第一章 电力半导体器件
技师,高级技术题库第一章 电气传动与自动控制题库+答案
第一章电气传动与自动控制第一节电力电子器件一、填空题1.电力电子技术是依靠电力电子器件实现电能的高效率的变换和控制。
2.按照载流子导电类型分，电力电子器件可分为双极型、单极性和混合型器件。
3.晶闸管是最古老的功率器件，也是目前容量最大的功率器件。
4.所谓半导体是指其导电性介于导体和非导体之间的物质。
5.半导体器件的特征是由带电粒子在半导体中如何运动来决定的。
6.载流子在半导体中的移动形成了电流。
7.半导体器件的基础是PN结，当在结的两端施加正向电压时，就有电流流过PN结。
8.当PN结的反向电压增大到一定程度后，其反向电流就会突然增大，这种现象叫PN结的反向击穿。
反向击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两种。
9.场效应晶体管是一种多数载流子导电的半导体器件。
10.目前耐压最高、电流容量最大的全控型电力电子器件之一是GTO。
11.晶闸管是一种只能控制其导通，而不能控制其关断的半控型器件。
12.IGBT的选择主要有三个方面需要考虑：额定电压、额定电流和开关速度。
13.IGBT常用的保护电路由两种：过电压保护和过电流保护。
14.功率MOSFET具有工作效率高、驱动功率小、无二次击穿等优点。
15.根据反向恢复时间，功率二极管可以分为普通整流功率二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管和肖基特二极管等。
二、选择题1.高性能的高压变频调速装置的主电路开关器件采用（ B ）。
A、快速恢复二极管B、绝缘栅双极晶体管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管2.（ D ）的本质是一个场效应管。
A、肖特基二极管B、电力晶体管C、可关断晶闸管D、绝缘栅双极晶体管3.晶体管串联型稳压电源中的调整管工作在（ C ）状态A、饱和B、截止C、放大D、任意4.电力晶体管（GTR）在使用时，要防止（ D ）A、时间久而失效B、工作在开关状态C、静电击穿D、二次击穿5.双向晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ A ）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值6.双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ C ）电极。
电力电子题库(第一章第四章)
电力电子题库（第一章第四章）《电力电子技术》机械工业出版社命题人马宏松第一章功率二极管和晶闸管知识点：功率二极管的符号，特性，参数晶闸管的符号、特性、参数、工作原理双向晶闸管的符号、特性、参数、工作原理可关断晶闸管的符号、特性、参数、工作原理一、填空题1、自从_1956____年美国研制出第一只晶闸管。
2、晶闸管具有体积小、重量轻、损耗小、控制特性好等特点。
3、晶闸管的三个极分别为阳极、阴极、门极4、晶闸管导通的条件：在晶闸管的阳极和阴极间加正向电压，同时在它的阴极和门极间也加正向电压，两者缺一不可。
5、晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用。
6、晶闸管的关断条件：使流过晶闸管的阳极电流小于维持电流7、双向晶闸管的四种触发方式：I+触发方式I-触发方式Ⅲ+触发方式Ⅲ-触发方式。
8、GTO的开通时间由延迟时间和上升时间组成。
9、GTO的关断时间由存储时间、下降时间、和尾部时间10、功率二极管的导通条件：加正向电压导通，加反向电压截止。
11、对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL___>_____IH12、晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为，UDSM__<______ubo>13、普通晶闸管内部有两个PN结,，外部有三个电极，分别是阳极A极阴极K极和门极G极。
14、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时，门极上加上触发电压，晶闸管就导通。
15、、晶闸管的工作状态有正向阻断状态，正向导通状态和反向阻断状态。
16、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP表示该器件的名称为普通晶闸管，50表示额定电流50A，7表示额定电压700V17、只有当阳极电流小于维持电流电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
18、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会减小二、判断题1、第一只晶闸管是1960年诞生的。
（错）2、1957年至1980年称为现代电力电子技术阶段。
第一章常用半导体器件
第一章常用半导体器件［教学目的］1、了解本征、杂质半导体的导电特性及PN结中载流子的运动2、掌握半导体二极管的伏安特性及其主要参数，理解稳压管的原理及应用，了解PN结的电容效应3、掌握晶体三极管的电流分配关系及放大系数，掌握晶体管的共射特性曲线，了解温度对晶体管参数的影响4、掌握结型、绝缘栅型场效应管的基本结构，工作原理及相应的特性曲线，了解其与晶体管的异同点。
［教学重点和难点］1、二极管的单向导电性、稳压管的原理。
2、三极管的电流放大原理，如何判断三极管的管型、管脚和管材。
场效应管的分类、工作原理和特性曲线。
［教学时数］8+2学时［教学内容］第一节半导体基础知识一、本征半导体二、杂质半导体三、PN结第二节半导体二极管一、半导体二极管的几种常见结构二、二极管的伏安特性三、二极管的主要参数四、二极管的等效电路五、稳压二极管第三节双极性晶体管一、晶体管的结构及类型二、晶体管的电流放大作用三、晶体管的共射特性曲线四、晶体管的主要参数五、温度对晶体管特性及参数的影响第四节场效应管一、结型场效应管二、绝缘栅型场效应管三、场效应管的主要参数四、场效应管与晶体管的比较［电子教案］本章讨论的问题：1.为什么采用半导体材料制作电子器件？2.空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？3.什么是N型半导体？什么是P型半导体？当二种半导体制作在一起时会产生什么现象？4.PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗？它为什么具有单向性？在PN结中另反向电压时真的没有电流吗？5.晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的？场效应管是通过什么方式来控制漏极电流的？为什么它们都可以用于放大？1.1 半导体基础知识根据物体导电能力（电阻率）的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。
半导体的电阻率为10-3～10-9Ω•cm。
典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。
1.1.1 本征半导体本征半导体——化学成分纯净的半导体。
制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.%，常称为“九个9”。
电子技术试题及答案
电子技术试题及答案-(《电子技术基础》题库适用班级：2012级电钳3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。
一、填空题：第一章半导体二极管○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。
Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。
○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。
Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。
○5、PN结具有单向导电特性。
○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。
Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类；○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。
★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。
○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。
Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。
★12、发光二极管将电信号转换为光信号。
★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。
第二章半导体三极管及其放大电路○15、三极管是电流控制元件。
○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。
★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。
Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。
★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。
Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小.Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。
17_功率半导体器件基础教学大纲
功率半导体器件基础》课程教学大纲课程编号：课程名称：功率半导体器件基础/ Fundamentals of Power Semiconductor Devices 课程总学时/ 学分：48/3.0 (其中理论36 学时，实验12 学时) 适用专业：电子科学与技术专业一、教学目的和任务功率半导体器件基础是电子科学与技术本科专业必修的一门专业核心课程。
功率半导体器件基础讲述功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，在此基础上分析当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET 、IGBT 和功率集成器件，并包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。
根据电子科学与技术本科专业的特点和应用需要，使学生对功率半导体器件的基础理论和最新发展有一个全面而系统的认识，并培养学生在工程实践中的应用能力，提高学生的创新能力。
二、教学基本要求通过对计算机控制技术课程的学习，要求学生：(1)了解如何使用和选择功率半导体，以及半导体和PN结的物理特性以及功率器件的工艺。
( 2)熟悉功率器件的可靠性和封装，以及在电力电子系统中的应用。
( 3)掌握pin 二极管、双极型晶体管、晶闸管、MOS 晶体管、IGBT 的结构与功能模式及物理特性。
三、教学内容与学时分配第一章(知识领域1)：功率半导体器件概述( 2 学时)。
( 1)知识点：装置、电力变流器和功率半导体器件；使用和选择功率半导体；功率半导体的应用。
( 2)重点与难点：重点是装置、电力变流器和功率半导体器件；使用和选择功率半导体；功率半导体的应用。
第二章(知识领域2)：半导体的性质( 2 学时)。
( 1)知识点：晶体结构；禁带和本征浓度；能带结构和载流子的粒子性质；掺杂的半导体；电流的输运；半导体器件的基本功式。
( 2)难点与重点：重点是晶体结构、禁带和本征浓度和载流子的粒子性质第三章（知识领域3）：PN 结（2 学时）。
（1）知识点：热平衡状态下的PN结；PN结的I-V特性；PN结的阻断特性和击穿；发射区的注入效率；PN 结的电容。
电力半导体器件用散热器使用导则
电力半导体器件用散热器使用导则一、背景介绍电力半导体器件是电力电子技术的核心部分，其应用广泛，如变频空调、风力发电、太阳能发电等。
而在器件工作中，会产生大量的热量，需要通过散热器进行散热。
因此，如何正确使用散热器对于提高电力半导体器件的工作效率和延长使用寿命具有重要意义。
二、散热器的选择1. 散热器材质目前市面上主流的散热器材质包括铝合金、铜和铜镍合金。
其中铜和铜镍合金的导热性能更好，但价格较高；而铝合金价格较为实惠，但导热性能相对较差。
2. 散热器尺寸散热器尺寸应根据实际情况进行选择。
一般来说，散热器面积越大，则其散热效果越好。
但同时也要考虑到安装空间和成本等因素。
3. 散热片数量和间距散热片数量和间距也是影响散热效果的重要因素。
一般来说，散热片数量越多、间距越小，则散热效果越好。
但同时也要考虑到成本和安装空间等因素。
三、散热器的安装1. 散热器与器件的接触面散热器与器件的接触面应尽量平整，以保证散热效果。
如果接触面不平整，则可以使用导热硅脂进行填充，以增加接触面积。
2. 散热器的安装方式散热器的安装方式应根据实际情况进行选择。
一般来说，可以采用直立式、横放式或倾斜式等多种方式。
但需要注意的是，在安装过程中要保证散热器与器件之间有一定的间隙，以便于空气流通。
3. 散热风扇在一些特殊情况下，如高温环境或功率较大时，可以使用散热风扇进行辅助散热。
但需要注意的是，在使用风扇时要保证其方向正确，并且不得影响到其他设备或人员。
四、散热系统维护1. 定期清洁定期清洁散热系统中的灰尘和杂物，以保证其散热效果。
2. 检查连接定期检查散热器与器件之间的连接情况，以保证其接触面平整，并且不得出现脱落或松动等情况。
3. 检查风扇如果使用了散热风扇，则需要定期检查其工作状态，以保证其正常运转，并及时更换损坏的部件。
五、总结正确使用散热器对于电力半导体器件的工作效率和使用寿命具有重要意义。
在选择散热器时应考虑到材质、尺寸、散热片数量和间距等因素；在安装过程中应注意接触面平整、安装方式和散热风扇等问题；在日常维护中应定期清洁、检查连接和检查风扇等问题。
晶闸管及其触发电路简介
C3
12
13
14 15
R1 2
16
(1~ 6脚为6路单脉冲输入)
16
1
15
2
14
3
4
5
6
7
8
13
12
KJ0 4 1
11
10
9
(1 5 ~1 0脚为6路双脉冲输出)
至VT1 至VT2 至VT3 至VT4 至VT5 至VT6
电力电子技术 第5章
晶闸管的触发电路
交流开关及其应用电路
常规的电磁式开关在断开负载时往往有电弧产生， 触头易烧损、开断时间长；在运行过程中会产生噪音 污染环境等等。由电力电子器件组成的交、直流开关 具有无触头、开关速度快、使用寿命长等优点，因而 获得广泛的应用。
A
P1
N1
G
P2
N2
K
A
IA α1
P1N1P2
IC1
IC2
G
α2
N1P2N2
IK
K
A
G K
电力电子技术 第5章 晶闸管的触发电路
门极关断（GTO）晶闸管
2. 导通关断条件
A
G K
A
R
IA
P1N1P2
IG
α1
IC1
IC2
EA
G N1P2N2 α2
EG
IK
K
导通过程等效电路
导 通 与晶闸管相同，AK正偏，GK正偏。
电力电子技术 第5章 晶闸管的触发电路
第一节 单结晶体管触发电路
b2
e
VD Rb2 A
UD Rb1
UA
Rb2U bb Rb1 Rb2
Ubb
电力电子题库(第一章~第四章)
《电力电子技术》机械工业出版社命题人马宏松第一章功率二极管和晶闸管知识点：●功率二极管的符号，特性，参数●晶闸管的符号、特性、参数、工作原理●双向晶闸管的符号、特性、参数、工作原理●可关断晶闸管的符号、特性、参数、工作原理一、填空题1、自从_1956__ __ 年美国研制出第一只晶闸管。
2、晶闸管具有体积小、重量轻、损耗小、控制特性好等特点。
3、晶闸管的三个极分别为阳极、阴极、门极。
4、晶闸管导通的条件：在晶闸管的阳极和阴极间加正向电压，同时在它的阴极和门极间也加正向电压，两者缺一不可。
5、晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用。
6、晶闸管的关断条件：使流过晶闸管的阳极电流小于维持电流。
7、双向晶闸管的四种触发方式：I+ 触发方式 I-触发方式Ⅲ+触发方式Ⅲ-触发方式。
8、GTO的开通时间由延迟时间和上升时间组成。
9、GTO的关断时间由存储时间、下降时间、和尾部时间。
10、功率二极管的导通条件：加正向电压导通，加反向电压截止。
11、对同一晶闸管，维持电流I H 与擎住电流I L在数值大小上有I L___>_____I H。
12、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM__<______U BO13、普通晶闸管内部有两个PN结,，外部有三个电极，分别是阳极A极阴极K 极和门极G极。
14、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时，门极上加上触发电压，晶闸管就导通。
15、、晶闸管的工作状态有正向阻断状态，正向导通状态和反向阻断状态。
16、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP表示该器件的名称为普通晶闸管，50表示额定电流50A，7表示额定电压700V。
17、只有当阳极电流小于维持电流电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
18、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会减小。
二、判断题1、第一只晶闸管是1960年诞生的。
（错）2、1957年至1980年称为现代电力电子技术阶段。
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电力电子变流技术试题汇总 （第一章 电力半导体器件） 一、填空题 1.晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是，阳极、门极和__阴__极。 2.晶闸管额定通态平均电流IVEAR是在规定条件下定义的，是晶闸管允许连续通过__工频__正弦半波电流的最大平均值。 3.处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极承受正向电压，且__门极加上正向电压 _时，才能使其开通。 4.晶闸管额定通态平均电流IVEAR是在规定条件下定义的，条件要求环境温度为_+400__。 5.对同一只晶闸管，断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上有UDSM__小于_UBO。 6..对同一只晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL_≈（2～4）_IH。 7..晶闸管反向重复峰值电压等于反向不重复峰值电压的_90%___。 8.普通逆阻型晶闸管的管芯是一种大功率__四__层结构的半导体元件。
9.可关断晶闸管（GTO）的电流关断增益βoff的定义式为minoffGAII。
10.晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为____擎住电流IL__。 11..晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压UDRm和反向重复峰值电压URRm中较_小__的规化值。 12.普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用__有效值_标定。 13.普通晶闸管属于__半控型_器件，在整流电路中，门极的触发信号控制晶闸管的开通，晶闸管的关断由交流电源电压实现。 14.IGBT的功率模块由IGBT和_快速二极管_芯片集成而成。 15.对于同一个晶闸管，其维持电流IH_ 小于_擎住电流IL。 16.2.可用于斩波和高频逆变电路，关断时间为数十微秒的晶闸管派生器件是__快速晶闸管____。 17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是__智能功率集成电路（SPIC）。 18.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为，UDSM_＝90% UBO。 19.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用_快速__型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 20.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是__解决静态不均压__措施。 21.晶闸管断态不重复峰值电压UDSM与断态重复峰值电压UDRM数值大小上应有UDSM__小于__UDRM。 22.波形系数可以用来衡量具有相同的平均值，而波形不同的电流有效值_的大小程度。 23.当晶闸管_阳极加反向电压_时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在关断状态。 24.逆导型晶闸管是将逆阻型晶闸管和__大功率二极管__集成在一个管芯上组成的。 25.当晶闸管阳极承受__反向电压_时，不论门极加何种极性的触发信号，管子都处于断态。 26.使已导通的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至__维持电流IH_以下。 27.在双向晶闸管的4种触发方式中，_Ⅲ+_方式的触发灵敏度最低。 28.在晶闸管的两端并联阻容元件，可抑制晶闸管关断______。 29.当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都将工作在_关断_状态。 30.晶闸管工作过程中，管子本身产生的损耗等于流过管子的电流乘以管子_两端的电压_。 31.维持电流IH是指晶闸管维持通态所需的_最小阳极_电流。 32.对于普通晶闸管，在没有门极触发脉冲的情况下，有两种因素会使其导通，一是正向阳极电压UA过高，二是__反向阳极电压－UA过高____。 33.为防止晶闸管误触发，应使干扰信号不超过 不触发区。 34.由逆阻型晶闸管和整流管集成的晶闸管称为_逆导型晶闸管__。 35.反向重复峰值电压URRM等于反向不重复峰值电压URSM的 90% 。 36.按照控制信号的性质来分，晶闸管是属于_电流_驱动型电力电子器件。 37.晶体管开通时间ton=___td+tr__。 38.擎住电流IL是指使晶闸管刚刚从断态转入通态，并在移去触发信号之后，能维持通态所需的 最小阳极 电流。 39.晶闸管通态(峰值)电压UTm是_ 晶闸管以π倍或规定倍数的额定通态平均电流时的瞬时峰值电压值 __ 40.IGBT是一种__MOSSEFE__驱动的电子器件。。 41.电力晶体管的安全工作区由___四__条曲线限定。
42.晶闸管的通态平均电流IVEAR的波形系数Kf= VEARVEII。
43.波形系数可以用来衡量具有相同电流平均值_，而波形不同的电流有效值的大小程度。 二、选择题。 1.造成在不加门极触发控制信号即使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素，一是阳极的电压上升率du/dt太快，二是( C ) A.阳极电流上升太快 B.阳极电流过大 C.阳极电压过高 D.电阻过大 2.在IVEAR定义条件下的波形系数kfe为( B ) A.π B.2 C. 23 D.2π 3.晶闸管的额定电压是这样规定的，即取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并经如下处理( D ) A.乘以1.5倍 B.乘以2倍 C.加100 D.规化为标准电压等级 4.晶闸管不具有自关断能力，常称为( B ) A.全控型器件 B.半控型器件 C.触发型器件 D.自然型器件 5.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，晶闸管都将工作在( D ) A.导通状态 B.不定 C.饱和状态 D.关断状态 6.功率晶体管的安全工作区范围由几条曲线限定( A ) A.4条 B.3条 C.5条 D.2条 7.晶闸管的伏安特性是指( C ) A.阳极电压与门极电流的关系 B.门极电压与门极电流的关系 C.阳极电压与阳极电流的关系 D.门极电压与阳极电流的关系 8.晶闸管电流的波形系数定义为( A ) A.VARVfIIK B.VVARfIIK C.Kf =IVAR·IV D.Kf =IVAR-IV 9.取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的( D ) A.转折电压 B.反向击穿电压 C.阈值电压 D.额定电压 10.具有自关断能力的电力半导体器件称为( A ) A.全控型器件 B.半控型器件 C.不控型器件 D.触发型器件 11.晶闸管的三个引出电极分别是（ A ） A.阳极、阴极、门极 B.阳极、阴极、栅极 C.栅极、漏极、源极 D.发射极、基极、集电极 12.当晶闸管承受反向阳极电压且门极施加正向脉冲时，正常情况下晶闸管都将工作在 （ B ） A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不定 13.处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极与阴极间加正向电压，且在门极与阴极间作何处理才能使其开通（ C ） A.并联一电容 B.串联一电感 C.加正向触发电压 D.加反向触发电压 14.晶闸管工作过程中，管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以（ A ） A.阳极电流 B.门极电流 C.阳极电流与门极电流之差 D.阳极电流与门极电流之和 15.功率晶体管（GTR）的安全工作区由几条曲线所限定（ D ） A.3条 B.2条 C.5条 D.4条 16.由门极控制导通的晶闸管导通后，门极信号( A )。 A.失去作用 B.需维持原值 C.需降低 D.需提高 17.逆导晶闸管是一种集成功率器件，将逆阻型晶闸管和( A )反并联在一个管芯上的。 A.二极管 B.晶闸管 C.晶体管 D.场效应管 18.GTO的电流关断增益βof=( A )。 A.|I|IminGA B.|I|IGTA
C.|I|IGDA D.|I|IGFMA 19.晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为（ B ）。 A.维持电流 B.擎住电流 C.浪涌电流 D.额定电流 20.与普通晶闸管不同，双向晶闸管的额定电流的标定用（ C ）。 A.平均电流值 B.通态平均电流值 C.有效值 D.最大电流值 21.双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是（B ）。 A.GTO B.IGBT C.GTR D.MCT 22.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( B ) A.一次击穿 B.二次击穿 C.临界饱和 D.反向截止 23.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( B ) A.大功率三极管 B.逆阻型晶闸管 C.双向晶闸管 D.可关断晶闸管 24.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( A ) A.干扰信号 B.触发电压信号 C.触发电流信号 D.干扰信号和触发信号 25.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( B ) A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不定 26.按器件的可控性分类，普通晶闸管属于（ B ） A．全控型器件 B．半控型器件 C．不控型器件 D．电压型器件 27.下列4种电力电子器件,哪种是半控型电力电子器件。( C ) A.电力二极管 B.门极可关断晶闸管 C.晶闸管 D.电力晶体管 28.功率晶体管的二次击穿现象表现为( A ) A.从高电压小电流向低电压大电流跃变 B.从低电压大电流向高电压小电流跃变 C.从高电压大电流向低电压小电流跃变 D.从低电压小电流向高电压大电流跃变 29.普通晶闸管不具备自关断能力，常被称为（ B ） A．全控制器件 B．半控型器件 C．不控制器件 D．触发型器件 30.决定触发脉冲最小宽度一个重要因素是( B ) A. 维持电流IH B. 擎住电流IL C. 浪涌电流ITSm D. 额定电流 32.为防止晶闸管误触发，应使干扰信号不超过( B ) A. 安全区 B. 不触发区 C. 可靠触发区 D. 可触发区 33. 要关断GTO，则需( B ) A. 在门极加正脉冲信号 B. 在门极加负脉冲信号 C. 加强迫关断电路 D. 加正弦波信号 34. 全控型器件是( D ) A. 光控晶闸管 B. 双向晶闸管 C. 逆导晶闸管 D. 功率晶体管