氮化铝陶瓷基板的应用和价格

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氮化铝结构陶瓷的应用

氮化铝结构陶瓷的应用

氮化铝结构陶瓷的应用
氮化铝结构陶瓷是一种高性能陶瓷材料,具有优异的物理、化学和机械性能,因此在许多领域得到了广泛的应用。

氮化铝结构陶瓷在航空航天领域中应用广泛。

由于其高强度、高硬度和高温稳定性,氮化铝结构陶瓷可以用于制造高温发动机部件、导弹外壳、航空航天器热防护材料等。

此外,氮化铝结构陶瓷还可以用于制造航空航天器的结构件,如航天器的热保护板、航天器的结构支撑件等。

氮化铝结构陶瓷在电子领域中也有广泛的应用。

由于其高绝缘性、高热导率和高耐腐蚀性,氮化铝结构陶瓷可以用于制造高功率电子器件、高频电子器件、微波器件等。

此外,氮化铝结构陶瓷还可以用于制造半导体器件的基板、电子元器件的封装材料等。

氮化铝结构陶瓷还可以用于制造化学反应器、高温炉具、磨料等。

在化学反应器中,氮化铝结构陶瓷可以用于制造反应器的内衬材料,具有优异的耐腐蚀性和高温稳定性。

在高温炉具中,氮化铝结构陶瓷可以用于制造高温炉具的内衬材料,具有优异的耐高温性能。

在磨料中,氮化铝结构陶瓷可以用于制造高硬度的磨料,具有优异的磨削性能。

氮化铝结构陶瓷具有广泛的应用前景,可以用于制造高性能的航空航天器、电子器件、化学反应器、高温炉具、磨料等。

随着科技的
不断发展,氮化铝结构陶瓷的应用领域还将不断扩大。

氮化铝陶瓷

氮化铝陶瓷

氮化铝陶瓷氮化铝陶瓷氮化铝陶瓷AlNF 系列 (Aluminium Nitride Ceramic)结构结构氮化铝陶瓷AlNF 系列是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。

AIN 晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。

化学组成 AI 65.81%,N 34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,单晶无色透明,常压下的升华分解温度为2450℃。

为一种高温耐热材料。

热膨胀系数(4.0-6.0)X10(-6)/℃。

多晶AIN 热导率达260W/(m.k),比氧化铝高5-8倍,所以耐热冲击好,能耐2200℃的极热。

此外,氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性,特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。

性能性能AIN 陶瓷的性能与制备工艺有关。

如热压烧结AIN 陶瓷,其密度为3 .2一3 .3g/cm3,抗弯强度350一400 MPa(高强型900 MPa),弹性模量310 GPa,热导率20-30W/m*K,热膨胀系数5.6x10(-6)K(-1)(25℃一400℃)。

机械加工性和抗氧化性良好。

应用应用1、氮化铝AlNF 系列粉末纯度高,粒径小,活性大,是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。

2、氮化铝陶瓷基片,热导率高,膨胀系数低,强度高,耐高温,耐化学腐蚀,电阻率高,介电损耗小,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。

3、氮化铝硬度高,超过传统氧化铝,是新型的耐磨陶瓷材料,可用于磨损严重的部位.4、利用AIN 陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性,可制作GaAs 晶体坩埚、Al 蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件,利用其光学性能可作红外线窗口。

氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。

5、氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀,对酸稳定,但在碱性溶液中易被侵蚀。

AIN 新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。

利用此特性,可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。

dpc陶瓷基板优缺点以及价格和生产厂家

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dpc 陶瓷基板的优缺点 dpc 工艺适用于大部分陶瓷基板,金属的结晶性能好,平整度好,线路不易脱落, 且线路位置更准确,线距更小,可靠性稳定等优点。 dpc 陶瓷基板种类 陶瓷覆铜基板 dpc dpc 直接镀铜陶瓷基板
陶瓷基板 dpc3535 dpc 陶瓷基板生产工艺 dpc 陶瓷基板采用的是 DPC 薄膜工艺,薄膜法是微电子制造中进行金属膜沉积的主 要方法,其中直接镀铜 (Direct plating copper)是最具代表性的。采用磁控溅射+电镀 工艺 精度高,设备成本高,工艺成本也是比较高的。 dpc 陶瓷基板价格是多少?dpc 陶瓷基板多少一平方? dpc 陶瓷基板的价格看要用的板材,是否需要打孔,是否做线路,还设计到工程费 等其他费用,是打样还是批量价格等。如果是氧化铝陶瓷基板工艺一般难度,价格 3000 元~4000 元/平米;氮化铝陶瓷基板一般是 6000 元/平米。 dpc 陶瓷基板应用 dpc 陶瓷基板应用于 igbt igbt 模块对陶瓷基板的工艺要求比较高,工艺较为复杂,陶瓷基线路板精密度较高, 随着新能源汽车、高铁、风力发电和 5G 基站的快速发展,这些新产业所用的大功率 IGBT 对新一代高强度的氮化硅陶瓷基板需求巨大硅陶瓷基板;国内起步较晚,近几年大学研究机构和一些 企业都在加快研发并取得较大进展,其导热率大于等于 90Wm/k,抗弯强度大于等于 700mpa,断裂韧性大于等于 6.5mpa1/2;但是距离产业化还有一定距离。IGBT 陶瓷 基板一般采用氮化铝陶瓷基板 dpc 工艺。
dpc 陶瓷基板介电系数 DPC 陶瓷基板介电常数一般 8~10,介电常数,用于衡量绝缘体储存电能的性能.它是 两块金属板之间以绝缘材料为介质时的电容量与同样的两块板之间以空气为介质或真 空时的电容量之比。它与塑料作为电介质制品时,在电场作用下可储存电能大小、发热 量有关。介电常数介电常数代表了电介质的极化程度,也就是对电荷的束缚能力,介电 常数越大,对电荷的束缚能力越强。对于介电材料,介电常数越大,电容越大。

氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用

氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用

氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用
标题:氮化铝基陶瓷覆铜板的制备及应用
1、介绍
氮化铝基陶瓷覆铜板是一种新型复合材料,它是由氮化铝基陶瓷结合铜板制成的。

氮化铝基陶瓷具有良好的热稳定性和耐腐蚀性,而铜板则拥有优异的导热和抗拉强度,这使得它具有优越的耐热、耐腐蚀和强度特性。

2、原理
氮化铝基陶瓷是由氮化铝、氮化钛酸锂和聚羧酸酯组成的复合材料,其结构演化的过程是:先将氮化铝、氮化钛酸锂和聚羧酸酯经过热定质反应制成粉末,再将该粉末均匀涂在铜表面,最后用压缩成型机把氮化铝基陶瓷复合物压缩成底座焊接铜板。

3、制备工艺
(1)制备涂层材料:将氮化铝、氮化钛酸锂和聚羧酸酯经过热定质反应制成粉末;然后将原料粉末放入混合器中搅拌均匀,以保证涂层压缩成型后结构的一致性;
(2)涂层铜表面:通过溅射技术,在铜表面连续涂布氮化铝基陶瓷复合物;
(3)压缩成型制备:将涂布好的氮化铝基陶瓷复合物压缩成底座,然后将铜板焊接在底座上;
(4)烧结过程:将得到的氮化铝基陶瓷覆铜板烧结,以保证氮化铝基陶瓷与铜板之间的高强度结合。

4、应用
氮化铝基陶瓷覆铜板具有良好的热稳定性、耐腐蚀性和强度特性,因此在电气工业、化学过程建筑、电子设备、船舶结构和太阳能板等领域具有广泛的用途。

最适合LED的散热基板——氮化铝陶瓷基板

最适合LED的散热基板——氮化铝陶瓷基板

最适合LED的散热基板——氮化铝陶瓷基板目前,随着国内外LED行业向高效率、高密度、大功率等方向发展,从2017到2018就可以看出,整体国内LED有了突飞猛进的进展,功率也是越来越大,开发性能优越的散热材料已成为解决LED散热问题的当务之急。

一般来说,LED发光效率和使用寿命会随结温的增加而下降,当结温达到125℃以上时,LED甚至会出现失效。

为使L ED结温保持在较低温度下,必须采用高热导率、低热阻的散热基板材料和合理的封装工艺,以降低LED总体的封装热阻。

现阶段常用基板材料有Si、金属及金属合金材料、陶瓷和复合材料等,它们的热膨胀系数与热导率如下表所示。

其中Si材料成本高;金属及金属合金材料的固有导电性、热膨胀系数与芯片材料不匹配;陶瓷材料难加工等缺点,均很难同时满足大功率基板的各种性能要求。

功率型LED封装技术发展至今,可供选用的散热基板主要有环氧树脂覆铜基板、金属基覆铜基板、金属基复合基板、陶瓷覆铜基板等。

环氧树脂覆铜基板是传统电子封装中应用最广泛的基板。

它起到支撑、导电和绝缘三个作用。

其主要特性有:成本低、较高的耐吸湿性、密度低、易加工、易实现微细图形电路、适合大规模生产等。

但由于FR-4的基底材料是环氧树脂,有机材料的热导率低,耐高温性差,因此FR-4不能适应高密度、高功率LED封装要求,一般只用于小功率LED封装中。

金属基覆铜基板是继FR-4后出现的一种新型基板。

它是将铜箔电路及高分子绝缘层通过导热粘结材料与具有高热导系数的金属、底座直接粘结制得,其热导率约为1.12 W/m·K,相比FR-4有较大的提高。

由于具有优异的散热性,它已成为目前大功率LED散热基板市场上应用最广泛的产品。

但也有其固有的缺点:高分子绝缘层的热导率较低,只有0.3 W/m·K,导致热量不能很好的从芯片直接传到金属底座上;金属Cu、Al的热膨胀系数较大,可能造成比较严重的热失配问题。

金属基复合基板最具代表性的材料是铝碳化硅。

氮化铝陶瓷基电路板

氮化铝陶瓷基电路板

氮化铝陶瓷基电路板是一种特殊的基板材料,具有优异的导热性、绝缘性和机械强度。

以下是关于氮化铝陶瓷基电路板的一些特点和应用:
1. 优异的导热性:氮化铝陶瓷基电路板因其高导热性而备受青睐。

它能够有效地传导热量,有助于散热,因此常被用于高功率、高密度电子元件的散热设计。

2. 优良的绝缘性:这种基板材料具有出色的绝缘性能,能够有效地隔离电路层,防止电路之间的干扰和短路,同时也有利于提高电路的稳定性和可靠性。

3. 机械强度高:氮化铝陶瓷基电路板在机械强度上表现出色,具有较高的抗弯抗拉性能,能够保证电路在复杂环境下的稳定运行。

4. 耐高温性:由于氮化铝陶瓷基电路板具有良好的高温稳定性,因此适用于高温环境下的电子设备,如汽车电子、航空航天等领域。

5. 应用领域:氮化铝陶瓷基电路板常用于高端电子设备,如通信设备、功率模块、光电子设备等,特别适用于对散热要求高、工作环境苛刻的电子产品。

总的来说,氮化铝陶瓷基电路板因其优异的导热性、绝缘性和机械强
度,在高端电子领域有着广泛的应用前景。

氮化铝和氧化铝陶瓷基板

氮化铝和氧化铝陶瓷基板

氮化铝和氧化铝陶瓷基板1. 简介氮化铝(AlN)和氧化铝(Al2O3)是两种常见的陶瓷材料,它们具有优异的热导率、电绝缘性能和机械强度,因此被广泛应用于电子、光电子和高功率器件等领域。

本文将详细介绍氮化铝和氧化铝陶瓷基板的特性、制备方法以及应用领域。

2. 氮化铝陶瓷基板2.1 特性氮化铝陶瓷基板是一种具有高导热性和优异机械强度的材料。

其具体特性如下:•高导热性:氮化铝具有较高的热导率(约170-230 W/m·K),能够有效地散发器件产生的热量,提高器件的散热效果。

•低CTE:氮化铝的线膨胀系数(CTE)较低,与硅片等材料匹配良好,减少因温度变化引起的应力。

•优异机械强度:由于其晶体结构的特殊性,氮化铝具有较高的抗弯强度和抗压强度,能够在高温和高压环境下保持稳定性。

•优良的电绝缘性:氮化铝是一种优良的电绝缘材料,能够有效地隔离器件之间的电流。

2.2 制备方法氮化铝陶瓷基板的制备方法主要包括热压烧结法和化学气相沉积法。

•热压烧结法:将预制的氮化铝粉末在高温高压条件下进行烧结,使其形成致密的陶瓷基板。

这种方法制备出来的基板具有较高的密度和机械强度。

•化学气相沉积法:通过将金属有机化合物蒸发在基板表面,并与氨反应生成氮化物,从而在基板上沉积出薄膜。

这种方法可以制备出较薄且表面光滑的氮化铝陶瓷基板。

2.3 应用领域由于其优异的导热性、电绝缘性和机械强度,氮化铝陶瓷基板被广泛应用于以下领域:•电子器件:氮化铝陶瓷基板可以作为高功率电子器件的散热基板,提高器件的散热性能,延长器件的使用寿命。

•光电子器件:氮化铝陶瓷基板具有优异的光学性能,可以用于制备光电子器件中的光学窗口、反射镜等组件。

•半导体封装:氮化铝陶瓷基板可作为半导体封装材料,用于制备高功率封装模块和LED封装等产品。

•太阳能电池:氮化铝陶瓷基板具有较好的耐高温性能和机械强度,可以作为太阳能电池的基底材料。

3. 氧化铝陶瓷基板3.1 特性氧化铝陶瓷基板是一种常见的绝缘材料,具有以下特性:•优良的绝缘性:氧化铝具有较高的介电常数和体积电阻率,可以有效地隔离器件之间的电流。

为何氮化铝陶瓷基板在IGBT模块领域应用广泛

为何氮化铝陶瓷基板在IGBT模块领域应用广泛

为何氮化铝陶瓷基板在IGBT模块领域应用广泛IGBT就是绝缘栅双极晶体管,目前大规模应用于电动汽车、电力机车、智能电网等领域。

氮化铝陶瓷覆铜板既具有陶瓷的高导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性,又具有无氧铜的高导电性和优异的焊接性能,是IGBT模块封装的关键基础材料。

今天小编就重点讲述一下氮化铝陶瓷基板在IGBT模块的重要应用。

氮化铝陶瓷基板在IGBT模块的产业应用IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全称绝缘栅双极型晶体管,是实现电能转换和控制的最先进的电力电子器件,具有输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、饱和压降低、安全工作区大和可耐高电压和大电流等一系列优点,被誉为现代工业变流装置的“CPU“,在轨道交通、航空航天、新能源汽车、风力发电、国防工业等战略性产业广泛应用。

氮化铝陶瓷基板被应用到IGBT模块的重要原因高压大功率IGBT模块所产生的热量主要是通过陶瓷覆铜板传导到外壳而散发出去的,因此陶瓷覆铜板是电力电子领域功率模块封装的不可或缺的关键基础材料。

它既具有陶瓷的高导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性,又具有无氧铜金属的高导电性和优异的焊接性能,并能像PCB线路板一样刻蚀出各种图形。

氮化铝陶瓷覆铜板集合了功率电子封装材料所具有的各种优点:1)陶瓷部分具有优良的导热耐压特性;2)铜导体部分具有极高的载流能力;3)金属和陶瓷间具有较高的附着强度和可靠性;4)便于刻蚀图形,形成电路基板;5)焊接性能优良,适用于铝丝键合。

陶瓷覆铜板性能的决定因素是氮化铝陶瓷基板材料的性能目前,已应用作为陶瓷覆铜板基板材料共有三种陶瓷,分别是氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板。

氧化铝基陶瓷基板是最常用的陶瓷基板,由于它具有好的绝缘性、好的化学稳定性、好的力学性能和低的价格,但由于氧化铝陶瓷基片相对低的热导率、与硅的热膨胀系数匹配不好。

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氮化铝陶瓷基板的应用和价格
无论在5G领域还是半导体,亦或是大功率模组等领域,氮化铝陶瓷基板的应用越发受到市场的亲睐。

氮化铝陶瓷基板相当于氧化铝陶瓷基板有更好的导热性和机械性能,因此在价格方面有要比氧化铝陶瓷基板或者普通PCB板要贵一些。

今天小编就来分享一下,氮化铝陶瓷基板的应用和价格。

一,氮化铝陶瓷基板为何比一般的陶瓷板导热性更高?
陶瓷基板中氧化铝陶瓷基板和氮化铝陶瓷基板是目前市面上需求较大的陶瓷基板,氧化铝陶瓷基板的导热一般在30~50W,氮化铝陶瓷基板则可以去掉190W甚至更高。

二,氮化铝陶瓷基板的应用范围
1,氮化铝陶瓷基板在半导体应用
半导体方面集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域都需要较好的散热功能,普通FR4玻纤板导热很低,容易导致线路板短路等问题。

氮化铝陶瓷基板较好导热性能和电器性能能解决应用产品出现散热不足的问题。

2,氮化铝陶瓷基板的应用-5g通信领域
随着通讯领域迭代升级步伐不断加速,4G进入后周期,5G将助陶瓷基板行业进一步发展繁荣陶瓷基板市场。

目前4G网络已基本实现全球覆盖,运营商进入4G后周期。

截至2017年第三季度,全球224个国家和地区中,已有200个国家和地区建成了644个LTE公共网络,LTE 用户数达到23.6亿,平均每4个移动用户中就有一名LTE用户。

截至2017年上半年,我国4G 基站总量达到341万个,4G用户总数达到8.85亿,渗透率达到65%。

5G通讯射频领域前端主要包括天线振子、高频5G氮化铝陶瓷基板、滤波器和PA(功率放大器)等核心部件。

由于大规模天线(MassiveMIMO)技术和有源天线(AAU)技术的广泛应用,射
频前端将发生三大变化:
(1)射频通道数增加带来射频器件套数成倍增加;
(2)射频器件价值量提升;
(3)射频前端内部价值量向陶瓷基板、滤波器、功率放大器(PA)转移。

根据我们测算,5G射频前端市场规模可以达到4G的4倍,总投资规模超2500亿元。

其中,陶瓷基板及其上游领域本土厂商技术实力尚可,有望在主设备商的带动下抢占更多的全球市场份额.
3,为何氮化铝陶瓷基板在IGBT模块领域应用广泛
4,Uv LED大功率照明为什么要匹配氮化铝陶瓷基板
二,氮化铝陶瓷基板价格如何?为什么这么贵呢?
氮化铝陶瓷基板确实不同于普通的电路板,氮化铝陶瓷基板极高的导热和电器性能;加上陶瓷基板本身硬度较大,且易碎的特点。

制作工艺难度也比普通pcb板难度增加。

价格一般是普通贵3-7倍,具体价格以陶瓷基板pcb制作文件评估为准。

以上是金瑞欣特种电路小编分享的关于“氮化陶瓷基板应用和价格”问题做出详细的阐述,更多问题可以咨询金瑞欣特种电路,金瑞欣特种电路是专业的氮化铝陶瓷基板供应商,十多年行业经验值得信赖!。

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