光刻胶研究技术总结报告
光刻工作总结
竭诚为您提供优质文档/双击可除光刻工作总结篇一：光刻工艺总结光刻岗位工艺总结引言：本文仅供大家参考，文章中错误之处请大家指正。
希望后续光刻工艺员能够根据自己的实际工作经验将该总结不断完善。
一、光刻各岗位基本工艺知识及工艺过程控制要点：1、上料上料机原理使用机械手上料，并对每片玻璃的阻值厚度进行检测。
2、清洗：清洗干燥的原理去除ito玻璃表面残留的灰尘、有机物等,为涂胶提供干净、干燥的ito玻璃；主要清洗方式洗洁精+超声+高纯水+iRuV洗洁精的去污原理：洗洁精（表面活性剂）能够使不相溶的液体成为乳浊液。
通过此乳化作用将油脂包围在水中而形成乳浊液来达到去污作用，玻璃经过洗洁精去油污后，再依次用大量的自来水，去离子水冲洗就可以达到洁净玻璃表面的目的。
高纯水清洗可去除溶于水的杂质及一些灰尘，同时还能够将上工序的洗洁精去除掉；超声波作用机理：通过超声空化作用，存在于液体中的微气泡（空气核）在声场的作用下振动，当声压达到一定的值时，气泡将迅速增长，然后突然闭合，在气泡闭合时产生冲击波，在其周围产生上千个大气压的压力，破坏不溶性污物而使它们分散在清洗液中。
iR主要是将玻璃表面的水份烘干，经过清洗后的玻璃，表面沾有水或者有机溶剂等清洗液，这将会对后续工序造成不良影响，特别是光刻工艺会产生浮胶，钻刻，图形不清晰等，因此玻璃必须经过干燥处理。
uV主要是将有机物的长分子链打断成小分子链，从而达到去除有机物的目的；清洗效果评价方法测试接触角，接触角小于10度重要管理项目洗洁精浓度（四厂光刻用洗洁精为mg，其浓度最初为2%，后经试验验证，使用5%浓度的洗洁精清洗效果较好，后改用5%浓度的洗洁精进行清洗）洗洁精温度喷淋圧力及流量diw喷淋流量刷子转速、下压距清洗时间（走速）iR/uV/cp温度曲线3、涂胶，前烘：涂胶基本原理coating-roll光刻胶膜厚与辊压，印压的变化关系膜厚印压压入量备注:1、此结论为涂胶辊供应商提供的经验曲线，仅供参考。
2022年光刻胶行业深度研究报告
２０２２年光刻胶行业深度研究报告◼目录一．光刻胶：半导体产业核心材料二．光刻胶市场前景广阔三．国产替代进行时四．投资建议五．风险提示1.1 光刻是光电信息产业链中核心环节图表：光刻工艺在芯片制造中实现电路布图资料来源：中芯国际招股书，国海证券研究所➢光刻技术是指利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将图形传递到介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术，是光电信息产业链中的核心环节之一。
➢以芯片制造为例，在晶圆清洗、热氧化后，需通过光刻和刻蚀工艺，将设计好的电路图案转移到晶圆表面上，实现电路布图，之后再进行离子注入、退火、扩散、气相沉积、化学机械研磨等流程，最终在晶圆上实现特定的集成电路结构。
晶圆清洗、热氧化光刻(涂胶、曝光、显影）刻蚀（干法、湿法）离子注入、退火扩散化学气相沉淀物理气相沉淀化学机械研磨晶圆（加工后）检测多次循环逐层堆积电路图实现特定功能电路布图光掩模制作功能实现1.1 光刻胶是光电工艺核心材料➢光刻胶，又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体，是光刻工艺中最核心的耗材，其性能决定着光刻质量。
➢作为图像转移“中介”，光刻胶是通过曝光显影蚀刻工艺发挥转移作用，首先将光刻胶涂覆于有功能层的基底上，然后紫外光通过掩膜版进行曝光，在曝光区促使光刻胶发生溶解度变化反应，选择性改变其在显影液中的溶解度，未溶解部分最后在蚀刻过程中起保护作用，从而将掩模版上的图形转移到基底上。
图表：光刻工艺核心流程资料来源：强力新材公司公告1.1 光刻胶由树脂、光引发剂等组分组成➢光刻胶主要是由树脂、光引发剂、溶剂、单体和其他助剂组成。
光刻胶树脂和光引发剂是影响光刻胶性能最重要的组分。
➢树脂主要是用于把光刻胶中不同材料聚在一起的粘合剂，给予光刻胶机械和化学性质。
光引发剂，又称光敏剂或光固化剂，系光刻胶材料中的光敏成分，在吸收一定波长的紫外光或可见光能量后，可分解为自由基或阳离子并可引发单体发生化学交联反应。
光刻研究报告
光刻研究报告光刻研究报告一、研究背景光刻技术是一种制造微电子器件的关键工艺之一，也是集成电路制造中不可或缺的技术。
通过使用光刻机，可以将电路图案光绘在硅片上，从而实现微电子元器件的制造。
随着芯片制造工艺的进一步提高和集成度的增加，对光刻技术的要求也越来越高。
因此，深入研究光刻技术，提高其分辨率和精度，对于推动微电子领域的发展具有重要意义。
二、研究内容本次研究主要围绕光刻技术的分辨率提高和精度控制展开。
通过对现有光刻机的改进和优化，结合新材料和工艺的研究，以及对光刻机参数的调整和优化，旨在提高光刻技术的精度和分辨率，并探索其在微电子器件制造中的应用。
三、研究方法1. 理论分析：通过光刻技术的基本原理和光学模型，对光刻过程进行分析，提出优化方案；2. 实验研究：通过搭建实验平台，对不同材料和参数进行光刻实验，获取实验数据并进行分析；3. 参数调整：根据实验结果，对光刻机的参数进行调整，以获得更好的光刻效果；4. 评估和验证：通过对比实验得到的结果与理论模型的预测结果进行比较，评估和验证研究成果的可行性和有效性。
四、预期成果1. 提高光刻技术的分辨率：通过改进光刻机设计和参数调整，预计能够实现更高的分辨率，满足微电子器件制造的需求；2. 改进光刻技术的精度控制：通过对光掩膜材料和工艺的研究，预计能够实现更好的精度控制，减少制造过程中的误差；3. 探索光刻技术在微电子器件制造中的应用：通过对光刻技术的改进和优化，预计能够拓展其在微电子领域的应用领域，提高芯片制造的效率和性能。
五、研究意义本研究可为微电子器件制造提供更先进的工艺技术支持，提高芯片制造的效率和性能，推动微电子领域的发展。
同时，研究成果还可为相关领域的研究和应用提供参考，促进光刻技术在其他领域的创新和应用。
光刻胶行业分析报告
光刻胶行业分析报告一、定义光刻胶是一种在微电子制造工艺中使用的重要材料，它的主要作用是将电路板上的图案重现在光刻胶上，以便于进行下一步的加工。
光刻胶是生产集成电路和其他微电子器件的必要原材料之一，它在微电子制造中的作用不可替代。
二、分类特点目前市场上的光刻胶主要分为干膜式光刻胶和液态光刻胶两种类型。
其中，干膜式光刻胶具有较高的耐热性和耐久性，适用于高精度的微电子制造；液态光刻胶则更易于处理，适用于一些低要求的生产环境。
此外，光刻胶的品质和性能会直接影响到芯片的制造效率和质量。
三、产业链光刻胶的生产和应用主要包括原材料采购、生产制造、产品检测、销售和售后服务等环节。
其中，生产制造环节是光刻胶产业链中的核心环节，包括干膜式光刻胶和液态光刻胶的制造工艺、分装和仓储等环节。
四、发展历程光刻胶作为微电子制造的必要原材料，随着微电子行业的发展而快速成长。
从20世纪70年代开始，美国、日本等国家相继研发出了可用于光刻胶制造的材料和设备，光刻胶产业开始形成。
近年来，中国也已经成为了光刻胶市场的重要生产和消费国家之一。
五、行业政策文件国家对光刻胶产业实施了一系列的政策，如加强技术创新、提高产业对外竞争力、鼓励企业加强自主创新等。
同时，中国政府也在优化产业环境、扩大内需市场等方面发挥了积极作用。
六、经济环境随着智能手机、互联网等科技领域的快速发展，微电子制造工业也得到了迅猛的发展，光刻胶行业也迎来了更广阔的发展空间。
七、社会环境光刻胶产业的发展直接关系到中国产业发展的整体水平和国家创新实力，各相关利益方都应当关注是否保护和促进该行业快速发展。
八、技术环境近年来，国内的光刻胶厂商也在积极探索新的技术路线，不断提升产品品质和性能，以满足消费者的需求。
同时，国家也出台了一系列政策鼓励企业加强自主创新，加强和引进新技术和新产品。
九、发展驱动因素中国光刻胶市场的壮大主要有以下几个因素：1. 国家产业政策的支持；2. 国内市场的不断扩大；3. 技术水平的不断提升；4. 各种行业协同推进。
光刻刻蚀实验实验报告书(3篇)
第1篇一、实验目的1. 理解光刻和刻蚀在半导体制造中的基本原理和作用。
2. 掌握光刻胶的涂覆、曝光、显影和刻蚀的实验步骤。
3. 学习通过光刻和刻蚀技术制作特定图案。
二、实验原理光刻是半导体制造中的关键步骤，它利用光致抗蚀剂（光刻胶）的感光特性，在硅片等衬底上形成图案。
刻蚀则是将光刻胶上的图案转移到衬底上，通过化学或物理方法去除不需要的衬底材料。
三、实验材料与仪器1. 材料：硅片、光刻胶、显影液、刻蚀液等。
2. 仪器：光刻机、显影机、刻蚀机、显微镜、电子天平等。
四、实验步骤1. 光刻胶涂覆将硅片清洗干净，然后均匀涂覆一层光刻胶。
涂覆后，将硅片放入烘箱中烘烤，使光刻胶干燥。
2. 曝光将涂覆好光刻胶的硅片放入光刻机中，通过紫外光照射，使光刻胶发生光化学反应，形成所需的图案。
3. 显影将曝光后的硅片放入显影液中，显影液中的溶剂会溶解未曝光的光刻胶，而曝光区域的光刻胶则保持不变。
通过控制显影时间，可以得到清晰、均匀的图案。
4. 刻蚀将显影后的硅片放入刻蚀机中，刻蚀液会溶解硅片上不需要的材料，从而实现图案的转移。
五、实验结果与分析1. 光刻胶涂覆光刻胶涂覆均匀，无明显气泡和划痕。
2. 曝光曝光后的硅片在紫外光照射下，光刻胶发生光化学反应，形成所需的图案。
3. 显影显影后的硅片图案清晰，无明显缺陷。
4. 刻蚀刻蚀后的硅片图案完整，无明显损伤。
六、实验讨论1. 光刻胶涂覆的质量对实验结果有较大影响，涂覆不均匀或存在气泡、划痕等缺陷会影响图案的质量。
2. 曝光时间和强度对光刻胶的光化学反应有较大影响，需要根据具体的光刻胶和实验条件进行调整。
3. 显影时间对图案的清晰度有较大影响，显影时间过短或过长都会导致图案模糊。
4. 刻蚀液的选择和刻蚀时间对刻蚀效果有较大影响，需要根据具体材料进行调整。
七、实验结论通过本次实验，我们成功掌握了光刻和刻蚀的基本原理和实验步骤，制作出了清晰、均匀的图案。
实验结果表明，光刻和刻蚀技术在半导体制造中具有重要作用，为后续的半导体器件制造奠定了基础。
2021年半导体光刻胶行业研究报告
2021年半导体光刻胶行业研究报告一、光刻胶：利用化学反应转移图像的媒体（一）图像转移的媒介，摩尔定律核心驱动力光刻胶是利用光化学反应，经光刻工艺将所需要的微细图形从掩膜版转移到待加工基片上的图形转移媒介。
作用原理是利用紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射光刻胶,使其溶解度发生变化，最终得以在晶圆上刻蚀出需的图形。
光刻胶主要用于集成电路和半导体分立器件的微细加工，同时在平板显示、LED、PCB印刷线路板等制作过程中也有着广泛的应用。
光刻胶又称光致抗蚀剂，由主要成分和溶剂构成，当前光刻胶主要使用的溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯（PMA），占光刻胶含量约为80%~90%。
光刻胶的主要成分包括树脂、单体、光引发剂及添加助剂四类，其中树脂含量约占主要成分的50%~60%，单体含量约占35%~45%。
树脂：光刻胶的主要原料，具备光敏性和能力敏感的特殊聚合物，一般是由碳、氢和氧组成的大分子。
经光照后在曝光区能很快地发生固化反应，溶解性、亲和性等发生明显变化，用适当的溶剂处理就可以得到图像。
溶剂：光刻胶中含量最大的成分，能够使光刻胶的各组成部分溶解在一起，同时也是后续光刻化学反应的介质。
单体：又称为活性稀释剂，对光引发的光化学反应有调节作用。
光引发剂：又称为光敏剂或光固化剂，是一类能从光中吸收一定波长的能量、经光化学反应产生具有引发聚合能力的活性中间体的分子。
该类化学反应的产物能与光刻胶中别的物质进一步反应，帮助完成光刻过程。
其他添加剂：控制和改变光刻胶材料的特定化学物质，比如颜料等。
自20世纪50年代开始到现在，光刻技术经历了紫外全谱（300~450nm），G线 (436nm)，Ｉ线（365nm），深紫外（Deep Ultra violet，DUV，248nm和193nm），以及下一代光刻技术中最引人注目的极紫外（Extreme Ultra violet，EUV,13.5nm）光刻，电子束光刻等6个阶段，对应于各曝光波长的光刻胶组分（树脂、光引发剂和添加剂等）也随着光刻技术的发展而变化。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
光刻胶研究技术总结报告
1.光刻胶分类
光刻胶体系成膜树脂感光部分波长分辨率
酚醛树脂-重氮萘
醌酯缩醛聚合
物，线性酚
醛树脂
重氮萘醌化合物
G线：436nm；
I线：365nm
0.25-0.5um
248nm 聚对羟基苯
乙烯及其衍
生物
光致产酸剂
248nm0.18-0.15um
193nm 聚脂环族丙
烯酸酯及其
衍生物
光致产酸剂
193nm130-65nm
EUV-13.5nm 聚酯衍生物
分子玻璃单
组分材料
光致产酸剂13.5nm/
电子束甲基丙烯酸
甲酯及其共
聚物
光致产酸剂电子束10-50nm
2.光刻胶介绍
对酚醛树脂基光刻胶而言，在紫外光的照射下，重氮萘醌分解产生氢离子，酯缩醛聚合物具有高酸解性，在酸性作用下分解成小分子，在显影液的作用下去除；
针对化学增幅型光刻胶，他主要由以下部分组成：
序号组成内容
1主体树脂丙烯酸酯及其共聚物
2光致产酸剂芳基碘鎓盐，硫鎓盐
3添加剂溶解抑制剂、碱性添加剂、流平剂、
增塑剂
4溶剂挥发性溶剂
（1）主体树脂
主体树脂应该具有酸敏侧挂基团，提供成像能力，与0.26mol/L的四甲基氢氧化铵显影液匹配，它具有高的玻璃化转变温度，一般要求130℃-170℃，以满足加工工艺要求；
为了提高抗蚀性，在主链上引入环形亚甲基（酯环结构），但成像力、粘附力、可显影性以及大部分的抗蚀性均有侧链承担，侧链部分由极性部分和酸敏部分，极性部分提供粘附力和可显影性，酸敏部分提供抗蚀性和成像能力，酸敏部分使主体树脂曝光前后的溶解速率发生变化提供成像能力，总体来讲，ArF 光刻胶（193nm）主要分为三类，加急丙烯酸酯衍生物，环烯烃-马来酸酐共聚物，聚降冰片烯衍生物。
（2）PAG光致产酸剂
PAG方面，248nm和193nm使用的PAG相似，主要有各种碘鎓盐、硫鎓盐、N-羟基琥珀酰亚胺磺酸酯，选用传统PAG，如三苯基三氟甲基磺酸盐（紫外光吸收光谱特殊峰在205nm和233nm处）、三苯基全氟丁烷磺酸盐、萘基三氟甲基磺酸盐（紫外光吸收光谱特殊峰在205nm和295nm处）等，在实验条件有限的情况下，可以使用汞灯进行曝光测试，汞灯的紫外波长为365nm，
436nm，254nm，具体方法为在5%PMMA的THF溶液中，加上固含量为5%
的PAG，溶解均一后在石英上涂布烘干后做紫外光图谱检测，以PMMA膜作为参照，测试PAG的真实吸收。
按阳离子型进行分类时，三苯基三氟甲基磺酸盐在紫外光下形成三氟甲基磺酸，三苯基六氟锑酸盐在紫外光下形成六氟锑酸，形成的酸催化主体树脂产生变化，便于后续显影。
按非离子型PAG分类时，其特点为一般在光照条件下产生酸性很强而亲核性比较低的磺酸。
也有使用2.1.5-磺酰氯的衍生物的例子，其中是以乙二醇甲醚乙酸酯和乳
酸乙酯（1:1）作为溶剂，四甲基氢氧化铵做显影液的方案，这里就不一一列举。
（3）添加剂
碱性添加剂，如氢氧化三甲基硫盐；
阻溶剂，如单或低聚（去氧）胆酸衍生物，金刚烷基碳酰甲级丙二酯、苯甲酸衍生物和多元酚，其原理为PAG在紫外光下形成氢离子，阻溶剂在氢离子作用下形成羧酸，以便溶解于碱性显影液，另一种解释为，在曝光区的PAG发生光化学反应产生一种酸，该酸在曝光后热烘工艺中（PEB）作为化学催化剂将
树脂上的保护基团移走，从而使原来不溶于水转变为高度溶于水。
（4）溶剂
乙二醇甲醚乙酸酯，乳酸乙酯，乙二醇乙醚乙酸酯等。