第3章 习题1
第三章思考题及解答
第三章思考题及解答1. 理想气体等温膨胀过程中△U = 0， 故有Q = －W ， 即膨胀过程中系统所吸收的热全部变成了功，这是否违反了热力学第二定律？为什么？答：不违反热力学第二定律。
热力学第二定律的前提是“不发生其他变化”，应该理解为“系统和环境都完全复原”。
也就是说热力学第二定律是产生在系统“工作了一个循环”这样的前提之下的结论。
2．理想气体等温膨胀过程21ΔlnV S nR V =，因为V 2＞V 1，所以ΔS ＞0。
但是根据熵增原理，可逆过程0S ∆=，这两个结论是否矛盾？为什么？答：不矛盾。
恒温过程只能用克劳修斯不等式判断过程是否可逆，只有绝热过程或隔离系统中发生的变化才能用熵增原理判断过程是否可逆。
3．理想气体自由膨胀过程△T = 0，Q = 0，因此△S =QT= 0， 此结论对吗？ 答： 不对。
因该过程为不可逆过程， 所以△S 不能由过程的热温商求算，而应通过设计可逆途径求算。
4．在恒定压力下，用酒精灯加热某物质，使其温度由T 1上升至T 2，此间，没有物质的相变化，则此过程的熵变为21,m d ΔT p T nC T S T=⎰，对吗？如果此间物质发生了相变化，过程熵变应该怎样计算？答：正确。
如果有相变化，设计可逆过程进行计算。
根据题目给出的相变温度不同，将有不同形式的计算公式。
5．“所有能发生过程一定是不可逆的，所以不可逆过程也一定是能发生过程。
”这种说法是否正确？为什么？答：正确。
因为这是热力学第二定律的结论。
6．“自然界存在着温度降低但是熵值增加的过程。
”的结论是否正确？为什么？举例说明。
（绝热不可逆膨胀）。
答：正确。
熵值不仅与温度一个变量有关，还与其它状态性质有关。
如与体积、压力有关。
如双变量系统，S = f (T,V )或S = f (T,p )系统经历某变化后，熵值的改变取决于这些变量的综合效应。
一个典型的例子是绝热不可逆膨胀7．“不可逆过程的熵不能减小”对吗？为什么？答：不正确。
第三章 流体力学 习题讲解
牟艳秋
Z1：
注射器活塞面积为S 1=1.2cm2，而注射 针针孔的截面S 2=0.25mm2。当注射器 水平放置时，用F=49N的力压迫活塞， 使之移动L=4cm，问水从注射器中流 出需要多少时间？
解： ；；
对针孔与活塞横截面积处应用伯努利方
；
程和连续性原理 ，得
p0
H
1 0,
h
又
D（
D 2
）2
d
(
d 2
)2
D D2 d d 2
p0
1 2
d2
gh
p0
g (h
H)
pD
1 2
D2
由
1 2
vd
2
gh
g(H
h)解得
vd2 2gH ,
vD2
d4 D4
vd2
2
d4 D4
gH
由方程pD
1 2
vD2
F S1
1 2
v12
p0
1 2
v22
整理，得
1S1 2 S2
F S1
1 2
12
1 2
S12 S22
12
解得 1
2F S22
S1(S12 S22)
t L ?
1
Z2
有一喷泉竖直喷出高度
为H的水柱,喷泉的喷嘴
具有上细下粗的截锥形
状。其上截面的直径为d。
H
下截面的直径为D。喷嘴
第三章 计划(习题答案)
C. 组织目标以及实现目标的途径
D. 组织中的工作设计
4．当环境存在较高程度的不确定性时，（B）就具有更大的现实意义。
A.具体性计划 B.指导性计划
C.战略性计划 D.战术性计划。
5．战略性计划通常查由（C ）来制定的。
A.基层管理者 B.中层管理者
C.高层管理者
D.所有管理者
6．关键路线是 PERT 网络中（B）的事件和活动的序列。
期望时间（周） 10 6 14 6 3 3 5 5 4 3 1
紧前事件 — A B C C C D，E，F G D I，H J
36 36
40 46
4
D
I
3
49 49
00
10 10
16 16
6
30 30
33
5
36
41
41
46 46
1
J
10
6
14
3
5
5
0
A
B
C
E
G
H
3
50 50
K
3
5
F
33 36
关键线路是 A—B—C—D—G—H—J—K，这幢办公室楼所需要 50 周的时间。
2．某项工程的各工作及其持续时间如下表所示
工作名称
工作持续时间（天）
A
15
B
15Βιβλιοθήκη C14D10
E
6
F
6
G
1
紧前工作 — A A B，C B D D
H
30
I
8
要求：绘制网络图，确定关键路线，计算工程完工期。
E，G F，H
关键路线：ABDGHI 工程完工期：15+15+10+1+30+8=79 天
医用物理学第3章课后答案
式中 x 以 m 计，t 以 s 计，求它们合成振动的振幅、初相位及振动方程．
解：
根据公式 及 由题意可得
合振动方程为
A
A12
A
2 2
2 A1 A2
cos( 2
1)
tg 1
A1 sin A1 cos
1 1
A2 A2
sin 2 cos 2
A
0 .05 2
0 .06 2
得它们的周期都是 2s。现将两个振子都从平衡位置向右拉开 5cm，然后先释放
a 振子，经过 0.5s 后，再释放 b 振子。如果从 b 振子释放时开始计时，求两振
子的振动方程．在同一坐标中画出两者的振动曲线，并用旋转矢量表示这两个
振动。
解：因两振子的周期相同，所以圆频率也相同，其值为
2π T
2π 2
0 .4 cos(
4t
8
)
y2
0 .4 cos
4
(t
1 4
50 20
)
0 .4 cos(
4t
11
)
8
则两波传到 P 点时的位相差为 2 1 11 8 3 P 点的合振幅 A A1 A2 0.4 0.4 0
9
68 .22 68 13
x 8.92 10 2 cos( 10 t 68 13) m
3-8 有两个同方向、同频率的简谐振动，其合成振动的振幅为 0.20m，相位
与第一振动的相位差为 π／6，若第一振动的振幅为 0.173m，求第二振动的振幅
以及第一、第二两振动之间的相位差．
数据与计算机通信答案(第3章)
而对于数字彩色电视机，相当不错了。如果不提高数据率，还可以通过降低分辨率或刷新速 率，来换取色彩数的提高，但这也不实用的方法。
已知视频带宽 B=5MHz，所以有 5=P/105，则每行的像素数 P=5x105=525。 然而，通常 CCIR-M/NTSC 制式每行只约有 450 像素，带宽 B=P/105=450/105=4.3MHz (实 际技术指标 4.2Hz) 。 带宽由 4.2MHz 增加到 5MHz 时，水平分辨率约增加 75 像素，增幅 16.7%。 （2）计算垂直分辨率的增幅 由于信号最高频率 fH=5MHz，即最短的信号周期 1/fH=0.2υs。 又因为每个最短周期包含 2 个像素，则有 225 周期/行。那么，每行扫描时间为 0.2υs×225=45υs。加上水平回扫 11υs，每行往返扫描时间为 56υs ，即 56x10-6 s， 假定每屏 V 行，每秒扫描 30 场（帧、屏），则每秒扫描行数为 30V。 因此对于画面刷新，有 30V×56x10-6 = 1s，V = 595 行/屏。目前 NSTL 制式每行只有 525 行。垂直分辨率增加了 70 行，增幅 13.3%。
cos 2 t = cos t cos t = 1 (cos 2t + cos 0) = 1 (cos 2t + 1)
2
2
所以， f (t) = (10 cos t)2 = 100 cos 2 t = 50 + 50 cos 2t
2012-2013秋季学期《随机过程》第三章习题
第三章 Poission 过程（Poission 信号流）习题1、 设{是一强度为}0),(≥t t N λ的齐次泊松过程，而12/)()(−=t N t X ，t 。
对，试求：0≥0>s （1） 计算及)}()({s t N t N E +})()({s N t s N E +的分布律；（2） 证明过程，是马氏过程并写出转移概率，其中。
)(t X 0≥t ),;,(j t i s p t s ≤2、 设{与{是相互独立，参数分别为}0);(≥t t X }0);(≥t t Y 1λ与2λ的Poission 过程。
定义随机过程，且令：0≥=t ),()(−t Y t X )(t Z }()(n t t p n ){Z P ==。
（1） 试求随机过程{的均值函数和二阶矩；}0);(≥t t Z )}({t Z E )}({2t Z E （2） 试证明：。
}exp{})(exp{)(12121t u t u t u t p n n n −+∞−∞=+⋅+−=∑λλλλ3、 设和是相互独立的Poission 过程,其参数分别为}0;)({1≥t t N }0;)({2≥t t N 1λ和2λ．若)()(2t N t −)(0t N 1N =，问:（1） {是否为Poission 过程，请说明理由；}0;)(0≥t t N （2） {是否为平稳过程，请说明理由。
}0;)(0≥t t N 4、 设Y ，其中{为强度为0,)1()()(≥−=t X t t N }0);(≥t t N 0>λ的Poission 过程，随机变量X 与此Poission 过程独立，且有如下分布：0,2/1}0{,4/1}{}{>=====−=a X P a X P a X P试求随机过程Y 的均值函数和相关函数。
0),(≥t t 5、 设{是一强度为}0),(≥t t N λ的泊松过程，00=S ，S 为第n 个事件发生的时刻，求：n （1） (的联合概率密度函数；),52S S （2） }1)({1≥t N S E ；（3）(在条件下的条件概率密度函数。
《电工电子技术》(曹建林) 习题详解：第3章
第3章习题详解四、分析计算题1、磁性材料在外磁场作用下可被磁化，达到很高的磁导率，这是由于在磁性材料内部具有许多称为磁畴的小区域。
在无外磁场作用时，各个磁畴间的磁性相互抵消，对外不显示磁性。
在外磁场H 作用下，磁畴逐渐转到与外磁场相同的方向上，开始时由于外磁场较小，磁畴转向外磁场方向的较少，故显示的磁性不大。
当外磁场H 继续增大时，磁畴则随着外磁场H 的增强，转向外磁场方向的磁畴也增加，且增加较多，便产生了一个很强的与外磁场同方向的磁化磁场，而使磁性材料内的磁感应强度B 大大增加。
因此磁导率不是常数。
2、（1）U1=2311=219.91(V) 21U U =k=955 U2=955U1=955×219.91=35.99(V) (2)I2=RL U 2=6099.35=0.6A 21I I =k 1=559 I1=559×I2=559×0.6=0.098(A) P1=U1×I1=219.91×0.098=21.58(W)3、（1）21U U =21N N =100500=5 U2=U1/5=5220=44(V ） I2=RL U 2=1144=4(A) P2=U2I2=44×4=176(W)∆P=P1-P2=η2P -P2=44(W)(2)21I I =12N N =500100=51 I1=51I2=51×4=0.8(A) 4、∵U1：U2：U3=220：U2：U3=10：1：2∴U2=101220⨯=22(V)U3=102220 =44(V) S1=S2+S3即U1I1=U2I2+U3I3=22×2+44×0.4=61.6I1=16.61U =2206.61=0.28(A) 5、由于变压器原绕组中主磁电动势远远大于其线圈电阻及漏抗产生的压降，即U 1≈E 1，所以电流I 1≠U 1/R 1＝22A 。
数字信号处理课后第三章习题答案
1 e j 0 N
2 j(0 k ) N 1 e
k 0, 1, , N 1
（8） 解法一
直接计算：
1 j 0 n x8 (n) sin(0 n) RN (n) [e e j 0 n ] R N ( n ) 2j
X 8 (n)
n 0
N 1
kn x8 (n)WN
k 0, 1, , N 1
(4)
X (k ) WNkn
n 0
m1
π j ( m1) k 1 WNkm N e 1 WNk
π sin mk N R (k ) N π sin k N
第３章
离散傅里叶变换(DFT)及其快速算法 (FFT)
所以
DFT[ X (n)] X (n)W
n 0
N 1
N 1
kn N
N 1 mn kn x(m)WN WN n 0 m 0
N 1
n ( m k ) x(m)WN m 0 n 0
N 1
第３章
由于
离散傅里叶变换(DFT)及其快速算法 (FFT)
第３章
离散傅里叶变换(DFT)及其快速算法 (FFT)
（10） 解法一
X (k )
n 0
N 1
kn nWN
k 0, 1, , N 1
上式直接计算较难， 可根据循环移位性质来求解X(k)。 因为x(n)=nRN(n)， 所
以
x(n)－x((n－1))NRN(n)+Nδ(n)=RN(n) 等式两边进行DFT， 得到
1 [e j0 n e j0 n ] e 2 j n 0
第三章双原子分子的结构和性质习题
第三章双原子分子的结构和性质习题第三章共价键和双原子分子的结构习题一、是非题1．在LCAO-MO 中，所谓对称性匹配就是指两个原子轨道的位相相同。
2．两个能量不同的原子轨道线性组合成两个分子轨道。
在能量较低的分子轨道中，能量较低的原子轨道贡献较大；在能量较高的分子轨道中，能量较高的原子轨道贡献较大。
3．凡是成键轨道都具有中心对称性。
二、填空题1．描述分子中_______________空间运动状态的波函数称为分子轨道。
2．由原子轨道有效地形成分子轨道的条件为。
3．设φA 和φB 分别是两个不同原子A 和B 的原子轨道，其对应的原子轨道能量为E A 和E B ，如果两者满足________，____________，______原则可线性组合成分子轨道=c A φA +c B φB 。
对于成键轨道，如果E A ______E B ，则c A ______c B 。
(注：后二个空只需填"="，">"或"等比较符号)4．C 2+的分子轨道为_________________，键级___________________；5．按照简单分子轨道理论：(1)HF 分子基组态电子排布为___________________________，键级_______________，磁性________________。
(2)O 2-离子基组态电子排布为_____________________________，键级_______________，磁性________________。
6．写出CN -的价电子组态及键级。
7．下列分子中，键能比其正离子的键能小的是____________________。
键能比其负离子的键能小的是________________________。
O 2，NO ，CN ，C 2，F 28．O 2的键能比O 2+的键能_____________。
基础工程(第二版)第三章习题解答
第三章习题【3－1】某砖墙承重房屋，采用C15素混凝土条形基础，基础顶面处砌体宽度b 0＝490mm ，传到设计地面处的荷载标准组合N k ＝220 kN ／m ，地基土的承载力特征值f ak ＝120kPa ，基础埋深为1.2m ，土的类别为粘性土，e=0.75，I L =0.65。
试确定此条形基础的截面尺寸并绘出基础剖面图。
解：(1) 按地基承载力要求初步确定基础宽度，kPa f f ak a 120==m 2.29= 2.120120220= a min ⨯--=d f N b G k γ初步选定基础宽度为2.4 m 。
地基承载力验算：kPa f kPa b G F p a k k k 12067.1154.22.14.220220=<=⨯⨯+=+=(2)按刚性角确定基础的高度基础采用C15素混凝土砌筑，基础的平均压力为kPa p k 67.115= 查表3－2，得允许宽高比0.12==H b tg α，则m tg b b H 96.00.1249.04.220=⨯-=-≥α 取H=1.0m ，基础剖面示意图如下：基础剖面图【3－2】某厂房采用钢筋混凝土条形基础，墙厚240 mm ，上部结构传至基础顶部的轴心荷载基本组合N =360kN /m ，弯矩M =25.0 kNm /m ，如图3-23。
条形基础底面宽度b 已由地基承载力条件确定为1.8 m ，试设计此基础的高度并进行底板配筋。
图3-23 习题3-2图【解】(1) 选用混凝土的强度等级为C20，查《混凝土结构设计规范》(GB50010-2002)得f t ＝1.1MPa ；底板受力钢筋采用HRB335级钢筋，查得y f ＝300MPa ；纵向分布钢筋采用HPB235级钢筋。
(2) 基础边缘处的最大和最小地基净反力：kPa153.7246.3= 8.10.2568.1360622min max j ⨯±=±=b M b N p(3) 验算截面I 距基础边缘的距离：()m 78.024.08.121I =-⨯=b(4) 验算截面的剪力设计值：()[]()[]kN/m176.46= 7.15378.03.24678.08.128.1278.0 22min j I max j I II ⨯+⨯-⨯⨯=+-=p b p b b b b V (5) 基础的计算有效高度：mm 17.2291.17.046.1767.0t I 0=⨯=≥f V h 基础边缘高度取200mm ，基础高度h 取300mm ， 有效高度h 0=300－40=260mm >229.17mm ，合适。
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第5章 交流-直流变换器 习题（1）
第1部分：填空题
1.电阻负载的特点是 ，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，
晶闸管控制角α的最大移相范围是 。
2.阻感负载的特点是 ，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流
二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是 ，其承受的最大正反向电
压均为 ，续流二极管承受的最大反向电压为 （设U2为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为 ，单个晶闸
管所承受的最大正向电压和反向电压分别为 和 ；带阻感负载时，α角
移相范围为 ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为
和 ；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流
输出侧串联一个 。
4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角
= ; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角= 。
5.从输入输出上看，单相桥式全控整流电路的波形与 的波形基本相
同，只是后者适用于 输出电压的场合。
6.填写下表
电路名称电路结构图负载电压波形整流电压平均值移相范围
电阻
阻感（L极大）＋
续流二极管
电阻
阻感（L极大）
电阻
大电感
电阻
阻感（L极大）＋
续流二极管
单相全波
单相半控
桥
单相整流电路比较
单相半波
单相全控
桥
第2部分：简答题
1.如题图5-1所示的单相桥式半控整流电路中可能发生失控现象，何为失控，怎样抑制失
控？
题图5-1 题图5-2
2.单相全波可控整流电路与单相桥式全控整流电路从直流输出端或从交流输入端看均是
基本一致的，那么二者是否有区别呢？
3.题图5-2为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，问该变压器还有直流磁化问
题吗？试说明：①晶闸管承受的最大反向电压为2；②当负载是电阻或电感时，其输出电
压和电流的波形与单相全控桥时相同。
第3部分：计算和画图题
1.单相桥式全控整流电路，U2＝100V，负载中R＝2Ω，L值极大，当α＝30°时，要求：①
作出ud、id、和i2的波形；②求整流输出平均电压Ud、电流Id，变压器二次电流有效值I2；
③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
2.单相桥式全控整流电路带电阻负载工作，设交流电压有效值U2＝220V，控制角＝rad,
负载电阻Rd＝5Ω,试求：（1）输出电压的平均值 Ud ；（2）输出电流有效值I。
3.晶闸管串联的单相半控桥（桥中VT1、VT2为晶闸管，电路如题图5-3所示，U2=100V，
电阻电感负载，R=2Ω，L值很大，当=60°时求流过器件电流的有效值，并作出ud、id、iVT、
iD的波形。
题图5-3