稀土铜合金

第二，镧与氧的亲和力大于铜和氧的亲和 力，镧与氧生成密度比铜液小的高熔点稀 土氧化物，呈固相上浮到金属液表面而进 入渣相，某些细小的高熔点稀土化合物取 代了分布在晶界处的Cu2O等脆性化合物的 共晶体改变了应力分布的不均匀性，进而 使铜原子间的结合力增强，导度是 矛盾的，所以研发高强度高导电率的铜材 要寻找一个满足要求的合适点，以下手段 可供参考：
铜的电导率和导热率仅次与银，工艺性能 优良，价格远比Fe-Ni42合金便宜，近年来 涌现了许多中强度中导电率铜引线框架材 料，高强度中导电率铜引线框架材料，中 强度高导电率铜引线框架材料，在国内， 高强度高导电率的铜引线框架材料还少有 报道。所谓高强度高导电率的铜引线框架 材料是指强度大于450～600Mpa,电导率大 于80％IACS,抗软化温度高于500℃的铜引 线框架材料。
导电率出现拐点的原因在于稀土在纯铜中有 两方面的作用： 一是与铜基体中的铅、铋、硫等低熔点杂 质相互作用，形成难熔的高熔点的二元或 多元化合物，使杂质上浮，晶格畸变减弱， 电子散射几率减小，从而改善导电性。 另一方面，所形成的稀土化合物可作为异 质形核核心，从而增加了形核核心数目， 细化晶粒，晶界的增多，导致电子散射几 率增大，导电性下降。
各类型的铜基引线框架材料的性能和合金牌号
引线框架材料的功能有以下几方面的要求: 引线框架材料的功能有以下几方面的要求: (1)弹性优良、屈服强度高。 (2)导电导热率高。 (3)应力松弛特性优良，热稳定性优良。 (4)适当的韧性。 (5)线膨胀率适当。 (6)耐腐蚀性能好。 (7)环保、安全。
稀土在铜中有两方面的基本作用： 一是脱氧、脱硫，同时脱硫脱氧，去除铅、 铋等杂质，去氮、降低氢的危害等的净化 作用； 二是稀土微溶于铜中，并与其他元素如低 熔点金属反应生成高熔点化合物而且有微 合金化及变质作用。
由于稀土在铜合金中固溶度极小，具有晶 粒细化、净化杂质的特点，因而添加稀土 是获得高强度高导电铜合金的有效方法之 一，应当注意，稀土含量大于0.01％～0.02 ％时，导电率将从最高点下降、恶化，大 于0.1％左右时，力学性能开始恶化。
自第一集成电路问世以来，半导体集成 电路封装材料( 电路封装材料(引线框架材料、引线材料、 焊料) 焊料)得到了很大的发展，用量加大，新 材料也不断出现。
早期的引线框架多采用Ｋovar合金和铁镍合 金制作，但是随着电子元器件向高密度化、 小型化、大功率方向的发展，所用引线框 架材料的厚度也不断减薄。集成电路由硅 片、引线框架和塑封三部分组成。引线框 架材料是半导体元器件和集成电路封装的 主要材料，起到支撑芯片、传输信号和散 热的作用。
力学性能拐点的出现则由以下几个方面共 同作用形成，以镧为例，当加入少量La和 Cr时，纯铜的抗拉强度和硬度有所增加， 原因是： 第一，镧加入后所形成的稀土化合物成为 弥漫的结晶核心而使晶粒细化，晶界增多， 是位错运动阻碍增大，晶粒内位错塞积群 的长度减小，导致屈服应力提高，硬度值 增大，随着镧含量增加，粒子数增多，对 位错运动的阻力增大，合金被强化的程度 增加，因此合金的硬度增加．
固溶强化与其他方法相结合； 加工硬化与其他方法相结合； 第二相强化。 细晶强化与其他方法相结合； 快速凝固析出强化法； 铜基原位复合材料。