EL图片分析
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EL测试分类(分析)
1、正常片
2、滴源片
3、单晶黑心片和多晶缺陷片
4、原硅片问题(黑圆弧边)
5、扩散后刻蚀放反片
6、履带印(网状和支点型)
7、扩散方阻偏大
9、边缘过刻
11、边缘玷污漏电
12、穿孔
13、未扩散片EL图
14、主栅漏电(反向测试)
15、副栅漏电(反向测试)
16、多晶晶界漏电
17、丝网印刷二道返工擦拭片
18、氮化硅膜摩擦痕漏电
19、未刻蚀干净或边缘浆料造成的边缘PN结导通
20、印刷断栅后补断栅效果,补断栅后发黑情况会减轻。(电流得到有效的导通)
21、正面断栅
上图为小断栅片及其EL照片,发黑位置1-8均为小断栅,照片上不是很清楚。4、5为一根细栅线上的两个小断栅。由图可知,两根主栅之外的小断栅致使断栅至边缘位置全黑。两根主栅之间的细栅线上的小断栅导致部分发黑,且颜色较浅,一根细栅线上同时有两个小断栅,且均在两根主栅线之间,导致两点之间全黑。
各种异常解决方法