常用的电流源电路

i

g

e

R

n

U

则由图3—35(a)可知

若

，则

，I O 犹如是I R 的镜像，所以此电路称为镜像电流源或电流镜。

图3—35（a）所示电流源的伏安特性如图3—35（b）所示。为了保证电流源具有恒流特管必须工作在放大区，即U CE2>U BE2»0.7V(在图中A 、B

电流源输出端对地之间的直流等效电阻 U

n e

（3

所以式(3—94)可近似为

(3显见，改变R 的比值，故这种电路称为比例电流源。在集成电路中，实现比例电流源的方法可通过改 T 1、、T 2）所示。

因为晶体管发射极电流与发射区面积成正比，即晶体管发射极电流可表示为

式中，W 是基区宽度；管子的b 足够大，则有

若取S E2=2S E1(图中用双发射极表示I o =2I R

U

i s

t e

r e

d

3.微电流源(Widlar电流源)

在集成电路中,为了提供微安量级的恒定偏流,常采用图3—37所示的微电流源电路.

显见, 将图3—36（a ）中的电阻R 1短路，便构成了微电流源。由图可知

由式（3—93），并考虑到两管参数一致，即I ES1=I ES2,所以

上式可近似表示为

（3—96）

上式是一个超越方程，可用图解法或试探法求解。

【例3—6】 在图3—37 电路中，已知I R =1mA,R 2=5K W ,基极电流可忽略不计，求I o 。

解:用试探法求解。由式（3—96）得

26ln(1/I o )—5I o =0

设I o =15m A=0.015mA ，代入上式

109.2—75¹0

说明对数项过大。再试，设I o =20m A=0.02mA,得

U

n R

e g

i s

t e

r e

d

若晶体管T 1、T 2及T 3的特性一致，即

，则由上述方程可解得

由上式可见，与基本电流源相比，威尔逊电流源中的I C3更接近等于，即管子 变化（包括温度对 的影响）对输出电流I o (=I C3»I R )的影响较小，即传输精度有明显地提

高。

U

n R

基准电流I R 与各级输出电流的关系为

由于所有各管的基极电流均由基准电流I B ,n值越大，偏差越大。为了使

可见，输出电流I o 与基准电流I R 的偏差值比图3—39（a）电路减小了

倍。

在集成电路中，多路恒流源可采用多个集电极晶体管来实现，如两路电流源可用图3—39（c）所示电路来实现。可以推得，它的电路功能与图3—39（a）电路n=2时是一致的。 返回页首 上一页 下一页

U

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