水热法与溶剂热法实例
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g/cm 5.56
002
100
A
B
A) 单根Tb(OH)3纳米管的TEM 。B) 单根Tb(OH)3纳米管的HRTEM ，沿着[100]方向清晰的晶格条纹的间距为0.547 nm 。B)的左上角是沿着[010] 001
100
101
2nm
A
B
B
A 200nm
A
044
400
Tb4O7纳米管的SEM；B）Dy
米管的SEM；C）单根Dy2O3纳米管的
A
1600C2000C1600C,NaOH1600C,NH
3
•H2O
纳米管变成纳米片。
C D
F
E
E）Y(OH)3的纳米片TEM；
A
500nm C
B
D
A B
C
PZT纳米管XRD-四方晶相
柱状高分子链化学模板的绕曲，所形成的PZT纳米管也是绕曲
B2
PZT表面，降低PZT颗粒的表面能，使其处于
生长单元在晶体表面的吸附和沉积强烈地影响着晶体的生长速度和生长方向。我们知道，四方相结构的PZT最大晶面间距产生在[001]晶向，暴露于外表面的(001)晶面具有最大的表面能。因此生长单元有可能首先沉积于[001]晶向的晶体表面。生长单元在暴露于外表面的(001)晶面的沉积生长将破坏覆盖于[001]晶向外表面的PVA膜，使得PVA高分子膜仅覆盖于平行于[001]晶向的外表面，增大了PZT [001]晶向外表面与其它晶向外表面表面能的差值，增强PZT沿[001]晶向生长的趋势，沿[001]晶向取向生长。随水热反应时间的延长，PVA的限制作用使得PZT生长为单晶的纳米棒。
当水热系统中引入PVA和PAA共同作用时，由于聚合单体中含有一个羧基-COOH，易于电离出