二极管、三极管部分----习题
模拟电子技术部分习题及答案
直流稳压电源项目
、二极管与三极管的基础知识
二极管习题
、熟悉概念与规律
1 ?半导体
2.p型半导体
3.N型半导体
4.PN 结
5.单向导电性
6.整流二极管
7.稳压二极管
&发光二极管
9.开关特性
10.三极管
11.三极管的饱合特性
12.三极管的截止特性
13.三极管的放大特性
、理解与计算题
1.___________________________________ 当温度升高时，二极管的正向压降 _____ 变小___________________________________________ ，反向击穿电压_____________________ 变小______ 。
2.硅稳压二极管并联型稳压电路中，硅稳压二极管必须与限流电阻串联，此限流电阻的作用是(C――调压限流 )。
A、提供偏流
B、仅限流电流
C、兼有限流和调压两个作用
3.有两个2CW15稳压管，一个稳压值是8V，另一个稳压值是7.5V，若把两管的正极
并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是( B――7.5V )。
8V; B、7.5V ; C、15.5V
4.稳压管DW稳压值为
5.3V，二极管VD正向压降0.7V，当VI为12V时，DW和VD是否导通，V0为多少？R电阻的作用。
答：
DW 和
VD
不导通，V0为5.3V , R电阻的作用是分压限流。
5.下图中D1-D3为理想二极管，A, B, C灯都相同，试问哪个灯最亮？( )
A
B
C
6?在图所示的电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，
则电流的大小将______ 。
A.I=2mA
B.I<2mA
C.I>2mA
7.图所示电路，设Ui=sin 3 t(V) , V=2V ,二极管具有理想特性，则输出电压Uo的波形应为图示 _______ 图。
&图所示的电路中，Dz1和Dz2为稳压二极管，其稳定工作电压分别为
且具有理想的特性。由此可知输出电压Uo为____________ 。
lkQ
Ul=20￥
Uo
0 —
9. ______________________________ 二极管最主要的特性是，它的两个主要参数是反映正向特性的
____________ 和反映反向特性的_____________ 。
10.图所示是一个
ZjDl
正弦交流电鶴
kJ
c
4 Uo（￥）
0 1
6V 和7V ,
Dzl
输出6V正电压的稳压电路，试指出图中有哪些错误，并在图上加以改正。
12 .桥式整流滤波电路，以知v
2仁
20 X
1.414Sin 3 t(V)。在下列情况时，说明V o 端
对
应的直流电压平均值V o(av)应为多少。 (1) 电容C 因虚焊未接上。 (2) 有电容但R L 开路。 (3) 整流桥中有一个二极管因虚焊断路，有电容
C ,R L= a 。
13?设二极管正向电阻为零，反向电阻无穷大，判断如图所示 电路的输出端电压：() A 、 一 3V ; B 、 一 8V ; C 、 5V ; D 、 8V 。
14?如果电阻R 的阻值为1千欧，问：二极管的电流正向电流为( )。(填空)
畔
R
P Vo 3V1 I
图二概管工作电跻 15. PN 结具有，偏置时导通， 偏置时截止。
16?直流稳压电源的作用就是将
转换为。小功率直流稳压电源一般由
、、和 四部分
组成。
17 ?常温下，硅二极管的死区电压约为 _____ V ，导通后两端电压基本保持约 ________ V 不 变；锗二极管的死区电压约 ________ V ,导通后两端电压基本保持约 ________ V 不变。 18 .二极管2AP7是 类型，2CZ56是 类型，2CW56是 类型，2CK70是 类型，2CC122 是 类型，1N4007是 类型，1N4148是 类型，1N5401是 类型。正常情况下稳压管 工作在 区，具有
稳压作用。
19.硅二极管两端加上正向电压时立即导通。 ()
20 ?当二极管两端正向偏置电压大于死区电压时，二极管才能导通。 （）
21.二极管的反向击穿电压大小与温度有关，温度升高反向击穿电压增大。
（）
11.电路如图所示。已知 5V 的直流电源。
v2有效值足够大，合理连线，构成
22?用万用表欧姆挡粗测2AP9时用RX10档。（）
23.在输出电压相同的情况下，桥式整流电容滤电路和桥式整流电路所选二极管的最大
电流可以相同。（）
24 ?同硅管相比，锗管的参数更易受温度的影响。（）
25.半导体就是导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。（）
26.稳压二极管正常工作时必须反偏，且反偏电流必须大于稳定电流Z I o （）
27.半导体二极管反向击穿后立即烧毁。（）
28 ?用模拟万用表和数字万用表在测试二极管的极性时，测试方法和判别依据完全一
样。（）
29.2CZ型二极管，以下说法正确的是（）
A .适用于小信号检波
B .适用于整流C.适用于开关电路
30.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）
A.正向偏置导通，反向偏置截止
B.导通时可等效为一线性电阻
C.在达到反向击穿电压之前通过的电流很小
D.反向击穿后立即烧毁
31.题图1.5.1所示电路，二极管为理想二极管，以下说法正确的是（）
A.VD 导通，UAO=6V
B.VD 导通，UAO=-6V
C.VD 截止，UAO=9V
D. VD 导通，UAO= —9V
2KQ
卿（）
+
32.硅二极管正偏时，正偏电压
0.7V和正偏电压0.5V时，二极管呈现的电阻值（）
A .相同B不相同C无法判断
33.用模拟万用表RX1K档测二极管，若红笔接阳极，黑笔接阴极，读数为50K，表笔对换测得电阻一样大，则该二极管（）
A .内部已断，不能使能
B .内部已短路，不能使用
C.没有坏，但性能不好 D .性能良好
34.如题图1.5.2所示电路：1）该电路正常工作时，输出电压o u为多少？2）若要电路
正常工作，变压器次级电压2u的最小值是多少？最大值是多少？3）如果变压器次级
电压2 u的有效值为15V ,则整流、滤波后电压3 u的数值大略为多少？若测得3 u为13.5V
左右，分析故障原因与部位，并列出检修的步骤。
实验一 万用表测量二极管、三极管
实验一万用表测量二极管、三极管 一、实验目的 1.熟练掌握指针式万用表和数字万用表的使用方法。 1.熟练掌握用指针式万用表测量普通二极管和三极管。 2.熟练掌握用数字万用表测量普通二极管和三极管。 二、主要元件及仪器 1、MF-47指针式万用表 2、VC890D数字万用表 3、1N4001～1N4007系列普通整流二极管 4、1N4735（6.2V）、1N4738(8.2V)稳压二极管 5、9011～9014小功率晶体三极管 二、实验原理 （一）指针式万用表测量二极管： 二极管参数的测试可用晶体管图示仪，或其它仪器进行测试。 在没有仪器的情况下也可用万用表来简单检查二极管的好坏，但这种检测方法不能测量二极管的参数。 初学者在业余条件下可以使用万用表测试二极管性能的好坏。测试前先把万用表的转换开关拨到欧姆档的RX1k档位（注意不要使用RX1档，以免电流过大烧坏二极管，也不要用RX10K，该档电压太高，可能击穿管子），再将红、黑两根表笔短路，进行欧姆调零。
正向特性测试： 把万用表的黑表笔（表内正极）搭触二极管的正极，红表笔（表内负极）搭触二极管的负极。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间，这时的阻值就是二极管的正向电阻，一般小功率锗管的正向电阻为1KΩ左右，硅二极管约为5KΩ左右。一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值，说明管芯短路损坏，若正向电阻接近无穷大值，说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。 反向特性测试： 把万用表的红表笔搭触二极管的正极，黑表笔搭触二极管的负极，若表针指在无穷大值或接近无穷大值，管子就是合格的。一般小功率锗管的反向电阻为几十KΩ，硅二极管约为500KΩ以上。 1.普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。 （1）极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。 （2）单向导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300 kΩ左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。 若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。 2.稳压二极管的检测 （1）正、负电极的判别测量的方法与普通二极管相同，即用万用表R×1k档，将两表笔分别接稳压二极管的两个电极，测出一个结果后，再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中，阻值较小那一次，黑表笔接的是稳压二极管的正极，红表笔接的是稳压二极管的负极。 若测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无穷大，则说明该二极管已击穿或开路损坏。 （2）稳压值的测量用0~30V连续可调直流电源，对于13V以下的稳压二极管，可将稳压电源的输出电压调至15V，将电源正极串接1只1.5kΩ限流电阻后与被测稳压二极管的负极相连接，电源负极与稳压二极管的正极相接，再用万用表
二极管和三极管原理
实用文案 二极管图 三极管工作原理 三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C,基极B,发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基 本原理。 穂压二郴皆 表亍拆号.込6口 ZD,D 齐于特是-□ . “ 光硕二概苛葩光电接収二巒炭:?t_很首 駅亍咼号：U.VT 車示帝号 ：Q,vr ■J'L hL H九世总 NPMSl三极普 表示持号：Q.VT 亵示符冒o 福压二Hi育 靑示時耳一口 艇谭二松苛隨谨二機営 净恃至二娜苗 潮看得■ : LED 翼台SflJ世 光嗽三慨営电接收三世 斫將号:LED
一、电流放大 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流 lb ;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流lc。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的B倍，即电流变化被放大了B倍，所以我们把B叫做三极管的放大倍数（B一般远大于1,例如几十，几百）。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流lb 的变化，lb 的变化被放大后，导致了lc 很大的变化。如果集电极电流lc 是流过一个电阻R 的，那么根据电压计算公式U=R*l 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。 二、偏置电路三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性（相当于一个二极管），基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生（对于硅管，常取0.7V ）。当基极与发射极之间的电压小于0.7V 时，基极电流就可以认为是0 。但实际中要放大的信号往往远比0.7V 要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变（因
二极管、三极管的性能检测
二极管、三极管的性能检测 1. 二极管性能的检测 1) 普通二极管性能的检测 晶体二极管具有单向导电特性。用万用表的欧姆挡测量二极管的正、反向电阻，就可以判断出二极管管脚的极性，还可以粗略地判断二极管的好坏。 用万用表欧姆挡测量二极管的正、反向电阻原理如图4.1所示。 对于稳定电压U Z 小于万用表欧姆挡高阻挡表电池电压U o 的稳压二极管，可通过测量稳压二极管的反向电阻，用下式估算出U Z(U Z 越接近U o ，估算出的U Z 误差越大)： 用万用表欧姆挡测二极管 例如：用某万用表 R ×10 k Ω挡测一只2CW55二极管，实 测反向电阻Rx 为70 k Ω，已知 U o=15V, R o=10 Ω，则 2) 发光二极管性能的检测 发光二极管除测量正、反向电阻外，还应进一步检查其是否发光。发光二极管的工作电压一般在1.6 V 左右，工作电流在1 mA 以上时才发光。用R ×10 k Ω挡测量正向电阻时，有些发光二极管能发光即可说明其正常。对于工作电流较大的发光二极管亦可用实训图4.2所示电路进行检测。 发光二极管测试电路 3) 光电（敏）二极管性能的检测 光电二极管的反向电阻随着从窗口射入光线的强弱而发生显著变化。在没有光照时，光电二极管的正、反向电阻测量以及极性判别与普通二极管一样。 光电二极管光电特性的测量方法：用万用表R ×100 k Ω挡或R ×1 k Ω挡测它的反向电阻时，用手电筒照射光电二极管顶端的窗口，万用表指示的电阻值应明显减小。光线越强，光电二极管的反向电阻越小，甚至只有几百Ω。关掉手电筒，电阻读数应立即恢复到原来的阻值。这表明被测光电二极管是良好的。 3. 三极管的管脚和类型的判别 ο οnR R R U U X X Z +=V nR R R U U X X Z 2.610101070107015433≈?+???=+=οο
二极管三极管检测
吉林电子信息职业技术学院 毕业论文（设计） 题目：二极管三级管检测 系部：电气工程系 专业班级：09风电一班 指导教师：田军 姓名：宋贺
【摘要】NE555集成电路和电阻R1、R2电容C1等组成一个无稳态多谐振荡器，其振荡频率为f=1.44／(R1+2R2)C1将待测的晶体三极管的相应极插入管座相对应的e、b、c极孔中(若为二极管，则插入e、c两孔中)。如果被测管是PNP型，且为良好，它只能在555输出振荡方波低电平时，为PNP管提供导通通路，即在方波低电平时导通，与之串接的LED2发光管得电发光；而在振荡方波为高电平时，PNP管截止，LED1、LED2均不会发光。 如果被测晶体管是NPN型，其管子工作及导通情况，正好与上述的PNP管相反，若为好管，UED1点亮发光，LED2不亮。因此，由LED1或LED2的发光情况，可判断出是NPN，还是PNP以及其好坏。对于被损坏断路的三极管，LED1、LED2均不会发光；而对于被击穿c、e 极的三极管，则在振荡方波的高、低电平会轮流点亮，只是由于人眼视觉的滞留作用，看起来二者都亮。因此，在检测三极管时，LED1、LED2二者都亮或都不亮，说明三极管已损坏。 【关键词】NE555集成电路；二极管；三极管；LED灯； （摘要字数少，且没有英文摘要）
目录 1．绪论 (1) 1.1用NE555检测二极管、三极管的意义 (1) 1.2对二极管、三极管测试的方案选择 (2) 2．核心器件的功能介绍 (5) 2.1 NE555的简介 (5) 2.2 NE555的用处 (7) 3．电路的工作原理分析 (9) 3.1 电路的工作原理 (9) 3.2 电路框图的分析 (10) 3.3 电路的焊接与调试 (12) 3.4电路的测试结果 (13) 3.5 测试中遇到的问题及解决方法 (14) 4．总结 (15) 致谢 (16) 参考文献 (17)
二极管、三极管最通俗的解释
二极管与三极管讲解 有些人在学习电子技术的时候对PN结、二极管、三极管不太了解，看书吧，讲的太深奥，不太明白，我用通俗的语言给大家讲一讲，希望能帮助大家，也许我讲的不怎么正确，但是我感觉基本思路是正确的，等你学的透彻以后再根据自己的见解纠正我的错误。 一、PN结 N型半导体：掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。于是，N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。 P型半导体：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的离子。这样，这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷），成为能够导电的物质。（空穴可以移动）二、扩散运动 PN结中间相接触的部分，P带负电，N带空穴（正点），相互结合，PN结中间部分中和成不带电，但是P为负离子，N为正离子，所以形成了内部电场，方向由N指向P促使漂移运动产生。 三、漂移运动 在内部电场的作用下，N型半导体与P型半导体不接触部分的空穴（N和P都不是绝对的只有空穴和电子，而是相对来说的。空穴可以移动，带正电）在电场作用下向P运动，相反，P中的电子向N运
动，这就是漂移，因为N中的空穴很少，P中的电子很少，所以漂移运动不是很明显。 四、二极管 如果在PN结外部接一个正向电压，负极接N，正极接P，那么就加强了扩散运动，所以通过PN结的电流更容易，反之就为漂移运动，所以电流不能顺利通过，（反向截止），这样就产生了二极管。 五、二极管压降 压降的意思是：电压的损失，也就是通过二极管的时候，有电压损失，也就是正向偏置的时候，二极管可以看成一个小电阻。在这个小电阻的两端就是二极管的压降。 六、三极管 ；；；；；；；； 至于三极管、放大电路、整流、滤波、二极管的伏安特性曲线，三极管输入输出曲线等等，如果你感觉以上写的对你有帮助，就请加我QQ（912853255），我把你想要的部分用通俗的语言写出来。然后发给你。
各种二极管、三极管检测方法
各种二极管、三极管检测方法 一、二极管的检测方法与经验 1 检测小功率晶体二极管 A 判别正、负电极 (a) 观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。 (b) 观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。 (c)以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。 B 检测最高工作频率fM。晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。另外，也可以用万用表R×1k 挡进行测试，一般正向电阻小于1K的多为高频管。 C 检测最高反向击穿电压VRM。对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是，最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下，二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。 2 检测玻封硅高速开关二极管 检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是，这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5K～10K ，反向电阻值为无穷大。 3 检测快恢复、超快恢复二极管 用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为45K 左右，反向电阻为无穷大；再用R×1挡复测一次，一般正向电阻为几，反向电阻仍为无穷大。 4 检测双向触发二极管 A 将万用表置于R×1K挡，测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，说明被测管有漏电性故障。 将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时，摇动兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚，用同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较，两者的绝对值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。 5 瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测 A 用万用表R×1K挡测量管子的好坏 对于单极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4KΩ左右，反向电阻为无穷大。 对于双向极型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。 6 高频变阻二极管的检测 A 识别正、负极 高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二
实验二极管和三极管的识别与检测实验报告
实验二极管和三极管的识别与检测实验报告实验二极管和三极管的识别与检测 一、实验目的 1.熟悉晶体二极管、三极管的外形及引脚识别方法。 2.熟悉半导体二极管和三极管的类别、型号及主要性能参数。 3.掌握用万用表判别二极管和三极管的极性及其性能的好坏。 二、实验仪器 1.万用表 2.不同规格、类型的半导体二极管和三极管若干。 三、实验步骤及内容 1.利用万用表测试晶体二极管 （1）鉴别正负极性
机械万用表及其欧姆档的内部等效电路如图所示。 图中E为表内电源，r为等效内阻，I为被测回路中的实际电流。由图可见，黑表笔接表内电源的正端，红表笔接表内电源的负端。将万用表欧姆档的量程拨到R?100或R?1K档，并将两表笔分别接到二极管的两端如图所示，即红表笔接二极管的负极，而黑表笔接二极管的正极，则二极管处于正向偏置状态，因而呈现出低电阻，此时万用表指示的电阻通常小于几千欧。反之，若将红表笔接二极管的正极，而黑表笔接二极管的负极，则二极管被反向偏置，此时万用表指示的电阻值将达几百千欧。 （2）测试性能 将万用表的黑表笔接二极管正极，红表笔接二极管负极，可测得二极管的正向电阻，此电阻值一般在几千欧以下为好。通常要求二极管的正向电阻愈小愈好。将红表笔接二极管正极，黑表笔接二极管负极，可测出反向电阻。一般要求二极管的反向电阻应大于二百千欧以上。 若反向电阻太小，则二极管失去单向导电作用。如果正、反向电阻都为无穷大，表明管子已断路；反之，二者都为零，表明管子短路。
2.利用万用表测试小功率晶体三极管 （1）判定基极和管子类型由于基极与发射极、基极与集电极之间，分别是两个PN结，而PN结的反向电阻值很大，正向电阻值很小，因此，可用万用表的R?100或R?1K档进行测试。先将黑表笔接晶体管的某一极，然后将红表笔先后接其余两个极，若两次测得的电阻都很小，则黑表笔接的为NPN型管子基极，如图所示，若测得电阻都很大，则黑表笔所接的是PNP型管子的基极。若两次测得的阻值为一大一小，则黑表笔所接的电极不是三极管的基极，应另接一个电极重新测量，以便确定管子的基极。 （2）判断集电极和发射极 判断集电极和发射极的基本原理是把三极管接成基本单管放大电路，利用测量管子的电流放大系数?值的大小来判定集电极和发射极。以NPN型为例，如图所示。基极确定以后，用万用表两表笔分别接另外两个极，用100K?的电阻一端接基极一端接黑表笔，若电表指针偏转较大，则黑表笔所接的一端为集电极，红表笔接的是发射极。也可用手捏住基极与黑表笔（不能使两者相碰），以人体电阻代替100K?电阻的作用。
二极管和三极管的结构与基本性能
第一节 三极管的结构与基本性能 一、理想二极管的正向导通特性 二极管对电流具有单向导通的特性，硅材料二极管的正向导通电流与正向电压之间的关系曲线如图1.1.1所示。 图1.1.1 理想二极管的正向导通特性 (一)导通电压与导通通电流之间的对应关系 二极管在正向电压为0.4V 左右时微弱导通，0.7V 左右时明显导通。导通电压与导通电流之间的变化关系是，导通电压每变化9mV ，导通电流会变化倍。 (二)二极管正向导通电压与导通电流之间的对应关系 )9(002 mV U U n n I I -?= (1.1.1) 或)18(002mV U U n n I I -?= (1.1.2) 或)(log 290 20I I mV U U n n ?+= (1.1.3) U 0为二极管正向导通时的某静态电压，U n 为二极管在U 0的基础上变化后的电压。 I 0为二极管加上正向导通电压U 0时的正向导通电流，I n 为二极管与U n 相对应的正向导通电流。 例如：某二极管的在导通电压U 0=0.700V 时，导通电流为I 0=1mA ，求导通电压分别变化到U n1=0.682V 、U n2=0.691V 、U n3=0.709V 、U n4=0.718V 时的导通电流I n1、I n2、I n3、I n4。 解：根据)9(002mV U U n n I I -?= mA mA I mV V V n 5.021)97.0682.0(1=?=-
mA mA I mV V V n 707.021)97.0691.0(2=?=- mA mA I mV V V n 414.121)97.0709.0(3=?=- mA mA I mV V V n 221)97.0718.0( 4=?=- 由此可见，只要知道二极管的某个导通电压和相对应的导通电流，就可以计算出二极管的正向导通曲线上任何一点的参数。 (三)二极管的正向导通时的动态电阻 1、动态电阻的概念 动态电阻r d 的概念指的是电压的变化量与对相应的电流变化量之比。 I U r d ??= (1.1.4) 二极管正向导通之后，既有导通电压的参数，又有相应的导通电流的参数，但正向导通电阻却不能简单地等于导通电压与导通电流之比。 例如：假设二极管的正向导通电压U 0=0.7V 、静态电流I 0=1mA ，如果认为二极管正向导通电阻就等于导通电压与导通电流之比的话，此时的电阻应当为U 0/I 0=0.7V/1mA=700Ω。照此推论，当导通电压U n =1.4V 时，相应的导通电流应当是I n =2mA 。而实际的结果是，当正向导通电压U n 达到0.718V 时(增加18mV)，电流I n 就已经增加到2mA 了。 由此可见，二极管正向导通后有两种电阻： 一是直流电阻，就是正向导通电压与相对应的正向导通电流之比。 二是动态电阻，就是二极管正向导通曲线中某一点的电压微变量与相应的电流微变量之比，即该点斜率的倒数，见图1.1.1中各Q 点的不同斜率。 2、二极管正向导通后的动态电阻的粗略计算 已知Q 0点U 0=0.7V 、I 0=1mA ，Q 4点U 4=0.718V 、I 4=2mA ， 则Q 0点的动态电阻：Ω≈--≈??=46.25707.0414.1691.0709.000 0mA mA V V I U r Q Q dQ Q 4点的动态电阻：Ω≈--≈??=73.12414.1828.2709.0727.044 4mA mA V V I U r Q Q dQ 3、二极管正向导通后的动态电阻的微分计算 由于二极管导通电压与电流变化是非线性关系，所以上述计算不够精确，若对)18(002mV U U n n I I -?=进行微分，可以求得n I 的导数： 根据动态电阻的定义，可知二极管动态电阻)(Ωd r 为'n I 的倒数，故有： )18(0' 02182ln mV U U n n mV I I -??= (1.1.5) )18(0'02182ln 11)(mV U U n d n mV I I r -??==Ω
第十四章半导体二极管和三极管
第十四章半导体二极管和三极管 物体按导电性分为： 导体，绝缘体，半导体 半导体：导电性介于导体和半导体之间。半导体材料的原子结构比较特殊。其外层电子不象导体那样容易挣脱。也不象绝缘体束缚很紧，这就决定了它的导电性介于导体和半导体之间。 14-1半导体的导电特性 常见的半导体材料有硅、锗、硒及许多金属的氧化物和硫化物等。半导体材料多以晶体的形式存在。半导体材料的特性： 1.纯净半导体的导电能力很差； 2.温度升高一一导电能力增强； 3.光照增强一一导电能力增强； 4.掺入少量杂质一一导电能力增强。） 一、本征半导体（纯净半导体） 最常用的半导体为硅（Si）和锗（Ge）。它们的共同特征是四价元素，每个原子最外层电子数为4。 提纯的硅材料可形成单晶------ 单晶硅相邻原子由外层电子形成共价键 在共价键结构中，原子最外层虽然具有8个电子而处于较为稳定的状态，但是共价键 中的电子还不象绝缘体中的价电子被束缚的那样紧，在获得一定能量后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子。这里的能量可以是热能或光能，因此半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别。利用这种特性可做成各种热敏元件或光敏元件。 价电子受到激发，形成自由电子并留下空穴。自由电子和空穴同时产生，半导体中的 自由电子和空穴都能参与导电——半导体具有两种载流子。 载流子： 自由电子：电子挣脱共价键的束缚成为自由电子。空穴：共价键中留下的空位。
'lifr 在外电场作用下，半导体内电流形成过程： 有空穴的原子（带正电），可以吸引相邻原子中的价电子，填补这个空穴。好象空穴在运动，而空穴运动的方向与价电子运动的方向相反，因此空穴运动相当于正电荷的运动， 因此在外电场（外加电压）作用下，半导体中出现两部分电流： 电子电流：自由电子定向运动形成的。 空穴电流：价电子递补空穴形成的。 电子--空穴对产生与复合的动态过程： 由于物质总是在不停地运动着，一方面不断有价电子挣脱束缚成为自由电子。同时出现相同数量的空穴，另一方面自由电子在运动中又会和空穴复合，成为价电子，在一定条件下，这种运动会达到相对平衡，即电子--空穴对的产生与复合的过程仍在不断进行，但 电子--空穴对的数目基本不变。 二、杂质半导体（N型半导体和P型半导体） 由于掺入杂质元素的不同，掺杂半导体可分为两大类一N型半导体和P型半导体。 1.N型半导体杂质：磷P五价元素，原子最外层有五个价电子。磷原子与周围的四个硅原子形成共价键后，磷原子的外层电子数将是9，比稳定结构多一个价电子。多出的一个电子受原子核 的束缚很小，因此很容易成为自由电子。 在N型半导体中：多数载流子：自由电子少数载流子：空穴 N型半导体主要靠电子导电，所以又称为电子半导体，简称N型半导体。 2.p型半导体 杂质：硼B三价元素，原子最外层有三个价电子。 硼原子与周围的四个硅原子形成共价键时，因缺少一个电子而形成一个空穴。在P型半导体中：多数载流子：空穴。少数载流子：自由电子 P型半导体主要靠空穴导电，所以又称为空穴半导体，简称P型半导体。
实验二 二极管和三极管的识别与检测实验报告
实验二 二极管和三极管的识别与检测 一、实验目的 1.熟悉晶体二极管、三极管的外形及引脚识别方法。 2.熟悉半导体二极管和三极管的类别、型号及主要性能参数。 3.掌握用万用表判别二极管和三极管的极性及其性能的好坏。 二、实验仪器 1.万用表 2.不同规格、类型的半导体二极管和三极管若干。 三、实验步骤及内容 1.利用万用表测试晶体二极管 （1）鉴别正负极性 万用表及其欧姆档的内部等效电路如图所示。 图中E 为表内电源，r 为等效内阻，I 为被测回路中的实际电流。由图可见，黑表笔接表内电源的正端，红表笔接表内电源的负端。将万用表欧姆档的量程拨到100?R 或K R 1?档，并将两表笔分别接到二极管的两端如图所示，即红表笔接二极管的负极，而黑表笔接二极管的正极，则二极管处于正向偏置状态，因而呈现出低电阻，此时万用表指示的电阻通常小于几千欧。反之，若将红表笔接二极管的正极，而黑表笔接二极管的负极，则二极管被反向偏置，此时万用表指示的电阻值将达几百千欧。 电阻小电阻大 （2）测试性能 将万用表的黑表笔接二极管正极，红表笔接二极管负极，可测得二极管的正向电阻，此电阻值一般在几千欧以下为好。通常要求二极管的正向电阻愈小愈好。将红表笔接二极管正极，黑表笔接二极管负极，可测出反向电阻。一般要求二极管的反向电阻应大于二百千欧以上。 若反向电阻太小，则二极管失去单向导电作用。如果正、反向电阻都为无穷大，表明管子已断路；反之，二者都为零，表明管子短路。 2.利用万用表测试小功率晶体三极管 （1）判定基极和管子类型 由于基极与发射极、基极与集电极之间，分别是两个PN 结，而PN 结的反向电阻值很大，正向电阻值很小，因此，可用万用表的100?R 或K R 1?档进行测试。先将黑表笔接晶体管的某一极，然后将红表笔先后接其余两个极，若两次测得的电阻都很小，则黑表笔接的为NPN 型管子基极，如图所示，若测得电阻都很大，则黑表笔所接的是PNP 型管子的基极。若两次测得的阻值为一大一小，则黑表笔所接的电极不是三极管的基极，应另接一个电极重新测量，以便确定管子的基极。
三极管的检测及其管脚的判别
三极管的检测及其管脚的判别 使用数字万用表判断三极管管脚(图解教程) 现在数字式的万用表已经是很普及的电工、电子测量工具了，它的使用方便和准确性受到得维修人员和电子爱好者的喜爱。但有朋友会说在测量某些无件时，它不如指针式的万用表，如测三极管。我倒认为数字万用表在测量三极管时更加的方便。以下就是我自己的一些使用经验，我是通常是这样去判断小型的三极管器件的。大家不妨试试看是否好用或是否正确，如有意见或问题可以发信给我。 手头上有一些BC337的三极管，假设不知它是PNP管还是NPN 管。 图1三极管 我们知道三极管的内部就像二个二极管组合而成的。其形式就像下图。中间的是基极（B极）。
图2三极管的内部形式 首先我们要先找到基极并判断是PNP还是NPN管。看上图可知，对于PNP管的基极是二个负极的共同点，NPN管的基极是二个正极的共同点。这时我们可以用数字万用表的二极管档去测基极，看图3。对于PNP管，当黑表笔（连表内电池负极）在基极上，红表笔去测另两个极时一般为相差不大的较小读数（一般0.5-0.8），如表笔反过来接则为一个较大的读数（一般为1）。对于NPN表来说则是红表笔（连表内电池正极）连在基极上。从图4，图5可以得知，手头上的BC337为NPN管，中间的管脚为基极。
图3万用表的二极管测量档 图4判断BC337的B极和管型(1)
图4判断BC337的B极和管型(2) 找到基极和知道是什么类型的管子后，就可以来判断发射极和集电极了。如果使用指针式万用表到了这个步可能就要用到两只手了，甚至有朋友会用到嘴舌，可以说是蛮麻烦的。而利用数字表的三伋管hFE档（hFE 测量三极管直流放大倍数）去测就方便多了，当然你也可以省去上面的步骤直接用hFE去测出三极管的管脚极性，我自己则认为还是加上上面的步骤方便准确一些。 把万用表打到hFE档上，BC337卑下到NPN的小孔上，B极对上面的B字母。读数，再把它的另二脚反转，再读数。读数较大的那次极性就对上表上所标的字母，这时就对着字母去认BC337的C，E 极。学会了，其它的三极管也就一样这样做了，方便快速。 图5万用表上的hFE档
实验二 二极管和三极管的识别与检测实验报告
实验二二极管和三极管的识别与检测 一、实验目的 1.熟悉晶体二极管、三极管的外形及引脚识别方法。 2.熟悉半导体二极管和三极管的类别、型号及主要性能参数。 3.掌握用万用表判别二极管和三极管的极性及其性能的好坏。 二、实验仪器 1.万用表 2.不同规格、类型的半导体二极管和三极管若干。 三、实验步骤及内容 1.利用万用表测试晶体二极管 （1）鉴别正负极性 万用表及其欧姆档的内部等效电路如图所示。 图中E为表内电源，r为等效内阻，I为被测回路中的实际电流。由图可见，黑表笔接表内电源的正端，红表笔接表内电源的负端。将万用表欧姆档的量程拨到100 ? R或K R1 ?档，并将两表笔分别接到二极管的两端如图所示，即红表笔接二极管的负极，而黑表笔接二极管的正极，则二极管处于正向偏置状态，因而呈现出低电阻，此时万用表指示的电阻通常小于几千欧。反之，若将红表笔接二极管的正极，而黑表笔接二极管的负极，则二极管被反向偏置，此时万用表指示的电阻值将达几百千欧。 电阻小电阻大 （2）测试性能 将万用表的黑表笔接二极管正极，红表笔接二极管负极，可测得二极管的正向电阻，此电阻值一般在几千欧以下为好。通常要求二极管的正向电阻愈小愈好。将红表笔接二极管正极，黑表笔接二极管负极，可测出反向电阻。一般要求二极管的反向电阻应大于二百千欧以上。 若反向电阻太小，则二极管失去单向导电作用。如果正、反向电阻都为无穷大，表明管子已断路；反之，二者都为零，表明管子短路。 2.利用万用表测试小功率晶体三极管 （ 1）判定基极和管子类型 由于基极与发射极、基极与集电极之间，分别是两个PN结，而PN结的反向电阻值很大，正向电阻值很小，因此，可用万用表的100 ? R或K R1 ?档进行测试。先将黑表笔接晶体管的某一极，然后将红表笔先后接其余两个极，若两次测得的电阻都很小，则黑表笔接的为NPN型管子基极，如图所示，若测得电阻都很大，则黑表笔所接的是PNP型管子的基极。若两次测得的阻值为一大一小，则黑表笔所接的电极不是三极管的基极，应另接一个电极重新测量，以便确定管子的基极。
二极管、三极管的识别与检测
任务Ⅱ.1二极管器件的认识与检测 教学目的 ☆熟悉常用二极管的分类、用途。 ☆熟悉常用二极管参数识别。 ☆掌握利用数字存储半导体管特性图示仪和万用表检测及故障的判断方法。 知识能力 一、二极管的结构及符号 将PN结加上金属引脚和外壳后，就成了二极管，如图Ⅱ-1（a）所示，图Ⅱ-1（b）是它的符号。二极管内部就是一个PN结，我们将与P区相连的电极称正极，与N区相连的电路称为负极，由于PN结具有单向导电性，所以二极管也具有单向导电性。 二极管按材料不同分硅和锗二极管；按其结构不同可分为点接触型和面接触型两类。 图Ⅱ-1 普通二极管的结构与符号图Ⅱ-2 常见二极管的外形二极管的实际种类较多，这样电路中的成品元件在外形上有较大区别。如图Ⅱ-2所示为常见二极管的外形。如何从元件形式上区分正负极，是我们首先关注的。外表上看，对于锥形二极管来说，锥端为负极，圆端为正极，如图Ⅱ-2(b)所示；对于圆柱形二极管来说，常在一端用色环或色点表示负极，另一端为正极，如图Ⅱ-2(a)、(d)、(e)所示；对于球冠形二极管，如图Ⅱ-2(f)、(g)所示，长脚表示正极，短脚表示负极。 二极管的种类与用途较多，为在绘制电路图时便于区分与描述，人为规定了二极管的图形符号。对于不同种类的二极管，规定了不同的符号。如图Ⅱ-3所示为几种二极管图形符号。 图Ⅱ-3 二极管图形符号 二、二极管的主要性能参数 二极管的特性可以通过其参数来描述，实际应用中可以通过元器件手册来查找，并依据参数合理选择二极管。二极管参数较多，常用的有最高反向电压、最大整流电流、反向电流、最高工作频率等参数。 1. 最大整流电流I F
三极管的检测方法
三极管的检测方法 1、中、小功率三极管的检测 A、已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏 (a)、测量极间电阻。将万用表置于R×100或R×1k挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。 (b)、三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。 通过用万用表电阻直接测量三极管e－c极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小，具体方法如下： 万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1k挡，对于PNP管，黑表管接e 极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。要求测得的电阻越大越好。e－c间的阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。 (c)、测量放大能力(β)。目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至 挡，量程开关拨到ADJ位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用
表指针指示为零，然后将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座，即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。 另外：有此型号的中、小功率三极管，生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数β值，其颜色和β值的对应关系如表所示，但要注意，各厂家所用色标并不一定完全相同。 B、检测判别电极 (a)、判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测三极管为PNP型管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN 型管。 (b)、判定集电极c和发射极e。(以PNP为例)将万用表置于R×100或R×1k挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。 C、判别高频管与低频管 高频管的截止频率大于3MHz，而低频管的截止频率则小于3MHz，一般情况下，二者是不能互换的。 D、在路电压检测判断法
各种二极管和三极管的检测方法
各种二极管和三极管的检测方法 中心议题：二极管二极管和三极管三极管的检测方法 二极管的检测：1、检测小功率小功率晶体二极管A、判别正、负电极(a)、观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。(b)、观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。 (c)、以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。 B、检测最高工作频率fM。晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。另外，也可以用万用表R×1k挡进行测试，一般正向电阻小于1k的多为高频管。 C、检测最高反向击穿电压VRM。对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是，最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下，二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。 2、检测玻封硅高速开关二极管检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是，这种管子的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5k～10k，反向电阻值为无穷大。 3、检测快恢复、超快恢复二极管用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R×1k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为4.5k左右，反向电阻为无穷大；再用R×1挡复测一次，一般正向电阻为几欧，反向电阻仍为无穷大。 4、检测双向触发二极管将万用表置于R×1k挡，测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，说明被测管有漏电性故障。将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时，摇动兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚，用同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较，两者的绝对值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。 5、瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测用万用表R×1k挡测量管子的好坏。对于单极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷大。对于双向极型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。 6、高频变阻二极管的检测A、识别正、负极。高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环的一端为正极。B、测量正、反向电阻来判断其好坏。具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同，当使用500型万用表R×1k挡测量时，正常的高频变阻二极管的正向电阻为5k～5.5k，反向电阻为无穷大。 7、变容二极管的检测将万用表置于R×10k挡，无论红、黑表笔怎样对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中，发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零，说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿损坏。对于变容二极管容量消失或内部的开路性故障，用万用表是无法检测判别的。必要时，可用替换法进行检查判断。 8、单色发光二极管的检测在万用表外部附接一节1.5V干电池，将万用表置R×10或R×100挡。这种接法就相当于给万用表串接上了1.5V电压，使检测电压增加至3V(发光二极管的开启电压为2V)。检测时，用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。若管子性能良好，必定有一次能正常发光，此时，黑表笔所接的为正极，红表笔所接的为负极。 9、红外发光二极管的检测A、判别红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚，通常长引脚为正极，短引脚为负极。因红外发光二极管呈透明状，所以管壳内的电极清晰可见，内部电极较宽较大的一个为负极，而
二极管、三极管的性能检测
4.5 V mA 200 Ω 4.7 k ΩI d 二极管、三极管的性能检测 1. 二极管性能的检测 1) 普通二极管性能的检测 晶体二极管具有单向导电特性。用万用表的欧姆挡测量二极管的正、反向电阻，就可以判断出二极管管脚的极性，还可以粗略地判断二极管的好坏。 用万用表欧姆挡测量二极管的正、反向电阻原理如图4.1所示。 对于稳定电压U Z 小于万用表欧姆挡高阻挡表内电池电压U o 的稳压二极管，可通过测量稳压二极管的反向电阻，用下式估算出U Z(U Z 越接近U o ，估算出的U Z 误差越大)： 用万用表欧姆挡测二极管 例如：用某万用表 R ×10 k Ω挡测一只2CW55二极管，实 测反向电阻Rx 为70 k Ω，已知 U o=15V, R o=10 Ω，则 2) 发光二极管性能的检测 的工作电压一般在1.6 V 左右，工作电流在1 mA 以上时才发光。用R ×10 k Ω挡测量正向电阻时，有些发光二极管能发光即可说明其正常。对于工作 电流较大的发光二极管亦可用实训图4.2所示电路进行检测。 发光二极管测试电路 3) 光电（敏）二极管性能的检测 光电二极管的反向电阻随着从窗口射入光线的强弱而发生显著变化。在没有光照时，光电二极管的正、反向电阻测量以及极性判别与普通二极管一样。 光电二极管光电特性的测量方法：用万用表R ×100 k Ω挡或R ×1 k Ω挡测它的反向电阻时，用手电筒照射光电二极管顶端的窗口，万用表指示的电阻值应明显减小。光线越强，光电二极管的反向电阻越小，甚至只有几百Ω。关掉手电筒，电阻读数应立即恢复到原来的阻值。这表明被测光电二极管是良好的。 3. 三极管的管脚和类型的判别 ο οnR R R U U X X Z +=V nR R R U U X X Z 2.610101070107015433≈?+???=+=οο
二极管和三极管好坏的检测
二极管和三极管好坏的检测 江苏省泗阳县李口中学沈正中搜集整理 一、二极管 （一）普通二极管的检测 （包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。 1．极性的判别 将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。 2．单负导电性能的检测及好坏的判断 通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。 若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。 二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可
指示出二极管的反向击穿电压值。 也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负 极相连，同时用万用表（置于合 适的直流电压档）监测二极管两 端的电压。如右图所示，摇动兆 欧表手柄（应由慢逐渐加快），待 二极管两端电压稳定而不再上升 时，此电压值即是二极管的反向 击穿电压。 （二）稳压二极管的检测 1．正、负电极的判别 从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极，另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管，也可以用万用表判别其极性，测量的方法与普通二极管相同，即用万用表R×1k档，将两表笔分别接稳压二极管的两个电极，测出一个结果后，再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中，阻值较小那一次，黑表笔接的是稳压二极管的正极，红表笔接的是稳压二极管的负极。 若测得稳压二极管的正、反向电阻均很小或均为无穷大，则说明该二极管已击穿或开路损坏。 2．稳压值的测量 用0 ~ 30V连续可调直流电源，对于13V以下的稳压二极管，可将稳压电源的输出电压调至15V，将电源正极串接1只1.5kΩ限流电阻后与被测稳压二极管的负极相连接，电源负极与稳压二极管的正极相接，再用万用表测量稳压二极管两端的电压值，所测的读数即为稳压二极管的稳压值。若稳压二极管的稳压值高于15V，则应将稳压电