模拟电路自测题2(晶体管及放大电路)
第2章 晶体管及其基本放大电路 自测题 习题 解案 08.8.29
第2章 晶体管及其基本放大电路2.1 知识点归纳1. 晶体管的类型及工作状态晶体管有NPN 、PNP 两种类型，它们均有三个工作区：放大区、饱和区和截止区。
主要有三种工作状态：放大状态（发射结正向偏置、集电结反向偏置）、饱和状态（发射结正向偏置、集电结正向偏置）、截止状态（发射结反向偏置、集电结反向偏置）。
（1）根据管脚电流判别晶体管的工作状态方法如表2-1所示（2）根据工作电压判别NPN 管的工作状态方法如表2-2所示。
PNP 管工作电压的极性和各极电流方向与NPN 管相反。
2. (1) 晶体管的电流关系① 晶体管三个电极的电流关系为：B C E I I I +=② 工作于放大状态时B C I βI ≈B E )1(I βI +≈其中B I 最小、C I 居中、E I 最大。
对于NPN 管：E I 流出晶体管，B I 、C I 流入晶体管。
对于PNP 管：E I 流入晶体管，B I 、C I 流出晶体管。
(2) 两种极间反向电流：集电极-基极反向饱和电流I CBO 与集电极-发射极反向穿透电流I CEO 的关系I CEO = (1+β)I CBO(3) 两种电流放大系数：共基极交流电流放大系数α与共发射极交流电流放大系数β的关系α-=1αβ，ββα+=1 (4) 晶体管的放大作用晶体管是一种电流控制型器件，它要具有放大作用除了满足发射区掺杂浓度高、基区很薄、集电结面积大的内部结构条件外，还必须满足发射结正向偏置、集电结反向偏置的外部条件。
此时，各电极电位之间的关系：NPN管U C＞U B＞U EPNP管U C＜U B＜U E硅管的BEU约为0.2~0.4V。
U约为0.6~0.8V，锗管的BE3. 晶体管放大电路的组成原则(1) 确保晶体管工作于放大区，即满足发射结正向偏置，集电结反向偏置的外部条件。
(2) 确保被放大的交流输入信号能够作用于晶体管的输入回路。
(3) 确保放大后的交流输出信号能传送到负载上去。
模拟电子技术基础测试题及参考答案
模拟电子技术基础测试题及参考答案一、选择题1. 下列哪种器件是一种双极型晶体管？（A）锗二极管（B）硅二极管（C）三极管（D）场效应晶体管答案：C2. 在放大电路中，下列哪种反馈方式可以使放大倍数增加？（A）电压反馈（B）电流反馈（C）串联反馈（D）并联反馈答案：A3. 下列哪种电路可以实现交流信号的放大？（A）rc电路（B）lc振荡电路（C）放大电路（D）整流电路答案：C4. 下列哪种元件在放大电路中起到稳定放大倍数的作用？（A）电容器（B）电阻器（C）电感器（D）晶体管答案：D5. 下列哪种电路可以实现信号的整流？（A）放大电路（B）整流电路（C）滤波电路（D）振荡电路答案：B6. 在整流电路中，下列哪种元件可以实现全波整流？（A）二极管（B）三极管（C）晶闸管（D）grt答案：A7. 下列哪种电路可以实现信号的滤波？（A）rc电路（B）lc振荡电路（C）放大电路（D）整流电路答案：A8. 在滤波电路中，下列哪种元件可以实现低通滤波？（A）电容器（B）电阻器（C）电感器（D）晶体管答案：C9. 下列哪种电路可以实现信号的转换？（A）放大电路（B）整流电路（C）滤波电路（D）振荡电路答案：D10. 在振荡电路中，下列哪种元件可以起到决定振荡频率的作用？（A）电容器（B）电阻器（C）电感器（D）晶体管答案：C二、填空题1. 晶体管的三个极分别是发射极、基极和_______极。
答案：集电极2. 放大电路的输入电阻较大，输出电阻较小，这样可以使得输入信号的电压得到_______放大。
答案：有效3. 放大电路中，反馈分为电压反馈和电流反馈，其中电压反馈可以使放大倍数_______。
答案：增加4. 整流电路的作用是将交流信号转换为_______信号。
答案：直流5. 滤波电路的作用是去除信号中的_______分量。
答案：高频6. 振荡电路的作用是产生_______信号。
答案：稳定三、简答题1. 请简述双极型晶体管的工作原理。
模拟电路自测题
RB 51k
RC 2k VD
RB1 15k
RC 2k
RB1 60k
RC 2k
β=30 β=30
RB2 51k RB2 40k
UBE=0.75V
RE 3k
(a)
(b) 图4
(c)
2．图 5 所示电路，分别计算更换晶体管，β 值由 20 变至 100，静态工作点电流、 电压的绝对值及变化百分数。图中器件为硅管。 3．图 6 所示电路为一乙类推挽功率输出级简化电路，输入信号 ui 为正弦波，要
A 中，A、B 符号___________时为负反馈，当满足 1 + AB
___________时，为深负反馈。 12．采用 BJT 管的通用集成运算放大器的输入级一般是_____________电路，而 输出级一般是_____________电路。 13．本征半导体中掺入微量_________价元素，空穴浓度将大大增加，这种半导 体称为________型半导体。 14．图(1)中 T1 不能工作在放大区的原因是_______________________；图(2)中 T2 不能工作在放大区的原因是_______________________。
I B ， I C 及 U CE 分别为多少。
2．图 4 所示是某绝缘栅场效应管的转移特性， 图中查得原始沟道漏极电流 I DSS = 7.7mA ，夹断 图3 电压 U GS ( off ) = -8V。试问： (1) 该场效应管是何种类型？画出其电路符号，标明漏极电流方向及各电极 电源极性。 (2) 试求 U GS = −2V 时工作点 Q 的漏极电流 ID 及跨导 gm。
模拟电子技术基础
练习一
模拟电路考试试题10套和答案
坑爹的模电试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空（本题共20分，每空1分）：1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。
2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。
3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。
4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。
5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。
6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。
7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。
8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。
共模抑制比K CMR为__________之比。
9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。
二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）：1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。
模拟电路试卷及答案(十套)
模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a,b。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a,b。
3．在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真.5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2，则输出电压为V;若u i1=1500µV， ui2=500µV,则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响.10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最;组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为().A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B。
β和ICBO增加,uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D。
β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻 C。
击穿电压 D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（)来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C。
利用参数对称的对管子 D。
利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数(）. A。
变大 B. 变小 C。
不变 D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A。
《模拟电子线路实验》实验二 晶体管共射极单管放大器
模拟电子线路实验实验二晶体管共射极单管放大器【实验名称】晶体管共射极单管放大器【实验目的】1.学习单管放大器静态工作点的测量方法。
2.学习单管放大电路交流放大倍数的测量方法。
3.了解放大电路的静态工作点对动态特性的影响。
4.熟悉常用电子仪器及电子技术实验台的使用。
【预习要点】1.复习课件中有关单管放大电路工作点稳定问题的内容。
2.放大电路输出信号波形在哪些情况下可能产生失真？应如何消除失真？【实验仪器设备】【实验原理】实验电路图如图2-1所示。
温度的变化会导致三极管的性能发生变化，致使放大器的工作点发生变化，R和射极电阻影响放大器的正常工作。
图2-1所示电路中通过增加下偏置电阻B2R来改善直流工作点的稳定性，其工作原理如下：E图2-1 分压偏置共射极放大电路①利用B1R 和B2R 的分压作用固定基极电压V B 。
当B1R 、B2R 选择适当，满足I B1>> I B 时，有B2B CC B1B2R V V R R =+式中B1R 、B2R 和CC V 都是固定的，不随温度变化，所以基极电位V B 基本上为一定值。
②通过E R 的负反馈作用，限制C I 的改变，使工作点保持稳定。
具体稳定过程如下：CT ︒I电容C 1、C 2有隔直通交的作用，C 1滤除输入信号的直流成份，C 2滤除输出信号的直流成份。
射极电容C E 在静态时稳定工作点；动态时短路R E ，增大放大倍数。
当流过偏置电阻B1R (b1R 和电位器W R 的阻值和)的电流I B1远大于晶体管的基极电流B I (一般5～10倍)，基极电压V B 远大于V BE 时，它的静态工作点可用下式估算B1B CC B1B2R V V R R =+B BEC E E=V V I I R ≈－ CE CC C C E =(+)V V I R R －当放大器的输入端加交流输入信号i v 后，基极回路便有交流输入b i 产生，经过放大在集电极回路产生β倍的c i ，同时在负载输出o c L 'v i R =，从而实现了电压放大。
模拟电路第二章习题
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12
解题分析：共什么极是指哪个极为输入回路和输出回路的公共端。（交流通 路）
（a）共射（b）共基 即求解电路的静态和动态参数
本题静态参数求解错误多！
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13
2.4 电路如图P2.4（a）所示，图（b）是晶体管的 输出特性，静态时 UBEQ＝0.7V。利用图解法分别求 出 RL ＝∞和 RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不失 真输出电压 （UOM有效值）。
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14
对于放大电路与负载直接耦合的情况下，直流负载线与交流负载线是同 一条直线；而对于阻容耦合放大电路情况，只有在空载情况下，两条直 线才合二而一。
（一般取饱和管压降为0.7V）（最大不失真输出电压的求法参考课本92页） 本题为直接耦合共射放大电路
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15
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16
2.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的β ＝80，rbe＝1kΩ，ui＝20mV；静态时 UBEQ＝0.7V，UCEQ＝4V，IBQ＝20μA。 判断下列结论是否正确，凡对的在括号内 打“ √ ”，否则打“×”。
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19
解题分析：本题考查晶体管在饱和截止等状态下集电极电位的算法。 题图的直流通路如下所示：
Rb2
VCC Rc
Rb1
Ti tl e
Si ze
Numbe r
h
B
20
Dat e:
28-Apr-2010
Rb2
VCC Rc
Rb1
解题过程：（1）
4
（2） （3）
Ti tl e
Si ze
Numbe r
h
27
析：参考习题2.4 3.28V和2.12V
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28
2.11 电路如图P2.11所示，晶体管的β＝100， Rbb’=100Ω。
模拟电路2习题及解答
Au Uo / Ui 1.2 / 0.02 60
Ai
io
/ ii
Uo / RL
Us Ui /
Rs
1.2 /1
0.03 0.02 / 0.6
72
Ap Au Ai 60 72 4320
Au dB 20 lg Au 20 lg(60) 35.6dB Ai dB 20 lg Ai 20 lg(72) 37.1dB
Au＝60（35.6dB），Ai＝72（37.1dB），Ap＝4320（36.4dB），Ri＝1.2kΩ，Ro＝0.5kΩ
4
2. NPN双极型晶体管共发射极放大电路如图所示，已知晶体管参数为β＝80，
UBE(on)＝0.7V，rbb'＝200，忽略rce。电阻为Rs＝3.3k，RB＝470k，RC＝
（2）Au＝－75，Aus＝－43，Ri＝1.37kΩ，Ro ＝3kΩ
7
5．NPN双极型晶体管共发射极放大电路如图所示，已知晶体管参数为β＝
100，UBE(on)＝0.7V，rbb'＝200，忽略rce。电阻为Rs＝500，RB1＝33k，
RB2＝10k，RC＝4.7k，RE＝2k，RL＝5.1k，电源电压＋VCC＝＋12V。
91
Ri RB1 / / RB2 / /rbe
1
1 1
1
2kΩ
33 10 2.68
Ro RC 4.7kΩ
Aus
Ri
Ri Rs
Au
2 0.5
2
91
73
Rs 500Ω
us
ui
RB2 10kΩ
RL 5.1kΩ
uo
+
RE 2kΩ CE
（1）IBQ＝10.5μA ，ICQ＝1.05mA，UCEQ＝5V （2）Au＝－91，Aus＝－73，Ri＝2kΩ，Ro＝4.7kΩ 8
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晶体管及放大电路基础
1.晶体管能够放大的外部条件是_____C____。
（A）发射结正偏，集电结正偏（B）发射结反偏，集电结反偏（C）发射结正偏，集电结反偏2.当晶体管工作于饱和状态时，其___A______。
（A）发射结正偏，集电结正偏（B）发射结反偏，集电结反偏（C）发射结正偏，集电结反偏3.测得晶体管三个电极的静态电流分别为，和。
则该管的 为___。
（A）40 （B）50 （C）60
4.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能____A_____。
（A）越好（B）越差（C）无变化
5.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能___A______。
（A）高（B）低（C）一样
6.温度升高，晶体管的电流放大系数b_____A____。
（A）增大（B）减小（C）不变
7.温度升高，晶体管的管压降|UBE|______B___。
（A）升高（B）降低（C）不变
8.温度升高，晶体管输入特性曲线______B___。
（A）右移（B）左移（C）不变
9.温度升高，晶体管输出特性曲线_____A____。
（A）上移（B）下移（C）不变
10.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔____C_____。
（A）不变（B）减小（C）增大
11.对于电压放大器来说，______B___越小，电路的带负载能力越强。
（A）输入电阻（B）输出电阻（C）电压放大倍数
12.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位__B_______。
（A）同相（B）反相（C）相差90度
13.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，
这种失真是_____A____失真。
（A）饱和（B）截止（C）饱和和截止
14.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是___C______。
（A）输入电阻太小（B）静态工作点偏低（C）静态工作点偏高
15.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_____C____。
（A）输出功率（B）静态工作点（C）交流参数
16.既能放大电压，也能放大电流的是_____A____放大电路。
v1.0 可编辑可修改
（A）共射极（B）共集电极（C）共基极
17.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是___C____。
（A）晶体管的电流放大系数太大（B）电源电压太高（C）晶体管参数随环境温度的变化而变化18.在放大电路中，直流负反馈可以_____C___。
（A）提高晶体管电流放大倍数的稳定性（B）提高放大电路的放大倍数（C）稳定电路的静态工作点
19.可以放大电压，但不能放大电流的是____C_____放大电路。
（A）共射极（B）共集电极（C）共基极
20.射极输出器无放大_____A____的能力。
（A）电压（B）电流（C）功率
21.在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是____B____放大电路。
（A）共射极（B）共集电极（C）共基极
22.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入的负载后输出电压降为3 V，则此电
路的输出电阻为______B___。
（A）（B）1kW （C）2kW
23.在多级放大电路中，即能放大直流信号，又能放大交流信号的是___C____多级放大电路。
（A）阻容耦合（B）变压器耦合（C）直接耦合
24.直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应
____A_____。
（A）好（B）差（C）相同
25.在多级放大电路中，不能抑制零点漂移的_____C____多级放大电路。
（A）阻容耦合（B）变压器耦合（C）直接耦合
26.由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移，因此会引起放大
电路的输出信号产生失真。
这种失真称为_____C____失真。
（A）饱和（B）截止（C）频率
27.放大电路的两种失真分别为_____C____失真。
（A）线性和非线性（B）饱和和截止（C）幅度和相位。