bpv10nf参数
10n60场效应管参数
10n60场效应管参数10n60场效应管是一种功能强大的管式半导体晶体管。
它在晶体管和可控硅技术中都有着广泛的应用，它的主要参数包括电流死区（Idr），电压饱和（Vce），电压窗口高电压（VwH），电压跌落（Vf），电容（CJ），绝缘度（IR），反向电压（VR）等。
电流死区（Idr）是指当电流流过10n60场效应管时，不可能出现的电流量。
它的大小取决于电压，也就是说，当电压下降时，死区就会减小，而当电压升高时，死区就会增大。
电压饱和（Vce）是指10n60场效应管输出口的最大工作电压。
在此电压以上，管芯就会变成饱和状态，而导致饱和状态的电流也会变小。
通常，Vce是在0.7V左右，但是有时可能会有不同的要求，无论如何，Vce必须在1V以下，因为超过这个电压就会损坏管子。
电压窗口高电压（VwH）是指10n60场效应管的最高工作电压。
一般来说，VwH的最大值为75V，但有时会有不同的要求，而且VwH 大小与管子的温度也有关，即随着温度升高，VwH也会相应增大。
电压跌落（Vf）是指10n60场效应管的最低工作电压。
Vf的最小值是6V，当电压超过这个值时，管子就会出现故障。
电容（CJ）是指10n60场效应管的静电容量，其的值范围一般在0.1pF到10pF之间，它的大小直接影响着管子的工作频率。
绝缘度（IR）是指10n60场效应管的绝缘电阻，其数值一般在1MΩ到10MΩ之间，它的大小取决于管子的类型和温度，在低温下，绝缘度会受到更大的影响，而在高温下，绝缘度会受到更小的影响。
反向电压（VR）是指10n60场效应管反向工作时的最大电压，一般为5V，它取决于管子材料和结构。
以上是10n60场效应管的主要参数介绍，从这些参数来看，我们可以很明显地看出，10n60场效应管的特性非常强大，它可以承受高低温的变化，可以抵抗高低电压的变化，而且具有较高的静电容量和绝缘度，所以它在晶体管和可控硅的应用中非常广泛。
然而，同时也要强调的是，在使用10n60场效应管时，要确保管子的参数与实际使用中的参数保持一致，否则就会出现管子功能性失效的问题，从而影响设备的正常运行，所以在购买10n60场效应管时，一定要仔细确认其参数，以确保管子的正常使用。
10kv欧式前接头技术参数
10kv欧式前接头技术参数10kV欧式前接头是一种用于电力输配电系统的连接器，它主要用于连接电缆和设备，具有较高的电压等级和额定电流。
下面将详细介绍10kV欧式前接头的技术参数。
1. 额定电压：10kV欧式前接头的额定电压为10千伏，适用于中等电压输配电系统，可以安全可靠地传输10千伏电压下的电能。
2. 额定电流：10kV欧式前接头的额定电流一般有几个档位可供选择，常见的有100A、200A、400A等，根据实际电流需求进行选择。
3. 绝缘等级：10kV欧式前接头的绝缘等级一般为类B或类C，具有良好的绝缘性能，能够有效地防止电流泄漏和电击风险。
4. 防护等级：10kV欧式前接头的防护等级一般为IP67，具有良好的防尘和防水性能，适用于户外环境和恶劣的气候条件下的使用。
5. 材质：10kV欧式前接头的外壳材料通常采用高强度耐候性工程塑料，具有良好的耐热性和耐腐蚀性，能够长期稳定地工作在各种环境条件下。
6. 连接方式：10kV欧式前接头采用螺旋连接方式，连接稳固可靠，能够承受一定的机械拉力和振动，保证电力系统的正常运行。
7. 安装方式：10kV欧式前接头可以采用壁挂式、钢管穿墙式等多种安装方式，方便快捷，适用于不同的安装环境。
8. 绝缘外径：10kV欧式前接头的绝缘外径一般为50mm，适用于不同规格的电缆连接，确保连接的稳定性和安全性。
9. 使用寿命：10kV欧式前接头的使用寿命通常为20年以上，经过严格的质量控制和测试，能够长期稳定地工作在电力输配电系统中。
10. 安全性能：10kV欧式前接头具有良好的安全性能，能够在高电压和大电流下保持稳定的工作，同时具有防电击、防漏电等保护功能。
总结：10kV欧式前接头是一种适用于中等电压输配电系统的连接器，具有高电压等级和额定电流，具备良好的绝缘性能、防护等级和安全性能，能够稳定可靠地连接电缆和设备，确保电力系统的正常运行。
它的技术参数包括额定电压、额定电流、绝缘等级、防护等级、材质、连接方式、安装方式、绝缘外径、使用寿命和安全性能等。
常用电子管参数
k6C5P 6.30.32508±3-8——9 2.220 6C6B 6.30.21209±2.7R k=220Ω——5525 6C7B 6.30.2250 4.5±1.3R k=400Ω——16465 6C16 6.30.315024R k=60Ω———24—6C31B-Q 6.30.225040±100——0.6520>13 6C32B-Q 6.30.162003±1.3R k=280Ω——28.5 3.5100 6N1 6.30.62507.5±2R k=600Ω——8 4.435 6N2 6.30.34250 2.3±0.9-1.5——46 2.197.5 6N3 6.30.351508.5-2—— 5.9 5.935 6N4 6.3/12.60.33/0.17250 2.3-1.5——46 2.197.5 6N5P 6.3 2.5±0.59060±3.5-30——450±150 4.5—6N6 6.30.7512030±10-2—— 1.81120±4 6N7P 6.30.83007±2-6——11 3.235 6N8P 6.30.62509-8——7.7 2.620 6N9P 6.30.3250 2.3-8——44 1.670 6N10 6.3/12.60.33/0.1625010.5R k=800Ω——7.7 2.217 6N11 6.30.349016R k=90Ω——21.612.527 6N12P 6.30.918023-7—— 2.4717 6N13P 6.3 2.59080±32-30——R i≤460Ω5—6N15 6.30.4510090R k=90Ω—— 6.8 5.638 6N16B 6.30.4100 6.3±1.9R k=325Ω——5525 6N17B 6.30.4100 3.3±1R k=325Ω——20 3.875 6N17B 6.30.4200 3.3±1R k=325Ω——20 3.875 6N21B-Q 6.30.4200 3.5±1.3R k=330Ω——21 4.290 6J1 6.30.171207R k=200Ω1203300 5.2—6J1B 6.30.21207.5R k=200Ω120 3.5— 4.8—6J2 6.30.17120 5.5R k=200Ω120 5.7130 3.7—6J2B 6.30.2120 5.5R k=200Ω120<6— 3.2—6J3 6.30.32507±3R k=200Ω150<37505—6J4 6.30.325011±3R k=68Ω150<6900 5.7—6NJ4P 6.30.4530010R k=160Ω150 2.5±1—9—6J5 6.30.4530010±4-2150<43509±3—6J8 6.30.22503-2±11400.5—2—6J8P 6.30.32503±1-31000.8— 1.7—6J9 6.30.315016R k=80Ω150<4.5—17.5—6J20 6.30.4515018+6——>3517—6J23 6.30.4415013.5R k=50Ω150<8—15±5—6J23B-Q 6.30.171206±2R k=200Ω120 1.4—6±2—12J1S12.675mA150 1.2~3.5075—— 1.0~2.5—6K1B 6.30.21207.5R k=200Ω120<4— 4.8—6K3P 6.30.32509-3100 2.5±1—2±0.4—6K4 6.30.325010±3R k=68Ω100<6850 4.4—6K5 6.30.325010±3R k=68Ω100<6850 4.4—12K3P 12.60.152509-3100 2.5±1—2±0.4—2P2 1.2/2.460mA/30mA 60 3.5±1.2-3.560<1.2—>0.9—2P3 1.4/2.80.2/0.113516±4-7.590≤3— 2.4—2P19B 2.20.11207.6-590<4— 1.7—2P29 2.20.111203045<1.2— 1.6—4P1S 4.20.3315060±20-3.5150≤6—6—6P1 6.30.525044±11-13250≤740 4.9—6P3P 6.30.925072-14250≤8 4.36—6P4P 6.30.925072-14250≤8—6—6P6P 6.30.4525045-12250≤7524—6P9P 6.30.6530030±10-3150 6.5—11.7—6P13P 6.3 1.320060-19200≤8258.5—6P14 6.30.7625048R k =120Ω250≤7389—6P15 6.30.7630030±8R k =75Ω150<610012256P25B 6.30.4511030±7-8110<4— 4.2—6P30B-Q 6.30.4712030±8R k =330Ω120<2— 4.5—6P31B-Q 6.30.4712030±8R k =330Ω120<3— 3.4—13P1P 130.752642±10026<4 1.57.5—6P27P 6.3 1.537538-14256<7—9—6S6 6.30.5415046±12R k =30Ω150<14834—6T1 6.30.415015±4R k =120Ω120<4606—6A26.30.32503±1-1.51007>0.3>0.3—6F1三极部分10013±5-2——45206F1五极部分17010-2170<4.5400 6.2(2)6F2三极部分15018±6R k =56Ω——58.5406F2五极部分25010±3R k =68Ω110<5.5400 5.2—6G2P二极部分0>0.2——————6G2P三极部分250 1.2-2——91 1.1100WE-300B 30062-61——0.74 5.3WE-300B 35060-74——0.795FU-5103±0.5 1.5k 74-10——— 4.5—FU-5F 12.622±2——-300—— 5.815±357~85FU-7 6.30.660036±12-293004—6±1—FU-13105±0.32k 50±15-100400——4±0.9—FU-17 6.3/12.60.8/0.430023±13—2006— 3.2±17FU-2512.60.4560036±12-293004—6±1—FU-29 6.3/12.6 2.2/1.125036±13-11/-10017513———FU-317.55—————10 3.335FU-32 6.3/12.6 1.6/0.825032±14-10/-100135<5.514——FU-331010±0.83k 100±40-50————35FU-15 4.4/2.20.68/1.3525090±30-14±6200<9— 4.7±1.3—FU-46 6.3 1.25±0.240080±16-40195<2546±1.2—FU-5012.60.7±0.180050-40±15250<7 3.33~5.2—FU-8012.6112k 200—600<200— 5.5±1—FU-811 6.34 1.5k 26±10-20——— 3.6160FU-250F 26.50.581k 150-38±73005—12—6336A 240—— 1.75—EL81 6.3 1.0520050-3.152004 2.5——8550 6.3 1.6600100-35300584510 3.251k 90-145——1.7 3.16CA7 6.3 1.54502*45-20450110.420.450.31.26.36.36.357092100——FD422 6.3 1.560050-6545 5.584510 3.251k 40-175—— 3.16.30.75250 1.2-3——52 1.3686.30.7515030R k =620Ω——0.92 5.456.30.7520024-8.5125 5.27010—6.30.751509.2-5——8.7 4.64018045180.1321020-3210<5.5—11—FC4 6.30.5250 2.2-3—— 2.715406C22D 6.30.13525018R k =75Ω——8.6 6.5566.3 1.6250140-148.86.3 1.6600115-3130045.56.3 1.6250140-148.86.3 1.645090-4568.8PL8121.50.320050-31.52004 2.5——EL34 6.3 1.525090-13.5250——11—EL84 6.30.763002*24-11300————2A3 2.5 2.525060-45——— 5.3—21110 3.25100-70——— 3.6—572B 6.342k 21-20——— 3.6—F-81010 4.5 1.2k 90-20——— 4.2—FU-812 6.34 1.2k 30-30———4.2—58816.30.925072-146—KT1006CY76CX86550g6.9 5.7350 2.75——6.9 5.7250 1.4——R g<1MΩ6.9 5.7300 1.45——R g<1MΩ6.9 5.7—4——7 5.7100 2.5——R g<1MΩ7 5.7250 4.5——R g<2MΩ7 5.7300 2.2——R g<1MΩ7 5.73001——R g<0.5MΩ7 5.7300 1.5——R g<1MΩ7 5.73001——R g<0.5MΩ6.9 5.725013——功率双极管7—300 4.8——R g<1MΩ6.9 5.73006——功放6.9 5.7330 2.75——R g<0.5MΩ6.9 5.7275 1.1——R g<0.5MΩ6.9/13.8 5.7/11.4250 2.5——6.9 5.71302——R g<1MΩ6.9 5.7300 4.2——R g<100kΩ6.9 5.730013——R g<1MΩ7 5.7300 1.6——R g<100kΩ6.9 5.72000.9——R g<1MΩ6.9 5.72500.9——R g<1MΩ6.9 5.72500.9——R g<1MΩ7 5.72501——R g<2MΩ7 5.7200 1.81500.55R g<1MΩ6.9 5.7150 1.21250.4R g<1MΩ7 5.7200 1.81500.9R g<1MΩ6.9 5.71500.91250.7R g<1MΩ7 5.7330 2.51650.55R g<1MΩ7 5.7300 3.51500.96.9 5.7330 3.3165—7 5.7300 3.61500.5R g<0.5MΩ7 5.730012000.2R g<2.2MΩ7 5.7330 2.81400.7R g<500kΩ7 5.7250316000.75R g<1MΩ7 5.7200 3.5——6.9 5.7150 2.5150 1.2R g<300kΩ7 5.7150 1.21500.5R g<1MΩ14.510.825022250.7P o≥0.4W6.9 5.7150 1.21250.3R g<1MΩ6.9 5.7300 4.41400.447 5.730031250.6R g<500kΩ7 5.730031250.6R g<500kΩ13.811.4330 4.41400.441.4/2.80.9/1.8900.490—P o ≥50mW 1.54/3.081.26/2.5215021350.5P o ≥0.5W 2.5 1.820011300.352.4220011200.34.7 3.92507.5250 1.5R g <500k Ω7 5.725012250 2.5R g <500k Ω7 5.740020330 2.7R g <500k Ω7 5.740020300 2.8P o ≥5W 6.9 5.735013310 2.2P o >3.6W 7 5.73309330 1.5P o >2.4W 6.9 5.745014—47 5.7300123002P o >3W 7 5.733012330 1.5R g <1M Ω6.9 5.7155 3.71550.7P o ≥0.75W 7 5.7250 5.52502R g <1M Ω7 5.7250 5.52502R a =2k Ω14.311.71106801P o =0.2~0.6W 7 5.7300123002P o >3W 6.9 5.72508.3250 2.3三极管接法 μ=366.9 5.7250 3.5165 1.8R g <100k Ω6.9 5.7330 1.1110 1.10.3mA/V 为变频互导250 1.5——R g <500k Ω250 2.51750.7括号中(z)为变频互导300 2.7——R g <1M Ω300 2.83000.5————I e >0.8mA 3300.5——330——状态Ⅰ360——状态Ⅱ10.59.5 1.5k 125——P o =150W 12.6—5k 2.5k ——P o =3.5kW 7 5.760025300 3.5F m ≥60MHz 10.59.52k 100400226.9/14 5.7/11.4400625031411.460025300 3.5P o =33W 7/14 5.7/11.4750402257两管U go 不同——1k 50——P o =95W 7.0/14 5.7/11.4500152505P o =7W 10.59.5 3.3k 300——P o =800W 4.8/2.4 4.0/2.0400152504P o ≥11W 6.9 5.775252503P o =55W 13.911.31k 402505P o ≥50W 13.411.83k 450600120P o >600W 6.66 1.2k 40——P o >130W 27.525.22k 160~2504008~12P o ≈200W P o =25W 75.730052501P o =20W P o =100W P o =24W(A类)P o =40W 6.96.96.95.5 5.75.75.75.7(AB1类PP)P o =200W P o =50W 10.59.5——P o =75W(AB 1)6.9 5.7——第二组三极管6.9 5.7——第一组三极管6.9 5.7五极管部分6.9 5.7——三极管部分20 6.3R L =51k 五极管7 5.730015——R g <500k Ω6.9 5.730025——R g <100k Ω7 5.7P o =12单管甲类7 5.7PP(AB 1类)7 5.7P o =12单管甲类7 5.7P o =90PP(AB 1类)7 5.730052501PP(B类)6.9 5.7A类6.9 5.7三极管接法/AB1-PP2.7 2.3三极管10.59.5三极管7 5.7 2.2k 三极管10.59.5 1.5k 三极管6.9 5.8 1.5k 三极管6.9 5.7350束射四极管Po≈160W Po≈180W Po≈130W Po≈5.4A类时,Po≈4W A类时,Po≈100W。
10uf 500v 方电容
在妥协。
品牌C的10uf 500v方电容
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价格较低，但在某些应用中可能需要考虑其性能下降的问题。
市场份额对比
品牌A的10uf 500v方电容
市场份额较大，在高端市场和关键应用中占据主导地位。
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市场份额适中，在普通市场和一般应用中较为常见。
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未来，方电容将会更加小型化、 高效化和低成本化，以满足不断
变化的电子设备需求。
同时，随着新能源、电动汽车等 领域的快速发展，方电容的应用 领域也将不断扩大，为行业发展
带来更多机遇。
THANKS
感谢观看
高频特性
尽管陶瓷电容器在高频下的性能没有某些其他类型的电容器（如MLCC）出色， 但它们仍然可以用于高频电路中。
04
CATALOGUE
竞争对手分析
产品性能对比
品牌A的10uf 500v方电 容
该品牌的产品在稳定性、可靠性和寿命方面 表现优秀，受到市场的广泛认可。
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该品牌的产品在性能和价格方面具有竞争力，但在 某些特殊应用场景中可能存在风险。
技术发展趋势
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随着电子设备向高频化方向发展 ，10uf 500v 方电容的高频性能 也在不断提高，未来将能够更好
地适应高频电路的需求。
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随着电子设备的复杂性和功能性 不断提高，对电路中电容器容量 的需求也在不断增加，因此10uf 500v 方电容的大容量发展趋势
明显。
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随着物联网、智能家居等新兴领 域的发展，智能化成为电子元件 的重要发展趋势，10uf 500v 方 电容也不例外，未来将有更多智
nc-10gfts参数
nc-10gfts参数很抱歉，作为文本生成模型，我无法为您撰写一篇名为《nc-10gfts参数》的文档。
但我可以为您提供一些关于NC-10GFTS的基本参数信息，您可以根据这些信息自行组织语言和内容。
=========概述--NC-10GFTS是一款高性能的10GFTTH光纤配线柜，它适用于大型网络和数据中心环境，用于提供高带宽、低延迟的连接。
该设备具有许多重要参数，这些参数决定了其性能和功能。
端口数量和类型------NC-10GFTS设备具有多个端口，包括SC、ST、MT-RJ等类型。
这些端口支持多种速率，包括1Gbps、10Gbps和25Gbps。
这意味着您可以根据需要选择适当的端口类型和速率，以满足您的网络需求。
光纤类型----NC-10GFTS支持多种光纤类型，包括单模光纤和多模光纤。
单模光纤适用于长途通信，具有较高的传输距离和带宽。
多模光纤适用于短距离通信，成本较低。
光纤数量和长度------NC-10GFTS设备通常配备多根光纤，每根光纤的长度可以根据需要进行选择。
这意味着您可以根据网络需求选择适当的光纤长度，以获得最佳的性能和成本效益。
连接器类型-----NC-10GFTS设备的连接器类型包括LC、ST等。
这些连接器类型具有较高的机械和环境稳定性，适用于高带宽、低延迟的通信环境。
光纤配线盘尺寸------NC-10GFTS设备的尺寸可以根据需要进行选择。
通常，设备具有不同的尺寸，如24框式、48框式等。
这些尺寸允许您根据网络布局和空间需求选择适当的设备。
冗余设计----NC-10GFTS设备还具有冗余设计，可以提高设备的可靠性和稳定性。
该设计包括电源和冷却系统，确保设备在异常情况下仍然能够正常运行。
总之，NC-10GFTS是一款高性能的10GFTTH光纤配线柜，具有多种重要参数，如端口数量和类型、光纤类型、光纤数量和长度、连接器类型、光纤配线盘尺寸和冗余设计等。
这些参数决定了其性能和功能，可以满足大型网络和数据中心环境的通信需求。
ST STB14NF10 STP14NF10 STP14NF10FP 数据手册
1/11June 2002.STB14NF10STP14NF10 STP14NF10FPN-CHANNEL 100V - 0.115 Ω - 15A TO-220/TO-220FP/D 2PAKLOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFETs TYPICAL R DS (on) = 0.115 Ωs EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY s 100% AVALANCHE TESTED sAPPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATIONsSURFACE-MOUNTING D 2PAK (TO-263)POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX) OR IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4”)DESCRIPTIONThis MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET™ process has specifically been de-signed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high-efficiency, high-frequency isolated DC-DC converters for Telecom and Computer applications. It is also intended for any applications with low gate drive requirements.APPLICATIONSs HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS s UPS AND MOTOR CONTROL TYPE V DSS R DS(on)I D STB14NF10STP14NF10STP14NF10FP100 V 100 V 100 V<0.13 Ω<0.13 Ω<0.13 Ω15 A 15 A 10 AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(•) Pulse width limited by safe operating area.(1) I SD ≤14A, di/dt ≤300A/µs, V DD ≤ V (BR)DSS , T j ≤ T JMAX (2) Starting T j = 25 o C, I D = 15A, V DD = 50VSymbolParameterValueUnitSTB14NF10 STP14NF10STP14NF10FP V DS Drain-source Voltage (V GS = 0)100V V DGR Drain-gate Voltage (R GS = 20 k Ω)100V V GS Gate- source Voltage± 20V I D Drain Current (continuous) at T C = 25°C 1510A I D Drain Current (continuous) at T C = 100°C 10 6.3A I DM (•)Drain Current (pulsed)6040A P tot Total Dissipation at T C = 25°C 6025W Derating Factor0.40.17W/°C dv/dt (1)Peak Diode Recovery voltage slope 9V/ns E AS (2)Single Pulse Avalanche Energy 70mJ V ISO Insulation Withstand Voltage (DC)------2000V T stg Storage Temperature-55 to 175°CT jOperating Junction Temperature查询STP14NF10FP供应商STB14NF10 STP14NF10 STP14NF10FP2/11THERMAL DATAELECTRICAL CHARACTERISTICS (T case = 25 °C unless otherwise specified)OFFON (*)DYNAMICD 2PAK TO-220TO-220FPRthj-case Thermal Resistance Junction-caseMax 2.56°C/W Rthj-ambT lThermal Resistance Junction-ambientMaximum Lead Temperature For Soldering PurposeMax62.5300°C/W °CSymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit V (BR)DSS Drain-sourceBreakdown Voltage I D = 250 µA, V GS = 0100V I DSSZero Gate VoltageDrain Current (V GS = 0)V DS = Max RatingV DS = Max Rating T C = 125°C 110µA µA I GSSGate-body Leakage Current (V DS = 0)V GS = ± 20 V±100nASymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit V GS(th)Gate Threshold Voltage V DS = V GS I D = 250 µA 234V R DS(on)Static Drain-source On ResistanceV GS = 10 VI D = 7 A0.1150.13ΩSymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit g fs (*)Forward Transconductance V DS = 15 VI D =7A20S C iss C oss C rssInput Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer CapacitanceV DS = 25V, f = 1 MHz, V GS = 04607030pF pF pF3/11STB14NF10 STP14NF10 STP14NF10FPSWITCHING ONSWITCHING OFFSOURCE DRAIN DIODE(*)Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %.(•)Pulse width limited by safe operating area.Symbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit t d(on)t r Turn-on Delay Time Rise TimeV DD = 50 VI D = 7 A R G =4.7 Ω V GS = 10 V (Resistive Load, Figure 3)1625ns ns Q g Q gs Q gdTotal Gate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain ChargeV DD = 80 V I D = 12 A V GS = 10V15.53.74.721nC nC nCSymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit t d(off)t fTurn-off Delay Time Fall TimeV DD = 50 VI D = 7 A R G =4.7Ω, V GS= 10 V (Resistive Load, Figure 3)328ns nsSymbol ParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit I SD I SDM (•)Source-drain CurrentSource-drain Current (pulsed)1560A A V SD (*)Forward On Voltage I SD = 14 AV GS = 01.5V t rr Q rr I RRMReverse Recovery Time Reverse Recovery Charge Reverse Recovery CurrentI SD = 14 Adi/dt = 100A/µs V DD = 50 V T j = 150°C (see test circuit, Figure 5)902305ns nC AELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)STB14NF10 STP14NF10 STP14NF10FPSTB14NF10 STP14NF10 STP14NF10FPSTB14NF10 STP14NF10 STP14NF10FP6/11Fig. 3: Switching Times Test Circuits For ResistiveFig. 5: Test Circuit For Inductive Load Switching7/11STB14NF10 STP14NF10 STP14NF10FPDIM.mm.inch.MIN.TYP. MAX.MIN.TYP. TYP .A 4.4 4.60.1730.181A1 2.49 2.690.0980.106A20.030.230.0010.009B 0.70.930.0280.037B2 1.14 1.70.0450.067C 0.450.60.0180.024C2 1.21 1.360.0480.054D 8.959.350.3520.368D180.315E 1010.40.3940.409E18.50.334G 4.88 5.280.1920.208L 1515.850.5910.624L2 1.27 1.40.0500.055L3 1.4 1.750.0550.069M 2.43.20.0940.126R 0.40.016V20°8°0°8°D 2PAK MECHANICAL DATASTB14NF10 STP14NF10 STP14NF10FP10/11DIM.mm inchMIN.MAX.MIN.MAX.A010.510.70.4130.421B015.715.90.6180.626D 1.5 1.60.0590.063D1 1.59 1.610.0620.063E 1.65 1.850.0650.073F11.411.60.4490.456K0 4.8 5.00.1890.197P0 3.9 4.10.1530.161P111.912.10.4680.476P2 1.9 2.100750.082R50 1.574T0.250.35.0.00980.0137W23.724.30.9330.956DIM.mm inchMIN.MAX.MIN.MAX.A33012.992B 1.50.059C12.813.20.5040.520D20.20.795G24.426.40.960 1.039N100 3.937T30.4 1.197BASE QTY BULK QTY10001000REEL MECHANICAL DATA* on sales typeTUBE SHIPMENT (no suffix)* TAPE AND REEL SHIPMENT (suffix ”T4”)*D2PAK FOOTPRINTTAPE MECHANICAL DATASTB14NF10 STP14NF10 STP14NF10FP Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is grantedby implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specifications mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied. 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50n10场效应管参数
50n10场效应管参数
50n10场效应管的参数是指其特定的电性能参数。
由于缺少具体型号信息，以下是一些可能的参数列表：
1. 最大漏源电压（VDS）: 50V
2. 最大漏源电流（IDS）: 10A
3. 最大功率（PD）: 取决于具体的散热设计和工作条件
4. 阈值电压（VGSth）: 取决于具体型号，通常在数伏至十几伏之间
5. 静态电阻（RDS(on)）: 取决于具体型号，通常在几欧姆至几十欧姆之间
6. 增益（或传导系数）: 取决于具体型号，通常在几十至几百之间
7. 输入电容（Ciss）: 取决于具体型号，通常在几百皮法至几千皮法之间
8. 输出电容（Coss）: 取决于具体型号，通常在几十皮法至几百皮法之间
9. 反向传导电容（Crss）: 取决于具体型号，通常在几皮法至几十皮法之间
10. 开关频率（ft）: 取决于具体型号，通常在几十kHz至几百kHz之间
需要注意的是，以上参数只是一些例子，具体的参数取决于具体型号，需要参考该场效应管的规格书或数据手册来获取更准确的参数。
p+f倍加福电感式接近开关参数
p+f倍加福电感式接近开关参数P+F倍加福电感式接近开关是一种常见的工业自动化设备，它主要用于检测金属物体的靠近与远离。
在现代工业生产中，接近开关被广泛应用于机械、电子、仪器仪表等各个领域，发挥了重要的作用。
倍加福作为接近开关的知名品牌，其电感式接近开关具有一系列优秀的特性和参数，下面将从多个方面详细介绍。
一、基本参数：1.工作电压：电感式接近开关的工作电压范围是通常6V至240V，可以在不同的工业环境中使用。
2.输出类型：常见的输出类型有两种，分别是PNP（通过传感器提供电源）和NPN（传感器为地）。
3.检测距离：电感式接近开关的检测距离通常在1mm至100mm范围内，可以根据具体需求进行选择。
4.防护等级：倍加福电感式接近开关的防护等级通常为IP67，表明其具有较高的防水和防尘性能。
二、特殊设计和功能：1.刚性、耐用的外壳：倍加福电感式接近开关的外壳采用优质金属材料制成，具有较高的抗冲击、耐久性和防护能力，可以在恶劣的工业环境中长时间使用。
2.适应不同工艺：倍加福电感式接近开关有多种安装方式可供选择，如吸附式、螺纹式、插销式等，能够适应不同的工艺要求。
此外，它的小巧设计使得安装便捷，占用空间小。
3.控制灵敏度：倍加福电感式接近开关具有高度的控制灵敏度，可以检测微小的金属物体的靠近与远离，实现可靠的控制和监测。
4.抗干扰能力：倍加福电感式接近开关具有卓越的抗干扰能力，能够在强磁场、震动等干扰环境中稳定工作，不会受到外界干扰的影响。
5.高温工作能力：倍加福电感式接近开关经过特殊的材料选择和工艺处理，具有良好的高温工作能力，可以在高温环境中稳定运行，适用于多种工业场景。
三、应用领域：倍加福电感式接近开关广泛应用于许多行业和领域，包括但不限于以下几个方面：1.机械制造业：在机械制造过程中，倍加福电感式接近开关可以用于检测机械零件的位置、速度和运动状态，实现自动化控制和安全监测。
2.电子行业：在电子产品生产线上，倍加福电感式接近开关可以用于检测电路板上的元件位置和状态，确保生产过程的准确性和稳定性。
10n80场效应管参数
10n80场效应管参数10N80场效应管参数场效应管是一种常见的电子器件，用于放大和控制电流。
10N80场效应管是一种特定型号的场效应管，其参数包括漏源电流、栅阈电压、漏源电压、最大漏源电流和最大功耗等。
本文将详细介绍10N80场效应管的各个参数及其特性。
1. 漏源电流（ID）：漏源电流是指场效应管的漏端和源端之间的电流。
10N80场效应管的漏源电流为10A，表示在正常工作条件下，电流从漏端到源端的最大值为10安培。
漏源电流是衡量场效应管工作能力的重要参数。
2. 栅阈电压（VGS(th)）：栅阈电压是指当场效应管的栅极电压达到一定值时，漏源电流开始显著增加的电压。
10N80场效应管的栅阈电压为2.5V，表示在栅极电压达到2.5伏特时，漏源电流开始增加。
3. 漏源电压（VDS）：漏源电压是指场效应管的漏端和源端之间的电压差。
10N80场效应管的漏源电压为800V，表示在正常工作条件下，漏端和源端之间的电压差最大可达800伏特。
漏源电压是衡量场效应管能够承受的最大电压的重要参数。
4. 最大漏源电流（ID(max)）：最大漏源电流是指场效应管能够承受的最大漏源电流。
10N80场效应管的最大漏源电流为10A，表示在正常工作条件下，电流从漏端到源端的最大值不能超过10安培。
超过最大漏源电流会导致场效应管过载，可能损坏器件。
5. 最大功耗（PD）：最大功耗是指场效应管能够承受的最大功耗。
10N80场效应管的最大功耗为300W，表示在正常工作条件下，场效应管的功耗不能超过300瓦特。
超过最大功耗可能导致场效应管过热，影响器件的正常工作。
10N80场效应管具有较大的漏源电流和漏源电压，适用于高功率应用。
其栅阈电压较低，可以实现较低的控制电压。
同时，10N80场效应管的最大漏源电流和最大功耗较高，使其在高负载和高功率应用中表现出色。
总结：10N80场效应管是一种具有10A漏源电流、2.5V栅阈电压、800V漏源电压、10A最大漏源电流和300W最大功耗的场效应管。
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bpv10nf参数
BPV10NF是一种特殊的参数，它在电子领域中扮演着重要的角色。
BPV10NF常用于光电传感器和光电开关等设备中，它具有很高的灵敏度和响应速度，可以快速检测光信号并转换为电信号。
我们来了解一下BPV10NF的基本特性。
BPV10NF是一种红外光电二极管，其工作波长范围在800nm至1100nm之间。
它采用TO-18封装，具有快速响应的特点，使其在光电传感器中得到广泛应用。
BPV10NF 采用PN结构，当光线照射到PN结上时，会产生光生电流，进而形成电压信号输出。
其灵敏度较高，可以检测到微弱的光信号，因此在光电开关等设备中具有重要作用。
BPV10NF广泛应用于工业自动化、安防监控、光电测量、光通信等领域。
在工业自动化中，BPV10NF常用于检测物体的存在或位置，实现自动化生产线的控制。
在安防监控中，BPV10NF可用于红外感应器，检测人体的活动，实现对安全区域的监控和报警。
在光电测量中，BPV10NF可用于测量光强度，实现对光信号的定量分析。
在光通信中，BPV10NF可用于接收光信号，实现光纤通信的传输。
除了以上应用领域，BPV10NF还可以用于其他一些特殊的应用。
例如，它可以用于医疗设备中，作为光电传感器检测人体的生理参数；它还可以用于环境监测中，检测光线强度以及光照条件的变化。
总之，BPV10NF作为一种光电二极管参数，具有广泛的应用前景。
在实际应用中，我们需要根据具体的需求选择合适的BPV10NF参数。
首先要考虑的是工作波长范围，确保其与应用场景中的光源相匹配。
其次要考虑的是灵敏度和响应速度，选择适合的参数以满足实际需求。
此外，还需要考虑封装形式和电气特性等因素，以确保BPV10NF能够与其他电子元件正常工作。
在选择BPV10NF参数时，我们还需要注意一些细节。
例如，光电二极管在使用过程中要避免接触强烈的光源，以免损坏器件。
此外，在焊接过程中要注意温度控制，避免过高的温度对器件造成损害。
另外，还要注意保护器件的引脚，避免因静电等原因导致器件损坏。
BPV10NF作为一种特殊的参数，在光电传感器和光电开关等设备中具有重要的作用。
它具有高灵敏度和快速响应的特点，可以实现对光信号的检测和转换。
BPV10NF广泛应用于工业自动化、安防监控、光电测量、光通信等领域，为这些领域的发展做出了重要贡献。
在实际应用中，我们需要根据具体需求选择合适的BPV10NF参数，并注意一些细节以确保器件的正常工作。
相信随着技术的不断发展，BPV10NF在更多领域中将发挥更大的作用。