cmos实验报告
系统cmos参数设置-实验报告
计算机科学与技术系
实验报告
课程名称：计算机组装与维护实训实验名称：系统cmos参数设置
姓名：王欢学号************ 日期：10.23-24 地点：十二机房
成绩：教师：张毓福
一、实验目的
掌握cmos参数设置。
二、实验内容
1．电脑开机时根据提示按键进入BIOS设置界面
2．根据课本和资料了解BIOS功能
3．查看cmos参数，掌握修改cmos基本参数，来对时间、日期、等修改，查看硬盘、内存配置情况，设置密码等。
三、实验原理
Cmos参数设置的作用及功能、BIOS功能
四、实验设备
一台运行正常的计算机
五、实验过程及分析
1．根据开机提示进入BIOS设置界面
2．掌握BIOS设置的功能
3．实际操作设置cmos参数，调整时间、日期、设置密码等
4. 了解装系统时设置的启动顺序
六、实验小结
在本次实验中，我通过对计算机的cmos参数设置，知道了怎样修改计算机的时间、日期、设置密码等，怎样更改计算机启动顺序，如何查看计算机硬盘、内存的配置。
实验三CMOS基本设置及硬盘分区
©人民邮电出版社 2010.4 普通高等教育“十一五”国家级规划教材 2020/2/29 第3页
实验三 CMOS基本设置及硬盘分区
分区大小的合理分配。
©人民邮电出版社 2010.4 普通高等教育“十一五”国家级规划教材 2020/2/29 第5页
实验三 CMOS基本设置及硬盘分区
七、实验报告要求 1．写出实验中遇到的问题； 2．写出详细的实验步骤以及实验的心得体会。
©人民邮电出版社 2010.4 普通高等教育“十一五”国家级规划教材 2020/2/29 第6页
©人民邮电出版社 2010.4 普通高等教育“十一五”国家级规划教材 2020/2/29 第1页
实验三 CMOS基本设置及硬盘分区
四、教学方法 演示与讲授相结合、学生自己动手操作
五、实验内容与实验步骤 （一）CMOS基本设置
目前常见的BIOS分为三类：Phoenix BIOS、Award BIOS和AMI BIOS。
实验三 CMOS基本设置及硬盘分区
一、实验题目 实验三 CMOS基本设置及硬盘分区
二、实验目的 1．掌握AMI、Award等常见的BIOS设置方法 2. 掌握如何清除CMOS的方法 3．掌握如何对硬盘分区，学会用PQmagic软件进行 分区和系统安装光盘分区两种方法，并了解其它工具。
三、实验环境和设备 1．组装与维护实验室 2．酷睿 E5200微机8台、Pentium Dual E2200 46台
实验三 CMOS基本设置及硬盘分区
打开机箱后，在主板上找到清除CMOS内容的跳线 (参考主板的说明书)，将其短接三五秒后再开机， CMOS内容会清除为出厂时的设置， 注意不要将短路用的跳线一直插在上面，这样您会无 法设置BIOS。 六、实验注意事项 1．按要求进行对BIOS进行常规设置； 2．对于已分区硬盘先删除分区，再分区格式化。 3．注意主分区、扩展分OS基本设置及硬盘分区
系统cmos参数设置-实验报告
计算机科学与技术系实验报告课程名称：计算机组装与维护实训实验名称：系统cmos参数设置姓名：曹蓉学号：124077031002 日期： 20141113 地点： 13机房成绩：教师：张毓福一、实验目的熟悉系统cmos参数设置。
二、实验内容1．启动BIOS设置程序2．了解系统BIOS设置的主要功能3．常用CMOS系统参数的设置了解并修改本机器系统CMOS的基本配置情况。
查看并修改系统日期、时间、硬盘、光驱、内存等硬件配置情况，并设置密码修改机器的启动顺序三、实验原理BIOS是英文"Basic Input Output System"的缩略语，直译过来后中文名称就是"基本输入输出系统"。
其实，它是一组固化到计算机内主板上一个ROM芯片上的程序，它保存着计算机最重要的基本输入输出的程序、系统设置信息、开机后自检程序和系统自启动程序。
其主要功能是为计算机提供最底层的、最直接的硬件设置和控制。
CMOS（本意是指互补金属氧化物半导体——一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料）是微机主板上的一块可读写的RAM芯片，用来保存当前系统的硬件配置和用户对某些参数的设定。
CMOS可由主板的电池供电，即使系统掉电，信息也不会丢失。
CMOS RAM本身只是一块存储器，只有数据保存功能，而对CMOS中各项参数的设定要通过专门的程序。
四、实验设备已经组装好的计算机五、实验过程及分析1 标准CMOS设置（Standard CMOS Features）标准设置中是最基本的设置，比如日期、时间等等，2、高级BIOS特性设置（Advanced BIOS Features），其中有病毒报警开关 Virus Warning，预设置 Disabled 关闭，建议值 Enabled 打开，当试图改变系统时报警。
还有第一优先开机设备，可以更改其为u盘或是光驱来安装操作系统。
还有安全选项，设定什么情况下输入密码Security Option，预设置 Disabled，建议值 Disabled，Always每次开机均必须输入密码，否则无法开机,Setup如果要进入BIOS才需输入密码，可避免微机的设置被人乱改Disabled不设置密码，输入密码时严格区分大小写字母，如果不慎遗忘密码，可使用万能密钥AMI 芯片组使用AMI旧 Award 芯片组使用 Award，新Award 芯片组使用 Syxz。
推荐-CMOS模拟集成电路设计导论实验报告 精品
CMOS模拟集成电路设计导论实验报告PB05203094 2系赵占祥一．实验题目请设计一个运放，参数要求为：增益：60-80dB0dB带宽：200Mhz相位裕度：60负载：1p功耗：15mw二．实验目的学习使用Cadence电路设计工具Virtuoso，从电路图的绘制及仿真，到版图绘制及仿真、验证。
三．实验步骤1.原理我先设计了一个标准两级运放，电路图为该运放包括三部分：a)差分输入增益级包括差分输入对管NM0，NM1和有源电流镜负载PM1，PM4。
差分结构对环境噪声有很强的抗干扰能力，另外增大了可得到的的最大输出电压摆幅。
还有其他一些优势。
使用电流镜做有缘负载有三个好处：1）在相对的、比较小的面积中，有缘负载可以得到比较大的输出阻抗。
2）电流镜将差分输入信号转换为单端输出信号。
3）有助于共模抑制比CMRR的提高。
b)源跟随器为PM3和NM4。
从NM0漏极输出的信号输入到这一级，并通过PM3放大，NM4是PM3的有源器件负载。
源跟随器有较大的输入阻抗，可以显著提高第一级放大的增益，减小信号电平损失，起到电压缓冲器的作用。
c)偏置电路包括PM2，PM0，NM2，NM3。
几个管子构成了几何比例电流源，通过其宽长比来得到合适的电流值。
NM3漏极电流为差分对提供电流源。
电容C0是为了保证电路有足够的相位裕度，保证闭环负反馈系统的稳定而采用的密勒补偿结构。
2.仿真过程1）设计并绘制电路图和测试电路图在Virtuoso Schematic Editing中绘制电路图如下（先未加电容）：测试电路如下，进行直流和交流仿真，交流仿真参数设置，从1Hz到500MHz：仿真结果，带宽为322MHz，增益60.92dB，但相位裕度是负的为提高相位裕度，需要使单位增益点向原点靠近，使用密勒电容达到此目的，如下图。
电容初值606fF仿真结果如下图，带宽只有45M，相位裕度0度再改变电容值，减小密勒电容，以增大带宽带宽变为159MHz，相位裕度33度，如下图。
数字电路实验报告2. CMOS门电路测试
CMOS 门电路测试1.实验目的➢熟悉CMOS 门电路功能测试的方法；➢学会CMOS 门电路外特性的测试方法；➢比较CMOS 门和TTL 门的特点。
2.预习要求➢复习门电路工作原理及相应逻辑表达式；➢阅读本实验所用各门电路IC 的数据手册；➢熟悉所用集成电路的引线位置及各引线用途；➢了解CMOS 门与TTL 门电路的差异。
3.实验器材4.实验内容4.1CMOS 芯片CD4001 功能测试CMOS 集成电路 4000 系列芯片具有较宽的电源电压使用范围，在+3～+18V 都可以使用。
CMOS 门电路的逻辑高、低电平取值和 TTL 门电路略有不同，通常高电平为V DD ，低电平为 0V，本实验电源电压VDD=+5V 。
按照表 1.1 在输入端加不同的输入逻辑电平，用电压表测试相应的输出值，完成下列真值表。
注意：CMOS 门电路的多余输入端不允许悬空。
图 1.1 CD4001表 1.1 CD4001 逻辑功能测试输入输出1 2 5 6 8 9 12 13 3 4 10 11 0 0 0 1 1 0 1 1 1 0 0 00 1 1 1 1 1 1 1 0 / / /1 0 0 0 0 0 0 0 0 / / / 1 1 1 1 1 1 1 1 0 / / /4.2CMOS 门电路CD4001 电压传输特性测试按图1.2所示接线，先令VDD =+10V ，调节电位器Rp的阻值，使VI在0～VDD变化，测量VO 随VI变化的特性曲线。
XMM1图 1.2 CD4001 电压传输特性测试Rp50% VDD1A 1Y1B2A 2Y2B3A 3Y3B4A 4Y4BVSS5.1kΩ1274LS00VI3123123123123CD4001记录实验数据，画出电压传输特性曲线VO =f (VI) ，改变VDD的值，使其分别为+5V ，+15V ，重复上述实验，并在同一坐标中画出不同电源电压下的传输特性曲线。
4.3CD4001平均传输时间TPD的测量按图1.3所示接线，图中VDD =+5V ，CP输入连续脉冲，观察VI与CP的异同，用双踪示波器观察并记录VI ，VO的波形，测出CD4001芯片的TPD值36ns 。
CMOS反向器版图设计实验报告
上海电力学院VLSI原理和设计报告题目：CMOS反向器的版图设计院系：电子与信息工程学院专业：电子科学与技术年级：姓名：学号：指导老师：刘伟景一、实验目的1、熟悉virtuoso editing、LSW设计窗口及操作2、熟练掌握设计快捷键的操作3、培养CMOS数字集成电路设计中减小芯片面积的设计技巧和方法的能力4、认识版图数据文件二、实验设备硬件环境：英特尔I5 PC机、SUN BLADE工作站软件环境：solaris操作系统、Cadence集成电路设计软件三、实验内容实验一UNIX上机实验（１）实验内容及步骤：1．在主目录/home/student/stu231 或/home/student/stu231创建自己的子目录(姓名全拼)。
注意：以后的新建文件和目录全部都在子目录中进行。
2．对根目录进行详细列表并将结果存入自己的子目录下新文件lsl.log中，并用cat命令显示该文件内容，再用file命令查看该文件类型。
3.用cat命令将自己建立的lsl.log文件扩展3次形成一个新文件ls2.log，并用more命令显示该文件内容，统计该文件的行数，并将此信息追加到文件末尾。
4.对自己的子目录打包后压缩，查看形成的新文件信息后，在进行解压和解包。
5.为自己创建一个新的目录new，将自己原目录下的文件拷贝到新目录new中。
6.删除新目录及其下的所有文件。
7.用定向的方法把who命令形成的结果保存到文件who.log中，并查看该文件内容。
8.用chmod命令修改文件who.log的可执行权限使其成为可执行文件，并运行该文件查看结果。
9.进入VI编辑器再次修改文件who.log的内容，其内容为对目录的详细列表，并使改变who.log的可执行权限，使得其权限形式为“r w x r- x r - -”。
并执行之。
实验二：UNIX上机实习（续）10．进入VI编辑器修改lsl.log文件内容，利用全局替换命令将“root”修改为“stu”。
CMOS数字集成电路设计_八位加法器实验报告
CMOS数字集成电路设计课程设计报告学院：******专业：******班级：******姓名：Wang Ke qin指导老师：******学号：******日期：2012-5-30目录一、设计要求..............................................错误!未定义书签。
二、设计思路..............................................错误!未定义书签。
三、电路设计与验证........................................错误!未定义书签。
(一) 1位全加器的电路设计与验证........................错误!未定义书签。
1) 原理图设计......................................错误!未定义书签。
2) 生成符号图......................................错误!未定义书签。
3) 建立测试激励源..................................错误!未定义书签。
4) 测试电路........................................错误!未定义书签。
5) 波形仿真........................................错误!未定义书签。
(二) 4位全加器的电路设计与验证........................错误!未定义书签。
1) 原理图设计......................................错误!未定义书签。
2) 生成符号图......................................错误!未定义书签。
3) 建立测试激励源..................................错误!未定义书签。
模拟coms实验报告
模拟cmos集成电路课程实验报告反相器原理图设计专业班级姓名指导老师报告时间一．实验目的1 学会创建模型库和单元视图2 了解schematic 设计环境3 学会如何画反相器原理图二．实验内容和步骤1 调用 candence 软件运行虚拟机直接点击三角形运行的图标然后输入icfb命令调用 candence软件，此时会弹出CIW窗口2 创建工作路径库与单元视图进入candence后点击CIW窗口的 file—new—library，此时弹出对话窗口如图Name栏输入库文件名mylib（可以自定义），右侧 Technology File栏选择第二个。
点击OK弹出窗口如3-3，这时让你选择工艺库的我们选择 sto2 这个工艺库点击OK弹出窗口中在library中可以看到我们自己建的模型库 mylib3 画原理图⑴画原理图之前先了解以下几个快捷键i----插入元器件w----连线p----插入输入输出引脚q----查看器件属性f----调节合适的窗口c----复制u----撤销m----移动器件del----删除⑵添加元件n管p管的添加在Schematic Editing窗口中按下快捷键 i 点击Browse弹出Library Browse 窗口然后按图击个个选项然后点击Close，此时又弹出对 p管属性设置的窗口如图，这里 Total Width 设为1.4uM其它不变。
点击Hide此时鼠标箭头上就有了p管的symbol， n管的插入和p管类似，只需把n管的Length改为550Nm⑶添加vdd和gnd按下i点击Browse 弹出Library Browse窗口然后按图点击个个选项然后点击Close，在弹出的窗口点击Hide此时鼠标箭头上就有了 vdd的 symbol， gnd 的插入和 vdd类似。
⑷添加输入输出引脚按下p弹出窗口，在Pin Names 栏填 in，Direction栏选择input点击Hide 此时鼠标箭头上就有了输入的symbol，输出的添加和此类似只需把Direction 栏选择output，到此所有元件添加完成。
基于CMOS传输门和CMOS非门设计边沿D触发器实验报告..
数字电子技术研讨报告实验题目：基于CMOS传输门和CMOS非门设计边沿D触发器THE D FLIP-FLOP BASED ON THE CMOS TRANSMISSION DOORAND CMOS GATE学院：电子信息工程学院专业：学生姓名：学号：任课教师：侯建军2013 年12 月 3 日绪论一、概述------------------------------------------------------------31.触发器简介--------------------------------------------------32.D触发器-----------------------------------------------------43.CMOS边沿D触发器------------------------------------5二、设计目的及要求---------------------------------------------61.设计目的-----------------------------------------------------62.设计任务及要求--------------------------------------------6三、设计电路------------------------------------------------------61.电路结构设计-----------------------------------------------72.电路工作原理-----------------------------------------------83.特征方程、表、图-----------------------------------------84.脉冲设计-----------------------------------------------------95.异步置位、复位设计---------------------------------------11四、总结与感想---------------------------------------------------12 参考文献-------------------------------------------------------------13 致谢附录本文主要研究了用CMOS传输门和CMOS非门设计边沿D触发器。
合肥工业大学 模拟CMOS课设实验报告
实验9 全差分运算放大器设计实验报告一、设计指标基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺设计一个双端输入双端输出的运算放大器：电源电压 5V直流增益 >60dB负载电容 200fF单位增益带宽 >80MHZ输出共模电平 2.5V差分输出摆幅 >±2V差分压摆率>100V/μs二、设计思路（初始参数计算过程）2.1 放大器结构的选取以及直流增益考虑到直流增益的要求只有60dB（1000倍），而且输出摆幅的要求也并不高，出于节省功耗以及运放稳定性方面的考虑，我们可以选择单级的套筒式运算放大器结构，并且采用NMOS管作为输入管，其相对PMOS输入管有跨导更高的优势，有利于提升增益。
结构如图1所示。
值得注意的是，运放有两个尾电流晶体管，其中一个栅极接偏置电压Vbias，另一个栅极被共模反馈（CMFB）的输出所控制，用来稳定输出共模电压。
增益Av的表达式为：Av=gm1Rout=gm1[(gm3ro3ro1)||(gm7ro7r05)]2.2 单位带宽及摆率由于本文设计的是单级运放，主极点在输出端，次极点由晶体管寄生电容产生，电容值很小，因此在我们所关心的频带内，此运放是绝对稳定的，理论上相位变化不会超过90°。
对于这种单极点系统，单位增益带宽（UGB）由低频增益和输出极点的成绩决定：UGB=gm1Rout∙1CLRout=gm1CL代入UGB和CL指标我们可以得到输入对管跨导为：gm1=UGB∙CL=80×106×2π×200×10-15=100μs按照设计要求，摆率SR＞100V/μs，所谓摆率，是指电路对负载电容的最大驱动能力。
在本文设计的单级运放中，摆率是M9和M10构成的尾电流对负载CL 充电快慢的大小，即SR=(ID9+ID10)/CL＞100V/μs从上式可知：ID9+ID10＞20μA，为了留有一定的余量可以取30μA的尾电流大小。
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模拟集成电路设计实验报告 学院： 班级： 学号： 姓名： 班内序号： 精品文档交流 2
实验一:共源级放大器性能分析 一、实验目的 1、掌握synopsys软件启动和电路原理图（schematic）设计输入方法； 2、掌握使用synopsys电路仿真软件custom designer对原理图进行电路特性仿真； 3、输入共源级放大器电路并对其进行DC、AC分析，绘制曲线； 4、深入理解共源级放大器的工作原理以及mos管参数的改变对放大器性能的影响
二、实验要求 1、启动synopsys，建立库及Cellview文件。 2、输入共源级放大器电路图。 3、设置仿真环境。 4、仿真并查看仿真结果，绘制曲线。
三、实验结果 1、电路图
2、幅度和相位曲线 精品文档交流 3 3、部分参数
四、实验结果分析 器件参数： NMOS管的宽长比为10，栅源之间所接电容1pF，Rd=10K。 实验结果： 由仿真结果有：gm=173u，Rd=10k，所以增益Av=173*10/1000=1.73=4.76dB
实验二:差分放大器设计
一、实验目的 1.掌握差分放大器的设计方法； 2.掌握差分放大器的调试与性能指标的测试方法。 精品文档交流 4
二、实验要求 1.确定放大电路； 2.确定静态工作点Q； 3.确定电路其他参数。 4.电压放大倍数大于20dB，尽量增大GBW，设计差分放大器； 5.对所设计电路调试； 6.对电路性能指标进行测试仿真，并对测量结果进行验算和误差分析。
三、实验原理
平衡态下的小信号差动电压增益AV为： 四、实验结果 R W/L 20 25 30 35 40 10K 18(1.28G) 18.6(769M) 19(646M) 19.3(711M) 19.5(640M) 20K 23.7(624M) 24.2(502M) 24.6(415M) 24.9(354M) 25.1(314M) 30K 26.5 26.9 27.2 27.5 27.7
改变W/L和栅极电阻，可以看到，R一定时，随着W/L增加，增益增加，W/L一定时，随着R的增加，增益也增加。但从仿真特性曲线我们可以知道，这会限制带宽的特性，W/L增大时，带宽会下降。为保证带宽， 选取W/L=25，R=20K的情况下的数值，保证了带宽约 精品文档交流 5
为500MHZ，可以符合系统的功能特性，实验结果见下图。 1. 电路图
2. 幅频特性曲线 精品文档交流 6
该图增益为26.9Db,采用W/L为25，R取30k，带宽约为300M 五、思考题 根据计算公式，为什么不能直接增大R实现放大倍数的增大？ 答：若直接增加Rd，则Vd会增加，增加过程中会限制最大电压摆幅；如果VDD—Vd=Vin—VTH，那MOS管处于线性区的边缘，此时仅允许非常小的输出电压摆幅。即电路不工作。此外，RD增大还会导致输出结点的时间常数更大。
实验三：电流源负载差分放大器设计
一、实验目的 1.掌握电流源负载差分放大器的设计方法； 2.掌握差分放大器的调试与性能指标的测试方法。
二、实验要求 1.设计差分放大器，电压放大倍数大于30dB； 2.对所涉及的电路进行设计、调试； 3.对电路性能指标进行测试仿真，并对测量结果进行验算和误差分析。
三、实验原理
电流镜负载的差分对 传统运算放大器的输入级一般都采用电流镜负载的差分对。如上图所示。NMOS器件M1和M2作为差分对管，P沟道器件M4，M5组成电流源负载。电流0I 提供差分放大器的 精品文档交流 7
工作电流。如果M4和M5相匹配，那么M1电流的大小就决定了M4电流的大小。这个电流将镜像到M5。 如果VGS1=VGS2，则Ml和M2的电流相同。这样由M5通过M2的电流将等于是IOUT为零时M2所需要的电流。如果VGS1>VGS2，由于I0=ID1+ID2，ID1相对ID2要增加。ID1的增加意味着ID4和ID5也增大。但是，当VGS1变的比VGS2大时，ID2应小。因此要使电路平衡，IOUT必须为正。输出电流IOUT等于差分对管的差值，其最大值为I0。这样就使差分放大器的差分输出信号转换成单端输出信号。反之如果VGS1假设M1和M2差分对总工作在饱和状态，则可推导出其大信号特性。描述大信号性能的相应关系如下：
式(7-1)中，VID表示差分输入电压。 上面假设了M1 和M2 相匹配。将式(7-1)代入(7-2)中得到一个二次方程，可得出解。
上图是归一化的M1 的漏电流与归一化差分输入电压的关系曲线，也即是CMOS差分放大器的大信号转移特性曲线。
该放大器的小信号特性参数等效跨导
从图2可以看出，在平衡条件下，M2和M5的输出电阻分别为：
于是该放大器的电压增益为：
精品文档交流 8
四、实验结果 W/L(P)W/L(N) 50 60 70 80 60 29.6 30.09 30.51 30.89 70 29.8 30.32 30.82 31.25 80 29.8(328M) 30.38(261M) 30.91(347M) 31.38(351M)
选择nmos(w/L)=80,pmos(w/L)=70数据作为结果： 由结果曲线可知，此放大器的使用频率范围需要严格控制，当f增大到一定值时，增益下降速率很快。
1. 电路图
2. 幅频特性曲线 精品文档交流 9
增益为-8.62-（-40）=31.38dB 五、实验分析 本次实验是在实验二的基础上进行修改调试的，电压增益为33.3dB，电压的理论增益公式为 ：
电源电压的设计需要合适的范围，既不能太小，也不能太大。过小会使得场效应管不能进入到饱和区，过大会使得此放大器的输出摆幅过小，我们的电路设计中选择电源电压为3V，可以满足实验要求。
实验五：共源共栅电流镜设计
一、实验目的 熟悉软件的使用，了解Cadence软件的设计过程。掌握电流镜的相关知识和技术，设计集成电路实现所给 要求。 精品文档交流 10
二、实验要求 低输出电压高输出电阻的电流镜设计 包括基本共源共栅电流镜设计和低压共源共栅电流镜设计 1. 电流比1：1 2. 输出电压最小值0.5v 3. 输出电流变化范围5-100uA
三、实验内容
其中：每个MOSFET的衬底都接地，(W/L)1=(W/L)2; (W/L)3=(W/L)4. 通过大信号直流工作点分析和小信号等效电路分析（对不起，这部分分析是电路设计的基础，希望大家看相关的资料，这里就不详细展开了。），可以知道该电路的特点如下： 1.小信号输入电阻低（～1/gm1）
2.输入端工作电压低 3.小信号输出电阻高
4.输出端最小工作电压低 1、设计变量初始估算 精品文档交流 11
确定(W/L)1、（W/L）2 为了计算设计变量，我们有必要了解电路MOSFET的工作状态，为了使输出端最小工作电压小于0.5V, 令：MN3管工作于临界饱和区（即：VOUTMIN=VG3-VT3=0.5V），而MN1、MN2管随着输入电流Iin从5UA变到100UA的过程中先工作在过饱和区最终工作在临界饱和区，同时令：当MN1、MN2工作在临界饱和区时VDS1=VDS2=VOUTMIN/2=0.5V。为了使MN1、MN2工作在饱和区，则必须：(以MN2为例计算)
为了后面HSPICE仿真时能够深刻地体会到调整W/L的必要性,这里取：(W/L)1=(W/L)2=27。 确定(W/L)3、（W/L）4 从MN3管3GSV的角度来考虑问题，当Iin＝100UA时，为了使MN2管工作在临界饱和区，3GSV的电压降不可以过大，即：
为了后面HSPICE仿真时能够深刻地体会到调整W/L的必要性,这里就取：(W/L)3=(W/L)4=27。 确定(W/L)B 为了节省面积，和设计的方便，取(W/L)B=1 确定IB 在确定IB前要先计算3TV,根据衬偏效应可以得到：
因为MN3工作在临界饱和区，所以 VG3=VD3+VT3
又MNB管工作于MOS二极管状态: 精品文档交流 12
确定沟道长度L 取L=3μM 验证直流工作点 1. MNB：二极管连接确保它工作于饱和区。 2. MN3：工作于临界饱和工作区。 3. MN1、MN2：当IIN=100它们工作于临界饱和区；当IIN减小时，VGS1、2减小且VDS1、2增大，使它们工作在过饱和区。 4. MN4：要使MN4管工作于饱和区，则：
而VT1=0.6431V,VOUTMIN=0.5V,显然上式成立。即MN4工作于饱和区。 16
四、实验结果 1.原理图 精品文档交流 13
3. 实验结果（参数验证）
实验六：两级运算放大器设计 一、实验目的 熟悉软件的使用，了解synopsys软件的设计过程。掌握电流镜的相关知识和技术，设计集成电路实现所给要求。
二、实验要求 单级放大器输出对管产生的小信号电流直接流过输出电阻，因此单级电路的增益被抑制在输出对管的跨导与输出阻抗的乘积。在单级放大器中，增益是与输出摆幅相矛盾的。要想得到大的增益我们可以采用共源共栅结果来极大的提高出阻抗的值，但是共源共栅中堆叠的MOS管不可避免的减少了输入电压的范围。因为多一层管子至少增加一个对管子的过驱动电压。这样在共源共栅结构的增益与输出电压矛盾。为了缓解这种矛盾引入两级运放，在两级运放中将这两个点在不同级实现。如本设计中的两级运放，大的增益靠第一级与第二级级联而组成，而大的输出电压范围靠第二级的共源放大器来获得。 设计一个COMS两级放大电路，满足以下指标：