模拟电路第四版课后答案(康华光版本)
模拟电子技术课后习题答案康华光等编
模拟电子技术课后习题答案康华光等编Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】模拟电子技术习题答案第二章和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压（2）求v o 的变化范围当r d1=r d2=r d 时，则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即～。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为－6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有D 被反偏而截止。
图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有D被反偏而截止。
图c：将D断开，以“地”为参考点，有D被正偏而导通。
，D2为硅二极管，当 v i＝ 6 sinωtV时，试用恒压降模型和折线模型（V th＝ V，r D＝200Ω）分析输出电压 v o的波形。
解（1）恒压降等效电路法当0＜|V i|＜时，D1、D2均截止，v o＝v i；当v i≥时；D1导通，D2截止，v o＝0.7V；当v i≤时，D2导通，D1截止，v o＝－0．7V。
v i与v o＝0．5V，r D＝200Ω。
当0＜|V i|＜0．5 V时，D1，D 2均截止，v o=v i； v i≥0．5V th时，D1导通，D2截止。
模电课后(康华光版)习题答案2.docx
11 & II R 2l +5° 51 227.5 H ----- 20 + 7.5 Y6—叫51+扁叫4第二章部分习题解答2.4.6加减运算电路如图题8. 1. 3所求，求输岀电压仏的表达式。
解:方法一：应用虚短概念和叠加原理。
R、 s=_# 叫 1 _2 匕2再令沧二％2二0,则v n = ------- ——+ ------ :--- -- 评 4 卩比+瞌II 心心+心II 心12 ---- v 10 + 12 61将％和％叠加便得到总的输出电压, ” 5 c 51 51%=%+%= _ 才叫1 _ 2 比2 + —叫 3 + —人 4 方法二：用虚断列节点方程叫/ _ J | 叫 2 —V N J N_JR] R2 ~ R f叫3 - J叫4 _ J V p1 = i?3 R4 只5令％二加联立求解上述方程，结果与方法一相同。
2. 4. 2图题8. 1. 7为一增益线性调节运放电路，试推导该电路A厂—比—的电压增益V（勺1一勺2）的表达式。
解：A】、《是电压跟随器，有V ol = V Il^V o2 = V/2图题8. 1. 78利用虚短和虚断概念，有cVol ~ VN3 R\%2 _ 二彷3 _ 仏4尽R 2Vo4 = VN3 = V p3将上述方程组联立求解，得Ay =VI\ _ VI22.4.1 一高输入电阻的桥式放大电路如图题8.1.8所示，试写%^2V ol ~ ^2V o2 ~出^=f(5)的表达式I图题8. 1.8解:A 】、佻为电压跟随器，有VjR1怙=一険—2 ^~V B~2R +6R V I ~2 + 6V]丿。
1、卩。
2为差分式运算电路As 的输入信号电压，即有8. 3. 1用对数、反对数、加法或减法运算电路，设计岀vxV x V VVo\ = V x V r > V o2 =——％3 = ---------"和匚 的原理框图。
Vo\ ~ V X V Y^ 解：对于式，可写成如下关系式： v o] = V X V Y=exp(l/Wx + lw y ) v xv o2 - ---- = exp(biv x - lnvy)叫3 1VyVy = ------ =exp(lnv x + lnv Y - 1/iv.)尹据上述关系式可设计岀电路的原理框图，如图解8. 3. la> b 、 c 所示。
模电(第四版)习题解答
实用文档模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术习题解答(康华光版)
3. C位置：发射结反偏，截止，IC=0。
习题3.3.2
• (a)：放大。 • (b)：放大。 • (c)：饱和。 • (d)：截止。 • (e)：饱和。
习题3.3.6
2. AV≈1, Ri=Rb//(rbe+51Re//RL)≈90K, Ro=Re//[(RS//Rb+rbe)/(1+β)]=39Ω
3. Vo=[Ri/(Ri+Ro)]×Av× Vs≈200mV
习题3.7.1
1. |AVM|=60db=1000 (倍), fL=100Hz, fH=100MHz
2. f=fH=fL时，|AVM|=57db
IC3=1mA, VB3=9V, VC2=8.3V, IE=2IC2=0.74mA, IC2=0.37mA, VCEQ3=－9V, VCEQ2=9V, Re2=5.27K, rbe1=rbe2=300+26×(1+β)/2=3.9K,
rbe3=2.4K, ri3=rbe3+(1+β)Re3=245K
(a)
(b)
习题7.1.4
21. .拆R去f1R引f2虽入然电可流提串高联输负入电反阻馈，，但使整r体if提性高能，下降， 解R决f2的引办入法电是压将并Rf2联的负左端反改馈接，到使T2r集if降电低极。。
习题7.1.5
• (a): 不可能，因为是正反馈，应交 换运放正负极。
• (b)：不能，应交换R 和RL
1. VCC=6V, IBQ=20µA, ICQ=1mA, VCE=3V;
2. Rb=(VCC-0.7)/IBQ=265K(≈300K)， RC=(VCC-VCE)/ICQ=3K;
模电“电子技术基础”康华光-ch9-1rcforel
新型半导体材料和工艺的发展 将为模拟电路带来新的突破，
提升性能和降低成本。
05
本章习题及解答
本章习题
1. 什么是RC电路？它在 电子技术中有哪些应用？
3. 描述RL电路的特点和计 算方法。
2. 如何计算RC电路的时 间常数？
4. 在RC电路中，如何通 过改变电阻或电容来影响 输出波形？
习题答案及解析
答案
RC电路是由电阻（R）和电容（C）组成的电路，通常用于滤波、积分、微分等电子技 术应用。
解析
该题考查了RC电路的基本概念和在电子技术中的应用，需要理解RC电路的组成和作用。
习题答案及解析
2. 答案及解析
1
2
答案：RC电路的时间常数（τ）可以通过公式计 算：τ = R × C。其中，R是电阻的阻值，C是电 容的容量。
3
解析：该题考查了RC电路时间常数的计算方法， 需要掌握时间常数的基本概念和计算公式。
习题答案及解析
答案
RL电路是由电阻（R）和电感（L）组成的电路，其特点是具有感抗，能够阻碍 电流的变化。计算方法包括感抗的计算公式Xl=2πfL。
解析
该题考查了RL电路的特点和计算方法，需要理解RL电路的组成和感抗的概念， 并掌握计算公式。
模电“电子技术基础”康 华光-ch9-1rcforel
• 引言 • 模电的基本概念 • 康华光-ch9-1rcforel章节概述 • 模电的应用与发展趋势 • 本章习题及解答
01
引言
课程背景
电子技术基础是电子、通信、计算机 等相关专业的必修课程，是学习其他 专业课程的基础。
随着信息技术的发展，电子技术基础 课程在各个领域的应用越来越广泛， 对于培养学生的实践能力和创新思维 具有重要意义。
模电(第四版)习题解答
第1章 常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS R 大的特点。
( √ )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS U 大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS =0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。
图T1.3解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，?=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k ?时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BE B bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模电(第四版)习题集解答
补充4.电路如补图P4所示，试问β大于多少时晶体管饱和？
解：取 ，若管子饱和，
则 , 即
所以, 时,管子饱和。
补图P4
第2章 基本放大电路
自测题
一．在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。
1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。(×)
(2)若 时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？
解：(1)只有当加在稳压管两端的
电压大于其稳压值时，输出电压才为6V。
∴ 时， ；
图Pl.6
时， ；
时， ，∴ 。
0.1
(2)当负载开路时， ，故稳压管将被烧毁。
1.7在图Pl.7所示电路中，发光二极管导通电压
UD=1.5V，正向电流在5~15mA时才能正常工作。
则 =( )≈( 3 ) 。
(2)若测得输入电压有效值 时，
输出电压有效值 ，
则电压放大倍数 ( )≈( -120 )。
若负载电阻 值与 相等，则带上图T2.3
负载后输出电压有效值 ( )=( 0.3 )V。
四、已知图T2.3所示电路中 ，静态管压降 并在输出端加负载电阻 ，其阻值为3 。选择一个合适的答案填入空内。
图(e)不能。输入信号被电容C2短路。
图(f)不能。输出始终为零。
图(g)可能。
图(h)不合理。因为G-S间电压将大于零。
图(i)不能。因为T截止。
三．在图T2.3所示电路中，已知 , 晶体管β=100， 。填空：要求先填文字表达式后填得数。
(1)当 时，测得 ，若要基极电流 , 则 和 之和
=( ) ≈( 565 ) ；而若测得 ，
模拟电子技术基础答案全解(第四版)
第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I L LO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L5VR U U R R =⋅≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
模拟电路第四版课后答案(康华光版本)第二章2.4.1电路如图题2.4.1所示。
（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和Vo的值；（2）在室温（300K）的情况下，利用二极管的小信号模型求vo的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压ID?VDD?2vD(10?2?0.7)V??8.6?10?3A?8.6mA 3R1?10?VO?2VD?2?0.7V?1.4V（2）求vo的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l所示，温度T＝300 K。
rd?VT26mV??3.02? ID8.6mA当rd1=rd2=rd时，则?vO??VDD2rd2?3.02???1V???6mV R?2rd(1000?2?3.02?)vO的变化范围为(VO??vO)~(VO??vO)，即1.406V～1.394V。
2.4.3二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压VAO。
设二极管是理想的。
解图a：将D断开，以O点为电位参考点，D的阳极电位为－6 V，阴极电位为－12 V，故D处于正向偏置而导通，VAO=–6 V。
图b：D的阳极电位为－15V，阴极电位为－12V，D对被反向偏置而截止，VAO＝－12V。
图c：对D1有阳极电位为0V，阴极电位为－12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为0V，而其阳极为－15 V，故D2反偏截止，VAO=0 V。
图d：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为－6V．故D2更易导通，此后使VA＝－6V；D1反偏而截止，故VAO＝－6V。
12.4.4 试判断图题2.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？解图a：将D断开，以“地”为电位参考点，这时有VA?10k??15V?1V (140?10)k?2k?5k??10V??15V?3.5V (18?2)k?(25?5)k? VB?D被反偏而截止。
图b：将D断开，以“地”为参考点，有VA?10k??15V?1V (140?10)k?2k?5k??(?10V)??15V?1.5V (18?2)k?(25?5)k?VB?D被反偏而截止。
图c：将D断开，以“地”为参考点，有VA?10k??15V?1V (140?10)k??2k?5k??20V??15V?0.5V (18?2)k?(25?5)k? VB?D被正偏而导通。
22.4.7电路如图题2.4.7所示，D1，D2为硅二极管，当vi＝6 sinωtV时，试用恒压降模型和折线模型（Vth＝0.5 V，rD＝200Ω）分析输出电压vo的波形。
解（1）恒压降等效电路法当0＜|Vi|＜0.7V时，D1、D2均截止，vo＝vi；当vi≥0.7V时；D1导通，D2截止，vo ＝0. 7V；当vi≤0.7V时，D2导通，D1截止，vo＝－0．7V。
vi与vo波形如图解2.4.7a所示。
（2）折线等效电路如图解2.4.7b所示，图中Vth＝0．5V，rD＝200Ω。
当0＜|Vi|＜0．5 V时，D1，D 2均截止，vo=vi；vi≥0．5V 时，D1导通，D2截止。
vi≤－0.5 V时，D2导通，D1 截止。
因此，当vi≥0．5V时有vO?Vi?VthrD?Vth R?rDVom?(6?0.5)V?200?0.5V?1.42V (1000?200)?同理，vi≤－0.5V时，可求出类似结果。
vi与vo波形如图解2．4．7c所示。
2.4.8 二极管电路如图题2．4．8a所示，设输入电压vI（t）波形如图b所示，在0＜t＜5ms的时间间隔内，试绘出vo（t）的波形，设二极管是理想的。
解vI（t）＜6V时，D截止，vo（t）＝6V；vI （t）≥6V时，D导通vO(t)?vI(t)?6V1?200?6V?vI(t)?3V (200?200)?232.4.13 电路如图题2．4．13所示，设二极管是理想的。
（a）画出它的传输特性；（b）若输入电压vI =vi=20 sinωt V，试根据传输特性绘出一周期的输出电压vo的波形。
解（a）画传输特性0＜vI＜12 V时，D1，D2均截止，vo＝vI；vI≥12 V时，D1导通，D2截止vO?12k?6k?2?vI??12V?vI?4V (6?12)k?(6?12)k?3－10V＜vI＜0时，D1，D2均截止，vo＝vI；vI≤－10 V时，D2导通，D1 截止vO?12k?6k?210?vI??(?10)V?vI? (6?12)k?(6?12)k?33传输特性如图解2．4 13中a所示。
（b）当vo＝vI=20 sinωt V时，vo波形如图解2．4．13b所示。
42.5.2 两只全同的稳压管组成的电路如图题2．5．2所示，假设它们的参数V2和正向特性的Vth、rD为已知。
试绘出它的传输特性。
解当| vI |＜（Vz＋Vth）时，Dzl、DZ2均截止，vo＝vI；| vI |≥（Vz＋Vth）时，Dzl、DZ2均导通vO?vI?VZ?Vth?rd?VZ?Vth R?rd传输特性如图解2．5．2所示。
第三章3.1.1 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为VA＝－9 V，VB＝一6 V，Vc＝6．2 V，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c，并说明此BJT是NPN5管还是PNP管。
解由于锗BJT的|VBE|≈0.2V，硅BJT的|VBE|≈0．7V，已知用BJT的电极B的VB＝一6 V，电极C的Vc＝–6．2 V，电极A的VA ＝－9 V，故电极A是集电极。
又根据BJT工作在放大区时，必须保证发射结正偏、集电结反偏的条件可知，电极B是发射极，电极C 是基极，且此BJT为PNP管。
3.2.1试分析图题3．2．1所示各电路对正弦交流信号有无放大作用。
并简述理由。
（设各电容的容抗可忽略）解图题3．2．la无放大作用。
因Rb=0，一方面使发射结所加电压太高，易烧坏管子；另一方面使输人信号vi被短路。
图题3．2．1b有交流放大作用，电路偏置正常，且交流信号能够传输。
图题3．2．lc无交流放大作用，因电容Cbl隔断了基极的直流通路。
图题3．2．id无交流放大作用，因电源Vcc的极性接反。
3.3.2 测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域。
（a）VC＝6 V VB＝0.7 V VE＝0 V（b）VC＝6 V VB＝2 V VE＝1.3 V（c）VC＝6 V VB＝6V VE＝5.4 V（d）VC＝6 V VB＝4V VE＝3.6 V（。
）VC＝3.6 V VB＝4 V VE＝3. 4 V解（a）放大区，因发射结正偏，集电结反偏。
6（b）放大区，VBE＝（2—l．3）V＝0．7 V，VCB＝（6－2）V＝4 V，发射结正偏，集电结反偏。
（C）饱和区。
（d）截止区。
（e）饱和区。
3.3.5 设输出特性如图题3．3．1所示的BJT接成图题3．3.3所示的电路，具基极端上接VBB＝3．2 V与电阻Rb＝20 kΩ相串联，而Vcc＝6 V，RC＝200Ω，求电路中的IB、IC和VCE的值，设VBE ＝0．7 V。
解IB??VBB?VBE?0.125mA Rb由题3．3．1已求得β＝200，故IC??IB?200?0.125mA?25mAVCE?VCC?ICRC?1V3.3.6 图题3．3．6画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线，试求：（1）电源电压VCC，静态电流IB、IC和管压降VCE的值；（2）电阻Rb、RC的值；（3）输出电压的最大不失真幅度；（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？解（1）由图3．3．6可知，直流负载线与横坐标轴的交点即Vcc值的大小，故Vcc= 6 V。
由Q点的位置可知，IB ＝20μA，IC ＝1 mA，VCE＝3 V。
（2）由基极回路得：Rb?VCC?300k? IBVCC?VCE?3k? IC由集－射极回路得RC??7（3）求输出电压的最大不失真幅度由交流负载线与输出特性的交点可知，在输人信号的正半周，输出电压vCE从3V到0．8V，变化范围为2.2V；在输入信号的负半周，输出电压vCE从3V到4．6V，变化范围为1．6V。
综合起来考虑，输出电压的最大不失真幅度为1．6V。
（4）基极正弦电流的最大幅值是20 μA。
3.4.1 画出图题3.4.1所示电路的小信号等效电路，设电路中各电容容抗均可忽略，并注意标出电压、电流的正方向。
解图题3.4.1所示各电路的小信号等效电路如图解3.4.1所示。
83.4.2单管放大电路如图题3.4.2所示已知BJT的电流放大系数β＝50。
（1）估算Q点；（2）画出简化H参数小信号等效电路；（3）估算BJT的朝人电阻rbe；（4）如输出端接入4??VV??OkΩ的电阻负载，计算AV?及AVS?O?。
?iS解（1）估算Q点IB?VCC?40?A IC??IB?2mA RbVCE?VCC?ICRC?4V（2）简化的H参数小信号等效电路如图解3.4.2所示。
（3）求rberbc?200??(1??)26mV26mV?200??(1?50)?863? IE2mA'?V?R??0??L???(RC||RL)??116 （4）AVrberbeVi??V?VVRiRb||rbe00???AVS???i?A?A??73VVR?RR?R||rVsViVsissbbe93.4.5 在图题3.4.5所示电路中设电容C1、C2、C3对交流信号可视为短路。
（1）写出静态电流?、输人电或Ri．和输出电阻Ro的表达式；Ic及电压VCE的表达式；（2）写出电压增益A（3）V若将电容C3开路，对电路将会产生什么影响？解（1）Ic 及VCE的表达式IC??IB??VCC R1VCE?VCC?IC(R2?R3)?、Ri．和Ro的表达式（2）AV????(R2||RL) AVrbeRi?R1||rbe RO?R2（3）C3开路后，将使电压增益的大小增加????[(R2?R3)||RL] AVrbe同时Ro也将增加，RO?R2?R3。
3.5.2 如图题3.5.2所示的偏置电路中，热敏电阻Rt具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？10解图题3.5.2a所示电路能稳定Q点，过程如下：T???IC?Rt??VBE??IB??IC? 图题3.5.2b所示电路不能稳定Q点，因为T?IC?Rt??VBE??IB??IC??V?3.5.4 电路如图3.5.4所示，设β＝100，试求：（1）Q点；（2）电压增益AV1?o1?和s???Vo2（3）输入电阻Ri；（4）输出电阻RO1和RO2、AV2?；s 解（1）求Q点VB?Rb2VCC?4.3V Rb1?Rb2IC?IE?VB?VBE?1.8mAReVCE?VCC?IC(Rc?Re)?2.8VIB?IC??18?A(2)求rbe及Ri11rbe?rbb'?(1??)26mV?1.66k? IERi?Rb1||Rb2||[rbe?(1??)Re]?8.2k???V?VV?RcRi0101?AV1???i?????0.79 rbe?(1??)ReRi?RsVsViVs??V?VV?ReRi0202?AV2???i????0.8 Vr?(1??)RR?RVVbeeissis（3）（4）求RO1和RO2、RO1?RC?2k?R02?Re||rbe?(Rb1||Rb2||Rs)?31? 1??3.6.3 共基极电路如图题3.6.3所示。