七大方面解析氮化铝陶瓷基板的分类和特性
氮化铝陶瓷基板用途
氮化铝陶瓷基板用途《氮化铝陶瓷 Substrate 的那些事儿》嘿，你知道吗，氮化铝陶瓷 Substrate 这玩意儿可真是有不少厉害的用途呢！就说我上次去一个电子厂参观吧，那里面生产各种高科技的玩意儿。
我就看到工人们在小心翼翼地处理着一些看起来很特别的板子，后来才知道那就是氮化铝陶瓷 Substrate 。
当时我就好奇啊，这东西到底能干啥呀。
听那里的师傅介绍，这氮化铝陶瓷 Substrate 可以用来制作高性能的电子元件呢。
就好比说，它能让那些电子设备运行得更快更稳定，就像给机器安上了一双超级飞毛腿一样，“嗖”的一下就把任务完成了。
而且它的散热性能特别好，你想啊，那些电子元件工作的时候会发热吧，如果热量散不出去不就容易出问题嘛。
但有了氮化铝陶瓷 Substrate ，就好像给它们装了个超级散热器，热气“呼呼”地就被排出去啦。
还有呢，在一些对精度要求特别高的地方，比如一些精密仪器里，氮化铝陶瓷 Substrate 也是大显身手。
它能保证信号传输得又准确又快速，一点都不会出错。
我就想象啊，这就像是在信息的高速公路上，氮化铝陶瓷Substrate 给修了一条笔直又平坦的大道，让信息畅通无阻地奔跑。
哎呀呀，真没想到这小小的氮化铝陶瓷 Substrate 居然有这么大的能耐。
以后再看到那些高科技的电子产品，我就会想到里面说不定就有氮化铝陶瓷 Substrate 在默默地发挥着作用呢！它可真是电子世界里的无名英雄呀！总之呢，氮化铝陶瓷 Substrate 的用途真的是非常广泛，给我们的科技生活带来了很多的便利和惊喜呢！哈哈，这就是我对氮化铝陶瓷 Substrate 用途的一些小发现和感受啦，希望你也觉得有意思哟！。
陶瓷基板的种类特性和工艺
三、陶瓷基板旳特征
陶瓷散热基板特征比较中，主要选用散热基板旳：(1)热传导率、 (2)工艺温度、(3)线路制作措施、(4)线 径宽度，四项特征作进一步旳讨论：
2023/12/13
三、陶瓷基板旳特征——热传导率
热传导率又称为热导率，它代表了基板材料本身直接传导热能旳一种能力，数值愈高代表其散热能力愈 好。LED散热基板最主要旳作用就是在于，怎样有效旳将热能从LED芯片传导到系统散热，以降低 LED 芯片旳温度，增长发光效率与延长LED寿命，所以，散热基板热传导效果旳优劣就成为业界在选用 散热基板时，主要旳评估项目之一。
检视表一，由四种陶瓷散热基板旳比较可明看出，虽然Al2O3材料之热传导率约在20~24之间，LTCC为 降低其烧结温度而添加了30%~50%旳玻璃材料，使其热传导率降至2~3W/mK左右；而HTCC因其普遍 共烧温度略低于纯Al2O3基板之烧结温度，而使其因材料密度较低使得热传导系数低Al2O3基板约在 16~17W/mK之间。一般来说，LTCC与HTCC散热效果并不如DBC与DPC散热基板里想。
2023/12/13
二、陶瓷基板旳种类——DBC
直接敷铜陶瓷基板因为同步具有铜旳优良导电、 导热性能和陶瓷旳机械强度高、低介电损耗旳 优点，所以得到广泛旳应用。在过去旳几十年 里，敷铜基板在功率电子封装方面做出了很大 旳贡献，这主要归因于直接敷铜基板具有如下 性能特点：
热性能好；
电容性能；
直接敷铜陶瓷基板最初旳研究就是为了处理大电 流和散热而开发出来旳，后来又应用到AlN陶瓷旳 金属化。除上述特点外还具有如下特点使其在大 功率器件中得到广泛应用：
4.在工艺温度与裕度旳考量， DPC旳工艺温度仅需 250~350℃左右旳温度即可 完毕散热基板旳制作，完全 防止了高温对于材料所造成 旳破坏或尺寸变异旳现象， 也排除了制造成本费用高旳 问题。
氮化铝陶瓷基板应用现状概述
氮化铝陶瓷基板应用现状概述1.引言1.1 概述概述部分是文章引言的一部分，用于介绍氮化铝陶瓷基板应用现状的背景和重要性。
下面是可以参考的概述部分的内容：在电子设备领域，氮化铝陶瓷基板作为一种重要的材料正在得到广泛的应用。
作为一种具有优异性能和出色特性的材料，氮化铝陶瓷基板在高功率电子器件、半导体封装和照明等领域发挥着重要的作用。
随着科学技术不断发展和进步，氮化铝陶瓷基板的研究和应用也取得了显著的进展。
本文旨在对氮化铝陶瓷基板的应用现状进行全面的概述和总结。
首先，我们将介绍氮化铝陶瓷基板的制备方法，包括常见的工艺和技术。
其次，我们将探讨氮化铝陶瓷基板的物理性质，包括热导率、电导率和机械性能等方面。
这将有助于我们全面了解和认识氮化铝陶瓷基板的优势和特点。
在结论部分，我们将重点讨论氮化铝陶瓷基板的应用领域和发展前景。
我们将介绍目前氮化铝陶瓷基板在高功率电子器件、射频器件和照明领域的应用情况，并展望其未来的发展方向和潜在的应用领域。
此外，我们还将探讨氮化铝陶瓷基板在应用过程中面临的挑战和问题，并提出解决方案和改进建议。
通过全面概述氮化铝陶瓷基板的应用现状，本文将为相关领域的研究人员和工程师提供有价值的参考和指导。
同时，本文也有助于推动氮化铝陶瓷基板的进一步研究和应用，促进其在电子设备领域的广泛应用和发展。
以上是文章概述部分的简要内容，希望对你的长文写作有所帮助。
1.2 文章结构文章结构部分的内容：本文按照以下结构来进行叙述和分析氮化铝陶瓷基板应用现状。
引言部分主要包括概述、文章结构和目的。
在概述部分，将介绍氮化铝陶瓷基板的背景和相关领域的研究进展，指出氮化铝陶瓷基板面临的问题和挑战。
通过准确描述氮化铝陶瓷基板的定义和特点，为后续内容的展开打下基础。
在文章结构部分，将明确规划本文的整体框架。
分为引言、正文和结论三个部分。
引言部分主要是引出研究背景和现状，使读者对本文的主题有一个整体的认识。
正文部分将重点介绍氮化铝陶瓷基板的制备方法和物理性质。
最适合LED的散热基板——氮化铝陶瓷基板
最适合LED的散热基板——氮化铝陶瓷基板目前，随着国内外LED行业向高效率、高密度、大功率等方向发展，从2017到2018就可以看出，整体国内LED有了突飞猛进的进展，功率也是越来越大，开发性能优越的散热材料已成为解决LED散热问题的当务之急。
一般来说，LED发光效率和使用寿命会随结温的增加而下降，当结温达到125℃以上时，LED甚至会出现失效。
为使L ED结温保持在较低温度下，必须采用高热导率、低热阻的散热基板材料和合理的封装工艺，以降低LED总体的封装热阻。
现阶段常用基板材料有Si、金属及金属合金材料、陶瓷和复合材料等，它们的热膨胀系数与热导率如下表所示。
其中Si材料成本高；金属及金属合金材料的固有导电性、热膨胀系数与芯片材料不匹配；陶瓷材料难加工等缺点，均很难同时满足大功率基板的各种性能要求。
功率型LED封装技术发展至今，可供选用的散热基板主要有环氧树脂覆铜基板、金属基覆铜基板、金属基复合基板、陶瓷覆铜基板等。
环氧树脂覆铜基板是传统电子封装中应用最广泛的基板。
它起到支撑、导电和绝缘三个作用。
其主要特性有：成本低、较高的耐吸湿性、密度低、易加工、易实现微细图形电路、适合大规模生产等。
但由于FR-4的基底材料是环氧树脂，有机材料的热导率低，耐高温性差，因此FR-4不能适应高密度、高功率LED封装要求，一般只用于小功率LED封装中。
金属基覆铜基板是继FR-4后出现的一种新型基板。
它是将铜箔电路及高分子绝缘层通过导热粘结材料与具有高热导系数的金属、底座直接粘结制得，其热导率约为1.12 W/m·K，相比FR-4有较大的提高。
由于具有优异的散热性，它已成为目前大功率LED散热基板市场上应用最广泛的产品。
但也有其固有的缺点：高分子绝缘层的热导率较低，只有0.3 W/m·K，导致热量不能很好的从芯片直接传到金属底座上；金属Cu、Al的热膨胀系数较大，可能造成比较严重的热失配问题。
金属基复合基板最具代表性的材料是铝碳化硅。
从四个维度充分了解氮化铝陶瓷
从四个维度充分了解氮化铝陶瓷氮化铝陶瓷在电子电路方面应用广泛，今天小编就从氮化铝陶瓷特性、产品应用、介电常数、以及加工方法方面全面阐述氮化铝陶瓷。
氮化铝陶瓷特性氮化铝陶瓷（Aluminum Nitride Ceramic）是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。
特性导热高、绝缘性好、介电常数低等特点。
主要有以下四个性能指标：(1)热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；(2)热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；(3)各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；(4)机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结；(5)光传输特性好；(6)无毒。
氮化铝陶瓷介电常数低有什么优势？一般而言，介电常数是会随温度变化的，在0-70度的温度范围内，其最大变化范围可以达到20%。
介电常数的变化会导致线路延时10%的变化，温度越高，延时越大。
介电常数还会随信号频率变化，频率越高介电常数越小。
介电常数（Dk,ε，Er）决定了电信号在该介质中传播的速度。
电信号传播的速度与介电常数平方根成反比。
介电常数越低，信号传送速度越快。
氮化铝陶瓷的介电常数(25℃为8.8MHz)，传输是速度是很快的。
可以和罗杰斯等高频板材一起做成高频陶瓷pcb。
氮化铝陶瓷都应用在哪些领域？氮化铝陶瓷制品都有哪些？一制作成氮化铝陶瓷基片，作为陶瓷电路板的基板。
二，氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。
三，通过AIN陶瓷的金属化，可替代有毒性的氧化铍瓷在电子工业中广泛应用。
四，利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al 蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用其光学性能可作红外线窗口。
氮化铝陶瓷基板有哪些优势和参数？
氮化铝陶瓷基板有哪些优势和参数？
陶瓷板中，应用广泛是分别是氧化铝陶瓷基板和氮化铝陶瓷基板，那么氮化铝陶瓷基板是什么，有什么优势，有哪些参数？
氮化铝陶瓷是一种以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷材料，再在氮化铝陶瓷基片上面蚀刻金属电路，就是氮化铝陶瓷基板了。
对用与大功率，因其有很强的耐热性，抗硬性，绝缘性。
今天具体看一下，氮化铝陶瓷基板有哪些优势，参数都是哪些？
1、氮化铝陶瓷英文：AluminiumNitrideCeramic，是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。
2、AIN晶体以（AIN4）四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。
3、化学组成AI65.81%，N34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压
下的升华分解温度为2450℃。
4、氮化铝陶瓷为一种高温耐热材料，热膨胀系数（4.0-6.0）X10（-6）/℃。
5、多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的高温。
6、氮化铝陶瓷具有极好的耐侵蚀性。
氮化铝陶瓷电路板具有良好的性能，且具有热导率高、化学稳定性和热稳定性优良等有机基板不具备的性能，是新一代大规模集成电路以及功率电子模块的理想封装材料，金瑞欣特种电路是专业的陶瓷电路板生产厂家，可以实现高精密线路，实铜填孔，可以做到超厚铜0.5mm,LED无机围坝工艺。
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ALN（氮化铝）陶瓷基片主要性能指标
ALN(氮化铝)陶瓷基片主要性能指标
ALN(氮化铝)陶瓷基片主要性能指标
Technical factors of Aluminum Nitride substracts
ALN(氮化铝)陶瓷基片产品图
ALN(氮化铝)陶瓷干压片产品图
氮化铝陶瓷基片外观缺陷指标
Aluminum Nitride Ceramic Substrates Surface Inperfection Criteria
项目Item
标准Acceptance criteria
粘粒Burrs：
多余物质的碎片，或者粘附于表面的外来物质Fragment of excess material or foreign particle adhering to the surface 直径None≤0.5mm Diameter 高度None≤0.025mm High
凹坑，针孔，斑点Holes, Pits, and Pocks：形成空洞或印迹明显
Detectable trace or void 凹坑Holes：直径None≤0.25mm Diameter; 深度None≤0.18mm Depth
针孔Pits：直径None≤0.2mm Diameter
斑点Pocks：直径None≤0.3mm Diameter
瓷疱Blisters：
气泡或包含气体破裂后在表面形成的坑、点或孔
Bubble or pore inclusion at the surface which
if broken could form a pit, pock or hole
高度None≤0.025mm。
陶瓷基板的主要材料体系
陶瓷基板的主要材料体系一、氧化铝陶瓷基板氧化铝陶瓷基板是最常用的陶瓷基板之一，具有优良的电气绝缘性、耐热性和化学稳定性。
它主要由氧化铝陶瓷材料构成，具有高强度、高刚性和优良的机械性能。
氧化铝陶瓷基板适用于多种应用场景，如高功率电子器件的散热、微波器件的封装以及各种需要高绝缘性、耐高温和机械强度的场合。
二、氮化硅陶瓷基板氮化硅陶瓷基板是一种高性能的陶瓷基板，具有优异的电气绝缘性、耐热性和耐磨性。
它的主要材料是氮化硅陶瓷，具有高强度、高刚性和优良的机械性能。
氮化硅陶瓷基板适用于高电压、大功率电子器件的散热和封装，以及需要高耐热性和机械强度的场合。
三、碳化硅陶瓷基板碳化硅陶瓷基板是由碳化硅陶瓷材料构成的一种高性能陶瓷基板，具有优异的电气绝缘性、耐热性和化学稳定性。
它的机械性能和耐热性能优良，适用于高功率、高温环境下的应用。
碳化硅陶瓷基板被广泛应用于大功率电子设备、半导体封装、汽车引擎控制部件等领域。
四、氧化锆陶瓷基板氧化锆陶瓷基板是由氧化锆陶瓷材料构成的一种陶瓷基板，具有高强度、高刚性和优良的机械性能。
它的电气绝缘性、耐热性和化学稳定性均较好，适用于多种需要高绝缘性、耐高温和机械强度的应用场景。
氧化锆陶瓷基板被广泛应用于电子器件的散热、微波器件的封装以及高温炉具等领域。
五、玻璃陶瓷基板玻璃陶瓷基板是一种由玻璃陶瓷材料制成的陶瓷基板，具有优异的电气绝缘性、耐热性和化学稳定性。
它的机械性能和加工性能优良，适用于多种需要高绝缘性、耐高温和机械强度的应用场景。
玻璃陶瓷基板被广泛应用于半导体封装、高温炉具、照明设备等领域。
六、氮化铝陶瓷基板氮化铝陶瓷基板是一种高性能的陶瓷基板，主要由氮化铝陶瓷材料构成，具有优异的电气绝缘性、耐热性和机械性能。
它的热导率高，适用于高功率电子器件的散热和封装。
氮化铝陶瓷基板被广泛应用于高功率电子设备、半导体封装、高温炉具等领域。
七、碳化铌陶瓷基板碳化铌陶瓷基板是一种由碳化铌陶瓷材料制成的陶瓷基板，具有优异的电气绝缘性、耐热性和化学稳定性。
氮化铝陶瓷片作用
氮化铝陶瓷片作用一、引言氮化铝陶瓷片作为一种先进的高性能材料，在许多领域都发挥着重要的作用。
它具有优异的物理和化学性能，如高导热率、高电子饱和迁移率、高机械强度和良好的化学稳定性等。
这些特点使得氮化铝陶瓷片在电子封装、散热器、热管理等领域得到了广泛应用。
本文将详细介绍氮化铝陶瓷片的性能特点和应用领域，并对其作用进行深入探讨。
二、氮化铝陶瓷片的性能特点1.高导热率：氮化铝陶瓷片具有高热导率，使得它成为一种优秀的热传导材料。
在电子封装和散热器领域，高导热率有助于快速传递热量，提高器件的稳定性和可靠性。
2.高电子饱和迁移率：氮化铝陶瓷片具有良好的电学性能，其电子饱和迁移率高，使得它在电子器件中具有优良的导电性能。
3.高机械强度：氮化铝陶瓷片具有高硬度和高强度，这使得它在承受高温和高压的环境下仍能保持稳定的性能。
4.良好的化学稳定性：氮化铝陶瓷片在高温下与多种金属和陶瓷材料相容性好，化学稳定性高，这使得它在高温环境下能够保持稳定的性能。
三、氮化铝陶瓷片的应用领域1.电子封装和散热器：氮化铝陶瓷片的高导热率和优良的电学性能使其成为电子封装和散热器的理想材料。
在电子器件中，氮化铝陶瓷片能够有效地传递热量，提高器件的稳定性和可靠性。
2.高温炉和热处理设备：氮化铝陶瓷片的高机械强度和良好的化学稳定性使其能够在高温环境下保持稳定的性能。
因此，它被广泛应用于高温炉和热处理设备中。
3.激光器：氮化铝陶瓷片具有良好的光学性能，如高透过率、低散射等，使其成为激光器的理想窗口材料。
在激光器中，氮化铝陶瓷片能够有效地透过激光束，提高激光器的输出功率和稳定性。
4.其他领域：除了上述应用领域外，氮化铝陶瓷片还可应用于半导体照明、太阳能电池、高温传感器等领域。
随着科技的不断发展，氮化铝陶瓷片的应用领域将会更加广泛。
四、结论氮化铝陶瓷片作为一种高性能材料，在许多领域都发挥着重要的作用。
其优异的物理和化学性能使得它在电子封装、散热器、高温炉、激光器等领域得到了广泛应用。
氮化铝陶瓷基板的性能参数和应用范围
氮化铝陶瓷基板的性能参数和应⽤范围氮化铝陶瓷基板在⾼功率器件、半导体、⼤功率模组等领域⼴泛应⽤，就因为氮化铝陶瓷基板的优越特性，今天⼩编就来阐述⼀下氮化铝陶瓷基板的性能参数和应⽤范围。
⼀，氮化铝陶瓷基板的基础特性和性能参数1，氮化铝陶瓷基板特性氮化铝陶瓷基板导热率很⾼，是氧化铝陶瓷基板导热率的5倍，晶体是AIN，硬度强，绝缘性好，耐⾼温和耐腐蚀。
2，氮化铝陶瓷基板热导率（导热系数）氮化铝陶瓷基板的热导率（导热系数）⼤于等于170W/m.k，氮化铝陶瓷基板的热导率是氧化铝陶瓷基板、氮化硅陶瓷基板所不能及的。
3，氮化铝陶瓷基板多⼤尺⼨氮化铝陶瓷基板没有FR4板可以做到很长很⼤，尺⼨相对⽐较⼩，⼀般氮化铝陶瓷基板板料的最⼤尺⼨是110mm*140mm，氮化铝陶瓷基板属于陶瓷基，容易碎，做太⼤太长不符合基材的性质特点。
4，氮化铝陶瓷基板能耗和热膨胀系数氮化铝陶瓷基板介电损耗很低，在0.0002，加上热膨胀系数也很低（4.6~5.2），介电损耗⼩，能耗⼩，耐⾼温耐腐蚀，经久耐⽤。
5，氮化铝陶瓷基板介电常数氮化铝陶瓷基板介电常数⼀般在9.0，⽐氧化铝陶瓷基板介电常数低0..8，介电常数低，意味着品质更优。
6，氮化铝陶瓷基板抗弯强度抗弯强度，是指材料抵抗弯曲不断裂的能⼒，主要⽤于考察陶瓷等脆性材料的强度。
氮化铝陶瓷基板的折弯强度是450Mpa，氧化铝陶瓷基板折弯强度是400Mpa,意味着氮化铝陶瓷基板能够承受更多的压⼒和张⼒。
7，氮化铝陶瓷基板硬度和断裂韧性材料抵抗其它硬物压⼊引起凹陷变形的能⼒。
常⽤的硬度单位有布⽒硬度（HB或BHN），维⽒硬度（Hv或VHN），洛⽒硬度（HRA、HRC或RHN）奴⽒硬度（HK或KHN）。
材料的表⾯硬度是其强度、⽐例极限、韧性、延展性及抗磨损、抗切割能⼒等多种性质综合作⽤的结果。
氮化铝陶瓷基板的断裂韧性是3.0Mpa m1/2。
8，氮化铝陶瓷基板的脆性和颜⾊、表⾯粗糙度氮化铝陶瓷基板的脆性较⾼，虽然⽐氧化铝陶瓷基板硬度更强⼀些，氧化铝陶瓷基板板材是⽩⾊的，氮化铝陶瓷基板呈灰⽩⾊。
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七大方面解析氮化铝陶瓷基板的分类和特性
氮化铝陶瓷基板在大功率器件模组，航天航空等领域备受欢迎，那么氮化铝陶瓷基板都有哪些种分类以及氮化铝陶瓷基板特性都体现在哪些方面？
一，什么是氮化铝陶瓷基板以及氮化铝陶瓷基板的材料
氮化铝陶瓷基板是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷基板，也叫氮化铝陶瓷基片。
热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是大功率集成电路和散热功能的重要器件。
二，氮化铝陶瓷基板分类
1，按电镀要求来分
氮化铝陶瓷覆铜基板（氮化铝覆铜陶瓷基板），旨在氮化铝陶瓷基板上面做电镀铜，有做双面覆铜和单面覆铜的。
2，按应用领域分
LED氮化铝陶瓷基板（氮化铝led陶瓷基板），主要用于LED大功率灯珠模块，极大的提高了散热性能。
igbt氮化铝陶瓷基板,一般用于通信高频领域。
3，按工艺来分
氮化铝陶瓷基板cob（氮化铝陶瓷cob基板),主要用于Led倒装方面。
dpc氮化铝陶瓷基板,采用DPC薄膜制作工艺，一般精密较高。
dpc氮化铝陶瓷基板(AlN氮化铝dbc陶瓷覆铜基板)，是一种厚膜工艺，一般可以实现大批量生产。
氮化铝陶瓷基板承烧板
3，按地域分
有的客户对特定的氮化铝陶瓷基板希望是特定地域的陶瓷基板生产厂家，因此有了：
日本氮化铝陶瓷基板
氮化铝陶瓷基板台湾
氮化铝陶瓷基板成都
福建氮化铝陶瓷基板
东莞氮化铝陶瓷基板
台湾氮化铝陶瓷散热基板
氮化铝陶瓷基板珠海
氮化铝陶瓷基板上海
4，导热能力来分
高导热氮化铝陶瓷基板，导热系数一般较高，一般厚度较薄，一般导热大于等于170W的。
氮化铝陶瓷散热基板，比氧化铝陶瓷基板散热好，大于等于50W~170W.
三，氮化铝陶瓷基板特性都有哪一些？
1，氮化铝陶瓷基板pcb优缺点
材料而言：陶瓷基板pcb是陶瓷材料因其热导率高、化学稳定性好、热稳定性和熔点高等优点，很适合做成电路板应用于电子领域。
许多特殊领域如高温、腐蚀性环境、震动频率高等上面都能适应。
氮化铝陶瓷基板，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。
硬度较高，交工难度大，压合非常难，一般加工成单双面面陶瓷基板pcb.
2,氮化铝陶瓷基板产品规格（尺寸/厚度、脆性）
氮化铝陶瓷基板的产品规格尺寸厚度，有不同的尺寸对应不同个的厚度，具体如下：
氮化铝陶瓷基板尺寸一般最大在140mm*190mm,氮化铝陶瓷基板厚度一般在
0.20mm~3.0mm之间。
另外氮化铝陶瓷基板脆性较高，容易碎，因为是陶瓷基的因素，因此不能像FR4玻纤板一样可以随意放置，氮化铝陶瓷基板需要轻拿轻放。
2，氮化铝陶瓷基板的性能参数（介电常数/热导率/抗折强度/表面粗糙度/热彭胀系数) 氮化铝陶瓷基板介电常数一般是8~10MHz，氮化铝陶瓷基板热导率一般170w/(m.k)或者更高，氮化铝陶瓷基板抗折强度大于等于450MPa,氮化铝陶瓷基板表面粗糙度可以控制在0.2~0.6um，氮化铝陶瓷基板热膨胀系数在2~4.5之间，氮化铝陶瓷基板的硬度也很高，可击穿强度大于等于25 Kv/mm。
相信您对氮化铝陶瓷基板的优势和特点也是比较了解了，金瑞欣特种电路采用的都是品牌的
氮化铝基板，目前采用日本丸和氮化铝陶瓷基板，此外还有用的九毫、华清、中瓷的氮化铝陶瓷基板。
日本丸和氮化铝陶瓷基板性能指标非常好，被很多客户认可，有的客户甚至还指定需要用到丸和氮化铝陶瓷基板。
4，日本丸和氮化铝陶瓷基板性能指标
日本丸和氮化铝产品具有优异的热传导性、高绝缘性和接近于硅的热膨胀率等特点，作为新一代的高导热材料，越来越受到人们的关注和重视。
其特性如下：
●导热性：约为氧化铝的7倍
●热膨胀系数：与硅类似，大型硅贴片的安装和耐热循环可靠性高
●电气特性：较高电气绝缘，较低介电常数
●机械特性：比氧化铝的机械强度高
●耐腐蚀性：比熔融金属的耐腐蚀性强
●纯度：杂质含量非常小，无毒，纯度高
5，氮化铝陶瓷基板和氧化铝陶瓷基板铝基板与氮化铝陶瓷基板的区别？
●氮化铝陶瓷基板和氧化铝陶瓷基板的区别？
氮化铝陶瓷基板和氧化铝陶瓷基板，都具备高导热性，高绝缘性，耐腐蚀性的特点，不同的氮化铝陶瓷基板的导热更好，导热高的可以到170W以上，氧化铝陶瓷基板导热在30~50W左右。
氮化铝陶瓷基板的强度更强，加工难度相对而言也会较大一些。
另外就是氮化铝陶瓷基板和氧化铝陶瓷板材的利用因应用市场需求不同而采用不同的陶瓷基板，就价格而言，氮化铝陶瓷基板的价格比氧化铝陶瓷基板的价格更贵一些。
●氮化铝和氮化硅陶瓷基板区别
氮化硅陶瓷基板和氮化铝陶瓷基板散热性能都很好，氮化铝陶瓷基板是时下比较广泛应用的基材，氮化硅陶瓷基板是未来行业发展的趋势产品，更多氮化硅陶瓷基板的内容请关注
文章“GBT高导热氮化铝氮化硅陶瓷基板等高端陶瓷pcb的应用和现状”
●铝基板与氮化铝陶瓷基板的区别？
在陶瓷基板成熟广泛应用之前，很多企业比如LED照明多采用铝基板来散热，陶瓷基板的导热系数在50~190W，氮化铝的理论热导率300W/m.K，其中三氧化二铝陶瓷电路板的导热系数：通常为30.0 W/m-K，但实际是随着温度而变化，具体列在下方：
6.30 W/m-K@Temperature 800 °C
13.0 W/m-K@Temperature 527 °C
18.9 W/m-K@Temperature 327 °C
24.2 W/m-K@Temperature 227 °C
32.3 W/m-K@Temperature 127 °C
46.0W/*******************°C
82.0W/********************°C
105 W/m-K@Temperature 727 °C
449.8 W/m-K@Temperature -173 °C
更多关注散热问题请关注文章“大功率LED封装用陶瓷基板还是铝基板更好”
6，氮化铝陶瓷基板金属化以及金属化标准
●氮化铝陶瓷基板金属化
陶瓷基板金属化是在陶瓷表面牢固地粘附一层金属薄膜，使之实现陶瓷和金属间的焊接，现有钼锰法、镀金法、镀铜法、镀锡法、镀镍法、LAP法（激光后金属镀）等多种陶瓷金属化工艺。
更多氮化铝陶瓷基板金属化问题见文章详情“五个问题解答全面认知陶瓷基板金属化”
●氮化铝陶瓷基板金属化国家标准
氮化铝陶瓷基板金属化标准就是镀层与基体的结合力要高，金属附着力要好。
7 ，氮化铝陶瓷基板性能测试标准
主要几个测试，包括板厚、尺寸规格、纯度、导热性、强度、介电常数、膨胀系数、表面粗糙度等的测试，符合市场所需的标准需求。
通过以上七个大方面的详细阐述，氮化铝陶瓷基板的分类，性能参数，优势，特点有了非常深入的了解，更多氮化铝陶瓷基板问题可以咨询金瑞欣特种电路。
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