高电压技术知识点总结样本

•为什么要有高电压：提高输送容量，减少线路损耗，减少工程投资，提高单位走廊输电能力，节约走廊面积，改进电网构造，减少短路电流，加强联网能力。•电介质：在其中可建立稳定电场而几乎没有电流通过物质。

•极化：在外电场作用下，电介质内部产生宏观不为零电偶极矩。

•电介质极化四种基本类型：电子位移极化，离子位移极化，转向极化，空间电荷极化。

•介电常数：用来衡量绝缘体储存电能能力，代表电介质极化限度（对电荷束缚能力）

•液体电介质相对介电常数影响因素(频率)：频率较低时，偶极分子来得及跟随电场交变转向，介电常数较大，接近直流状况下εd；频率超过临界值，偶极分子转向跟不上电场变化，介电常数开始减小，介电常数最后接近于仅由电子位移极化引起介电常数εz。

•电介质电导与金属电导有本质上区别：金属电导是由金属中固有存在自由电子导致。电介质电导是带电质点在电场作用下移动导致。气体：由电离出来自由电子、正离子和负离子在电场作用下移动而导致。液体：分子发生化学分解形成带点质点沿电场方向移动而导致。固体：分子发生热离解形成带电质点沿电场方向移动而导致。

•介质损耗：在电场作用下，电介质由于电导引起损耗和有损极化损耗，总称为介质损耗。

•电介质等效电路：电容支路：由真空和无损极化所引起电流为纯容性。/阻容支路：由有损极化所引起电流分为有功和容性无功两某些。/纯阻支路：由漏导引起电流，为纯阻性。

•介质损耗因数tgδ意义：若tgδ过大会引起严重发热，使材料劣化，甚至也许导致热击穿。/用于冲击测量连接电缆，规定tgδ必要小，否则会影响到测量精度/用做绝缘材料介质，但愿tgδ。在其她场合，可运用tgδ引起介质发热，如

电瓷泥胚阴干/在绝缘实验中，tgδ测量是一项基本测量项目

•勉励：电子从近轨道向远轨道跃迁时，需要一定能量，这个过程叫勉励。

•电离：当外界予以能量很大时，电子可以跳出原子轨道成为自由电子。本来中性原子变成一种自由电子和一种带正电荷离子，这个过程叫电离。

•反勉励：电子从远轨道向近轨道跃迁时，原子发射单色光过程称为反勉励。•平均自由程：一种质点两次碰撞之间平均距离，其与密度呈反比。

•电离形式：撞击电离，光电离，热电离，表面电离。

•气体带电质点消失：中和(发生在电极处)：带电质点在电场力作用下，宏观上沿电场做定向运动。带电质点受电场力作用而流入电极，中和电量。/扩散：扩散指质点从浓度较大区域扩散到浓度较社区域，从而使带电质点在空间各处浓度趋于平均过程。/复合(发生在内部)：带有异号电荷质点相遇，还原为中性质点过程称为复合。

•电子崩：当外加电场强度足够大时，带电粒子两次碰撞间积聚动能足够发生碰撞电离。电离出来电子和离子在场强作用下又加入新撞击电离，电离过程像雪崩同样增长起来，称为电子崩。

•自持放电：当外加场强足够强大时，电子崩不依赖外界因素，外界因素消失后，电子崩仍可以保持。

•放电形式：辉光放电，电晕放电，刷状放电，火花击穿，电弧击穿。

•汤森德气体放电理论三个影响因素：系数α：1个自由电子在走到阳极1cm路程中撞击电离产生平均自由电子。/系数β：1个正离子在走到阴极1cm路程中撞击电离产生平均自由电子。/系数γ：1个正离子撞击阴极表面，逸出平均自由电子数。

•流注:由初崩辐射出光子，在崩头、崩尾外围空间局部强场中衍生出二次电子崩并汇合到主崩通道中来，使主崩通道不断高速向前、后延伸过程称为流注。•流注形成：电子崩头部接近阳极；崩头和崩尾处电场增强，勉励和反勉励放射

出大量光子，崩中复合也放射出光子；某些光子射到崩尾，导致空间光电离，形成衍生电子崩；衍生电子崩头部移动速度快，与主崩汇合；新衍生电子崩在崩尾浮现，一种一种向阴极发展，形成正流注。

•电晕：在极不均匀电场中，当外加电压及平均场强还较低时，电极曲率半径较小处，附近空间局部场强已很大。在这局部场强处，产生强烈电离，随着着电离而存在复合和反勉励，辐射出大量光子，使在黑暗中可以看到在该电极附近空间有蓝色晕光，称为电晕。

•电晕极性效应:对于电极形状不对称极不均匀电场间隙，间隙起晕电压和击穿电压各不相似，称为极性效应。

•电晕效应：有声、色、热等效应，体现为发出“咝咝”声音，蓝色晕光以及使周边气体温度升高等。|产生人可听到噪声，对人生理、心理产生影响。|形成“电风”导致电力设备振动和摆动。|产生高频脉冲电流，对无线电干扰。|产生能量损耗。|产生某些化学反映，加速绝缘老化。

•雷电放电过程：先导放电，主放电(激烈电离，激烈中和，主放电通道向上延伸，径向放电)，余光放电。

•雷电破坏因素:最大电流、电流增长最大陡度、余光电流热效应。

•气隙沿面放电：沿气体与固体（或液体）介质分界面发展放电现象。

•闪络：沿面放电发展到贯穿两级，使整个气隙沿面击穿现象。

•气隙击穿时间：升压时间t0，记录时延t s，放电发展时间t f。

•伏秒特性：气隙击穿电压要用电压峰值和延续时间两者共同表达，这就是该气隙在电压波形下伏秒特性。

•气隙电气强度影响因素：气隙击穿时间、气隙伏秒特性、大气条件对气隙击穿电压影响、电场均匀限度对气隙击穿电压影响。

•影响记录时延因素：电极材料、外施电压、电场状况、短波光照射。

•影响放电发展时间因素：外施电压、电厂状况、间隙长度。

•平均伏秒特性：同一气隙在同一电压作用下，每次击穿时间并不完全相似，具备分散性。因此一种气隙伏秒特性，不是一条简朴曲线，而是一组曲线族。某些场合，用击穿概率50％曲线来表达气隙伏秒特性，称为平均伏秒特性。

•50％击穿电压：指气隙被击穿概率为50％冲击电压峰值，反映了该气隙地基本耐电强度。

•2μS 冲击击穿电压：气压击穿时，击穿前时间不大于和不不大于2μS 概率各为50％冲击电压。

•原则大气参照条件：温度θ=20℃，压强0P =101.3a P ，湿度0h =11g/3M 。大气压下空气电气强度约30KV/cm

•大气条件对气隙击穿电压影响因素：温度↓、压强↑：密度↑，平均自由程↓，

b U （耐受电压）↑。湿度↑：负离子↑，b U （耐受电压）↑。

•极不均匀电场特点：有明显极性效应/击穿电压分散性大/击穿电压与间隙距离关于/外加电压低于击穿电压时局部有稳定电晕放电。

•提高气隙击穿电压办法：①改进电场分布：气隙电场分布越均匀，气隙击穿电压越高，故恰当改进电极形状，增大电极曲率半径（屏蔽），改进电场分布，能提高气隙击穿电压和预放电电压。②采用高度真空：以削弱气隙中撞击电离过程，也能提高气隙击穿电压。③增高气压：可以减小电子平均自由程，阻碍撞击电离发展，从而提高气隙击穿电压。④采用高耐电强度气体：卤族元素气体（SF6等）。 ·6SF 气体特点：较高耐电限度，很强灭弧性能，无色无味无毒，非燃性惰性化合物，对金属和其她绝缘材料没有腐蚀作用，中档压力下可以液化，容易储藏和运送。

•污闪：在化工厂、冶金厂附近或沿海地带，沉积在绝缘上尘污，因其具有高导率溶质，当遇到雾，毛毛雨等天气条件，有也许产生沿面闪络。

•电击穿:由电场作用使介质中某些带点质点积累数量和运动速度达到一定限度，使介质失去了绝缘性能，形成导电通道。