薄膜应力课件
薄膜应力理论的应用(可编辑)

薄膜应力理论的应用一、承受气体内压力壳体的薄膜应力1.经线应力σφrk? F?2r P d r2r? sinz k?12即 - 2? r P2 ?r?sin?k z k2- P R PRz 2 2 或22其中;-PPzrk R2sin8-2 薄膜应力理论的应用12 0 0 81 1 ? ? 2 0 0 81 2一、承受气体内压力壳体的薄膜应力2.周向应力σθPP z 或?R RR R1 2 1 2?R2? 2?R1故承受内压的典型壳体的应力可以用此式代入R ,R 可以求出壳体的薄膜应力σ ,σ1 2 φθ8-2 薄膜应力理论的应用22 0 0 81 1 ? ? 2 0 0 81 2一、承受气体内压力壳体的薄膜应力⑴球壳体的薄膜应力∵R R R , -P P1 2 zP R2P R2PR即;28-2 薄膜应力理论的应用32 0 0 81 1 ? ? 2 0 0 81 2一、承受气体内压力壳体的薄膜应力⑵薄壁圆筒的薄膜应力∵R ∞ , R R , -P P1 2 zP R P R222R P R2? 2R? 18-2 薄膜应力理论的应用42 0 0 81 1 ? ? 2 0 0 81 2一、承受气体内压力壳体的薄膜应力⑶圆锥壳体的薄膜应力∵R ∞ , R xtgα ,-P P1 2 z∴P R P x t gP r2?222cosRP r2? 2? 2Rcos1?8-2 薄膜应力理论的应用52 0 0 81 1 ? ? 2 0 0 81 2一、承受气体内压力壳体的薄膜应力p Rα↑→σ↑,α不宜过大,一般α≤45 °2cos?r↑→σ↑,锥底应力最大,锥顶应力最小pRσ =2σcosθφ8-2 薄膜应力理论的应用62 0 0 81 1 ? ? 2 0 0 81 2例题图示为带封头的锥形封头。
试求出B点的薄膜应力。
解:圆筒壳体上的B点P R P DD 2R ,R?1 2242?R P D2 2? 2R 2? 1过渡段上的B点P R P D2DRr ,R241 22?R D?2? 2 2?R 2 r 18-2 薄膜应力理论的应用72 0 0 81 1 ? ? 2 0 0 81 2一、承受气体内压力壳体的薄膜应力⑷椭球壳封头的薄膜应力椭球壳封头的形成:由1/4椭圆曲线绕一固定轴旋转一周而成2 2x y椭圆曲线的经线方程? 12 2a bb2 2y? axa2-bx b x即 y?-22 2a ya ax4b y ?-2 3a y8-2 薄膜应力理论的应用82 0 0 81 1 ? ? 2 0 0 81 2一、承受气体内压力壳体的薄膜应力椭球壳的曲率半径: 3324 2 2 222?1? y a - x ?ab? R?14?y a b14 2 2 22a - x a - bR2b椭球壳的薄膜应力14 2 2 22P RPaxab?4R a22? 2 4 2 2 2Raxab? 18-2 薄膜应力理论的应用92 0 0 81 1 ? ? 2 0 0 81 2一、承受气体内压力壳体的薄膜应力椭球壳的应力分布特点a.椭球壳上各点的应力不等2x0, yb ,R R a /b顶点的应力: 1 222?R P aP R P a22 2R 2b22b1赤道处的应力2xa , y0 ,R b /a , R a1 2P a2222R P a a22? 12R2 b18-2 薄膜应力理论的应用1 02 0 0 81 1 ? ? 2 0 0 81 2一、承受气体内压力壳体的薄膜应力b.椭球壳应力与a/b有关P a如;当a/b1时,为球壳则 ;2当a/b≠1时壳体中的应力值随a/b的变化而变化8-2 薄膜应力理论的应用1 12 0 0 81 1 ? ? 2 0 0 81 2一、承受气体内压力壳体的薄膜应力8-2 薄膜应力理论的应用1 22 0 0 81 1 ? ? 2 0 0 81 2应用焊接的圆筒压力容器,其纵向(轴向)焊缝的强度应高于横向(周向)焊缝的强度开设椭圆形人孔时,应将短轴放在轴线方向,以尽量减小纵截面强度削弱程度壳壁应力大小与δ/R成反比??δ/R的大小体现着圆筒承压能力的高低8-2 薄膜应力理论的应用1 32 0 0 81 1 ? ? 2 0 0 81 2一、承受气体内压力壳体的薄膜应力4. 椭圆形壳体已知:p、a、b、δ,求:σ、σφθ3/22?1y'?3/ 2?4 2 2 2?Rax ab?1?y"4a b4 2 2 2ax ab?xR?2sinbp4 2 2 2 ax ab 2b4?p a4 2 2 2 ax ab 24 2 2 22b ax ab ?8-2 薄膜应力理论的应用1 42 0 0 81 1 ? ? 2 0 0 81 2一、承受气体内压力壳体的薄膜应力椭球壳中的σ、σ是坐标(x,y)的函数φθ椭球壳上应力是连续变化的椭球壳中应力的大小及分布与a/b有关a/b1,椭球壳即为球壳,应力分布均匀a/b↑→σ↑,受力状况变差8-2 薄膜应力理论的应用1 52 0 0 81 1 ? ? 2 0 0 81 2一、承受气体内压力壳体的薄膜应力8-2 薄膜应力理论的应用1 62 0 0 81 1 ? ? 2 0 0 81 2一、承受气体内压力壳体的薄膜应力椭球壳中的σ、σ不相等φθσ总为正值( σ总为拉应力)φφp a a x0σ→?φ2b xaσ→min p aφ min28-2 薄膜应力理论的应用1 72 0 0 81 1 ? ? 2 0 0 81 2一、承受气体内压力壳体的薄膜应力σ与a、b及a/b有关θ? 0x0a2xa? 0ba2? 0ba2? 0b8-2 薄膜应力理论的应用1 82 0 0 81 1 ? ? 2 0 0 81 2一、承受气体内压力壳体的薄膜应力椭圆形封头钢板冲压成型 a/b ↑→浅易制造σ↑ a/b ↓→深制造难σ↓标准椭圆封头 a/b2 最大拉应力与最大压应力在数值上相等,等于筒体上周向应力??封头与筒体等强度8-2 薄膜应力理论的应用1 92 0 0 81 1 ? ? 2 0 0 81 2一、承受气体内压力壳体的薄膜应力例:求受气体介质压力作用的碟形封头上的应力。
热氧化硅薄膜的应力

热氧化硅薄膜的应力
热氧化硅薄膜的应力取决于多个因素,包括氧化时间、温
度和硅衬底的表面形貌等。
在热氧化过程中,硅表面会与氧气反应形成氧化硅层。
由
于硅和氧气的化学反应有很大的体积变化,会导致硅衬底
与氧化硅层之间产生应力。
应力的大小取决于氧化层的厚度。
一般来说,氧化层越厚,应力越大。
这是因为较厚的氧化层会导致硅表面的体积扩
张被限制,而硅衬底则相对不可压缩,从而产生应力。
另外,氧化温度也会对应力产生影响。
较高的氧化温度会
导致氧化速率增加,氧化层的厚度增加,进而导致更大的
应力。
此外,硅衬底的表面形貌也会对应力产生影响。
表面不平整的硅衬底会导致氧化层的形成非均匀,进而引起应力集中。
总结起来,热氧化硅薄膜的应力大小由氧化层的厚度、氧化温度和硅衬底的表面形貌等因素决定。
对于设计和制备热氧化硅薄膜的应用,需要考虑这些因素,以避免应力引起的问题。
pvd 膜层应力

pvd膜层应力
PVD膜层的应力受到多种因素的影响,包括沉积条件、薄膜厚度、沉积材料和衬底材料等。
以下是对这些因素的具体分析:
1.沉积条件:沉积过程中的温度、沉积速率和气氛等条件会影响薄膜的应力。
通常情况下,沉积温度越高,薄膜的应力越低。
沉积速率的增加通常会导致薄膜应力的增加。
不同的气氛(如真空、氮气等)也可能对薄膜的应力产生影响。
2.薄膜厚度:薄膜的厚度对其应力有影响。
通常情况下,薄膜厚度增加会导致应力的增加。
这是因为在沉积过程中,薄膜表面的原子或分子会产生沉积应力,而较厚的薄膜由于沉积层的累积,其内部应力会更大。
3.沉积材料:不同的沉积材料具有不同的晶格结构和热膨胀系数,从而会对薄膜的应力产生影响。
在Ti薄膜的情况下,其应力可能与Ti的晶体结构、晶粒大小以及晶格畸变等有关。
4.衬底材料:薄膜沉积在不同的衬底材料上可能会导致不同的应力。
衬底的热膨胀系数和机械性能可以影响沉积薄膜的应力。
此外,PVD涂层内应力的危害很大,生产中要掌握好内应力的大小和程度。
PVD涂层的主要用途是作为耐磨保护涂层,它需要一定的厚度和使用寿命,但涂层中的内应力限制了涂层的厚度。
如果内应力产生的单位体积弹性能超过单位面积断裂能,涂层就会脱落,所以沉积涂层的厚度是有限的。
一般来说,涂层的内应力、弹性模量和硬度是成正比的。
因此,在生产过程中,应该通过物理气相沉积工艺条件来控制涂层的应力,尤其是内应力,并在涂覆后检测涂层的内应力,使其在可接受的范围内。
薄膜应力测试方法

薄膜的残余应力一、薄膜应力分析图一、薄膜应变状态与应力薄膜沉积在基体以后,薄膜处于应变状态,若以薄膜应力造成基体弯曲形变的方向来区分,可将应力分为拉应力(tensile stress)和压应力 (compressive stress),如图一所示。
拉应力是当膜受力向外伸张,基板向内压缩、膜表面下凹,薄膜因为有拉应力的作用,薄膜本身产生收缩的趋势,如果膜层的拉应力超过薄膜的弹性限度,则薄膜就会破裂甚至剥离基体而翘起。
压应力则呈相反的状况,膜表面产生外凸的现象,在压应力的作用下,薄膜有向表面扩张的趋势。
如果压应力到极限时,则会使薄膜向基板内侧卷曲,导致膜层起泡。
数学上表示方法为拉应力—正号、亚应力—负号。
造成薄膜应力的主要来源有外应力 (external stress)、热应力 (thermal stress) 及內应力 (intrinsic stress),其中,外应力是由外力作用施加于薄膜所引起的。
热应力是因为基体与膜的热膨胀系数相差太大而引起,此情形发生于制备薄膜時基板的温度,冷卻至室温取出而产生。
內应力则是薄膜本身与基体材料的特性引起的,主要取决于薄膜的微观结构和分子沉积缺陷等因素,所以薄膜彼此的界面及薄膜与基体边界之相互作用就相當重要,這完全控制于制备的参数与技术上,此为应力的主要成因。
二、薄膜应力测量方法测量薄膜内应力的方法大致可分为机械法、干涉法和衍射法三大类。
前两者为测量基体受应力作用后弯曲的程度,称为曲率法;后者为测量薄膜晶格常数的畸变。
(一)曲率法假设薄膜应力均匀,即可以测量薄膜蒸镀前后基体弯曲量的差值,求得实际薄膜应力的估计值,其中膜应力与基体上测量位置的半径平方值、膜厚及泊松比(Poisson's ratio) 成反比;与基体杨氏模量 (Es,Young's modulus)、基体厚度的平方及蒸鍍前后基体曲率(1/R)的相对差值成正比。
利用这些可测量得到的数值,可以求得薄膜残余应力的值。
8.1 回转薄壳的薄膜应力理论解析

《化工设备设计基础》
22
8.1.3 回转薄壳的薄膜应力理论
2. 周向应力计算公式-续1
bc和ad上作用有经向应力σφ
N 2 rm sin
《化工设备设计基础》
19
8.1.3 回转薄壳的薄膜应力理论
1. 经向应力计算公式
作用在分离体上的外力(内压)在轴线方向的合力
dQ p 2 r dl cos
dQ p 2 rdr
2 Q 2 p rdr prm
N
力的方向
经线
所在面的法向
a.
b.
《化工设备设计基础》
c.
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8.1.2 回转薄壳的无力矩与有力矩理论(续)
由中面的拉伸、压缩、剪 切变形而产生 薄膜内力 内力 10个 4个 弯曲内力 无力矩理论或
Nφ、Nθ、Nφθ=Nθφ
横向剪力
薄膜理论(静定)
有力矩理论或
Q φ、 Q θ Mφ、Mθ、 Mφθ、Mθφ
第八章 内压薄壁容器的应力理论 8.1 回转薄壳的薄膜应力理论 8.2 薄膜应力理论的应用 8.3 边缘应力及其特点
《化工设备设计基础》
1
第八章 内压薄壁容器的应力理论
壳体
以两个曲面为界,且曲面之间的距离远比其它 方向尺寸小得多的构件。
壳体中面 与壳体两个曲面等距离的点所组成的曲面。 轴对称 壳体的几何形状、约束条件和所受的外力都 对称于回转轴。化工容器就其整体而言,通 常都属于轴对称问题
2. 母线:形成中面的平面曲线或直线
3. 经线平面:通过经线和回转轴的平面 4. 经线:经线平面与中面的交线。
经线
《化工设备设计基础》
Cscbpv,压力容器,设计,审核员,培训班PPT 03第三章内压薄壁容器的应力1

o1 r1 σm
φ0
D
φ
φ0
M
R
2
o
R
φ0 σm
3、对圆弧过渡部分(a-b):
pR2 m 2S
pR2 R2 (2 ) 2S r1
因为第二曲率半径R2是一个随φ角而变 (φ0≤φ≤90°,r≤R2≤R)的变数,
D r r1 r 2 r1 R2 r 1 1 s in s in
P y x H
m
R
M x
若容器上方是开口的 则σ m=0。
2、沿顶部边缘支撑的圆筒 最大环向应力 在x=H处(底部), H R HD max S 2S 径向应力σm作用于圆筒 任何截面上的轴向应力 均为液体总重量引起, 列轴向力平衡方程式: 2πRS·σm=πR2H· γ
由此可见,薄壁无力矩应力状态的存在,必须满足 壳体是轴对称的,即几何形状、材料、载荷的对称性和 连续性,同时需保证壳体应具有自由边缘。
第三节 薄膜理论的应用
一、受气体内压的圆筒形壳体
1、经向应力
pD m ( MPa) 4S
σθ σm σθ σm R2=D/2
S P O
O
薄膜理论应用之一
2、环向应力
在R2=r处(=90°):
m
pr 2S pr r 2 2S r 1
o
φ0
六、承受液体静压作用的圆筒壳
1、沿底部边缘支撑的圆筒 环向应力为:
p0 x R p0 x D
S 2S
p0 R p0 D 2S 4S
3、 结论: 作用在任一曲面上的介质压力,其合力等于压力p与 该曲面沿合力方向所得投影面积的乘积,而与曲面形 状无关。 环向应力σ θ 的计算公式: pD 2S
cvd薄膜应力

cvd薄膜应力摘要:1.引言:介绍CVD 薄膜应力的重要性和背景2.CVD 薄膜应力的产生原因3.CVD 薄膜应力的影响4.CVD 薄膜应力的检测与控制方法5.结论:总结CVD 薄膜应力的研究现状和未来发展方向正文:一、引言化学气相沉积(CVD)是一种广泛应用于微电子、光电子和功能材料制备领域的薄膜生长技术。
然而,随着薄膜厚度的增加,CVD 薄膜应力问题日益凸显,对器件性能和可靠性产生严重影响。
本文将对CVD 薄膜应力的产生原因、影响、检测与控制方法进行探讨,以期为相关领域的研究和应用提供参考。
二、CVD 薄膜应力的产生原因CVD 薄膜应力的产生主要与薄膜生长过程中的温度、压力、气体成分等因素有关。
具体来说,薄膜应力可归因于以下几个方面:1.薄膜生长速率不均匀:在CVD 过程中,薄膜生长速率在各个方向上可能存在差异,导致内部应力产生。
2.温度梯度:薄膜生长过程中,基板和气体供应的温度差异会导致温度梯度,进而引发薄膜内部的热应力。
3.气体成分和压力:CVD 过程中,气体成分和压力的波动会影响薄膜的结构和性能,进而产生应力。
三、CVD 薄膜应力的影响CVD 薄膜应力会对器件性能和可靠性产生不利影响,具体表现在以下几个方面:1.薄膜翘曲:应力会导致薄膜产生翘曲,影响器件的尺寸稳定性和可靠性。
2.断裂和分层:应力过大时,可能导致薄膜出现断裂和分层现象,严重影响器件的使用寿命。
3.电性能下降:应力会影响薄膜的晶格结构和电子迁移率,导致器件的电性能下降。
4.光性能下降:对于光学薄膜,应力会导致其表面形貌和光学特性发生变化,进而影响光学性能。
四、CVD 薄膜应力的检测与控制方法为了确保CVD 薄膜的性能和可靠性,必须对其应力进行有效的检测和控制。
目前,常用的方法包括:1.椭圆偏振光谱法:通过测量薄膜的椭圆偏振光谱,可以获得其应力分布信息。
2.X 射线衍射法:通过分析X 射线衍射数据,可以确定薄膜的应力状态。
3.应力测量仪:利用应力测量仪可以直接测量薄膜的应力值。
薄膜力学中的应力分析

薄膜力学中的应力分析薄膜力学是研究薄膜如何受到压力和应力作用的学科,广泛应用于微电子器件、纳米材料制备等领域。
在薄膜力学中,应力分析是一项关键任务,它能够帮助我们理解薄膜的变形和失效行为,为薄膜材料的设计和应用提供重要参考。
一、应力与应变的基本概念在讨论应力分析之前,我们首先需要了解应力与应变的基本概念。
应力是单位面积内的力的作用,通常表示为σ;而应变则是物体在受到应力作用下的变形程度,通常表示为ε。
应力和应变之间存在线性关系,即胡克定律:σ= Eε,其中E为杨氏模量,是材料的一种力学性质。
二、薄膜的应力分布薄膜在受到力的作用下会产生应力分布,而应力的大小和分布规律对薄膜的性能和稳定性有重要影响。
薄膜中的应力分布主要有三种情况:一是等应力分布,即薄膜中各点的应力大小相等;二是线性应力分布,即薄膜中的应力沿某一方向呈线性分布;三是非线性应力分布,即薄膜中的应力随着位置的变化而变化。
三、平面应力与平面应变在薄膜力学中,经常会研究平面应力和平面应变的情况。
平面应力是指只存在于薄膜的一个面内的应力,适用于薄膜边缘自由的情况。
平面应变是指薄膜在受到应力作用下,只发生在一个平面内的应变。
对于平面应力和平面应变的分析,可以采用两个方向的应力与应变分量来描述和计算。
四、常见的应力分析方法在薄膜力学中,常用的应力分析方法有很多,下面介绍几种常见的方法。
1. 基于梁理论的方法:梁理论认为薄膜在受到应力作用下,可以近似看成在各个截面上为梁的模型。
该方法通常基于材料的物理性质和几何形状,通过求解梁方程得到应力分布。
2. 基于薄膜理论的方法:薄膜理论假设薄膜较薄,且沿厚度方向应力分布均匀。
在此基础上,可以建立弹性方程组,并求解得到应力和应变的分布情况。
3. 有限元分析方法:有限元分析是一种非常常用的数值计算方法,可以用来模拟和分析复杂结构的应力分布。
通过将薄膜划分为一系列小的元素,利用数值方法求解得到应力和应变。
五、应力分析的应用薄膜力学中的应力分析在很多领域都有广泛的应用。
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青岛科技大学机电工程学院装控系 化工设备机械基础讲稿 第9章 1 第9章 压力容器中的薄膜应力 本章重点内容及对学生的要求: (1)压力容器的定义、结构与分类; (2)理解回转薄壳相关的几何概念、第一、二主曲率半径、平行圆半径等基本概念。 (3)掌握回转壳体薄膜应力的特点及计算公式。
第一节 压力容器概述 1、容器的结构 如图1所示,容器一般是由筒体(壳体)、封头(端盖)、法兰、支座、接管及人孔(手孔)视镜等组成,统称为化工设备通用零部件。
图1 容器的结构示意图 2、压力容器的分类 压力容器的使用范围广、数量多、工作条件复杂,发生事故的危害性程度各不相同。压力容器的分类也有很多种,一般是按照压力、壁厚、形状或者在生产中的作用等进行分类。本节主要介绍以下几种: ○1按照在生产工艺中的作用 反应容器(R):主要用来完成介质的物理、化学反应,利用制药中的搅拌反应器,化肥厂中氨合成塔,。 换热容器(E):用于完成介质的热量交换的压力容器,例如换热器、蒸发器和加热器。 分离压力容器(S):完成介质流体压力缓冲和气体净化分离的压力容器,例如分离器、干燥塔、过滤器等; 储存压力容器(C,球罐代号为B):用于储存和盛装气体、液体或者液化气等介质,如液氨储罐、液化石油气储罐等。 ○2按照压力分 外压容器:容器内的压力小于外界的压力,当容器的内压力小于一个绝对大气压时,称之为真空容器。 内压容器:容器内的压力大于外界的压力。 低压容器(L): MPaPMPa6.11.0; 中压容器(M):MPaPMPa1016.0 高压容器(H):MPaPMPa10010 超高压容器(U):PMPa10 青岛科技大学机电工程学院装控系 化工设备机械基础讲稿 第9章 2 ○3《压力容器安全监察规程》 一类容器:有下列情况之一的 A 非易燃或无毒介质的低压容器; B 易燃或有毒介质的低压分离容器和换热容器; 二类容器:有下列情况之一的 A剧毒介质的低压容器; B 易燃或者有毒介质的低压反应容器和储运容器; C 中压容器; D 内径小于1m的低压废热锅炉 三类容器:有下列情况之一的 A 高压、超高压容器;
B 剧毒介质,且最高工作压力与容积的乘积MPaLVPW200
C 易燃或者有毒介质且MPaLVPW500的中压反应容器;或者MPaLVPW500的中压储运容器;
D 中压废热锅炉或内径大于1m的低压废热锅炉。 3、压力容器设计的基本要求 压力容器应首先满足设备的工艺尺寸,能在指定的操作条件下如压力、温度等完成指定的生产任务并保证产品的质量。在工艺尺寸确定后,进行结构和零部件设计,需要满足以下的要求。 ○1强度 构件抵抗破坏的能力。 为了保证生产安全和正常工作,设备必须满足所有零部件的强度需要。例如提升重物的钢丝绳,不允许被重物拉断。但在设计中,为了保证强度而盲目的加大结构尺寸是不合理的,因为会造成材料的极大浪费,增加运输及安装费用。壳体与部件的等强度设计是合理发挥材料潜力的好方法(如精馏塔的变径设计)。在容器上设计强度脆弱部件,当设备承受的载荷超载时,使其首先破坏以保护设备主体不受损害是生产过程中的安全措施。 ○2刚度 即构件在外力作用下保持原有形状的能力。对于薄壁容器来说,规定它的最小壁厚值是为了保证在运输及安装施工时不致发生过大的扭曲变形。规定塔盘的厚度不小于3mm,是防止塔盘的挠度过大以致产生液层厚度较大偏差,是为了通过液层的气液不致分布不均匀,影响塔盘分离效率。上海化工厂的法兰翘曲变形,主要是螺拴和法兰的刚度不相匹配而引起的。 (3)稳定性 指的是设备维持其原有的平衡形式。当化工容器承受外压力作用,如真空装置,必须满足稳定要求,不致在操作过程中被压瘪,失去工作能力。 (4)耐久性 耐久性根据要求的使用年限来确定。一般要求使用年限为10~12年。与其他机器类产品相比,机器的寿命决定主要机件的磨损,而容器及设备则决定于操作介质与周围环境对其腐蚀情况,在某些情况下,如果受交变载荷或高温时,应考虑设备的疲劳破坏及蠕变。根据所要求的使用年限和腐蚀情况,正确选用结构材料是保证设备耐久性的重要措施。 (5)密封性 容器及设备的密封性能是使其安全、可靠操作的重要措施。石油、化工产品的生产过程中,所处理物料具有易燃、易爆、有毒的特征。若密封性能得不到保证,使物料泄漏出来,不仅在生产中造成损失,而且会造成燃烧、爆炸、操作人员中毒的恶性事故。 (6)制造工艺 应在结构上保证最小的材料消耗,尤其是贵重材料的消耗。在结构设计时应使其便于加青岛科技大学机电工程学院装控系 化工设备机械基础讲稿 第9章 3 工、保证制造质量。应尽力避免复杂的加工工序,尽可能的减少加工量。设计时应采用标准设计和标准零件和部件。零部件的标准化是适应容器及设备生产特点、提高零部件互换能力、降低设备成本的一个重要途径。 (7)运输、安装与维修 设备及容器的自动化控制虽能简化了操作过程,但将增加投资,需要细致的核算经济效益方能进行确定。设计的合理结构还应考虑安装维修方便,例如,人孔的尺寸不能太小。设备尺寸和形状还要考虑整体运输的可能性,应满足铁路、公路、水路上的桥梁和涵洞的可能允许的最大尺寸,例如,高度、宽度、长度、质量等。
第二节 回转薄壳及其薄膜应力分析 1、回转薄壳的几何概念 (1)旋转壳体 旋转壳体指以任意直线或平面曲线作母线,绕其同平面内的轴线旋转一周而成的旋转曲面。平面曲线的不同,得到的回转壳体的形状也不同。例如:与轴线平行的直线绕轴旋转形成圆柱壳;与轴线相交的直线绕轴旋转形成圆锥壳;半圆形曲线绕轴旋转形成球壳。 中间面和壳体壁厚的概念。 图2 不同形状的回转壳体(幻灯片或者教材) (2)薄壁容器 根据容器的外径D0和内径Di的比值K进行划分: ○1厚壁容器 K>1.2; ○2薄壁容器 K1.2; 中低压容器属于薄壁容器,以下主要讨论薄壁容器的强度计算。 (3)回转曲面上的曲率半径 图3 一般回转壳体(幻灯片或者教材) 纵截面与第一曲率半径 如上图所示,过C点和OO’轴作平面,该平面与回转曲面的相交线称为经线,经线所在的平面称之为纵截面,其位置由它与母线平面的夹角确定。
经线上的C点的曲率中心K1必在过C点的法线上,CK1即为C点的第一曲率半径,1; 横截面 过C点作和OO’轴相垂直的平面,该平面与回转曲面的交线是一个圆,称之为平行圆,平行圆所在的截面为横截面。 锥截面和第二曲率半径 过C点作和与经线OB在C点的切线相垂直的平面,该平面和回转曲面相交又得到平面曲线,这条曲线上C点的曲率中心必在过C点的法线上,K2又必在OO’轴上,则CK2即
为C点的第二曲率半径,2。 ○1锥截面和回转曲面的交线为一个圆,称为回转曲面的纬线; ○2同一点的纬线和平行圆相互重合; ○3锥截面截出的是壳体的真实壁厚。 2、回转薄壳的薄膜应力分析 研究的壳体壁厚较薄,且不考虑壳体与其他零部件连接处的局部应力,可以认为径向应力和环向应力沿壁厚均匀分布,此时应力状态和承受内压的薄膜相似。又称薄膜理论。 青岛科技大学机电工程学院装控系 化工设备机械基础讲稿 第9章 4 图4 回转薄壳上的径向薄膜应力 (1)基本假设(此部分选讲) 假定壳体材料有连续性、均匀性和各向同性,即壳体是完全弹性的。 小位移假设 各点位移都远小于厚度。可用变形前尺寸代替变形后尺寸。变形分析中高阶微量可忽略。 直线法假设 变形前垂直于中面直线段,变形后仍是直线并垂直于变形后的中面。变形前后法向线段长度不变。沿厚度各点法向位移相同,厚度不变。 不挤压假设 各层纤维变形前后互不挤压。 (2)径向应力分析(推导过程根据课时可以机动掌握)
12sin
c
prσ
(区域平衡方程) (1)
(3)环向应力分析
图5单元体的截取与各截面上的内力 12mp
(微分平衡方程,拉普拉斯方程) (2)
第三节 薄膜应力理论分析 1、圆筒形壳体 第一曲率半径1=∞,第二曲率半径2=D/2,代入方程(1)与(2)得:
4mpD, 2pD
青岛科技大学机电工程学院装控系 化工设备机械基础讲稿 第9章 5 图6 圆筒形壳体上的薄膜应力 2、球壳
对于球壳,1=2=D/2,代入方程(1)与(2)得:
4mpD
直径与内压相同,球壳内应力仅是圆筒形壳体环向应力的一半,即球形壳体的厚度仅需圆筒容器厚度的一半。 当容器容积相同时,球表面积最小,故大型贮罐制成球形较为经济。 3、锥形壳 圆锥形壳半锥角为a,A点处半径为r,厚度为d,则在A点处:
12 cosr,代入方程(1)与(2)得:
图7 锥形壳体锥截面上的薄膜应力 2cosmpr, cospr
锥形壳体环向应力是经向应力两倍,随半锥角a的增大而增大; 半锥角要选择合适,不宜太大。 在锥形壳体大端r=R时,应力最大,在锥顶处,应力为零。因此,一般在锥顶开孔。 4、椭圆形壳体 (1)椭圆形壳体薄膜应力计算方程