同济大学模拟电子技术期末试卷(二)教学提纲
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同济大学模拟电子技术期末试卷(二)
同济大学模拟电子技术期中试卷前六章基础内容
一、选择题。(每题3分,共36分)
1.在本征半导体中,电子浓度_______空穴浓度。
A.大于
B.小于
C.等于
D.不定
2.使用万用表直流电压挡,测的电路中晶体管各极相对于某一参考点的
电位如图2所示,从而可判断出该晶体管工作在_____。
A.饱和状态.
B.放大状态
C.截止状态
D.倒置状态
K是______之比.
3.共模抑制比
GMR
A.差模输入信号与共模输入信号
B.输出量中差模成分与共模成分
C.差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)
D.交流放大倍数与直流放大倍数(绝对值)
4.差动放大电路的主要优点是。
A、稳定的放大性能
B、较高的输入电阻
C、能有效地抑制零点漂移
D、有稳定地静态工作点
5.稳压管的稳压区是工作在______。
A.正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区
6.二极管两端地反向偏置电压增高时,在达到______电压以前,通过
的电流很小。
A.击穿 B.最大 C.短路
7.如图所示电流放大电路的输出端直接与输入端相连,则输出电阻
R
i
_______。
A.R
1 B.(1+β)R
1
C.R
1
/ 1+β D.R
1
/ β
8.变容二极管在电路中使用时,其PN结是_______。
A.正向运用B.反向运用
9.当晶体管工作在放大区时,_______。
A.发射结和集电结均反偏;
B.发射结正偏,集电结反偏;
C.发射结和集电结均正偏。
10.在非线性失真中,饱和失真也称为()
A.顶部失真B.底部失真C.双向失真
11.简单地把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起______形成PN结。
A.能够B.不能C.不一定
12.当二极管两端正向偏置电压大于______电压时,,二极管才能导通。
A.击穿B.饱和C.门槛
二、填空题。(每空2分,共12分)
1.写出下列正弦波电压信号的表达式:
A.峰—峰值10V,频率10kHz ( )
B.均方根值220V,频率50Hz ( )
C.峰—峰值100mV,周期1ms()
D.峰—峰值0.25V,角频率1000rad/s( )
2.一电压放大电路输出端接1kΩ负载电阻时,输出电压为1V,负载电
阻断开时,输出电压上升到1.1V。则该放大电路的输出电阻R。为
()。
3.共模信号是指大小相等,极性()的信号。
三、两只处于放大状态的三极管,测得①、②、③脚对地电位分别为-8V、
-3V、-3.2V和3V、12V、3.7V,试判断管脚名称,并说明是PNP型管还是NPN型管,是硅管还是锗管?(6分)
四、如图所示的电路中,已知ui=30sinωtV,二极管的正向压降可忽略不
计,试画出输出电压的波形。(5分)
i
u o
u
R
五、电路如图所示,已知V CC =V EE =15V.晶体管T 1,T 2的β=100,r bb =200Ω
R C =R L =6k Ω,R E =7.2k Ω
1.估算T 1,T 2管的静态工作点I CQ ,V CEQ (5分)
2.计算A VD =V O /(V i1-V i2),R id ,R od (8分)
CC
v i1v
六、FET 恒流源电路如图,设已知管子的参数m g 、d r ,
试证明AB 两端的小信号电阻d m AB r R g R r )1(++=。(8分)
DD
SS
V -A L R
七、图中R S 、R e 、R b1、R b2、、R C 、R L 、V CC 均已知;求:I C 、I B 、V CB (8分)
八、已知某放大电路电压增益的频率特性表达式为
)
10
1)(101(10
1005f j f j f j
A V ++=
(式中f 的单位为Hz)
求:1.该电路的上、下限频率;
2.中频电压增益的分贝数;
3.输出电压与输入电压在中频区的相位差。 (12分)