无汞荧光灯的研究
发光材料方向介绍
发光材料方向介绍
固体发光材料领域:主要从事等离子平板显示器（PDP）和无汞荧光灯用高亮度真空紫外发光材料、多色长余辉发光材料、LED用发光材料、节能灯用发光材料的合成及表征等方面的工作以及实验室研究成果的产业化研究工作。
光催化材料领域：主要致力于研究和开发高效可见光响应光催化材料，新型光催化材料与长余辉材料的复合材料，光催化材料与装饰材料的复合等。
荧光光谱仪分光光度计
量子效率测试系统超纯水制备系统
正电子湮灭寿命谱仪 高温管式气氛炉。
城市光污染及其治理研究
眩光, 是指引起人体不舒适感的溢散光, 是严重 的光污染。眩光分为两种。一 种为直射眩光, 是人 眼视场内呈现过亮的光源引起的。另一种为反射眩 光, 是由光滑表面内光源的影象所引起的。眩光对 人的影响, 分为损害视觉的失能眩光和引起人体不
彩色光源让人眼花缭乱, 不仅对眼睛不利, 而且 干扰大脑中枢神经, 使人感到头晕目眩, 出现恶心呕 吐、失眠等症状。同样, 长时间在白色光亮污染环境 下工作和生活的人, 视网膜和虹膜都会受到程度不 同的损害, 视力急剧下降。最近的研究发现, 夜间有 开灯睡觉习惯的婴幼儿比在全黑环境下睡觉的, 成 人后近视眼的发病率要高出很多。
表1
眩光指数 GI 与眩光分数关系
眩光
分数 A
B
C
D
E
眩光 指数 GI 10 13 16 18 19 25 28 对人体 无 稍有 轻微 可 稍不 不 不能 的感觉 感觉 感觉 感觉 接受 舒适 舒适 忍受
1. 2. 3 导致城市交通事故 城市交通干线两侧建筑物的大型玻璃幕墙, 就
像一面面巨大的镜子, 反射阳光的能力十分强大( 反 射系数超过 75% , 有时可高达 90% ) ; 它反射的阳光 如果照到机动车驾驶员的眼睛, 刹那间驾驶员会头 晕目眩, 对驾驶者的视觉和心理产生强烈刺激, 很容 易造成意外交通事故。据北京的一些出租车司机反 映, 每当下午 4 时由西向东行驶车通过西客站时, 常 常出现由于西客站玻璃幕墙产生的刺眼反光而引发 交通事故发生的情况。 1. 2. 4 给居民日常生活带来的影响
汞和臭氧替代产品和技术
一、汞的替代产品和工艺技术（汞减排措施）：汞中国在汞的需求方面主要是在含汞工艺和含汞产品两方面, 具体包括电石汞触媒法PVC 生产、体温计、血压计、电池、电光源、齿科材料和仪器仪表等方面。
2007 年的统计数据显示, 中国汞的需求量为1 527~ 1 563 t, 其中电石汞触媒法PVC 生产、电池、体温计、血压计、电光源、齿科材料、仪器仪表用汞分别为939、204、210~ 233、86~ 98、77、5~ 6、6 t。
现阶段不同行业汞的替代产品和技术如表1所示。
表1 不同行业汞的替代产品和技术。
行业用汞工艺或含汞产品替代工艺或产品化工乙炔法聚氯乙烯生产乙烯氧氯化法生产氯乙烯汞法烧碱离子膜法烧碱乙炔水化法生产乙醛乙烯直接氧化法电子和电工汞电池无汞无铅碱性锌锰电池锌粉代替含汞的碱性锌锰电池含汞的光源材料无汞平面灯、电致发光、LED、EEFL（External Electrode Flourescent Lamp）等冶金汞法提金无汞冶金法医疗器械汞体温计电子体温计或红外体温计汞血压计电子血压计汞剂补牙材料树脂类等新型无汞补牙材料仪器仪表汞温度计电子温度计汞压力计电子压力计1. 使用替代工艺技术：据资料统计，我国汞需求量最大的是氯碱企业，氯碱企业以离子膜法烧碱代替汞法烧碱；采用乙烯直接氧化法代替乙炔水化法生产乙醛；采用乙烯氧氯化法代替乙炔用氯化氢加成法生产氯乙烯，都可以显著减少汞的需求量。
此外，有色金属冶炼行业也是我国汞污染排放的重要行业之一，采用湿法炼汞代替火法炼汞，以无汞冶金法代替普通的含汞冶金法等，也可显著减少汞污染。
2. 以无汞材料取代含汞材料，以低汞材料替代高汞材料：例如，用硅蒸流器代替汞整流器；用电子仪表、单板计代替汞仪表；用电子血压计代替汞血压计；以电子温度计或红外温度计代替汞温度计；以树脂类等新型无汞补牙材料代替汞剂补牙材料；以无汞平面灯、电致发光、LED、EEFL（External Electrode Flourescent Lamp）等替代含汞的光源材料，都可以消除汞害。
电光源在新世纪初的曙光
人造光源的出现是被国际科技界公认为现代文明社会起始的里程碑。
电光源的发展历史也证实了它是一门与国民经济紧密联系的综合性学科。
应该说，现代科技为电光源的成长奠定了理论基础和实践条件，同时也不断要求提供具有特殊性能的各种新光源，从而成为新光源诞生的源泉和动力。
正值新世纪来临之际，对电光源的现状和发展加以剖析和展望，以实现照明科技的进一步跨越发展具有十分重要的意义。
一、传统光源的发展和改进1、热辐射光源得到进一步改善（１）传统白炽灯的灯丝从横向双螺旋改为纵向双螺旋，从而减少由灯头遮档向外辐射的光。
缩小导线的直径，结构上可省去传统灯丝防下垂用的支架，使灯丝热传导损失降低，达到节电的目的。
经过长期研究，现已实现了对白炽灯泡壳和灯丝结构及位置的合理设计。
玻壳采用扩散性和透光性好的静电涂敷新技术及红外反射膜，使钨丝产生的红外辐射反射回来，重新加热灯丝，使灯的光效可以提高50％。
（2）卤钨灯的发展1959年人们发明了卤钨循环原理后制造出卤钨灯，它给热辐射光源注入了新的活力。
这类灯体积小，光维持率达到95％以上，光效和寿命更明显的优于白炽灯。
近年来，我国已生产出可直接用于电网、电压220V或110V的卤钨灯，其尺寸可小到Ø 14×54mm，具有优异的灯丝稳定性和抗震性。
泡壳有透明和磨砂两种不同规格，灯头易于连接，与白炽灯一样。
卤钨灯的另一改进措施是采用浸涂法、真空蒸镀法或化学蒸镀法，在石英泡壳上采用红外反射层技术制成的新型卤钨灯，通过让可见光透过，而将红外线反射回灯丝的过程，使灯的光效提高30％－45％，寿命可达3000小时。
2、荧光灯发展突飞猛进（1）荧光灯诞生于20世纪40年代，当时荧光灯玻管外径为38mm（T12），光效约60lm／w，显色指数为70。
随着荧光灯研究的深入，发现适当提高管壁温度，具有较高光效的灯管直径可以相应缩小，这就使正柱区产生的253.7nm的光子到达管壁的距离缩短，光子与其它原子的碰撞机率降低，自吸收损失减少，这样制成的管径为26mm荧光灯（T8）光效可以提高，制造和运输成本也能降低。
高压常见术语解释
高压常见术语解释1、术语释义：局部放电术语解释：局部放电是指发生在电极之间但并未贯穿电极的放电，它是由于设备绝缘内部存在弱点或生产过程中造成的缺陷，在高电场强度作用下发生重复击穿和熄灭的现象。
其表现为绝缘内气体的击穿、小范围内固体或液体介质的局部击穿或金属表面的边缘及尖角部位场强集中引起局部放电等等。
能量很小，短时间不影响电气设备的绝缘强度。
研究实例：a.若电气设备绝缘在不断出现局部放电，微弱的放电将会产生累计效应，使得绝缘的节点性能劣化，局部缺陷扩大，造成设备主绝缘电气强度的下降和破坏。
b.为了去除这种潜伏性故障现象，针对伴随局部放电而产生的一些电脉冲、超声波、电磁辐射等信号而衍生出很多在线检测局部放电现象的方法。
c.局部放电特性也是衡量电力变压器绝缘系统质量的重要指标。
2、术语释义：电晕放电术语解释：电晕放电指气体介质在不均匀电场中的局部自持放电，是最常见的一种气体放电形式。
当电极曲率半径很小或者电极距离很远时，由于电场极不均匀，电压达到一定程度后，局部电场强度超过气体的电离场强，气体发生电离和激励，因而出现电晕放电。
其表现为伴有“嘶嘶”的响声，有时有微弱辉光。
研究实例：a.电晕放电可以用于静电除尘、污水处理、空气净化等。
b.电力系统中的高压及超高压输电线路导线上发生电晕放电，会引起电晕功率损失、无线电干扰、电视干扰以及噪声干扰。
c.对于高电压电气设备，发生电晕放电会逐渐破坏设备绝缘性能。
3、术语释义：不均匀电场术语解释：不均匀电场是电场区域内电场强度的大小和方向随空间坐标而变的电场。
电场的不均匀程度用不均匀系数f（最大场强与平均场强的比值）表征:f<2为稍不均匀电场(不能维持稳定的电晕放电），2<f<4为不均匀电场，f>4为极不均匀电场（可以维持稳定的电晕放电）。
研究实例：a.不均匀电场的不均匀程度会影响电介质的绝缘强度。
在其他条件相同的情况下，电场愈不均匀，电介质的击穿电压越低，绝缘强度愈低。
一种新型的红色荧光粉——Ca4GdO(BO3)3：Eu 3+
能进行 了初步的研究 ， 研究发现 Ｅ ３ 离子在 Ｃ ４ ｄ （Ｏ ） 基质在紫外光的激发下具有 ｕ ａ ＯＢ ３ Ｇ 较强的发光效率和较高的色纯度 ， 但是并没有给出 Ｃ ｄ Ｂ ｈ ３Ｅ ３ 样品在真空紫外 ￣Ｇ Ｏ（Ｃ ）： ｕ
和 ｘ射线激发下的发射光谱 以及发光体的发光强度与 Ｅ ３ 离子掺杂浓度的关系 ， ｕ 也没
收稿 日期 ：２ ０ —３０ ：修回 日期 ： ０６ ０—９ ０ ６０ —６ ２ ０ —４１ ．
基金项 目： 安徽省科技厅年度重点项 目（３ ２ ０ ５ ． ００２０ ） 作者简介 ： 吴允凯（ ９ ７）男 ， １ ７ 一 ， 电话 ： ５ —１ １ ３ 王 ０ １５ ６ １ ； ５
Ｅｍａｌ ｗａ ｇｕ ａ ｕ ｅｕｃ ． － ｉ ： ｎ ｈ ＠ ｈ ．ｄ ．ｎ
一
种 新 型 的 红 色 荧 光 粉一 Ｃ ４ Ｏ（ Ｏ３３Ｅ ３ ａＣｄ Ｂ ） ： ｕ ＋
吴允凯 ， 虎 ， 王 顾志红 ， 钱家盛
（． １安徽 医科大学 化学教研室 ， 安徽 合 肥 ２ ０ ３ ； ． ３ ０ ２ ２ 安徽大学 现代实验技 术中心 ， 安徽 合 肥 ２ ０ ３ ） ３ ０ ９
光学工程介绍及排名
光学工程光学工程是一门历史悠久而又年轻的学科。
它的发展表征着人类文明的进程。
它的理论基础——光学，作为物理学的主干学科经历了漫长而曲折的发展道路，铸造了几何光学、波动光学、量子光学及非线性光学，揭示了光的产生和传播的规律和与物质相互作用的关系。
简介在早期，主要是基于几何光学和波动光学拓宽人的视觉能力，建立了以望远镜、显微镜、照相机、光谱仪和干涉仪等为典型产品的光学仪器工业。
这些技术和工业至今仍然发挥着重要作用。
本世纪中叶，产生了全息术和以傅里叶光学为基础的光学信息处理的理论和技术。
特别是六十年代初第一台激光器的问世，实现了高亮度和高时一空相干度的光源，使光子不仅成为了信息的相干载体而且成为了能量的有效载体，随着激光技，本和光电子技术的崛起，光学工程已发展为光学为主的，并与信息科学、能源科学、材料科学。
生命科学、空间科学、精密机械与制造、计算机科学及微电子技术等学科紧密交叉和相互渗透的学科。
它包含了许多重要的新兴学科分支，如激光技术、光通信、光存储与记录、光学信息处理、光电显示、全息和三维成像薄膜和集成光学、光电子和光子技术、激光材料处理和加工、弱光与红外热成像技术、光电测量、光纤光学、现代光学和光电子仪器及器件、光学遥感技术以及综合光学工程技术等。
这些分支不仅使光学工程产生了质上的跃变，而且推动建立了一个规模迅速扩大的前所未有的现代光学产业和光电子产业。
发展近些年来，在一些重要的领域，信息载体正在由电磁波段扩展到光波段，从而使现代光学产业的主体集中在光信息获取、传输、处理、记录、存储、显示和传感等的光电信息产业上。
这些产业一般具有数字化、集成化和微结构化等技术特征。
在传统的光学系统经不断地智能化和自动化，从而仍然能够发挥重要作用的同时，对集传感、处理和执行功能于一体的微光学系统的研究和开拓光子在信息科学中作用的研究，将成为今后光学工程学科的重要发展方向。
平板显示技术与器件平板显示是采用平板显示器件辅以逻辑电路来实现显示的。
硼酸盐发光材料的研究进展
硼酸盐发光材料的研究进展黄宏升（安康学院化学化工系，陕西安康725000）摘要：近年来，硼酸盐发光材料研究是一个比较活跃的领域，学者们在此方面进行了大量的研究。
本文对国内外硼酸盐发光材料的总体研究状况进行了简述，并着重从无水硼酸盐及水合硼酸盐两大体系介绍了纳米硼酸盐发光材料的研究现状，同时对硼酸盐发光材料研究的发展方向提出了展望。
关键词：硼酸盐；发光材料；研究进展；发展方向中图分类号：TQ128文献标识码：A 文章编号：1674-0092（2011）03-0092-032011年6月第23卷第3期安康学院学报Journal of Ankang University June.2011Vol.23No.3收稿日期：2011-03-13基金项目：安康学院院级科研项目（2007AKXY018）；安康学院高层次人才科研专项经费项目（AYQDZR 200707）作者简介：黄宏升，男，湖南怀化人，安康学院化学化工系讲师，陕西师范大学化学与材料科学院博士研究生，主要从事无机合成及性质研究。
硼酸盐种类繁多，其中许多硼酸盐具有一些特殊的性能，近来年发现一些硼酸盐具有特殊的发光性能，其在显示、光源、光电子学、医学等不同领域中己得到了一定程度的利用，如一些稀土硼酸盐ＬｎＢＯ３：Ｍ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｙ，Ｓｃ；Ｍ＝Ｅｕ３＋，Ｔｂ３＋等）在真空紫外光（ＶＵＶ）激发下具有较高的发光效率被认为是一类重要ＶＵＶ荧光材料，其中（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕ３＋（ＹＧＢ）已被广泛应用作为ＰＤＰ的红色荧光粉及无汞荧光灯［１］；ＬｉＳｒＢＯ３：Ｍ（Ｍ＝Ｅｕ３＋，Ｓｍ３＋，Ｔｂ３＋，Ｃｅ３＋，Ｄｙ３＋）可作为ＬＥＤ发光材料［２］；ＳｒＢ４０７：Ｅｕ３＋作为一种优良的紫外荧光体，可作为防伪的荧光灯［３］；在医学光线疗法中，ＧｄＢＯ３：Ｐｒ３＋或（Ｌａ，Ｇｄ）Ｂ３Ｏ６：Ｂｉ３＋［４］可以作为医疗灯用荧光粉来治疗皮肤病等等。
但硼酸盐发光材料总体应用不多，就国内而言，三基色荧光粉中，铝酸盐体系占全部产量的９０％以上，其次是磷酸盐体系，再次是硼酸盐体系。
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无汞荧光灯的研究唐效峰石挺指导教师陈育明摘要：现有的荧光灯具有节能高效，显色性好等优点，因而被广泛应用在日常生活中的各个领域。
但荧光灯含有对人体有害的汞，每年数十亿支灯管的产量给环境埋下了巨大隐患。
本文通过采用高频无极放电，对无汞荧光灯的光效及其启动电参数做了测试与分析。
发现在启动特性上，从实验中可以看出，灯管的启动电压与启动频率无关，而启动电流随频率的上升而下降。
在灯工作时，其对频率变化十分敏感，约10%的频率波动即可使其电压与电流下降一半左右。
氦氙灯由于较小的电离损失和双极性扩散损失，光效要较氖氙灯更高。
关键词：无汞荧光灯高频无极放电Abstract: The current fluorescent lamps have the advantages of saving energy and high CRI and are widely being used in various fields of daily life. However, mercury, the poisonous vapor contained in billions of lamps manufactured every year, has brought tremendous potential hazard to our environment. In this paper, we apply rf electrode less discharge and calculate the luminous efficacy. The starting voltage and current were also recorded. It is found that the starting voltage is independent on the operating frequency while the starting current rises with the frequency. While the lamp works under the proper conditions, the lamp is quite sensitive to the change of frequency. Only 10% change of the frequency can result to the drastic drop of voltage and current to 50%. The He-Xe lamp has a higher luminous efficacy than the Ne-Xe lamp due to less ionization loss and ambipolar loss.引言（前言）毫无疑问，无汞荧光灯的研究所带来的最大好处就是对环境的保护。
以目前国内厂商的生产水平来看，每支荧光灯内含汞量大约为3-5毫克，而中国每年荧光灯管的产量高达数十亿支。
最新研究表明，一支打破的荧光灯管所释放出的汞含量就足以污染一百平方米的空间，可以使人类的大脑，肾脏，肝脏和神经系统遭到不可逆的破坏。
因此，含汞产品的生产已经遭到越来越多的各国政府实体的限制，欧盟已经颁布了WEEE指令等一系列条款来减少汞在产品中的应用。
另一方面，无汞荧光灯在电光特性及化学稳定性上都要比一般的含汞荧光灯更胜一筹。
具体表现为以下几点：1.带来灯启动特性的改善，瞬间达到最大光输出。
（微秒数量级）2.一般荧光灯在温度太低时，汞蒸气压太低不足以与氩气产生潘宁效应，造成荧光灯难以启动，而无汞荧光灯则没有这种问题。
3.普通荧光灯中的汞会和灯管中的钠离子形成钠汞合金，附着在荧光粉上，降低荧光粉的发光效率，无汞荧光灯则光衰较小。
许多研究工作者已经提出了新的高效无汞荧光灯的方案。
这些新方案及时地提供了各种可行的含汞荧光灯的替代品：在Hilbig和Hatta的研究基础上，Jinno 也对分子辐射光源做出了探索。
由于Ar的亚稳态能级与N2的C3Πu能级接近，且两者质量接近，所以可以预计Ar的亚稳态能量转移效率较高。
Jinno因此采用9.3Kpa的99.9:0.1的N2+Ar作为工作气体。
工作时，亚稳态Ar将能量给N2并使其辐射出波长范围在300—400nm的近紫外，因此可以较小的斯托克斯位移损失为代价激发荧光粉发光，但由于热辐射耗散功率过大，该方案的荧光灯光效为7lm/w[1]。
Jinno等人还尝试过使用介质阻挡放电原理制作无汞灯[10][11]。
他们的方案为在石英管内充入1.33kPa的7：3的Xe和Ne，在管壁外交替缠绕阴极和阳极，并用30KHz的交流电产生介质阻挡放电，实际样品的功率为8.5w，表面亮度为10000cd/m2，虽然亮度较一般无汞灯高，但要作为实际的LCD显示背光源或复印机光源，其亮度仍与所需要求有一定距离。
A. P. Golovitski对Xe作为汞的替代气体方案做了一系列详细研究。
在放电结构上，他采用高频无极放电，使Xe+Cl2气体在灯管内形成准分子放电，并由此激发XeCl2准分子发出308nm的紫外。
实验显示，在220V的电压下，使用13.56Mhz的高频放电，可以制成光效达40lm/w的无汞荧光灯，但由于氯对管壁的腐蚀作用，该灯的实际寿命并不长，因此对玻璃腐蚀作用较小的Xe+I2或Xe+BR2的方案将被进一步研究[9]。
Xe 由于能产生147nm 紫外，因此也被认为是非常有前途的一种替代气体，D Uhrlandt 研究了以Xe作为工作气体时，各种缓冲气体的组分以及最佳配比和总充气压。
研究发现55Pa的98%氦气+2%氙气，其光效最高。
A.K Shuaibov则在氩氪氙的混合气体中掺入溴气，从而产生170-310nm带宽的紫外辐射并以此激发荧光粉发光[3]。
在本实验中，我们将对两种不同填充气体的无汞荧光灯进行研究，并将它们的相关特性，如光效、启动特性等与普通充汞荧光灯进行比较。
实验所用到的灯管均采用了无电极结构，通过线圈直接绕制的方法以及高频电源，在灯管内感应放电。
1实验装置实验所用到的泡壳如下图所示：图一未绕线前图二绕线后灯长8.5cm，宽7.5cm，两纵柱直径均为2.5cm，横臂直径为2cm。
在灯泡横臂处紧密地绕上线圈，直至线圈电感达约25uH左右。
灯泡内壁涂有三基色荧光粉。
灯泡内的充气有两种方案，分别为充1000Pa的Ne-Xe混合气，Ne:Xe=7:3和充20Pa的He-Xe混合气，He:Xe=98:2。
充氙气的好处是，相比于其他稀有气体，其辐射频率接近253.7nm，斯托克斯位移小，辐射的荧光粉转换效率高。
实验原理图如下：图三实验原理图图四实验装置图三图四是实验装置。
高频信号发生器（NF WF1943A）接功率放大器（NF HSA4101）作为电源电压源。
灯泡线圈与电容的串联构成一个LC谐振电路，线圈两端的电压可用电压探头（Tektronix P5205）测得，线圈中的电流可用电流探头（Tektronix TCP202）测得。
调节电压频率至电路谐振点时，谐振发生，灯泡即被点亮。
将灯泡放入积分球内可测出灯泡的光通量。
调节电压频率以测得不同频率下的光通量以及启动电压。
借此可以分析得到光通量及启动电压对应于频率的曲线关系，以确定最佳的工作频率。
2.实验结果与分析：图五、图六所示为不同填充成分的灯管的启动电压、启动电流随频率的变化关系。
这里需要说明的是，本文所提到的启动电压和启动电流与普通有电极结构的光源的启动电压和启动电流的意义略有不同。
对于普通光源来讲，如果灯管两端电压不够高，那么灯就不会点亮，电路中也不会有电流。
因此，对于普通光源来讲，启动电压和电流对应了灯管启动瞬间的情况。
在灯启动的瞬间，回路中有了电流，那么此时灯两端的电压就是启动电压，而这个电流也就是启动电流。
本实验中的情况有所不同。
由于灯管线圈和电容构成了一个LC谐振回路，所以，即使灯管没有击穿，回路中也会有电流，电压探头也会测得电压。
当调节信号源的频率时，回路中的感抗和容抗会发生变化。
在接近LC谐振频率时，灯管线圈两端电压会急剧增大，电流急剧升高；此时，灯管有可能击穿。
那么，在击穿的瞬间，电压探头测得的电压并非传统意义上的启动电压。
然而，这一电压仍能反映灯管击穿的难易程度。
同理，击穿瞬间测得的电流也并非传统意义上的启动电流，不过，它也能反映灯管启动的难易程度。
在电路谐振点附近，改变加在线圈上的电压频率，用电压传感器（Tektronix P5205）测线圈两端的电压，用电流传感器（Tektronix TCP202）测线圈中的电流，可得到启动电压和电流与频率的关系。
2.1启动特性从图五中我们可以看出，填充了1000Pa稀有气体的泡壳启动电压最高，超过了1300V；而填充了20Pa稀有气体的泡壳的启动电压在600V ~ 700V之间。
这一现象说明现有灯管的启动特性位于帕邢曲线的右侧，即气压越高启动电压越高，气压越低启动电压越低。
另外，我们还可以发现，灯管的启动电压并未随频率变化而出现大幅变化。
从图六中我们可以看出，充气压力高的灯管的启动电流高。
同样充He-Xe的泡壳，含有汞的泡壳的启动电流略高。
另外，灯管的启动电流表现出了明显的随频率变化的趋势。
频率高的时候启动电流小，频率低的时候启动电流大。
从图五、六中还能看出，充He-Xe混合气20Pa及充He-Xe混合气20Pa外加汞齐的两个灯泡，其启动电压及电流随频率变化曲线基本重合，故充汞与否对启动电压及电流的影响不大。
启动电压与电流随频率变化的曲线关系可以由如下解释：令V c为线圈上的电压，V2为灯泡内的感应电动势，则有V c= V2·N/√k，其中N为线圈匝数，k是线圈与激发产生的等离子体之间的耦合系数。
令灯泡启动所需的场强为E st，则有E st= V2/L=V c·√k/（N·L）,L为等离子体的长度。
因为灯泡启动所需的场强、等离子体的长度和耦合系数均不随频率变化，故启动电压V c不随频率变化。
实验中所用的频率f是兆赫兹级的，电感量为25uH左右，又有ω=2·pi·f,那么ω·L就几百欧左右，远大于线圈电阻，故电阻可忽略。
随着频率增加，感抗增加，因启动电压V st不变，则根据公式V st=Z c·I st≈ω·L·I st[4]，Ist将减小。
这个结论也与实验结果相符。
2.2 工作点参数2.2.1匹配网络频率改变电路匹配网络的频率会对灯的管压及电流产生较大的影响，对在LC串联谐振电路中，电容值为136pF，灯上缠绕线圈的电感值为26.4uH, 由公式 2LC=1, 可知其谐振频率在2.6M附近，分别在电路中接上氦氙灯与氖氙灯，测试其在谐振点频率附近电光参数随频率的变化关系。