模电习题打印综述
《模电》习题集解析
《 模 拟 电 子 技 术 》 练 习填 空1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质 。
2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。
3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征 。
4.N 型半导体主要靠_______导电，P 型半导体主要靠______导电 。
5.PN 结正向偏置是将P 区接电源的______极，N 区接电源的_____极 。
6.PN 结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN 结的______________________________。
7.整流二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。
8.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为________V ，锗二极管的死区电压约为_______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V 。
9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。
10.用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端，当测得的电阻值较小时，黑表笔所接触的一端是二极管的________极 。
11.电路如图所示，试确定二极管是正偏还是反偏。
设二极管正偏时的正向压降为0.7V ，估 算 U A ~ U D 值 。
图 a ：VD 1_______ 偏置 ， U A =_____，U B =_______；图 b ：VD 2________ 置 ， U C =_____，U D =_______。
12.判断下图所示各电路中二极管是导通还是截止，并求出AB 两端电压U AB （设二极管均为理想二极管）图a ：VD_______，U AB _______。
图b ：VD_______，U AB _______。
模拟电子技术试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开；4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数A F=（A/1+AF ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=（）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW F=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。
模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
模电简述题提纲
简述题提纲1、简述放大器的组成原则合适的静态工作点：合适的直流电源，合适的电路参数。
动态信号能够作用于晶体管的输入回路，在负载上能够获得放大了的动态信号。
对实用放大电路的要求：共地、直流电源种类尽可能少、负载上无直流分量。
2、静态工作点选取的一般原则通过以上分析可知，静态工作点的选择要根据输出电压uo 的幅值和交流负载综合考虑。
若输入信号ui 幅值较大，则输出电压uo 的幅值也较大，为了减小波形失真，静态工作点最好选择在交流负载线的中点，这样可保证uo 的正、负半周对称。
若输入信号ui 的幅值不大，其输出电压的幅值较小，此时，为降低直流电源VCC 的功率损耗，在不产生失真的前提下，常把静态工作点选得低一些，静态工作点可选择在交流负载线中点偏下的地方。
3、简述串联反馈反馈量以电压的形式与输入量迭加的反馈，因为电压迭加必然以串联的方式接入基本放大回路4、简述变压器耦合的特点优点：① 前后级隔直，不会产生零点漂移。
② 可实现阻抗变换，获得最佳功率匹配。
缺点：① 低频特性和高频特性都不好，只适合一定频率范围的信号通过。
② 变压器使用磁性材料及金属制成，体积大，不能集成化。
5、光电耦合器的应用优点：① 光电耦合器可将输入端和输出端完全电隔离开来，在抗干扰、降低噪声以及电路安全性方面具有巨大的优越性。
② 体积小，便于集成，因而具有广泛的应用前景。
缺点：① 光电耦合器的传输比CTR 比较小，输出电压还需进一步放大。
② 精度低，动态范围小。
目前，集成光电耦合电路得到广泛应用，常见的模拟光耦器件有SLC800等。
6、简述基本差分放大器抑制零移的原理基本差动放大电路是依靠两管的对称性来抵消零漂的。
7、简述共模抑制比d CMR A K =)B d (lg 20(dB)C d CMR A A K =KCMR全面衡量差动放大电路放大差模信号和抑制共模信号的能力。
K CMR越大，说明差放放大差模信号，抑制共模信号的能力越强。
模电习题课（答案版）
模电习题课（答案版）第1 页，共31页9. 集成运放电路的实质是⼀个 B 的多级放⼤电路。
[]A 阻容耦合式B 直接耦合式C 变压器耦合式D 三者都有 10. 放⼤电路在⾼频信号作⽤下放⼤倍数下降的原因是_B _______ 。
[]A 耦合电容和旁路电容的影响B 晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的⾮线性特性D 放⼤电路的静态⼯作点设置不合适11 ?在输⼊量不变的情况下，若引⼊反馈后D.，则说明引⼊的是负反馈。
[] A 电路稳定性变差 B 输出量增⼤ C 净输⼊量增⼤D 净输⼊量减⼩ 12、共发射极电路中采⽤恒流源做有源负载是利⽤其 _B _________ 的特点以获得较⾼增益。
[ :A 直流电阻⼤、交流电阻⼩B 直流电阻⼩、交流电阻⼤C 直流电阻和交流电阻都⼩D直流电阻⼤和交流电阻都⼤1 ?当环境温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流I s 将增⼤，是因为此时PN 结内部的 B 。
载流⼦浓度增⼤ C 多数载流⼦浓度减⼩2.某只硅稳压管的稳定电压[ B D Vz = 4v ， ] 少数载流⼦浓度增⼤少数载流⼦浓度减⼩其两端施加的电压分别为 +5v （正向偏置）和⼀5v （反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 D 。
[A +5v 和-5vB -5v 和 +4vC +4v 和-0.7vD +0.7V和-4v3.根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B =-6.3v , V E =-7v , V C = -4v , 管，处于 B 。
A NPN 管，饱和区B PNP 管，放⼤区C PNP 管，截⽌区D NPN 管，放⼤区4.场效应管起放⼤作⽤时应⼯作在其漏极特性的 B。
[ ] 可以判定此晶体管是击穿区5. 截⽌区 D A ⾮饱和区 B 饱和区 C在单级放⼤电路的三种接法中，它们相互⽐较起来正确的说法是:共发射极电路的共集电极电路的共基极电路的共发射极电路的 A V 最⼤、 A V 最⼩、 A 最R 最⼩、 R 最⼤、 R 最A B C D 直接耦合放⼤电路存在零点漂移的原因主要是 A 电阻阻值有误差 B C 晶体管参数受温度影响 D 7?差分放⼤电路的长尾电阻的主要功能是 A 6. R o 最⼩ R o 最⼩R o 最⼤R o 最⼤旦 C抑制共模信号； BC 放⼤共模信号； D组合放⼤电路的输出级采⽤射极输出⽅式是为了使电压放⼤倍数⾼ C 输出电阻增⼤O晶体管参数的分散性受输⼊信号变化的影响 A _____ ，⽽提⾼共模抑制⽐?抑制差模信号；既抑制共模信号⼜抑制差模信号； D 输出电流⼩带负载能⼒强13、在RC桥式正弦波振荡电路中，当满⾜相位起振条件时，则其中电压放⼤电路的放⼤倍数必须满⾜_D_____ 才能起振。
模电习题及答案
一、填空题1. 半导体导电时有和两种载流子共同参与导电，其中带正电，而带负电。
2. 测得某放大电路中一晶体三极管各电极直流电位V1=12V，V2=8V，V3=7.3V，则该三极管的基极电位等于，由材料制成，管型为。
3.双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。
4.根据反馈信号在输出端的取样方式不同，可分为反馈和反馈，根据反馈信号和输入信号在输入端的比较方式不同，可分为反馈和反馈。
6. 正弦波振荡电路的振幅平衡条件是__ _____，相位平衡条件是________ _。
7. 电压负反馈可稳定输出，串联负反馈可使提高。
8. 在运算电路中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区。
二、选择题1．晶体三极管最突出的缺点是（）。
A.输入电阻小B.温度稳定性差C.放大倍数小D.易产生失真2．放大电路静态工作点过低容易产生__________失真A．交越B．饱和C．截止D．频率3．某深度负反馈电路，反馈深度AF1 =100，未接负反馈时，放大电路的开环增益为104，则该反馈电路的闭环增益为( )。
A．103B．104C．102D．105 4．下边哪一项不属于多级直接耦合放大电路的优点（）。
A．既能放大直流信号，也能放大交流信号B．不会产生零点漂移C．低频响应好D．便于集成化5．差动放大器抑制零点漂移的效果主要取决于( )A．两个三极管的放大倍数B．两个三极管及偏置电阻参数的对称程度C．每个三极管的穿透电流的大小D．两个集电极电阻6．若想把正弦信号转换成方波，可采用以下哪种电路（）。
A．微分运算电路B．滞回比较器C．过零比较器D．积分运算电路7．稳压管的稳压作用是利用其什么特性实现的( )A．PN 结的反向截止特性B．PN 结的正向导通特性C．PN 结的反向击穿特性D．PN 结的单向导电性8．下列关于电流串联负反馈不正确的说法是：（）A.反馈取样量是电压B.输入量与反馈量在输入端串联C.可提高放大电路的输出电阻D.可以提高放大电路输入电阻9．下面那一项不是对功率放大电路的基本要求（）。
2012模电综合复习题(只有部分答案)
2012《模拟电子技术》复习题1、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，如题图1示，试判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）？答：题图1所示的各个三极管的工作状态，图（a ）为损坏， 图（b ）为放大， 图（c ）为放大， 图（d ）为截止， 图（e ）为损坏，图（f ）为饱和（或B 、C 极间击穿）。
2、 放大电路如题 图2所示，对于射极电阻e R 的变化是否会影响电压放大倍数v A 和输入电阻i R 的问题，有三种不同看法，指出哪一种是正确的？甲：当e R 增大时，负反馈增强，因此↓v A 、↑i R 。
（ ） 乙：当e R 增大时，静态电流C I 减小，因此↓v A 、↑i R 。
（ ）丙：因电容e C ，对交流有旁路作用，所以e R 的变化对交流量不会有丝毫影响，因此，当e R 增大时，v A 和i R 均无变化。
题图 1题图2解：本题意在我们要搞清e R ，在分压式电流负反馈偏置电路中的作用，从表面看，e R 被e C 交流旁路了，对交流量无影响（即不产生交流负反馈），所以e R 的变化不影响u A 和i R ，这是本题容易使我们产生错觉的地方。
但我们还必须进一步考虑，尽管e R 不产生交流负反馈，但它对放大器的静态工作点的影响是很大的，既然影响到CQ I ，就影响到be r 进而影响u A 和i R 。
甲的说法是错误的，原因：因e C 的旁路作用，所以e R 不产生交流负反馈，所以甲的观点前提就是错的。
乙的说法是正确的。
原因：;)(↓↑→↓→↑→u be EQ CQ e A r I I R↑∴=↑i be b i be R r R R r ,//,丙的说法是错误的，原因：正如解题分析中所说，尽管e R 不产生交流负反馈，但e R 增大使EQEQ ，II 减小的减小必然引起u A 减小和i R 的增加。
3、一个如图3（a ）所示的共发射极放大电路中的晶体管具有如题图（b ）的输出特性，静态工作点Q 和直流负载线已在图上标出（不包含加粗线）。
模电习题课讲解
模电典型例题分析第一章题1.11、对某放大电路进行测试，u s=15mv,Rs=1kΩ，R L=12 kΩ。
若测得ui=12 mv,则可知该放大电路的输入电阻Ri= kΩ。
若当开关S断开时，测得uo=1.5v, 当开关S闭合时，测得uo=1.2v，则可知该放大电路的输出电阻Ro= kΩ。
2、对某放大电路进行测试，当接入一个内阻等于零的电压信号源时，测得输出电压为5V，在信号源内阻增大到1Ωk，其它条件不变时，测得输出电压为4V，k负载电阻时，测得输说明该放大电路的输入电阻Ri= ______kΩ。
若在接有2出电压为3V，在输入电压不变的情况下断开负载电阻，输出电压上升到7.5V，说明该放大电路的输出电阻Ro= kΩ。
3、用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时，U OA=U OB；都接入负载电阻R L时，测得U OA<U OB；由此说明电路A的输出电阻比电路B的输出电阻。
题1.2某放大电路的对数频率特性如图3所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍数＝倍。
上限频率f H＝Hz，下限频率f L＝Hz。
第二章题2.11.如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。
请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ；解：14V ,1V ,6（7）V2.如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,R2=200k 。
请问：当R2滑动端在最左端、最右端、中点时输出Uo ＝？V ；最左端时Uo ＝ -14 V ；最右端时Uo ＝ 0 V ；中点时Uo ＝ -10 V 。
题 2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u图A注：此图A 1的同相端、反相端标反。
模电试题及答案doc
模电试题及答案doc一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，运算放大器的输入端通常具有什么特性？A. 高输入阻抗B. 低输入阻抗C. 高输出阻抗D. 低输出阻抗答案：A2. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续性B. 离散性C. 可模拟性D. 可测量性答案：B3. 晶体管的放大作用是通过什么实现的？A. 电流控制B. 电压控制C. 电阻控制D. 电容控制答案：A4. 在理想运算放大器中，输入端的电压差是多少？A. 0VB. 1VC. 5VD. 10V答案：A5. 模拟信号的频率范围通常是多少？A. 20Hz-20kHzB. 20Hz-20MHzC. 20Hz-200kHzD. 20Hz-2GHz答案：A6. 什么是共模抑制比？A. 差模信号与共模信号的比值B. 差模信号与噪声信号的比值C. 共模信号与差模信号的比值D. 共模信号与噪声信号的比值答案：C7. 模拟电路中，滤波器的作用是什么？A. 放大信号B. 衰减信号C. 过滤信号D. 转换信号答案：C8. 以下哪个元件不是模拟电路的基本元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 数字逻辑门答案：D9. 模拟电路中的反馈通常分为哪两种类型？A. 正反馈和负反馈B. 直流反馈和交流反馈C. 电压反馈和电流反馈D. 线性反馈和非线性反馈答案：A10. 什么是增益？A. 输出电压与输入电压的比值B. 输出电流与输入电流的比值C. 输入电压与输出电压的比值D. 输入电流与输出电流的比值答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 运算放大器的输出电压与输入电压的比值称为________。
答案：增益2. 模拟电路中，信号的频率范围通常在________以下。
答案：20kHz3. 在模拟电路中，使用________可以将直流分量与交流分量分离。
答案：电容4. 晶体管的三个主要区域是发射区、基区和________。
答案：集电区5. 理想运算放大器的输入阻抗是________。
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一、单项选择题(只有一个选项正确，共10道小题)1. 稳压管的动态电阻r Z 是指（）。
(A) 稳定电压与相应电流I Z 之比(B) 稳压管端电压变化量ΔU Z 与相应电流变化量ΔI Z 的比值(C) 稳压管正向压降与相应正向电流的比值你选择的答案： B [正确]正确答案：B解答参考：2. 如图所示的放大电路( )。
(A) 能稳定静态工作点(B) 不能稳定静态工作点(C) 不仅能稳定静态工作点且效果比接有射极电阻时更好你选择的答案： B [正确]正确答案：B解答参考：3. 已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V、9V 和6. 3V，则6V所对应的电极为（）。
(A) 发射极(B) 集电极(C) 基极你选择的答案： A [正确]正确答案：A解答参考：4. 振荡器之所以能获得单一频率的正弦波输出电压，是依靠了振荡器中的()。
(A) 选频环节(B) 正反馈环节(C) 基本放大电路环节你选择的答案： A [正确]正确答案：A解答参考：5. 开环工作的理想运算放大器，同相输入时的电压传输特性为（）。
(A)(B)(C)你选择的答案： A [正确]正确答案：A解答参考：6. 理想运算放大器的共模抑制比为( )。
(A) 零(B) 约120 dB(C) 无穷大你选择的答案： C [正确]正确答案：C解答参考：7. 半导体二极管的主要特点是具有（）。
(A) 电流放大作用(B) 单向导电性(C) 电压放大作用你选择的答案： B [正确]正确答案：B解答参考：8. 在运算放大器电路中，引入深度负反馈的目的之一是使运放( )。
(A) 工作在线性区，降低稳定性(B) 工作在非线性区，提高稳定性(C) 工作在线性区，提高稳定性你选择的答案： B [正确]正确答案：B解答参考：9.整流电路如图所示，设二极管为理想元件，已知变压器副边电压，若二极管D1损坏而断开，则输出电压的波形应为图（）。
(A)(B)(C)(D)你选择的答案： C [正确]正确答案：C解答参考：10. 如图所示电路中，能够实现运算关系的电路是()。
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一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。
2、当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
3、在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
1、半导体二极管当正偏时，势垒区变窄，扩散电流大于漂移电流。
2、在常温下，硅二极管的门限电压约0.6 V，导通后在较大电流下的正向压降约0.7 V；锗二极管的门限电压约0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约0.2 V。
3、在常温下，发光二极管的正向导通电压约 1.2~2V ，高于硅二极管的门限电压；考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在5~10 mA。
4、利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管，称为普通（稳压）二极管。
请写出这种管子四种主要参数，分别是最大整流电流、反向击穿电压、反向电流和极间电容。
二、选择题1、二极管加正向电压时，其正向电流是由（a ）。
a. 多数载流子扩散形成b. 多数载流子漂移形成c. 少数载流子漂移形成d. 少数载流子扩散形成2、PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（ c ）。
a. 其反向电流增大b. 其反向电流减小c. .其反向电流基本不变d. 其正向电流增大3、稳压二极管是利用PN结的（ d ）。
a. 单向导电性b. 反偏截止特性c. 电容特性d. 反向击穿特性4、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（ c ）。
a. 10μAb. 15μAc. 20μAd. 40μA5、变容二极管在电路中使用时，其PN结是（b ）。
a. 正向运用b. 反向运用一、填空题1. 三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。
2. 三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。
3. 在半导体中，温度变化时少数载流子的数量变化较大，而多数载流子的数量变化较小。
4. 三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小；外部条件是：发射结要正向偏置、集电结要反向偏置。
5. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是少数载流子漂移运动形成的。
6. 工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 100 。
7. 三极管的三个工作区域分别是 饱和区 、 放大区 和 截止区 。
8. 双极型三极管是指它内部的 参与导电载流子 有两种。
9. 三极管工作在放大区时，它的发射结保持 正向 偏置，集电结保持 反向 偏置。
10. 某放大电路在负载开路时的输出电压为5V ，接入12k Ω的负载电阻后，输出电压降为2.5V ，这说明放大电路的输出电阻为 12 k Ω。
11. 为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好的配合，可以在信号源与低电阻负载间接入共集电极 组态的放大电路。
12. 题图3.0.1所示的图解，画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。
由此可以得出：（1）电源电压CC V = 6V ；（2）静态集电极电流CQ I = 1mA ；集电极电压CEQ U = 3V ；（3）集电极电阻C R = 3kΩ ；负载电阻L R = 3kΩ ；（4）晶体管的电流放大系数β= 50 ，进一步计算可得电压放大倍数v A = －50 ；（'bb r 取200Ω）；（5）放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为 1.06V ；（6）要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅度应小于 20μA 。
13. 稳定静态工作点的常用方法有 射极偏置电路 和 集电极－基极偏置电路 。
14. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A 放大器的输出电压小，这说明A 的输入电阻 小 。
15. 三极管的交流等效输入电阻随 静态工作点 变化。
16. 共集电极放大电路的输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。
17. 放大电路必须加上合适的直流 偏置 才能正常工作。
18. 共射极、共基极、共集电极 放大电路有功率放大作用；19. 共射极、共基极 放大电路有电压放大作用；20. 共射极、共集电极 放大电路有电流放大作用；21. 射极输出器的输入电阻较 大 ，输出电阻较 小 。
22. 射极输出器的三个主要特点是 输出电压与输入电压近似相同 、 输入电阻大 、 输出电阻小 。
23.“小信号等效电路”中的“小信号”是指 “小信号等效电路”适合于微小的变化信号的分析，不适合静态工作点和电流电压的总值的求解 ，不适合大信号的工作情况分析。
24. 放大器的静态工作点由它的 直流通路 决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的 交流通路 决定。
25. 图解法适合于 求静态工作Q 点；小、大信号工作情况分析 ，而小信号模型电路分析题图3.0.1法则适合于 求交变小信号的工作情况分析 。
26. 放大器的放大倍数反映放大器 放大信号的 能力；输入电阻反映放大器 索取信号源信号大小的能力 ；而输出电阻则反映出放大器 带负载 能力。
27. 对放大器的分析存在 静态 和 动态 两种状态，静态值在特性曲线上所对应的点称为 Q 点 。
28. 在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O 和V I 的波形，则V O 和V I 的相位关系为 反相 ；当为共集电极电路时，则V O 和V I 的相位关系为 同相 。
29. 在由NPN 管组成的单管共射放大电路中，当Q 点 太高 （太高或太低）时，将产生饱和失真，其输出电压的波形被削掉 波谷 ；当Q 点 太低 （太高或太低）时，将产生截止失真，其输出电压的波形被削掉 波峰 。
30. 单级共射放大电路产生截止失真的原因是 放大器的动态工作轨迹进入截止区 ，产生饱和失真的原因是 放大器的动态工作轨迹进入饱和区 。
31. NPN 三极管输出电压的底部失真都是 饱和 失真。
32. PNP 三极管输出电压的 顶部 部失真都是饱和失真。
33. 多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有RC 耦合， 直接耦合， 变压器耦合。
34. BJT 三极管放大电路有 共发射极 、 共集电极 、 共基极 三种组态。
35. 不论何种组态的放大电路，作放大用的三极管都工作于其输出特性曲线的放大区。
因此，这种BJT 接入电路时，总要使它的发射结保持 正向 偏置，它的集电结保持 反向 偏置。
36. 某三极管处于放大状态，三个电极A 、B 、C 的电位分别为-9V 、-6V 和-6.2V ，则三极管的集电极是 A ，基极是 C ，发射极是 B 。
该三极管属于 PNP 型，由 锗 半导体材料制成。
37. 电压跟随器指共 集电 极电路，其 电压 的放大倍数为1； 电流跟随器指共 基 极电路，指 电流 的放大倍数为1。
38. 温度对三极管的参数影响较大，当温度升高时，CBO I 增加 ，β 增加 ，正向发射结电压BE U 减小 ，CM P 减小 。
39. 当温度升高时，共发射极输入特性曲线将 左移 ，输出特性曲线将 上移 ，而且输出特性曲线之间的间隔将 增大 。
40. 放大器产生非线性失真的原因是 三极管或场效应管工作在非放大区 。
41. 在题图3.0.2电路中，某一参数变化时，CEQ V 的变化情况（a. 增加，b ，减小，c. 不变，将答案填入相应的空格内）。
（1）b R 增加时，CEQ V 将 增大 。
（2）c R 减小时，CEQ V 将 增大 。
（3）C R 增加时，CEQ V 将 减小 。
（4）s R 增加时，CEQ V 将 不变 。
（5）β减小时（换管子），CEQ V 将 增大 。
（6）环境温度升高时，CEQ V 将 减小 。
42. 在题图3.0.3电路中，当放大器处于放大状态下调整电路参数，试分析电路状态和性能的变化。
（在相应的空格内填“增大”、“减小”或“基本不变”。
）（1）若b R 阻值减小，则静态电流I B 将 增大 ，CE V 将 减小 ，电压放大倍数v A 将 增大。
题图3.0.2（2）若换一个β值较小的晶体管，则静态的B I 将 不变 ，CE V 将 增大，电压放大倍数v A 将 减小。
（3）若C R 阻值增大，则静态电流B I 将 不变 ， CE V 将 减小 ，电压放大倍数v A 将 增大 。
43. 放大器的频率特性表明放大器对 不同频率信号 适应程度。
表征频率特性的主要指标是 中频电压放大倍数 ， 上限截止频率 和 下限截止频率 。
44. 放大器的频率特性包括 幅频响应 和 相频响应 两个方面，产生频率失真的原因是 放大器对不同频率的信号放大倍数不同 。
45. 频率响应是指在输入正弦信号的情况下， 放大器对不同频率的正弦信号的稳态响应。
46. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。
47. 幅频响应的通带和阻带的界限频率被称为 截止频率 。
48. 阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号时，低频区电压增益下降的原因是由于存在 耦合电容和旁路电容的影响 ；高频区电压增益下降的原因是由于存在 放大器件内部的极间电容的影响 。
49. 单级阻容耦合放大电路加入频率为L H f f 和的输入信号时，电压增益的幅值比中频时下降了 3 dB ，高、低频输出电压与中频时相比有附加相移，分别为 -45º 和+45º 。
50. 在单级阻容耦合放大电路的波特图中，幅频响应高频区的斜率为 -20dB/十倍频 ，幅频响应低频区的斜率为-20dB/十倍频 ；附加相移高频区的斜率为 -45º/十倍频 ，附加相移低频区的斜率为 +45º/十倍频 。
51. 一个单级放大器的下限频率为100Hz =L f ，上限频率为30kHz =H f ，40dB VM=A ，如果输入一个)t 00015sin(100,πmV 的正弦波信号，该输入信号频率为 50kHz ，该电路 不会 产生波形失真。
52. 多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带变 窄 ，电压增益 增大 ，高频区附加相移 增大 。
二、判断题1. 下列三极管均处于放大状态，试识别其管脚、判断其类型及材料，并简要说明理由。
（1）3.2V ，5V ，3V ；解：锗NPN 型BJT 管 V BE =0.2 V 所以为锗管；5V 为集电极，3.2V 为基极，3V 为发射极，（2）－9V ，－5V ，－5.7V解：硅PNP 型BJT 管；－9V 为集电极，－5.7V 为基极，－5V 为发射极（3）2V ，2.7V ，6V ；解：硅NPN 型BJT 管；6V 为集电极，2.7V 为基极，2V 为发射极（4）5V ，1.2V ，0.5V ；解：硅NPN 型BJT 管；5V 为集电极，1.2V 为基极，0.5V 为发射极题图3.0.3（5）9V ，8.3V ，4V解：硅PNP 型BJT 管 9V 为发射极，8.3V 为基极，4V 为集电极（6）10V ，9.3V ，0V解：硅PNP 型BJT 管， 10V 为发射极，9.3V 为基极，0V 为集电极（7）5.6V ，4.9V ，12V ；解：硅NPN 型BJT 管，12V 为集电极，5.6V 为基极，4.9V 为发射极，（8）13V ，12.8V ， 17V ；解：锗NPN 型BJT 管，17V 为集电极，13V 为基极，12.8V 为发射极，（9）6.7V ，6V ，9V ；解：硅NPN 型BJT 管，9V 为集电极，6.7V 为基极，6V 为发射极，2. 判断三极管的工作状态和三极管的类型。