金线键合工艺的质量控制-KSY版-2012
镍钯金金线键合机理简析
镍钯金金线键合机理简析1. 引言镍钯金金线键合是一种常用的微电子封装技术，广泛应用于集成电路、传感器和其他微型器件的制造过程中。
本文将对镍钯金金线键合的机理进行详细分析和解释。
2. 镍钯金金线键合的定义镍钯金金线键合是一种通过热压力焊接方式将金线连接到芯片引脚或封装基板上的技术。
该过程使用了镍钯金合金作为焊料，通过高温和压力将焊料与芯片引脚或封装基板表面结合在一起。
3. 镍钯金焊料的特性3.1 镍钯金焊料的成分镍钯金焊料通常由镍、钯和少量其他元素组成。
其中，镍和钯是主要元素，可以根据具体需求进行调整。
这种组成可以提供良好的导电性能、可靠性和耐腐蚀性能。
3.2 镍钯金焊料的熔点镍钯金焊料具有较低的熔点，通常在400-450摄氏度之间。
这使得焊接过程能够在相对较低的温度下进行，避免对芯片引脚或封装基板造成过大的热应力。
3.3 镍钯金焊料的可靠性镍钯金焊料具有良好的可靠性，能够在长期使用和恶劣环境条件下保持稳定的连接。
这主要归因于焊料中镍和钯的高耐腐蚀性和良好的机械强度。
4. 镍钯金金线键合的工艺流程镍钯金金线键合的工艺流程包括以下几个关键步骤：4.1 表面处理首先，需要对芯片引脚或封装基板表面进行处理，以提供更好的连接性能。
常见的表面处理方法包括清洗、去氧化和涂覆保护层等。
4.2 印刷焊膏接下来，在芯片引脚或封装基板上印刷一层薄薄的焊膏。
这一步骤有助于提高焊接质量和连接可靠性。
4.3 放置金线然后，将金线放置在焊膏上。
金线的直径和长度可以根据具体需求进行选择。
4.4 热压力焊接在金线放置好后，使用热压力焊接机将焊料加热到一定温度，并施加适当的压力。
这使得焊料熔化并与芯片引脚或封装基板表面结合在一起。
4.5 冷却和固化最后，等待焊料冷却和固化，确保连接稳定可靠。
这一步骤通常需要一定的时间。
5. 镍钯金金线键合的机理镍钯金金线键合的机理可以分为以下几个方面：5.1 扩散在焊接过程中，镍钯金焊料与芯片引脚或封装基板表面发生扩散反应。
金丝球键合工艺
金丝球键合工艺1、课题背景1. 随着集成电路的发展，先进封装技术不断改进变化以适应各种半导体新工艺和新材料的要求和挑战.半导体封装内部芯片内部管脚以及芯片之间的连接起着确立芯片和外部的电气连接、确保芯片和外界之间的输入／输出畅通的重要作用，是整个后道封装过程中的关键。
引线键合以工艺实现简单、成本低廉、适用多种封装形式而在连接方式中占主导地位，目前所有封装管脚的９０％以上采用引线键合连接。
引线键合是以非常细小的金属引线的两端分别与芯片和管脚键合而形成电气连接。
引线键合前，先从金属带材上截取引线框架材料（外引线),用热压法将高纯ｓｉ或Ｇｅ的半导体元件压在引线框架上所选好的位置，并用导电树脂如银浆料在引线框架表面涂上一层或在其局部镀上一层金；然后借助特殊的键合工具用金属丝将半导体元件（电路）与引线框架键合起来，键合后的电路进行保护性树脂封装。
无论是封装行业多年的事实还是权威的预测都表明，引线键合在可预见的未来(目前到２０２０年）仍将是半导体封装尤其是低端封装内部连接的主流方式。
基于引线键合工艺的硅片凸点生成可以完成倒装芯片的关键步骤并且具有相对于常规工艺的诸多优势，是引线键合长久生命力和向新兴连接方式延伸的巨大潜力的有力例证。
2。
引线键合大约始源于1947年。
如今已成为复杂，成熟的电子制造工艺。
根据引线不同，又可分为金线、铜线、铝线键合等. 根据键合条件不同，球键合可分为热压焊、冷超声键合和热超声键合。
热压焊(TC)是引线在热压头的压力下，高温加热（>250℃）发生形变焊热压超声焊(TS）焊接工艺包括热压焊与超声焊两种形式的组合。
在焊接工具的压力下，加热温度较低（低于TC温度值，大约150℃），与楔焊工具的超声运动，发生形变焊接。
热超声键合常为金丝球键合,因同时使用热压和超声能量，能够在较低的温度下实现较好的键合质量，从而得到广泛使用。
3. 键合工具负责固定引线、传递压力和超声能量、拉弧等作用。
引线键合工艺介绍及质量检验
１引言随着集成电路的发展，先进封装技术不断发展变化以适应各种半导体新工艺和新材料的要求和挑战。
半导体封装内部芯片和外部管脚以及芯片之间的连接起着确立芯片和外部的电气连接、确保芯片和外界之间的输入／输出畅通的重要作用，是整个后道封装过程中的关键。
引线键合以工艺实现简单、成本低廉、适用多种封装形式而在连接方式中占主导地位，目前所有封装管脚的９０％以上采用引线键合连接［１］。
目前封装形式一方面朝着高性能的方向发展，另一方面朝着轻薄短小的方向发展，对封装工艺圆片研磨、圆片粘贴、引线键合都提出了新的要求。
其中引线键合是很关键的工艺，键合质量好坏直接关系到整个封装器件的性能和可靠性。
本文将对引线键合工艺展开研究，分析影响键合质量的关键参数，以使引线键合满足封装工艺高质量、高可靠性的要求。
２引线键合工艺２．１简介引线键合工艺分为３种：热压键合（Ｔｈｅｒｍｏ－ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎＢｏｎｄｉｎｇ），超声波键合（ＵｌｔｒａｓｏｎｉｃＢｏｎｄｉｎｇ）引线键合工艺介绍及质量检验吕磊（中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京东燕郊１０１６０１）摘要：介绍了引线键合工艺流程、键合材料及键合工具，讨论分析了影响引线键合可靠性的主要工艺参数，说明了引线键合质量的评价方法，并提出了增强引线键合可靠性的措施。
关键词：引线键合；球形键合；楔形键合；毛细管劈刀；楔形劈刀；键合拉力测试；键合剪切力测试中图分类号：ＴＮ３０７文献标识码：Ａ文章编号：１００４－４５０７（２００８）０３－００５３－０８ＴｈｅＰｒｏｃｅｓｓＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎａｎｄＱｕａｌｉｔｙＩｎｓｐｅｃｔｉｏｎｏｆＷｉｒｅＢｏｎｄｉｎｇＬＶＬｅｉ（Ｔｈｅ４５ｔｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＣＥＴＣ，ＢｅｉｊｉｎｇＥａｓｔＹａｎｊｉａｏ１０１６０１，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｉｓａｒｔｉｃｌｅｉｎｔｒｏｄｕｃｅｓｔｈｅｐｒｏｃｅｓｓｅｓ、ｍａｔｅｒｉａｌｓａｎｄｔｏｏｌｓｏｆｗｉｒｅｂｏｎｄｉｎｇ，ｔｈｅｍａｉｎｐｒｏｃｅｓｓｐａｒａｍｅｔｅｒｓｉｎｆｌｕｅｎｃｉｎｇｏｎｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ，ｔｈｅｍｅｔｈｏｄｓｆｏｒｑｕａｌｉｔｙｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎａｎｄｔｈｅｍｅｔｈｏｄｓｔｏｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅｂｏｎｄｉｎｇｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ．Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：Ｗｉｒｅｂｏｎｄｉｎｇ；Ｂａｌｌｂｏｎｄｉｎｇ；Ｗｅｄｇｅｂｏｎｄｉｎｇ；Ｃａｐｉｌｌａｒｙ；Ｗｅｄｇｅ；ＢｏｎｄＰｕｌｌＴｅｓｔ收稿日期：２００８－００－００与热压超声波键合（Ｔｈｅｒｍｏ－ｓｏｎｉｃＢｏｎｄｉｎｇ）［２～３］。
LED打金线工艺参数规范
焊线工艺规范1 范围 (2)2 工艺 (2)3 焊接工艺参数范围 (3)4 工艺调试程序 (5)5 工艺制具的选用 (6)6 注意事项 (8)1 范围1.1 主题内容本规范确定了压焊的工艺能力、工艺要求 .工艺参数、工艺调试程序、工艺制具的选用及注意事项。
1.2 适用范围1.2.1 ASM-Eagle60. k&s1488机型。
1.2.2 适用于目前在线加工的所有产品。
2 工艺2.1 工艺能力2.1.1 接垫最小尺寸：45µm×45µm2.1.2 最小接垫节距(相邻两接垫中心间距离)：≥60µm2.1.3 最低线弧高度：≥6 mil2.1.4 最大线弧长度：≤7mm2.1.5 最高线弧高度：16mil2.1.6 直径：Eagle60:Ф18—75um , K&S1488: Ф18—50um2.2 工艺要求2.2.1 键合位置2.2.1.1 键合面积不能有1/4以上在芯片压点之外，或触及其他金属体和没有钝化层的划片方格。
2.2.1.2 在同一焊点上进行第二次键合，重叠面积不能大于前键合面积的1/3。
2.2.1.3 引线键合后与相邻的焊点或芯片压点相距不能小于引线直径的1倍。
2.2.2 焊点状态2.2.2.1 键合面积的宽度不能小于引线直径的1倍或大于引线直径的3倍。
2.2.2.2 焊点的长度：键合面积的长度不能小于引线直径的1倍或大于引线直径的4倍。
2.2.2.3 不能因缺尾而造成键合面积减少1/4，丝尾的总长不能超出引线直径的2倍。
2.2.2.4 键合的痕迹不能小于键合面积的2/3，且不能有虚焊和脱焊。
2.2.3 弧度2.2.3.1 引线不能有任何超过引线直径1/4的刻痕、损伤、死弯等。
2.2.3.2 引线不能有任何不自然拱形弯曲，且拱丝高度不小于引线直径的6倍，弯屏后拱丝最高点与屏蔽罩的距离不应小于2倍引线直径。
2.2.3.3 不能使引线下塌在芯片边缘上或其距离小于引线直径的1倍。
引线键合工艺参数对封装质量的影响因素分析
引线键合工艺参数对封装质量的影响因素分析目前IC器件在各个领域的应用越来越广泛，对封装工艺的质量与检测技术提出了更高的要求，如何实现复杂封装的工艺稳定、质量保证和协同控制变得越来越重要。
目前国外对引线键合工艺涉与的大量参数和精密机构的控制问题已有较为深入的研究，并且已经在参数敏感度和重要性的排列方面有了共识。
我国IC封装研究起步较晚，其中的关键技术掌握不足，缺乏工艺的数据积累，加之国外的技术封锁，有必要深入研究各种封装工艺，掌握其间的关键技术，自主研发高水平封装装备。
本文将对引线键合工艺展开研究，分析影响封装质量的关键参数，力图为后续的质量影响规律和控制奠定基础。
2. 引线键合工艺WB随着前端工艺的发展正朝着超精细键合趋势发展。
WB过程中，引线在热量、压力或超声能量的共同作用下，与焊盘金属发生原子间扩散达到键合的目的。
根据所使用的键合工具如劈刀或楔的不同，WB分为球键合和楔键合。
根据键合条件不同，球键合可分为热压焊、冷超声键合和热超声键合。
根据引线不同，又可分为金线、铜线、铝线键合等。
冷超声键合常为铝线楔键合。
热超声键合常为金丝球键合，因同时使用热压和超声能量，能够在较低的温度下实现较好的键合质量，从而得到广泛使用。
2.1 键合质量的判定标准键合质量的好坏往往通过破坏性实验判定。
通常使用键合拉力测试（BPT）、键合剪切力测试（B ST）。
影响BPT结果的因素除了工艺参数以外，还有引线参数（材质、直径、强度和刚度）、吊钩位置、弧线高度等。
因此除了确认BPT的拉力值外，还需确认引线断裂的位置。
主要有四个位置：⑴第一键合点的界面；⑵第一键合点的颈部；⑶第二键合点处；⑷引线轮廓中间。
BST是通过水平推键合点的引线，测得引线和焊盘分离的最小推力。
剪切力测试可能会因为测试环境不同或人为原因出现偏差，Liang等人 [1]介绍了一种简化判断球剪切力的方法，提出简化键合参数（RBP）的概念，即RBP=powerA ×forceB×timeC，其中A，B，C为调整参数，一般取0.80， 0.40，0.20。
键合工艺技术
键合工艺技术键合工艺技术是一种在电子元器件制造过程中常见的技术，它主要指的是将芯片与基板之间进行金线或其他导电物质的焊接，完成电子元器件的连接。
键合工艺技术在电子行业中被广泛应用，尤其是在集成电路制造中。
键合工艺技术的主要步骤包括芯片放置、粘合、焊接和切割等。
首先，将芯片放置在基板上，并使用粘合剂进行固定。
接下来，通过焊接技术将芯片与基板之间的金线或其他导电物质连接起来。
最后，使用切割工具将芯片与基板分开，形成独立的电子元器件。
键合工艺技术的重要性主要体现在以下几个方面。
首先，它能够实现芯片与基板之间的可靠连接，确保电子元器件的正常工作。
其次，键合工艺技术能够提高元器件的封装密度，实现更小型化、更高性能的电子产品。
另外，键合工艺技术还能够提高元器件的可靠性和耐用性，延长其使用寿命。
在实际应用中，键合工艺技术有多种方法。
常见的方法有焊线键合和球栅键合等。
焊线键合是指使用金线将芯片与基板之间进行连接，常用于传统的芯片封装工艺中。
球栅键合是一种先进的键合技术，它通过将芯片与基板之间的连接点涂上金属球，然后使用热压力将球与基板焊接，实现连接。
球栅键合具有高可靠性、高密度的特点，逐渐成为集成电路制造中主流的键合工艺技术。
随着电子行业的不断发展，键合工艺技术也在不断创新和改进。
目前，一些新兴的键合技术已经被提出，并在实际应用中得到验证。
例如，无线键合技术可以实现无线信号的传输，提高元器件的可靠性和稳定性。
激光键合技术可以实现高精度焊接，提高生产效率和产品质量。
总之，键合工艺技术是电子元器件制造过程中至关重要的一环。
它能够实现芯片与基板之间的可靠连接，提高电子产品的性能和可靠性。
随着电子行业的发展，键合工艺技术也在不断创新和改进，为电子产品的发展提供了强大的支持。
微组装金丝键合工序统计过程控制技术
微组装金丝键合工序统计过程控制技术范少群;赵丹【摘要】金丝键合质量是影响微波多芯片组件(MMCM)可靠性的一个主要因素,有效识别和控制键合过程的波动,是保证工艺稳定性和合格率的有效手段.SPC技术是定量判断工艺是否处于统计受控状态的核心技术.文中对某型号产品中抽取的金丝拉力数据进行正态分布拟合及正态性检验,采用均值-标准差、均值-极差控制图对金丝拉力数据稳定性进行分析,讨论了不同波动异常情况下的影响因素及解决方法.另外对金丝键合工序能力指数Cpk进行计算、评价,着重分析了提高Cpk值的有效方法.【期刊名称】《电子与封装》【年(卷),期】2016(016)012【总页数】6页(P1-5,11)【关键词】金丝键合;统计过程控制SPC;工序能力指数;分析【作者】范少群;赵丹【作者单位】中国电子科技集团公司第38研究所,合肥230088;中国电子科技集团公司第38研究所,合肥230088【正文语种】中文【中图分类】TN305.94金丝键合是多芯片微波组件微组装工艺中的一道关键工序，由于其工艺实现简单、成本低廉、适用于多种封装形式而成为芯片与芯片之间、内部芯片与外部器件之间实现电气互连的主要模式[1]。
金丝键合质量的优劣直接影响微波组件的可靠性，是决定产品质量与成品率的重要环节，因此对金丝键合工序质量的控制显得尤为重要。
元器件可靠性常规评价手段有产品检验、可靠性寿命试验、现场积累使用寿命数据等。
但这些传统的评价方法均只对工艺的最终结果进行定性评价，而不能定量反映工艺水平及工艺过程状态的稳定性程度。
统计过程控制技术（SPC）是一项能够定量判断工艺过程是否处于统计受控状态的质量与可靠性评价方法。
美国规定军用微电路生产线在1991年前必须建立SPC体系，我国近年对军用微电路贯标生产线也作出了SPC体系建设要求[2]。
文中采用统计过程控制技术（SPC），根据数理统计分析理论，对连续采集的多批金丝键合关键工艺参数数据进行定量的统计分析。
键合工艺常识
焊线工艺
1. 金线与铝电极焊接时，温度为什么要控制在200℃以内？
金在高温时（>200℃），易与铝产生脆性的金属间化合物AuAl2（紫斑）和Au5Al2（白斑），同时在接触处因相互扩散形成空洞（柯肯达尔空洞），而使金-铝键合点导电能力变差，并极易碎裂产生脱键。
（因此使用金丝时，应尽量避免采用金-铝结合，而采用金-金结合。
）
2. 什么是柯肯达尔效应（Kirkendall equation）？
在焊接过程中，合金形成的焊点，在结合层附近会发现一些微小的孔洞，而且随着时间的积累，这些孔洞会越来越大，最后会连成一条细缝，导致焊点断裂。
这种现象，就是Kirkendall 效应。
造成Kirkendall现象的原因是不等量的原子交换，低熔点组元扩散快，高熔点组元扩散慢。
Kirkendall现象正是扩散的空位机制的证明。
（空位机制是FCC金属中扩散的主要机制）
3. FCC金属有哪些？
FCC金属是面心立方晶胞，晶胞含有4个金属原子，FCC金属主要有：铜Cu、铝Al、镍Ni、铅Pb、金Au、银Ag、γ-Fe。
4. 哪种元素可以提高合金在氢中的热稳定性？
微量镍Ni元素可以提高合金在氢中的热稳定性。
5. 钯基的作用。
所谓合金线，是钯基含银、金和镍的四元合金，钯和银可无限互溶，形成连续固溶体，有PdAg23、PdAg25、PdAg30、PdAg40等。
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金线键合工艺的质量控制孙伟（沈阳中光电子有限公司辽宁沈阳）摘要：本文介绍引线（Au Wire）键合的工艺参数及其作用原理，技术要求和相关产品品质管控规范，讨论了劈刀、金线等工具盒原材料对键合质量的影响。
关键词：半导体器件(LED),键合金丝；键合功率；键合时间；劈刀；引线支架一引言半导体器件（光电传感器）LED芯片是采用金球热超声波键合工艺，即利用热能、压力、超声将芯片电极和支架上的键合区利用Au线及Ag线试作中（Cu 线也在试验中）对应键合起来，完成产品内、外引线的连接工作。
也是当今半导体IC行业的主要技术课题，因为在键合技术中，会出现设备报警NSOP/NSOL等常规不良，焊接过程中的干扰性等不良，在半导体行业中，键合工艺仍然需要完善，工艺参数需要优化等，键合工艺技术在随着全球经济危机下，随着原材料工艺变革和价格调整下不断探索Bonding新领域的发展。
已经建立了相对晚上的Bonding优化条件的体系中，在原材料的经济大战中，工艺技术将进一步推动优化Bonding条件体系二技术要求2.1 键合位置及焊点形状要求（1）键合第一焊点金球Ball不能有1/4的Bonding到芯片电极之外，不能触及到P型层与N型层分界线。
如下图1所示为GaAs单电极芯片Bonding 状态对比Photo：(2) 第二焊点不得超过支架键合区域范围之内，如图2所示.(3)第一焊点球径A约是引线丝直径Ø的3.5倍（现行1.2MIL金线使用，Ball Size 中心值控制在105um）左右，金球Ball形变均匀良好，引线与球同心，第二焊点形状如楔形，其宽度D约是引线直径Ø的4倍（即目标值：120um）左右，球型厚度H为引线直径Ø的0.6~0.8倍。
金球根部不能有明显的损伤或者变细的现象，第二焊点楔形处不能有明显裂纹。
图3为劈刀作用金球形变Ball形态的示意图。
图4 第二焊点形状：（4）键合后其其他表现技术要求规范：无多余焊丝，无掉片，无损伤芯片，无压伤电极。
芯片表面不能有因键合而造成的金属熔渣、断丝和其他不能排除的污染物。
Loop拱丝无短路，无塌丝，无勾丝。
2.2 拉力测试拉力测试被广泛用在热超声焊线中，它是一种破坏性的测试，能够测试出最薄弱的断点，测试点和Loop拱线的特点直接影响测量数值得大小。
测试方法：在键合金线的下方施加一个向上的拉力使键合部从芯片表面被拉开，并对拉力的大小进行测量。
拉线测试所需设DAGE4000系列拉力测试治具：拉线测试设备（键合力度拉扯测试设备），主要由两部分构成，1）由一机械装置驱动一拉钩产生一向上的拉力，2）经校准后的力度测试装置，用来测量金线从芯片表面拉开时的力度。
该力度一般用gF（克力）来表示。
2.2.1 拉力测试位置用DAGE 4000拉力测试治具，测定杆的标准测定位置是金线长度的1/2，实际测定过程中，更真实检测1st/2nd位置的Bonding焊接强度，选折靠近1st点的为位置和靠近2nd 的位置进行测定，测定的数值为1st/2nd拉力强度。
具体测定位置如下图：进行1st 拉力测试时，要判定拉力和断线模式。
断线A/E模式，抽取的料盒为非正常品处理。
进行2nd 拉力测试时，要判定拉力和断线模式。
断线D/E模式，抽取的料盒为非正常品处理。
LED行业键合金线拉力及断点位置要求一般为:拉线时第第一点金球不能与电极之间脱开，第二点楔形不能与支架键合区脱开，即此时不论拉力F为何值都判定不合格。
如其他点断开，金丝直径25um拉力值F>5g为合格，金丝直径30um拉力值F>7g 为合格。
2.3 剪切测试如于焊线完成后会进行破坏性试验,包括拉力测试(Pull Test),金球推力测试(Ball Shear Test)以确定焊线之品质.而在封胶之后,则以X光(X-Ray)来检视胶体内部之金线是否有移位或断裂之情形等等.金球剪切失效模式同样需要被记录，为如下之一，1）金球掀起，2）金球被推离，3）火山口（金球被推离表面，带起芯片表面，导致芯片材料-硅显露出来，形成火山口一样的凹坑），4）键合表面分离（键合表面与芯片材料之间的分离）。
因剪切刀头放置位置错误而产生的读数是无效的，不应供分析使用。
剪切测试一般用于半导体封装流程的前段，其为监控生产能力与稳定性的重要标准之一，一般为SPC测试中的重要一项。
三键合工艺条件3.1 键合温度键合温度能够帮助移除表面污染物，如潮气，油，水蒸气等，增加分子的活跃程度有利于合金的形成。
但是过高的温度不仅会产生过多的氧化物影响键合质量，并且由于过高的热应力应变的影响，图像监测精度和器件的可靠性也随之下降。
在实际工艺中，温控系统都会添加预热区、冷却区，提高控制的稳定性。
目前LED芯片键合机台键合温度一般设置在180度~250度,而现况为了提高产能与效率，加强键合的稳定性，轨道温度控制在270度土10度这样一个水准。
为了推进Ag wire/Cu Wire 适应现阶段原材料价格节减，轨道温度控制在200度左右可能，以来容错引线在Bonding过程中的氧化程度和抑制机头异物的增加。
3.2 键合机台压力/功率超声功率使焊线和焊接面松软，产生热能，形成分子相互嵌合合金，改变球形尺寸。
超声功率对键合质量和外观影响最大，因为它对键合球的变形起主导作用。
过小的功率会导致过窄、未成形的键合或尾丝翘起；过大的功率导致根部断裂、键合塌陷或者焊盘破裂。
超声功率和键合压力的相互关联的参数，增大超声功率通常需要增加键合力使超声能量通过键合工具更多的传递到键合点处。
因此在生产过程中设置键合机台压力和功率时，需要将两者密切综合考虑，根据机台型号以及生产工艺中遇到的实际情况进行灵活设置，努力寻找到最佳的搭配组合。
3.3键合时间键合时间是指控制超声能力作用的时间，通常LED芯片键合机台时间设置在8~20ms。
一般来说，太短的焊线时间无法形成良好的合金，焊线时间过长是导致拉力不良或芯片电极损伤的原因。
键合时间越长，引线球吸收的能量越多，键合点的直径就越大，界面强度增加而颈部强度降低，会使键合点超出焊盘边界并且导致空洞生成概率增大。
因此设置合适的键合时间也显得尤为重要。
焊接作用的键合时间，对Ball Shear影响趋势图如下：四键合工具与原材料4.1 劈刀键合劈刀的选折和使用磨损状况对于焊点的质量有着重要影响，劈刀的寿命一般为200万点。
随着劈刀使用焊点数的增加，劈刀磨损也越来越严重。
下图为新劈刀从开始使用到3500K焊点的外观磨损变化对比图片。
而随着劈刀磨损，其焊点的质量也逐渐变差，下图为第一、二焊点外观状况随劈刀焊接点数增加的变化对比图片：可以看出常规状态下，劈刀与第二点焊接变化有着密切关系，而随着原材料成本价格不断上升，工艺技术的改善的同时，却难以越长劈刀的寿命，上记试验结果无法与实际结合，取得实际理想的效果。
经过大量的设备量产管控呈现的结果，实际劈刀的寿命是上记试验结果的1/10倍，主要原因为劈刀TIP异物附着，缩短的劈刀的使用寿命。
劈刀使用完了及清洁后状态如下：从做过的成分分析结果来看，TIP上的异物成分有金属Ag；C；O；CL等物质，物质的来源确认评价，主要集中1）L/F表面；2）金线；3)Cleanroom环境4）化合生成等方面。
因为工场工程中没有得到确切有效的数据评估，无法降低异物的来源，所以工程品质管控加强对键合机台的清洁清扫，特别是Wire轨道的清扫频度加大。
作为工程技术人员，曾提到劈刀的专业化清洁再利用延长劈刀寿命，导入清洁设备和能够合作的公司没有得到落实，所以工程一直维持劈刀的寿命缩短化来满足产品品质要求。
这是一个技术难题，现况中也在不断的促进其他的适用方法来提供洁净度，提高劈刀的使用寿命。
如果Ag Wire/Cu Wire导入生产使用的时候，专业化劈刀的使用，以及键合工艺的变化，金线Bonding中产生的氧化物减少和劈刀价格问题会促使的寿命增加展望。
4.2 金丝金丝作为一个重要的原材料必须具备几个重要的特性；良好的机械性能和导电特性，合适的破断力，选折正确的尺寸，表面清洁无污染无损伤。
目前LED封装行业金线直径大多选折1.0 MIL或1.2mil，纯度为99.99%，延伸率一般为2%~8%，断裂负荷一般要求：1.0mil金丝大于10g，1.2mil 金丝大于16g。
太软的金丝会导致以下不良：（1）L oop拱丝下垂。
（2）球形不稳定（3）球颈部容易收缩（4）金线易断裂太硬的金丝会导致以下不良：（1）将芯片电极或外延打出坑洞（2）金球颈部断裂（3）形成合金困难（4）L oop拱丝弧线控制困难4.3 芯片电极对焊点的影响（1）芯片电极本身蒸镀不牢靠，导致焊线后电极脱落或者损伤。
（2）芯片电极本身可焊性差，会导致焊球虚焊。
（3）芯片电极表面脏污，如装架的银胶，其他物体接触芯片表面，芯片存储不当导致电极表面氧化等等。
由于金属熔球与焊盘的尺寸都很小，因此对键合表面的清洁非常敏感，键合表面的轻微污染都可能导致两者间的金属原子扩散不能进行，造成失效和虚焊。
现阶段可以导入Air Blow的方式嫁接到焊接机台上，尽可能对L/F和芯片表面洁净。
因为对高精密器件，可能要引进等离子清洗设备，将待焊接品清洗后进入键合的工艺是不少半导体厂商应用的工艺。
因为这样可以降低产品缺陷，提高键合质量。
实现了品质的有效管控。
结束语键合工艺是半导体器件封装业最重要的最关键的工艺技术，影响到封装成品的电性能以及可靠性。
本文介绍了键合焊线和焊球的质量管控标准，对影响键合质量的键合时间、压力、功率等参数做了简单的介绍，另外还阐述了劈刀及life time，金线等工具盒原材料对键合质量的影响。
参考文献：。