三极管基本电流源模拟电子技术基础

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《模拟电子技术基础》习题课1-2章-概念

《模拟电子技术基础》习题课1-2章-概念
三种基本组态放大电路特性与分析
三种组态为:BJT的共射、共基、共集 FET的共源、共栅、共漏
BJT
FET
差放
共射 共射 共集 共基 共源 共漏 共栅 差模 共模 (带反馈Re)
微变等效电路
p74
Ri
Ro
Av
15
模拟电路习题课(一)
共射小信号(微变)等效分析 输入电阻、输出电阻和增益
Ri
vi ii
rbe // Rb
Av
vo vi
(1 1)R'L rbe (1 1)R'L
1
R'o
rbe
1 1
//
rce1
rbe
1 1
Ro R'o // ro2 R'o
共集放大器的Ri比共射大很多
电压放大倍数接近于1(小于1)因此称为射随器
共集放大器的Ro比共射的小很多
17
模拟电路习题课(一)
共基小信号(微变)等效分析
R'i
U
反向击穿 电压VBR
2
二极管的电阻
模拟电路习题课(一)
直流等效电阻 RD:
RD
VD ID
交流(动态)电阻 rd:
rd
(
diD dvD
)Q1
2vd 2id
rd
(
diD dvD
)Q1
VT ID
3
模拟电路习题课(一)
共射(共E)BJT工作原理
以发射极(E极)作为公共端,EB结正偏,CB结反偏。
iC
参见 P12 图1.3.4
7
3. 饱和区
vCE<vBE vCB<0
4
集电结正偏

模拟电子技术第2章1半导体三极管及放大电路基础

模拟电子技术第2章1半导体三极管及放大电路基础
电流增益
输出电流与输入电流的比值, 表示电流放大的倍数。
通频带
放大电路能够正常工作的频率 范围,通常用下限截止频率和 上限截止频率来表示。
电压增益
输出电压与输入电压的比值, 表示电压放大的倍数。
功率增益
输出功率与输入功率的比值, 表示功率放大的倍数。
失真度
由于放大电路的非线性特性, 导致输出信号失真,通常用谐 波失真系数来表示。
半导体三极管的结构特点是电流放大 作用,通过基极控制集电极和发射极 的电流。
PNP型半导体三极管
与NPN型类似,但两个P型半导体和 一个N型半导体组成,基极(B)位于 中间,集电极(C)和发射极(E)位 于两侧。
半导体三极管的电流分配关系
电流分配关系
在三极管中,基极电流、集电极 电流和发射极电流之间有一定的 比例关系,这种关系取决于三极
改善电源和接地
电源和接地的设计对放大电路的稳定性也有影响,应尽量 减小电源和接地电阻,降低电源和接地噪声。
增加温度补偿
温度变化对放大电路的性能有较大影响,可以通过增加温 度补偿元件或采用温度传感器等方法,减小温度对放大电 路稳定性的影响。
05
模拟电子技术实验
实验一:半导体三极管特性的测试
总结词
了解半导体三极管的工作原理和特性
模拟电子技术第2章1半导体 三极管及放大电路基础
• 半导体三极管 • 放大电路基础 • 放大电路的分析方法 • 放大电路的稳定性 • 模拟电子技术实验
01
半导体三极管
半导体三极管的结构
NPN型半导体三极管
结构特点
由三个半导体元件组成,包括两个N 型和一个P型半导体,中间是基极 (B),两边分别是集电极(C)和发 射极(E)。

模拟电子技术项目教程 2.1晶体三极管的基本特性

模拟电子技术项目教程 2.1晶体三极管的基本特性

1.1.3 用万用表判断晶体管的类型
万用表hFE档测量法
把万用表打到hFE档(测量晶体 管电流放大倍数)上; 晶体管插入到NPN的小孔上,B极 对上面的B字母。读数,再把它的 另二脚反转,再读数。读数较大 的那次极性就对上表上所标的字 母,这时就对着字母去认晶体管 的C,E极
1.2 晶体管的特性曲线
IB/A
O
UCE = 1 V
UBE / V
只要UBE 保持不变,从发射区注入到基区的载流 子数不变,而电极所加的反向电压量足够把扩散的
载流子拉到集电区,因此UCE再增加, IB也不会有 明显减少。
1.2.2 晶体管的特性曲线
一、输入特性曲线的应用
如图所示,三极管处于放大状态。试问: Rb=50kΩ时,IB=?
1.2.2 晶体管的特性曲线
输出特性曲线的应用
如图所示,VCC=15V, β=100。试问: Rb=50kΩ时,UO=?
例3:三极管工作状态的判断
例:测量某硅材料NPN型BJT各电极对地的电压值如下,试判别管子工 作在什么区域?
-
VCC
UCE = 1 V
-UBE
O
UBE / V U三三极C极E管≥管的共1输射时入特特的性性曲输线入测试特电性路具有实用意义。
1.2.2 晶体管的特性曲线
一、输入特性
①UCE=0V时,IB 与UBE 的关系曲线与二极管的正向伏安特性相似,(此时,相 当于两个二极管正向并联接在b、e 间);
②UCE从0增加到1V时,曲线右移显著;当UCE>1V后,IB 与UBE 的关系曲线几乎 重叠在一起,故输入特性通常用UCE=1V 时的一条曲线来表示即可。
1.1.1 晶体管的结构类型
双极型结型三极管(BJT)

完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。

2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流,从而控制集电极电流,实现信号放大。

3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大,共集电极放大倍数最小。

三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。

2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。

3.共基极放大电路---具有电压放大的作用,输入电阻较低。

4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置,使其工作在放大区,保证放大电路的稳定性。

四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。

2.开关---控制大电流的通断。

3.振荡器---产生高频信号。

4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性,实现稳定的输出电压。

模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质,如硅Si、锗Ge。

2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子,是半导体中的两种主要载流体。

5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

根据掺杂元素的不同,可分为P型半导体和N型半导体。

6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。

7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结,具有单向导电性和接触电位差等特性。

8.PN结的伏安特性是指在不同电压下,PN结的电流和电压之间的关系。

二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。

1.半导体二极管具有单向导电性,即只有在正向电压作用下才能导通,反向电压下截止。

2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似,具有正向导通压降和死区电压等特性。

3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。

三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管,其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区,具有稳压的作用。

模拟电子技术基础课程教学大纲

模拟电子技术基础课程教学大纲

“模拟电子技术基础"课程教学大纲课程名称:模拟电子技术基础教材信息:《模拟电子电路及技术基础(第三版)》,孙肖子XX主讲教师:孙肖子(西安电子科技大学电子工程学院副教授)学时:64学时一、课程的教学目标与任务通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上,进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。

使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路,掌握XX种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术,获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能.培养学生分析问题和解决问题的能力,为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容,以及为电子技术在实际中的应用打下基础。

二、课程具体内容及基本要求(一)、电子技术的与模电课的学习MAP图(2学时)介绍模拟信号特点和模拟电路用途,电子技术简史,本课程主要教学内容,四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标,频率特性和反馈的基本概念.1。

基本要求(1)了解电子技术的,本课程主要教学内容,模拟信号特点和模拟电路用途。

(2)熟悉放大器模型和主要性能指标.(3)了解反馈基本概念和反馈分类。

(二)、集成运算放大器的线性应用基础(8学时)主要介绍XX种理想集成运算应用电路的分析、计算,包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V 变换电路和有源滤波等电路的分析、计算,简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及XX应用中器件选择的依据和方法。

1。

基本要求(1)了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。

(2)熟悉在理想集成运放条件下,对电路引入深反馈对电路性能的影响,掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。

(3) 掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V—I和I-V变换电路的分析、计算。

《模拟电子技术》第3章 晶体三极管及放大电路基础

《模拟电子技术》第3章 晶体三极管及放大电路基础
• 放大器的静态:当输入的交流信号为零时,这时 三极管的基极、集电极和发射极中都只有直流电 流。
• 放大器的动态:当输入的交流信号不为零时,基 极、集电极和发射极中的电流既含有直流电流成 分又含有交流电流成分。
3.3 共射基本放大电路
3.3.1 电路结构和元器件的作用
3.3.2 共发射极放大电路的工作原理
3.1.5 三极管的工作状态
1.三极管的三种组态
2.共发射极放大电路的输入输出特性
三极管的工作状态说明
3.三极管截止和饱和时的等效电路
• 三极管的工作状态判断。
①当UBE<UTH时,IB=0,三极管截止,C、E间相当于开关断开, Ic=0;
②当iB>IBS时,三极管饱和,C、E间相当于开关闭合,iC=ICS;
第三章 晶体三极管及放大 电路基础
学习目标:
(1)了解三极管的电流放大作用。 (2)掌握万用管的三种组态特点。掌握共射电路的
基本结构。 (4)了解放大电路性能指标。掌握用万用表调试三
极管各参数的方法。 (5) 制作放大电路,把微弱的信号进行放大,如做
IE=IC+IB,在放大状态下,IC=βIB。
本章回顾
(3)三极管的特性曲线和参数是用来描述三极管 性能,是选择三极管时的依据。选择三极管时 要考虑的主要参数是工作频率、耐压、放大倍 数。型号相同的三极管可以互换,型号不同, 但对于该电路来说关键参数相似也可以替换。
(4)放大器是三极管电路中最常见和最基本的电 路。放大器的基本任务就是放大信号。放大器 用一些性能指标来表征放大器性能:电压(电 流、功率)放大倍数、输入电阻、输出电阻是 最主要的三个。单级共射小信号放大器是最基 本的放大电路。
3.4 三种基本组态放大电路的比较

模拟电子技术基础晶体三极管

模拟电子技术基础晶体三极管

3.1.3 三极管的放大作用
在实际应用中利用三极管放大电路放大微弱信号,其原理
电路如图3-5a所示,实际电路中常取,于是有图3-5b所示习惯
画法的共射极放大电路图。
Rs
+ u-s
i c + C2
C1
ib T +
+
uCE
Rb
u i 300 k
uBE +
-
-
U -
BB
+
RC
2k u o
+ -
U
CC
-
Rs
• 3.1.1 晶体三极管的分类及结构
晶体三极管通常简称为三极管,也称为晶体管和
半导体三极管。
采用光刻、扩散等工艺在同一块半导体硅(锗)片上 掺杂形成三个区、两个PN结,并引出三个电极。由两个 N区夹一个P区结构的三极管称为NPN型晶体管;由两个 P区夹一个N区结构的三极管称为PNP型晶体管。
1/1/2021
• 三极管有三个电极,可视为一个二端口网络,其中 两个电极构成输入端口、两个电极构成输出端口, 输入、输出端口公用某一个电极。根据公共电极的 不同,三极管组成的放大电路有3种连接方式,通常 称为放大电路的三种组态,即共基极、共发射极和 共集电极电路组态,如图3-4所示。
1/1/2021
图3-4 晶体三极管的三种组态 (a)共基极接法 (b)共发射极接法 (c)共集电极接法
1/1/2021
3.1.2三极管的工作原理
IC c
1. 三极管放大交流信号的外部 条件
ICN I CBO
N Rc
IB b
要使三极管正常放大交流,要求:
I BN
P
发射结外加正向电压(正偏),集电

模拟电子技术基础 第4章三极管基本放大电路3.4

模拟电子技术基础 第4章三极管基本放大电路3.4

– ③放大电路常用正弦波作为输入信号电压,所以等效
电路中采用复数符号标出各电压和电流。
c
b ib
b
vi Rb
T
RC e
RL
vo
Rs
vs
vi Rb rbe
e
ic c
b ib
RC RL
vo
交流通路
微变等效电路
电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础
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4.4.3 小信号模型分析基本共射放大电路
• 微——它不适用于大信号的工作情况,大信号工作情况仍 要借助图解法
• 变——静态分析它也不适用,只适用于动态分析。
电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础
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4.4 小信号模型分析法
• 4.4.2 三极管的H参数及其等效电路
• 1. 三极管的H参数
– 三极管是三端器件;它组成电路有三种组态,
上页 下页
4.4.3 小信号模型分析基本共射放大电路
• 步骤5 —— 求输出电阻R o
输出电阻的求解:
信号源短路Vs=0,保留内阻Rs;并在负载开路RL=∞的条件 下,在放大器的输出端加入电压V,在V的作用下,输出端 将产生电流 I,则输出电阻为:
••
Ro
V

Vs
o保 留Rs
Rs
I RL
1
b
VCC
Rb
C1
RC
C2
vi
T RL vo
VCC
Rb
RC
IB
IC
T VCE
VBE
电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础
上页 下页
4.4.3 小信号模型分析基本共射放大电路
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-45/dec的斜率。在0.1 f H 和10 f H 处与实际的相频
特性有最大的误差,其值分别为+5.7°和-5.7°。 采用这种折线化画出的频率特性曲线称为波特图, 是分析放大电路频率响应的重要手段。
5.1.2 RC 高通电路
RC高通电路如图05.03所示。 为: 其电压放大倍数 A v
精密镜象电流源和普通镜象电流源相比,其精
度提高了 倍。电路如图04.04所示。 由于有 T3 的存 在,IB3和将比镜象 电流源的 2IB 小 β 3 倍。因此 IC2 和 IREF 更加接近。
图04.04 精密电流源
4.3.3 微电流源
微电流源电路如图04.05所示,通过接入Re电阻 得到一个比基准电流小许多倍的微电流源,适用微
DVBE VBE1 VBE2 VT (ln IR ln Io ) IS1 IS2
一般有 IS1 = IS2 ,所以
Io ln IR Io D VBE Re2 VT Re2 ln IR Io
I o Re2 VT
因DVBE 小,Io<< IR。同时 Io 的稳定性也比 IR 好。
分压偏置电路对工作
点具有稳定作用,也就是
对 IO 有稳定作用,具有稳 流特性。电压源的内阻小, (a) (b) 电流源的内阻大,内阻越 大稳流特性越好。
图04.01 三极管电流源
下面就通过图 04.02 所示的等效电路来求该 电路的内阻,以探讨其稳流特性。由图可得
图04.02 求Ro微变等效电路
d I b Rb d I b rbe Re (d I b d I o ) 0 d Vo (d I o d I b )rce Re (d I b d I o ) 0
4.3.4 比例电流源
在镜象电流源电路的基础上,增加两个发射极 电阻,使两个发射极电阻中的电流成一定的比例关 系,即可构成比例电流源。其电路如图04.06所示。
因两三极管基极对地电位 相等,于是有
V BE1 I E1 R e1 = V BE2 I E2 R e2 因 V BE1 V BE2 I E1 R e1 I E2 R e2 Io R e1 IR R e2
. .
解得
可见三极管基本电流源的内阻较三极管放 大区的输出电阻rce又有较大提高。
4.3 集成电路电流源
4.3.1镜象电流源
三极管 T1、T2 匹配,
1 2
VBE1 VBE2 VBE , 则
IR IC1 2 IB I C 2 2 I B I C 2 (1
图04.06比例电流源
4.3.5 多电流源
通过一个基准电流源稳定多个三极管的工 作点电流,即 可构成多路电 流源,电路见 图 04. 07。图 中一个基准电 流 IREF可获得 多个恒定电流 IC2、IC3。
图04.07 多电流源
05 放大电路的频率特性
在放大电路的通频带中给出了频率特性的概念---
功耗的集成电路中。由图可得:
VBE1 = VBE2 I E2 Re2 I E2Re2 VBE1 VBE2 DVBE I o I C2 I E2 DVBE / Re2
图04.05 微电流源
Io 与 IR 的关系如下
IR IE1 IS1e
VBE1/VT
VBE2/VT Io IC2 IE2 IS2e
由此可做出如图 05.04 所示的 RC 高通 电路的近似频率特性曲线。
Av
f / fL f 2 1 ( ) fL
f 90 arctg(
o
fL
)
图05.04 RC高通电路频率特性曲线
幅频特性偏离中频值的现象称为幅度频率失真; 相频特性偏离中频值的现象称为相位频率失真。 放大电路的幅频特性和相频特性,也称为 频率响应。因放大电路对不同频率成分信号的 增益不同,从而使输出波形产生失真,称为幅 度频率失真,简称幅频失真。放大电路对不同 频率成分信号的相移不同,从而使输出波形产 生失真,称为相位频率失真,简称相频失真。 幅频失真和相频失真是线性失真。
. . . . .
.
.
.
.
d Vo (d I o d I b )rce Re (d I b d I o ) 0
Re d Vo d I o [ rce Re + ( rce Re )] Rb rbe Re
. .
.
.
.
.
.
Re d Vo d I o [ rce + rce ] Rb rbe Re
2
镜象电流源电路如 图 04.03 所 示 , 它 的 特 点是工作三极管的集电 极电流是电流源电路的 镜象(电流相等)。

)
VCC VBE 且 IR ,当 >> 2 时, R I C 2 I R , I C2 和 I R 是镜象关系。
图04.03 镜象电流源
4.3.2 精密镜象电流源
R + . Vi C + . Vo -
图05.01 RC低通电路 1 V 1 1 1 jc o Av 1 ω f V 1 j C R i R 1 j 1 j jc ω0 fh
式中
0
1 1 RC t
的 模、上限截止频率 和 相角 分别为 。A v
f0 fH 1 2RC
1 Av 1 ( f
fH
)2
arctg( f f ) H
由以上公式可做出如图 05.02 所示 的RC低通电路的近似频率特性曲线:
Av
1 1 ( f
fH
)2
arctg( f f ) H
图05.02 RC低通电路的频率特性曲线
幅频特性的X轴和Y轴都是采用对数坐标, f H 称为上限截止频率。当 f ≥ f H 时,幅频特性将以 十倍频 20dB 的斜率下降,或写成 -20dB/dec 。 在 f =fH 处的误差最大,有-3dB。 当 f =fH 时,相频特性将滞后45°,并且具有
5.1 RC 电路的频率响应 5.2 双极型三极管的高频小信号模型 5.3 共发射极接法放大电路频率特性 5.4 场效应三极管的高频小信号模型
5.1 RC电路的频率响应
• 5.1.1 RC低通电路
• 5.1.2 RC高通电路
5.1.1 RC低通电路
RC低通电路如图05. 01所示。 电压放大倍数(传递函数)为:
(动画5-1)
这些统称放大电路的频率响应。
幅频特性偏离中频值的现象称为幅度频率失真; 相频特性偏离中频值的现象称为相位频率失真。 产生频率失真的原因是: 1.放大电路中存在电抗性元件,例如耦合电容、 旁路电容、分布电容、变压器、分布电感等;
2. 三极管的 () 是频率的函数。在研究频率特 性时,三极管的低频小信号模型不再适用,而要 采用高频小信号模型。
幅度频率特性
幅频特性是描绘输入信号幅 度固定,输出信号的幅度随频率 变化而变化的规律。即
相位频率特性
∣= ∣V ∣A
∣= f ( ) / V o i
Hale Waihona Puke 相频特性是描绘输出信号与输 入信号之间相位差随频率变化而变 化的规律。即 ∠V o ∠V i f ( ) ∠A
这些统称放大电路的频率响应。
o V j / L jf / f L Av = Vi 1 j / L 1 jf / f L
1 1 式中 L 。 RC t
图 05.03 RC 高通电路
下限截止频率、模和相角分别为
f / fL Av 1 f ) o f0 fL 90 arctg( f 2 fL 1 ( ) 2RC fL
(3)用电流源做有源负载,可获得增益高、 动态范围大的特性。
(4)用电流源给电容充电,以获得线性电压输出。
(5)电流源还可单独制成稳流电源使用。
(6)在模拟集成电路中,常用的电流源电路有: 镜象电流源、精密电流源、 微电流源、多路电流源等。
4.2 三极管基本电流源
用普通的三极管接成电流负反馈电路,即可 构成一个基本的电流源电路。分压偏置基本放大 电路就具有这一功能,其电路如图04.01所示。
04
电 流 源
电流源是一个输出电流恒定的电源电路, 与电压源相对应。
4.1 电 流 源 概 述
4.2 三极管基本电流源
4.3 集成电路电流源
4.1 电 流 源 概 述
(1)电流源电路是一个电流负反馈电路, 并利用PN结的温度特性,对电流源电路进行温度补偿, 以减小温度对电流的影响。
(2)电流源电路用于模拟集成放大器中 以稳定静态工作点,这对直接耦合放大器是十分重要的。
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