使刻蚀完全,又不会对电池造成损伤.目前的设备功率设定在500W,辉光时间设定为820S.这是比较合适的一组选择,经过长期实践证明是可行的.当然,在以后的工作要求下,该参数可能被更改,但是有一条原则是在不损伤硅片的情况下使硅片刻蚀完全. 目前的设备情况有几台机器不是很稳定,有时辉光功率显示值与设定值偏差太大,反射功率也很大,这就需要工艺人员在现场时刻关注着,保证功率在工艺要求的范围内.等离子刻蚀工艺段在操作方面要注意的是装片时尽量将硅片的边缘对齐,因为在等离子体中,电子速度要远大于原子速度,因此在界面处,进入界面的电子要多于原子,这样就会在界面处形成电势,在这个电势的影响下,等离子体活化的CF4不能与硅反应而造成刻蚀不足.凸出来的片子,表面N 型层受到损伤,而凹进去的片子边缘刻蚀不到.另外每次一起刻蚀的片子和玻璃夹具接触的一片要求反放以保护正面的N型层,和夹片玻璃一起用弹簧夹具夹起来.弹簧夹具的松 2 紧也很重要,如果太松,会使硅片脱落,即使不脱落,由于缝隙的存在,硅片的表面会受到损伤.太紧有可能夹裂硅片,在以后的工艺流程中,可能会造成硅片的碎裂.以上的各种操作方法都是为了使硅片刻蚀完全,而又不受到损伤,操作工人们应该严格按照规程操作.下一道工序便是清洗了.经过磷扩散的硅片表面有一层含磷的二氧化硅层.它是不导电的,所以必须将其清除,清洗用到的化学反应方程式为: P2O5+Si==SiO2+P (磷硅玻璃生成的化学方程式)SiO2+HF==SiF4+H2O (去处磷硅玻璃的化学方程式,用的是5%浓度的HF 溶液)硅片再HF中浸泡几分钟后放到热水中清洗.清洗不干净的硅片,在干3 燥以后表面会有水痕,PECVD结束后,能在其表面看到很明显的白斑,这影响了电池的外观.水痕控制也就是延长清洗时间,但现在基本都使用甩干机甩干,与烘干相比,水纹片要少痕多,根据当月的产量要求可以稍微减少清洗时间.二PECVDPECVD全称是,既该工段的目的和任务是在硅片表面镀上以成SixNx减反射膜,利用光的干涉原理,将照射在硅片上的光线尽量少的反射出去,以提高电池的转换效率,对于多晶硅来说还起到以种钝化的效果,即产生的H原子与硅片表面的硅原子结合形成共价键,中和硅片的电性,提高电子在电池中的存在时间,即提高少子寿命.有关化学方程式是: 高温,低气压)本设备采用的是德国SINA.PECVD镀膜机,分为进料腔,加热腔,工艺腔,冷却腔,出料腔.首先在石墨框上放上硅片,注意要正面朝下,进料腔充氮气,压强达到和外界一致是,1号门打开,石墨框进入进料腔,关闭1号门,进料腔抽真空,当压强达到与工艺腔一致时开2号门,石墨框进入加热腔,按照设定的带速慢慢驶向工艺腔,镀膜结束,打开3号门,石墨框进入出料腔,关3号门,出料腔充氮气,打开4号门,石墨框进入下料台,由操作工人将硅片用真空吸嘴小心取下.整个工艺自动完成.PECVD主要工艺参数就是8个微波源的发射功率和传送带带速.这两个参数是影响镀膜质量的主要方面.其他一些参数是最基本的参 4 数,一般不会改动.PECVD段在生产中主要出现的问题有如下几个方面:1 镀膜不均.这也分好几种不均匀,要针对不同的情况,采取不同的措施.有:同一框片子,左红(膜太薄)右白(膜太厚)或者左白右红,这时就需要调节两边微波源的功率,以均匀等离子体场.还有的情况就是两边红,中间白,这是就需要同时提高两边微波源的功率,然后在稍微提高传送带的带速就可以.还有就是整框的发红或者发白,这是只需要调节带速就可以.2 卡盘掉片的问题.出现这样的问题首先要看看是不是石墨框的问题,因为石墨框使用时间过长的话,整体变形会很严重,中间都会凹下去,和传送滚轮接触部分磨损也很严重.这就可能与机器发生摩擦阻挡,进而卡住石墨框,使片子掉落.倘若在工艺腔里面掉片子,阻挡了等离子体在硅片表面的沉积,会影响好几框的片子都会镀膜不均.因此,卡盘掉片情况一定要尽量不发生.出现了就立刻检查原因,是石墨框的问题要立即停用,或更换挂钩.3 石英管更换问题由于石英管工作是在其表面会沉积很多的SixNx固体,时间长了变的厚了就会阻挡微波,影响了镀膜的质量.一般国产的石英管工作极限时间是40小时.超过30小时的根据镀膜质量判断是否需要更换.更换石英管时首先要等到加热腔温度降到200度才可以打开工艺腔,因为工艺腔和加热腔时连在一起的.打开以后将石英管取出,用盖子挡住和微波源相连的部分,防止有杂物进入.清理干净U型槽,通好气孔.石英管必须用胶带裹严实,不能有露在外面的.因为 5在工作的时候,会有大量的SixNx沉积在石英管上,若没有用胶带保护,由于石英管的延展性不好很容易破裂.微波天线要擦干净并且要和石英管的铜管连接好.各项工作都按要求完成了才能关盖,开工艺生产.一般每次更换石英管后都要进行测片,其流程如下:首先在石墨框托盘中间放置一片正片(从清洗工艺流下来的清洁硅片)其周围放置假片,淀积氮化硅减反膜.看反射膜颜色是否满足工艺要求(沉积在有绒面的硅片的减反射膜颜色从正面看为深蓝色,侧面看为蓝色)若发白,说明太厚,加快带速.若发红,说明太薄,放慢带速.然后在石墨框托盘一侧放一行正片,其外一侧放置假片,淀积氮化硅减反膜.观察片与片之间的颜色是否一致,如果一侧的硅片膜偏厚,则减少那一侧微波功率,反之增加微波功率.如果中间硅片的颜色有变化,则需同时改变两侧的微波功率,每次调整幅度为100W为宜.且根据系统说明不可超过其取值范围.在整个工段要求操作严格按照操作规程来进行,不按操作规程操作,会造成硅片的损失,污染,不满足工艺要求,进而造成损失. 6。
等离子刻蚀 (2)
等离子刻蚀简介等离子刻蚀（Plasma Etching）是一种用于微纳加工的关键技术，通过利用等离子体（Plasma）对材料表面进行化学反应和物理撞击，从而实现对材料的刻蚀。
等离子刻蚀在半导体工业、光学器件制造、纳米材料研究等领域有着广泛的应用。
原理等离子刻蚀的原理是利用产生的等离子体对材料表面进行刻蚀。
等离子体是一个高度电离的气体，由气体分子或原子通过加热、放电等方式激发而产生的自由电子和离子组成。
在等离子体刻蚀过程中，首先需要选择适当的气体作为反应气体，并建立一个等离子体产生的环境。
常用的气体有氧气、氟气、氯气等。
等离子体刻蚀可分为湿法和干法两种方式，湿法刻蚀采用气氛中的气体与被刻蚀物表面发生反应，而干法刻蚀主要是利用等离子体的物理反应。
在刻蚀过程中，等离子体中的电子和离子对材料表面的原子或分子进行撞击，引起表面的化学反应或物理撞击。
通过调节等离子体中的电子和离子的能量、流密度以及刻蚀气体的成分和流量等参数，可以控制刻蚀速率和刻蚀深度，从而实现对材料的精确刻蚀。
应用等离子刻蚀在微纳加工领域有着广泛的应用。
以下是几个主要的应用领域：半导体工业在集成电路制造过程中，等离子刻蚀被广泛应用于晶圆制备、形成金属电极和导线、形成绝缘层和光刻胶的去除等。
利用等离子刻蚀技术可以实现高精度、高可控性的微细结构加工，从而提高芯片的性能和可靠性。
光学器件制造在光学器件制造过程中，等离子刻蚀被用于制备光学元件的表面形态和表面粗糙度，以及形成光波导结构。
利用等离子刻蚀技术可以实现对光学器件的微纳结构加工，从而提高光学元件的性能。
纳米材料研究在纳米材料研究中，等离子刻蚀被用于制备纳米结构、纳米模板和纳米线阵列等。
利用等离子刻蚀技术可以实现对材料的纳米尺度加工，从而研究纳米领域的新奇物性和应用。
生物医学器件制造在生物医学器件制造过程中，等离子刻蚀被广泛应用于制备微流控芯片、生物芯片和生物传感器等。
利用等离子刻蚀技术可以实现对生物医学器件的微纳结构加工，从而提高生物传感器的灵敏度和稳定性。
氩等离子体刻蚀 还原作用
氩等离子体刻蚀还原作用
氩等离子体刻蚀是一种常用的表面处理技术，它利用氩等离子体的化学和物理作用，将气体原子或离子转化为高能粒子，通过碰撞作用将物体表面的材料去除，实现刻蚀的目的。
氩等离子体刻蚀的作用主要有以下几个方面：
1.清除杂质：氩等离子体刻蚀能有效地清除表面的杂质和有机
物质，将其去除，使表面更加纯净。
2.改变表面形貌：氩等离子体刻蚀可以改变材料的表面形貌，
如增加表面粗糙度、形成纳米级结构等，从而改善材料的表面性能。
3.尺寸调控：氩等离子体刻蚀可以控制材料的几何形状和尺寸，实现微纳加工，对于电子器件、光学器件等的制造具有重要意义。
4.修复和再生：氩等离子体刻蚀可以修复受损的材料表面，并
实现材料的再生，延长其使用寿命。
5.表面改性：氩等离子体刻蚀还可以实现材料表面的化学改性，如引入功能基团、增强材料的附着力等，从而改善材料的性能。
总的来说，氩等离子体刻蚀具有清洁、调控、修复和改性等多种功能，可广泛应用于材料科学、纳米技术、光学器件制造等领域。
等离子体刻蚀
6 电极材料 电极包括阴极和阳极。要求阴极材料是化学惰性的，否则 被刻蚀，消耗反应物质，影响样品的刻蚀速率。 阳极与侧壁在离子的溅射下不会形成挥发性产物，而是将 溅射产物再沉积到其他表面， 包括样品材料表面， 影响 样品的进一步刻蚀。 即使材料本身是化学惰性的，样品材料在刻蚀过程中也会 因物理溅射，尤其是掩膜材料的溅射，将溅射物沉积到阳 极或反应室腔体内部。把这种环境带给下一次实验，“记 忆效应”。 为了尽量减少这种“交叉污染”，应尽量避免同一刻蚀系 统刻蚀多种不同材料，或者要求在每一次新的刻蚀前对反 应室腔体进行等离子体 “清洁”，即在未放样品前用氧 气或氩气对腔室体预刻蚀一段时间。
根据产生等离子体的方式又分为 ICP感性耦合等 离子体（inductively coupled plasma）, CCP 容性耦合等离子体 （capacitively coupled plasma）, ECR微波电子回旋共振等离子体 （microwave electron cyclotron resonance）。
物理加化学的过程 离子的溅射和解吸附的物理特性加上化学 反应特性，刻蚀速度大于单一的任何的单 一过程。
4）具体的仪器原理介绍（RIE、 ICP和ECR）
等离子放电刻蚀技术分类
根据使用离子的物理和化学的作用，可分为 反应离子刻蚀（reactive ion etch）（物理和化 学作用）、离子溅射刻蚀(物理作用)。
等离子体刻蚀
潘华勇 1）介绍等离子体刻蚀在刻蚀方法中的位置 2）刻蚀参数 3）刻蚀的微观机理 4）具体的仪器原理介绍（RIE、ICP和ECR） 5）具体实验参数对刻蚀的影响 6）本实验室刻蚀仪器的介绍（TRION TECHNOLOGY MINILOCK IIIICP） （1）外观，结构，实验参数，一些材料的刻蚀工艺参数， 厂家提供的一些刻蚀材料的情况；（2）实验步骤； 7）作业 8) 参考文献
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
控制方法
对于不同规格的硅片，应适当的调整辉光功 率和刻蚀时间使达到完全去除短路通道的效果。
11
刻蚀工艺不当的影响
Rs
IL
ID
Rsh
redge
12
在等离子体刻蚀工艺中，关键的工艺参数是射 频功率和刻蚀时间。 • 刻蚀不足：电池的并联电阻会下降。 • 射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对 硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的 电性能变差从而使电池的性能下降。其最大影响 是会是器件的理想因子“n”增加，因为在结区 （耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加，从 而表现在理想因子的增加。
17
4.
• 这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。
6
等离子体刻蚀反应
7
• 首先，母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下 分解成多种中性基团或离子。
CF CF , CF , CF, F, C以及它们的离子
e 4 3 2
• 其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到 达SiO2表面，并在表面上发生化学反应。 • 生产过程中，CF4中掺入O2，这样有利于提高Si和 SiO2的刻蚀速率。
14
检验方法
• 冷热探针法
冷热探针法测导电型号
15
检验原理
• 热探针和N型半导体接触时，传导电子将流 向温度较低的区域，使得热探针处电子缺 少，因而其电势相对于同一材料上的室温 触点而言将是正的。 • 同样道理，P型半导体热探针触点相对于室 温触点而言将是负的。 • 此电势差可以用简单的微伏表测量。 • 热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一 个探针的周围，也可以用小型的电烙铁。
8
等离子体刻蚀工艺
• 装片 在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅 片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹 具夹紧，确保待刻蚀的硅片中间没有大的 缝隙。将夹具平稳放入反应室的支架上， 关好反应室的盖子。
9
• 工艺参数设置
负载容量 （片） 200
工作气体流量（sccm）
CF4 184 O2 16 N2 200
3
等离子体的应用
4
等离子体的产生
5
等离子体刻蚀原理
• 等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应 气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活 性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材 料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。它的 优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理 形貌 。（这是各向同性反应）
16
检验操作及判断
1. 2. 3. 确认万用表工作正常，量程置于200mV。 冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相 连。 用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压 表显示这两点间的电压为正值，说明导电类型为p型， 刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是 否为p型。 如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批 硅片需要重新装片，进行刻蚀。
13
• 刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面 造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可 避免会延伸到正面结区，从而导致损伤区域高复 合，理想（什么是理想）因子的增加，开路电压 和短路电流降低。 • 射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均 匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不 足，导致并联电阻下降。
气压 辉光功率 反射功率 （Pa） （W） （W） 120 650~750 辉光颜色 0
工作阶段时间（分钟）
预抽 0.2~0.4
主抽 2.5~4
充气 2
辉光 10~14
充气 2
腔体内呈乳白色，腔 壁处呈淡紫色
*可根据生产实际做相应的调整
10
•
边缘刻蚀控制
短路形成途径
由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散， 硅片的所有表面（包括边缘）都将不可避免地 扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会 沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而 造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。
等离子体刻蚀
目录
• 等离子体的原理及应用
• 等离子刻蚀原理 • 等离子刻蚀过程及工艺控制 • 检验方法及原理
2
什么是等离子体？
• 随着温度的升高，一般物质依次表现为固体、液 体和气体。它们统称为物质的三态。 • 如果温度升高到10e4K甚至10e5K，分子间和原子 间的运动十分剧烈，彼此间已难以束缚，原子中 的电子因具有相当大的动能而摆脱原子核对它的 束缚，成为自由电子，原子失去电子变成带正电 的离子。这样，物质就变成了一团由电子和带正 电的的离子组成的混合物 。这种混合物叫等离子 体。它可以称为物质的第四态。