三极管基本放大电路(课堂PPT)
合集下载
三极管及三极管放大电路英文ppt课件
uBE
(a )
Effect on input characteristics
为了规范事业单位聘用关系，建立和 完善适 应社会 主义市 场经济 体制的 事业单 位工作 人员聘 用制度 ，保障 用人单 位和职 工的合 法权益
半导体三极管2.1及.2 B其JT放的大特电性路
iC
200 A
IC ′
150 A
半导体三极管2.1及.2 B其JT放的大特电性路
2． The Output Characteristics(输出特性曲线)
iC / m A
饱和区
100
80
放
60
大
40
区
20
iB＝ 0A
0
2
4
6
8
截止区
(b)
Saturation region: b-e and b-c junctions are both forward-biased
2.4.2 The gain、input and output resistance of multistage amplifiers
为了规范事业单位聘用关系，建立和 完善适 应社会 主义市 场经济 体制的 事业单 位工作 人员聘 用制度 ，保障 用人单 位和职 工的合 法权益
2.1 双极型三半极管导体2三.1.极1 B管JT及的其结构放和大符电号路
2.1 Bipolar Junction Transistor
2.1.1 The Structure and Symbol of BJT
2.2 Basic BJT Amplifiers
2.2.1 Amplification
Amplifier
为了规范事业单位聘用关系，建立和 完善适 应社会 主义市 场经济 体制的 事业单 位工作 人员聘 用制度 ，保障 用人单 位和职 工的合 法权益
基本放大电路课件-PPT(精)精选全文完整版
15.3.1 微变等效电路法
1.晶体管的微变等效电路
晶体管的微变等效电路可从晶体管特性曲线求出。
(1)输入回路
当信号很小时，在静态工作点
附近的输入特性在小范围内可近
似线性化。
晶体管的 输入电阻
输入特性
对于小功率三极管：
晶体管的输入回路(B、E 之间) 可用rbe等效代替，即由rbe来确 定ube和i 之间的关系。
放大的实质：
用小能量的信号通过三极管的电流控制作用，将放 大电路中直流电源的能量转化成交流能量输出。
对放大电路的基本要求： 1.要有足够的放大倍数(电压、电流、功率)。 2.尽可能小的波形失真。 另外还有输入电阻、输出电阻、通频带等其它技术 指标。
15.1共发射极放大电路的组成
15.1.1 共发射极放大电路组成
15.1.3 共发射极放大电路的电压放大作用
RB C₁
十
Ucc
RC
C
lB lc 十₂
T
十 UCE
UBE
u₀
iE
u₀=0
UBE=UBE
ucE=UCE
无输入信号(u;=0) 时：
CE
ic
WBE
iB
BE
IB
Ic
UCE
0
to
0
tO
结论：
(1)无输入信号电压时，三极管各电极上都是恒定
的
电压和电流：Ip、UBE和
ri≈be
当Rg>>r 时 ，
5.放大电路输出电阻的计算
放大电路对负载(或对后级放大电路)来说，是
一个信号源，可以将它进行戴维宁等效，等效电
源的内阻即为放大电路的输出电阻。
输出电阻是
半导体三极管及其放大电路(1)PPT课件
vCE = 0V vCE 1V
测量三极管特性的电路
14
2. 输出特性曲线 iC=f(vCE) iB=const
图2.6 输出特性曲线
测量三极管特性的电路 放i基结饱区＜截相时射C平0大本正和域止当，结.3行i区平偏区，区和VvB=B于(：行，：该：集E0硅小v的等 集 区 电iiCCC管于E明接曲距电域结轴)。死显近线。结内均的此区受零的此反，区时电v的下时偏一域C，压E区方，。般，控发。域。发v曲制C射发，此E射线的 结正偏，集电结也正偏。
模拟电子技术基础
2009.3
1
第三章 半导体三极管及 放大电路基础
3.1 半导体三极管（BJT） 3.2 共射极放大电路 3.3 图解分析法 3.4 小信号模型分析法 3.5 放大电路的工作点稳定问题 3.6 共集电极电路和共基极电路 3.7 放大电路的频率响应
2
3.1 半导体三极管（BJT）
3.1.1 BJT的结构简介 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 3.1.3 BJT的特性曲线 3.1.4 BJT的主要参数
3
常见三极管的外形结构如图所示。
小功率管
塑封管
硅铜塑封三极管
低频大功率三极管
4
3.1.1 BJT结构简介
1、结构和符号
集电极 c
Collector
集电结(Jc)
基极 N
Base
集电区
bP
基区
N
发射极
Emitter e
发射区 发射结(Je)
c
b NPN e
c b
PNP e 符号中箭头的方向 表示……
＋
b
＋
UCE
－
UBE －
IE
(最 大 )
测量三极管特性的电路
14
2. 输出特性曲线 iC=f(vCE) iB=const
图2.6 输出特性曲线
测量三极管特性的电路 放i基结饱区＜截相时射C平0大本正和域止当，结.3行i区平偏区，区和VvB=B于(：行，：该：集E0硅小v的等 集 区 电iiCCC管于E明接曲距电域结轴)。死显近线。结内均的此区受零的此反，区时电v的下时偏一域C，压E区方，。般，控发。域。发v曲制C射发，此E射线的 结正偏，集电结也正偏。
模拟电子技术基础
2009.3
1
第三章 半导体三极管及 放大电路基础
3.1 半导体三极管（BJT） 3.2 共射极放大电路 3.3 图解分析法 3.4 小信号模型分析法 3.5 放大电路的工作点稳定问题 3.6 共集电极电路和共基极电路 3.7 放大电路的频率响应
2
3.1 半导体三极管（BJT）
3.1.1 BJT的结构简介 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 3.1.3 BJT的特性曲线 3.1.4 BJT的主要参数
3
常见三极管的外形结构如图所示。
小功率管
塑封管
硅铜塑封三极管
低频大功率三极管
4
3.1.1 BJT结构简介
1、结构和符号
集电极 c
Collector
集电结(Jc)
基极 N
Base
集电区
bP
基区
N
发射极
Emitter e
发射区 发射结(Je)
c
b NPN e
c b
PNP e 符号中箭头的方向 表示……
＋
b
＋
UCE
－
UBE －
IE
(最 大 )
放大电路基础ppt课件
精选PPT课件
9
第三章 放大电路基础
电路中各元件的作用如下:
（1）集电极电源UCC: 其作用是为整个电路提供能源,
保证三极管的 发射结正向偏置, 集电结反向偏置。
（2）基极偏置电阻Rb: 其作用是为基极提供合适的偏
置电流。
（3）集电极电阻Rc: 其作用是将集电极电流的变化转
换成电压的变 （4）耦合电容C1、 C2: 其作用是隔直流、 通交流。 （5）符号“⊥”为接地符号, 是电路中的零参考电位。
.
Ro
=
Vo
.
RL ,
Io
VS 0
(3.05)
精选PPT课件
7
第三章 放大电路基础
四、 通频带
放大电路的增益A(f) 是频率的函数。在低
频段和高频段放大倍数都要下降。当A(f)下降
到中频电压放大倍数A0的 1/ 2 时，即 A (fL)A (fH)A 2 0 0.7A 0
(3.06)
图 3－4 通频带的定义
精选PPT课件
11
第三章 放大电路基础
(2) 直流通道和交流通道
(a)直流通道
(b)交流通道
图 3－6 基本放大电路的直流通道和交流通道
直流通道 交流通道
流信BR向电号、c//外源而若ER能即向L看时言直和通能外，，，流偏过通看有没其电置交过，直有上源电流直有流压的内阻的流等负降交阻R电的效b载。流为路。通的电设压零通道交阻降，C道。1流，近交、。从负C似流R如2C载c为电足从、、电零流够CRB阻、b、。流大。，E在过，交直对 流通道中，可将直流电源和耦合电容短路。
第三章 放大电路基础
第三章 放大电路基础
3.1 放大电路的基本知识 3.2 三种基本组态放大电路 3.3 差分放大电路 3.4 互补对称功率放大电路 3.5 多级放大电路
第4章晶体三极管及其基本放大电路PPT课件
第28页/共127页
2.常见的两种共射放大电路
(1)直接耦合共射放大电路
(2)阻容耦合共射放大电路
Rb2
Rb1
T T
直接耦合共射放 大电路
I BQ
VCC
U BEQ Rb2
UBEQ Rb1
ICQ IBQ
UCEQ = VCC – ICQ RC
阻容耦合共射放 大电路
I BQ
VCC
U BEQ Rb
第31页/共127页
直接耦合共射放大电路及其直流通路和交流通路
第33页/共127页
阻容耦合共射放大电路的直流通路和交流通路
I
＝VCC－U
BQ
Rb
BEQ
ICQ IBQ
U CEQ VCC ICQ Rc
第34页/共127页
图解法
在三极管的输入、输出特性曲线上直接用作图的方 法求解放大电路的工作情况。
(2) 共基极交流电流放大系数α
α=iC/iE UCB=const
(3)特征频率 fT
值下降到1的信号频率
第18页/共127页
极限参数
IC/mA ICM
过流区
PCM=ICUCE 安
全
工
过损区
作
区
集电极最大允许电流 ICM
集-射反向击穿电压 U(BR)CEO
集电极最大允许耗散功率 PCM
过
压
使用时不允许超
（1）1 b、2 e、3 c NPN 硅 （2）1 b、2 e、3 c NPN 锗 （3）1 c、2 b、3 e PNP 硅 （4）1 c、2 b、3 e PNP 锗
第24页/共127页
4.2 放大电路的组成原则
基本共射放大电路的工作原理
半导体三极管及放大电路PPT精品课件
截止区
图3－20
饱和区： 输出特性的上升和弯曲部分
动态：当放大电路输入信号后（vi0）， 电路中各处的电压、电流处于变动 状态，这时电路处于动态工作情况， 简称动态。
1. 估算法确定静态工作点
见图3－14(b)
IB
V CC V BE Rb
VBE：硅管约为0.7V。 锗管约为0.2V。
Rb
300k
Rc 4k Cb2
Cb1 IB
c IC
vi
e
12V
BJT的放大作用，按电流分配实现，称 之为电流控制元件；
电流放大系数
共基电路： 共射电路：
IC 1
IE
IC
IB
三、BJT的特性曲线（共射连接）
iC
iB
N
P
N
vCE
vBE
图3－8
1. 输入特性曲线
iB f (vBE ) vCE 常数
iB(mA)
vCE=0V VCE 1V
80
25 C
60
40
满足放大的外部条件。
b. 下面推导IC和IB的关系
IE = IB + IC
I C αI E I CBO
代入
IC αI B αI C ICBO
整理 式得
IC
α 1
IB
I CBO
1
令 α 1
则 I C I B (1 ) I CBO
令 I CEO (1 ) I CBO
ICEO：基极开路，c流到e的电流，称穿透电流
4k
图3－18 (a)
ib
+ vi Rb
ic +
Rc RL v0
图3－18 (b)
电子技术课件第二章三极管及基本放大电路
10
2．三极管的主要参数
（1）直流参数 反映三极管在直流状态下的特性。
直流电流放大系数hFE 用于表征管子IC与IB的分配比例。
漏电电流。ICBO大的三极管工作的稳定性较差。
集—基反向饱和电流ICBO 它是指三极管发射极开路时，流过集电结的反向
ICBO测量电路
ICEO测量电路
加上一定电压时的集电极电流。ICEO是ICBO的(1+β)倍，所以它受温度影响不可忽视。
性。 A——PNP锗材料，B——NPN锗材料， C——PNP硅材料，D——NPN硅材料。
三极管型号的读识 3 A G 54 A
规格号
第三部分是用拼音字母表示管子的类型。
X——低频小功率管，G ——高频小功率管， D——低频大功率管，A ——高频大功率管。
三极管 NP锗材料 高频小功率 序号
第四部分用数字表示器件的序号。 第五部分用拼音字母表示规格号。
饱和区 当VCE小于VBE时，三极管的发
四、三极管器件手册的使用
三极管的类型非常多，从晶体管手册可以查找到三极管的型号，主要用途、主 要参数和器件外形等，这些技术资料是正确使用三极管的依据。
1．三极管型号
国产三极管的型号由五部分组成。
第一部分是数字“3”，表示三极管。 第二部分是用拼音字母表示管子的材料和极
一、放大电路静态工作点不稳定的原因
（1）温度影响 （2）电源电压波动 （3）元件参数改变
二、分压式偏置放大电路 1．电路组成
Rb1是上偏置电阻，Rb2是下偏置电阻。电源电压经Rb1、Rb2串联分压后为三极 管提供基极电压VBQ。Re起到稳定静态电流的作用，Ce是Re的交流信号旁路电容。
分压式偏置放大电路
放大电路的电压和电流波形
2．三极管的主要参数
（1）直流参数 反映三极管在直流状态下的特性。
直流电流放大系数hFE 用于表征管子IC与IB的分配比例。
漏电电流。ICBO大的三极管工作的稳定性较差。
集—基反向饱和电流ICBO 它是指三极管发射极开路时，流过集电结的反向
ICBO测量电路
ICEO测量电路
加上一定电压时的集电极电流。ICEO是ICBO的(1+β)倍，所以它受温度影响不可忽视。
性。 A——PNP锗材料，B——NPN锗材料， C——PNP硅材料，D——NPN硅材料。
三极管型号的读识 3 A G 54 A
规格号
第三部分是用拼音字母表示管子的类型。
X——低频小功率管，G ——高频小功率管， D——低频大功率管，A ——高频大功率管。
三极管 NP锗材料 高频小功率 序号
第四部分用数字表示器件的序号。 第五部分用拼音字母表示规格号。
饱和区 当VCE小于VBE时，三极管的发
四、三极管器件手册的使用
三极管的类型非常多，从晶体管手册可以查找到三极管的型号，主要用途、主 要参数和器件外形等，这些技术资料是正确使用三极管的依据。
1．三极管型号
国产三极管的型号由五部分组成。
第一部分是数字“3”，表示三极管。 第二部分是用拼音字母表示管子的材料和极
一、放大电路静态工作点不稳定的原因
（1）温度影响 （2）电源电压波动 （3）元件参数改变
二、分压式偏置放大电路 1．电路组成
Rb1是上偏置电阻，Rb2是下偏置电阻。电源电压经Rb1、Rb2串联分压后为三极 管提供基极电压VBQ。Re起到稳定静态电流的作用，Ce是Re的交流信号旁路电容。
分压式偏置放大电路
放大电路的电压和电流波形
三极管放大电路-PPT..
小知识 RE 越大，稳定性越好，但不能太 大，一般RE 为几百欧到几千欧。 电容CE 的作用:与RE 并联的电容 CE 称为旁路电容，可为交流信号 提供低阻通路，使电压放大倍数不 至于降低，CE 一般为几十微法到 几百微法。
2.5 共集电极电路和共基极电路
• 2.5.1 共集电极电路 • 1.电路的组成
2.3.2 用微变等效电路法分析放大电路
用微变等 效电路法 分析放大 电路的步 骤
• 1画出放大电路的交流通路 • 2用相应的等效电路代替三极管 • 3计算性能指标
小知识 输入电阻是从输入端看放 大电路的等效电阻，输出电阻是 从输出端看放大电路的等效电阻 。因此，输入电阻要包括RB ，而 输出电路就不能把负载电阻算进 去。
*2.5.2 共基极电路
• • 1.电路的组成 如图2-21（a）所示是一个共基极放大电路，图2-21（b ）是共基极放大电路的交流通路，从图中看出基极是输入 回路和输出回路的公共端，故称为共基极放大电路。
第2章 基本放大电路
本章导读
本章重点学习基本放大电路的工作原理和 放大电路的基本分析方法。同时介绍放大电路的 性能指标，并介绍多级放大电路及应用。 本章以共射极的基本放大电路为基础，分析 放大电路的原理和实质，讲述了电压偏置电路的 意义。通过图解法和微变等效电路两种方法，讨 论如何设置工作点，计算输入电阻、输出电阻和 电压放大倍数，了解多级放大电路的级间耦合方 式及场效应管放大电路。
2.1.2 放大电路的工作原理
• 1.无输入信号时放大器的工作情况
• 例2.1.1 求图2-3所示电路的静态工作点。已知RB =300kΩ ，RC =2kΩ，UCC =12V，β=80。
• 2.输入交流信号时的工作情况
• 小知识 • 图中可见uo 与ui 的相位相反，这种现象称 为放大器的倒相作用。放大器的放大原理 的实质是:用微弱的信号电压ui 通过三极管 的控制作用，去控制三极管集电极的电流iC ，iC 又在RC 的作用下转换成电压uo 输出。
2.5 共集电极电路和共基极电路
• 2.5.1 共集电极电路 • 1.电路的组成
2.3.2 用微变等效电路法分析放大电路
用微变等 效电路法 分析放大 电路的步 骤
• 1画出放大电路的交流通路 • 2用相应的等效电路代替三极管 • 3计算性能指标
小知识 输入电阻是从输入端看放 大电路的等效电阻，输出电阻是 从输出端看放大电路的等效电阻 。因此，输入电阻要包括RB ，而 输出电路就不能把负载电阻算进 去。
*2.5.2 共基极电路
• • 1.电路的组成 如图2-21（a）所示是一个共基极放大电路，图2-21（b ）是共基极放大电路的交流通路，从图中看出基极是输入 回路和输出回路的公共端，故称为共基极放大电路。
第2章 基本放大电路
本章导读
本章重点学习基本放大电路的工作原理和 放大电路的基本分析方法。同时介绍放大电路的 性能指标，并介绍多级放大电路及应用。 本章以共射极的基本放大电路为基础，分析 放大电路的原理和实质，讲述了电压偏置电路的 意义。通过图解法和微变等效电路两种方法，讨 论如何设置工作点，计算输入电阻、输出电阻和 电压放大倍数，了解多级放大电路的级间耦合方 式及场效应管放大电路。
2.1.2 放大电路的工作原理
• 1.无输入信号时放大器的工作情况
• 例2.1.1 求图2-3所示电路的静态工作点。已知RB =300kΩ ，RC =2kΩ，UCC =12V，β=80。
• 2.输入交流信号时的工作情况
• 小知识 • 图中可见uo 与ui 的相位相反，这种现象称 为放大器的倒相作用。放大器的放大原理 的实质是:用微弱的信号电压ui 通过三极管 的控制作用，去控制三极管集电极的电流iC ，iC 又在RC 的作用下转换成电压uo 输出。