模拟电子技术基础 第26讲 信号的转换
《电子技术基础》课程教案
《电子技术基础》课程教案一、课程概述1. 课程定位：《电子技术基础》是工科电类相关专业的一门核心专业基础课程，旨在培养学生掌握电子技术的基本理论、基本知识和基本技能。
2. 课程目标：通过本课程的学习，使学生了解电子技术的基本概念、基本原理，掌握基本电子元件的工作原理及应用，具备分析和解决电子技术问题的能力。
二、教学内容1. 第一章：电子技术概述教学内容：电子技术的定义、发展历程、应用领域及发展趋势。
2. 第二章：常用电子元件教学内容：电阻、电容、电感、二极管、三极管等基本电子元件的原理、特性及应用。
3. 第三章：基本电路分析教学内容：电路的基本概念、基本定律，直流电路、交流电路和模拟电路的分析方法。
4. 第四章：放大电路教学内容：放大器的基本原理、分类及应用，常见放大电路的设计与分析。
5. 第五章：数字电路基础教学内容：数字电路的基本概念、数字逻辑运算、逻辑门电路、组合逻辑电路和时序逻辑电路。
三、教学方法1. 讲授法：通过讲解、案例分析等方式，使学生掌握电子技术的基本概念、原理和方法。
2. 实践法：安排实验课程，让学生动手操作，加深对理论知识的理解和应用。
3. 讨论法：组织学生进行小组讨论，培养学生的团队合作能力和解决问题的能力。
四、教学评价1. 平时成绩：包括课堂表现、作业完成情况、实验报告等，占总评的40%。
2. 期末考试：包括理论考试和实际操作考试，占总评的60%。
五、教学资源1. 教材：《电子技术基础》教材及相关辅导资料。
2. 实验设备：电子实验台、示波器、信号发生器、万用表等。
3. 网络资源：电子技术相关网站、论坛、教学视频等。
六、第四章：放大电路1. 教学内容：本章主要介绍放大器的基本原理、分类及应用，包括常见放大电路的设计与分析。
具体内容包括：放大器的静态工作点与动态工作点调整放大器的类型：共射放大器、共基放大器、共集放大器放大器的频率特性放大器的级联与多级放大器设计放大器的实用电路设计实例2. 教学方法：结合理论知识讲解放大电路的原理与设计方法。
模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)
绪论一.符号约定•大写字母、大写下标表示直流量。
如：V CE、I C等。
•小写字母、大写下标表示总量〔含交、直流〕。
如：v CE、i B等。
•小写字母、小写下标表示纯交流量。
如：v ce、i b等。
•上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。
如：等。
二．信号〔1〕模型的转换〔2〕分类〔3〕频谱二.放大电路〔1〕模型〔2〕增益如何确定电路的输出电阻r o？三．频率响应以及带宽第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
电子技术基础模拟部分(第五版)康华光课后解答
医疗设备中广泛应用模拟电子技术，如心电图机 、超声诊断仪等，用于生物信号的放大、处理和 记录。
工业控制领域
模拟电子技术用于传感器信号的放大和处理，以 及执行器的驱动和控制，实现工业过程的自动化 和智能化。
THANKS
感谢观看
晶体管时代
晶体管的发明取代了真空 管，使得电子设备更加小 型化、高效化。
集成电路时代
集成电路的出现进一步推 动了电子技术的发展，实 现了电路的高度集成和微 型化。
模拟电子技术基本概念
信号与系统
介绍信号的概念、分类以及系统 的基本性质。
放大电路基础
阐述放大电路的基本原理、性能指 标和分析方法。
反馈放大电路
负反馈对放大电路性能影响分析
提高放大倍数稳定性
负反馈能够减小放大电路的开环放大倍数，从而减小环境温度、电源 电压等因素对放大倍数的影响，提高放大倍数的稳定性。
改善输入输出电阻
负反馈能够减小放大电路的输入电阻，增大输出电阻，从而改善电路 的输入输出特性。
减小非线性失真
负反馈能够减小放大电路的非线性失真，提高电路的动态范围。
VS
设计实例
以LC振荡器为例，其设计步骤包括选择 合适的放大器和正反馈网络、确定振荡频 率和振幅、计算元件参数并进行仿真验证 等。在设计过程中需要考虑电路的稳定性 、失真度、频率响应等性能指标，并采取 相应的措施进行优化和改进。
06
直流稳压电源与波形发生电路
直流稳压电源组成及工作原理
整流电路
将交流电转换为脉动直流电。
在显示器上呈现清晰的图像。
视频信号处理
02
通过模拟电路对视频信号进行亮度、对比度、色彩等调整，优
化图像质量。
2024年度模拟电子技术基础教学设计(超全面)(精华版)
2024/3/24
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实验考核方式与标准
实验报告
学生需提交完整的实验报告， 包括实验目的、原理、步骤、 数据记录、结果分析和结论等
。
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课堂表现
考察学生在实验过程中的态度 、操作规范、团队协作等方面 的表现。
实验成果展示
鼓励学生将实验成果进行展示 和交流，以便互相学习和提高 。
综合评价
模拟电子技术基础教 学设计(超全面)(精
华版)
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目录
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• 课程介绍与教学目标 • 模拟电子技术基础知识 • 模拟电子技术应用实例分析 • 实验教学内容与方法 • 课程设计环节指导 • 考核方式及成绩评定方法
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01 课程介绍与教学目标
2024/3/24
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课程背景及意义
2024/3/24
01
电子技术是现代信息技术的基础，模拟电子技术是电子 技术的重要组成部分。
02
模拟电子技术广泛应用于通信、计算机、自动控制等领 域，是现代电子设备和系统的基础。
03
掌握模拟电子技术对于电子类专业学生来说是必备的基 本技能，也是后续专业课程学习的基础。
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教学目标与要求
掌握模拟电子技术的基本概 念、基本原理和基本分析方 法。
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02
共射放大电路
详细分析共射放大电路的工作原理、静态工作点的设置 、动态性能指标的计算，以及失真和频率响应等特性。
03
共集放大电路和共基放大电路
介绍共集放大电路和共基放大电路的工作原理、特点和 应用，以及三种基本放大电路的比较。
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反馈放大电路原理
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模拟电子技术基础(童诗白 华成英)课后答案第3章
第三章 多级放大电路自 测 题一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( )它只能放大交流信号。
( )（3）直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( )它只能放大直流信号。
( )（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( ) （5）互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解：（1）× （2）√ √ （3）√ × （4）× （5）√二、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui &&&=，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B （5）C ，B三、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 （2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是 。
2024版模拟电子技术教案完整版
04
噪声来源
包括热噪声、散粒噪声、闪烁 噪声和外界干扰等。
噪声对信号的影响
导致信号失真、降低信噪比、 限制通信距离等。
抑制措施
采用低噪声器件、合理设计电 路布局、使用屏蔽和接地技术、
加入滤波器等。
提高信噪比的方法
增加信号幅度、降低噪声幅度、 采用差分放大电路等。
05
功率放大与电源管理技术
功率放大电路类型及特点
甲类功率放大电路
静态工作点设置在交流负载线的 中点，导通角为360°，输出波形
无失真，但效率低、功耗大。
乙类功率放大电路
静态工作点设置在截止区，导通 角小于180°，存在交越失真，但 效率较高。
甲乙类功率放大电路
静态工作点设置在甲类和乙类之 间，导通角大于180°但小于360°， 兼顾了效率和失真。
LED照明产品采用高效能LED驱动芯片和智能控 制技术，实现节能环保目标。
06
实验环节与项目实践
实验目的和要求
实验目的
通过实验，使学生掌握模拟电子技术的基本理论和基本技能，培养学生的实践 能力和创新能力。
实验要求
要求学生能够熟练使用常用电子仪器和测量方法，独立完成实验项目，并撰写 实验报告。
常用仪器设备和测量方法
压电源和功率放大器等。
运算放大器原理及应用
工作原理
01
详细阐述运算放大器的工作原理，包括输入级、中间级和输出
级等。
基本应用
02
介绍运算放大器在信号放大、滤波、积分和微分等方面的基本
应用。
电路设计
03
通过实例讲解运算放大器在电路设计中的应用，如电压跟随器、
同相比例放பைடு நூலகம்器和反相比例放大器等。
模拟电子技术-康华光--华中科大版-上课课件第7讲 (26)
一、选择题1、增强型绝缘栅场效应管，当栅极与源极之间电压为零时(b)。
（a）能够形成导电沟道（b）不能形成导电沟道（c）漏极电流不为零2、场效应管在正常放大时，管子工作在（B）。
A.可变电阻区B.恒流区C.夹断区3、场效应管起放大作用时应工作在输出特性的(B)A 非饱和区B 饱和区C 截止区D 击穿区4、增强型绝缘栅场效应管，当栅极与源极之间电压为零时(B)。
A 能够形成导电沟道B不能形成导电沟道 C 漏极电流不为零5、某场效应管的漏极特性曲线如图1所示，则该场效应管（ D ）。
A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管图1 图2 图3 图46、某场效应管的漏极特性曲线如图2所示，则该场效应管为（ B ）。
A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管7、一个MOSFET的转移特性如图3所示（其中漏极电流i D的方向是它的实际方向），则该场效应管是（C ）。
A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管8、一个MOSFET的转移特性如图3所示（其中漏极电流i D的方向是它的实际方向），则该场效应管（ A ）。
A. 开启电压V T=-4VB. 夹断电压V P＝－4VC. P沟道耗尽型MOS管D. N沟道增强型MOS管9、场效应管在正常放大时，管子工作在（ B ）。
A.可变电阻区B.恒流区C.夹断区D.不确定10、一个MOSFET的转移特性如图4所示，则该场效应管是（ B ）。
A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管11、某场效应管的转移特性曲线如图4所示，则该管U GS(th) 和I DO的值分别为（ B ）。
A.5V，4mAB.5V，2mAC.10V，2mAD.12V，4mA二、画图分析题1、如图所示电路中，输入正弦交流信号)V (sin 5t u i ω=，试对应地画出输出信号的波形。
模拟电子技术基础-总复习最终版
其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外，uN
R R Rf
uo，uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示，各引入那种组态的负反馈？设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V，填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为：-R2/R1。
（3）交流负反馈是指 。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中存在的负反馈
解：（1）D （2）B （3）C
4、选择合适答案填入空内。
A．电压 B．电流 C．串联 D．并联
（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈；
（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入 负反馈；
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中，已知晶体管β，rbe，RB，RC=RL，VCC。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）当考虑信号源内阻为RS时，Aus的数值。
6. 电路如图所示，晶体管的＝100，=100Ω。