湿法腐蚀操作学习总结ppt课件

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1. 坚膜：
氧化层湿法腐蚀工艺坚膜温度为1255℃， 坚膜总时间为50分钟，使用大烤箱； 金属后湿法腐蚀工艺坚膜温度为120 5 ℃，坚膜总时间为
35分钟，使用小烤箱； 注：放入硅片，关烘箱门到开烘箱门之间的时间为总时间； 流程卡有注明的按照流程卡要求。
坚膜温度不够、时间不够，都会导致腐蚀的钻蚀、浮胶、 脱胶。钻蚀就是腐蚀图形边线被腐蚀成锯齿状；浮胶、脱 胶会导致不应该被腐蚀的地方被腐蚀。
调焦至显微镜里的六边形清晰测试； 自检合格即可用H2SO4+H2O2去胶，否则报告工艺工程师，待指示。 提醒：腐蚀时间长的批次，如发射 区腐蚀、锑埋层腐蚀工序，最后几分
钟加经常作DIP，否则容易残留100多埃不容易蚀净。
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1. 条件及点检
做片前注意观察面板显示温度，要符合要求44~46℃，每 天夜班用温度检测一次 ；
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3. BOE做片操作： 做片前，检查水槽，应盛满DI水； 待腐蚀硅片在DI水中DIP 2次； 硅片从DI 水槽取出，抖一下提把，再放入BOE酸槽； 硅片放入BOE中DIP 3~5次（硅片不出液面），开始计时；
腐蚀过程中，每隔2~3分钟 DIP 3~5次（硅片不出液面）；
腐蚀时间到，硅片在BOE酸槽里DIP2-3次，提出液面后在酸 槽正上方抖一下提把，即放入盛满DI的水槽，在水槽中DIP 3~5次，开始冲水；
下三点算平均，速率在1050±50A/分钟即符合要求，否则 报告工艺工程师，待指示；
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2. 注意事项： 距坚膜出炉时间8小时以内的批次（已打过胶了）可直接作
BOE腐蚀；超过8小时则重新坚膜、打胶。重新坚膜的时间 为10分钟；打胶时间为6.0分钟； 每班第一次做片，必须先作试片（按流程提供的参考时间 中心值），冲水转干，自检合格再批量做片，若有异常， 及时通知工艺工程师； 本班内，没有CD要求的批次不再作试片，直接按流程卡提 供的参考时间（中心值）做片；若有CD要求，必须作试片 （试片时间按流程卡提供的参考时间中心值），试片OK再 作批量，若CD不合格，通知工艺工程师，待指示； 凡有硅片正进行BOE腐蚀，操作员不能离开操作台附近！
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不论光刻时选用多大的曝光量、显影时间多长，显影出 来的窗口都会留有一定的残余光刻胶，这层光刻胶必须 去除才能保证腐蚀图形的正常。
光刻胶在坚膜过程中会挥发出一定量的溶剂，部分会附 着于图形窗口内，需要去除，若不去 除干净，会导致腐 蚀时染色等异常。
坚膜、打胶过程中，特别要注意划伤，即使是轻微的划 伤，他会导致腐蚀时图形异常，若腐蚀时才发现，划伤 部分的产品只能报废了。
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2. 铝腐蚀做片： 硅片隔片放置于晶舟； 每班作的第一批片子，要先做试片，以下为正常做片参考时间，换
酸后的试片时间视做片时“白雾”产生快慢适当调整。 3.0um的铝，试片参考时间为6′40″； 1.8um的铝，试片参考时间为4′30″； 1.0um的铝硅，试片时间为2′10″。 实际做片时，要注意观察做片过程中的温度变化和反应情况： 若温度主要在45.5℃以上时间较多，可稍为减少腐蚀时间； 若温度主要在45℃或以下，要稍为增加腐蚀时间。 试片合格则批量做片，若试片不合格，报告工艺工程师，待指示；
冲水过程中，取下提靶，放入水槽一侧和硅片一起冲水；
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4. BOE 腐蚀后去胶前检查 照强光灯，表面颜色均匀、一致； 每花篮抽最后一片，显微镜用10倍物镜数检查上、中、下、左、右
五点的腐蚀情况； 要求：线条清晰、无双线，腐蚀区域是纯白色，无脱胶、浮胶等； 有CD要求的工序，读游标CD； 有要求测氧化层剩余厚度的批次，测试时注意尽量找大的图形测试，
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2. 打胶（打底膜）
作坚膜的硅片从烘箱取出后冷却10分钟左右即打胶； 凡坚膜过的硅片，均要及时完成打胶，待腐蚀；若超过8
小时不能打胶的，需要重新坚膜再打胶； 每周一早班测试打胶速率：使用“512”光刻胶，坚膜50分
钟后测胶厚，用打胶程序打胶6.0分钟，测上、中、下三 点胶厚，计算平均值，记录； 打胶速率在50-120A/分钟则符合要求；否则报告工艺工 程师，待指示； 所有坚膜后的晶片打胶时间均为6.0分钟，流程卡有特殊 注明的则按流程卡要求生产。
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1. 条件及点检： BOE腐蚀液：6：1 BOE； 腐蚀温度：22±1℃，酸槽内实测为准，每班做片前测一次； 换酸周期：累计做片1200±50片或时间满3天，满足其中一
条即更换新酸，换酸后测腐蚀速率； 腐蚀速率在1050±50A方可生产，否则通知工艺工程师，待
指示； 每周一、周五早班做片前作一次腐蚀速率监控，测上、中、
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3. 样片检查
酸液开循环，无N2，温度稳定， 换酸周期：每天12：00பைடு நூலகம்后视做片情况换酸，换掉两瓶，换
酸前需提前30分钟把机台酸槽循环关掉，换酸后开循环和N2， 至温度重新稳定1h左右才可以做试片，另液面不够时要及时 补充，补充后也要开循环至温度稳定后30分钟才可作片。 换酸后的第一批硅片，要先做试片。 距坚膜出炉时间在8小时以内的批次（已打过胶了）可直接 作 铝腐蚀；超过8小时则重新坚膜、打胶再作铝腐蚀，坚膜 时间为30分钟，打胶时间为6.0分钟。
腐蚀前，先将水槽注满DI水，留意水压是否正常，若水压太低，停止 做片，报告站长，待指示；
腐蚀时间到，将硅片从酸槽提出来，尽快在DI水里快速DIP 8-10次 （表面没有明显的粘稠酸迹），即刻开始冲水，注意DI水的压力，压 力异常及时通知站长；DI水槽注满水后，再DIP 5-8次，取下提靶， 和硅片一起冲水；
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每班后续的批次，可以不再试片，依前面的批量腐蚀时间做片（不同 铝层厚度除外）；
特别注意：15″左右提起晶舟一次，完全提出液面并停留2-3秒或抖一 下提把，当硅片表面能观察到较明显的白雾，表明提起晶舟的间隔时 间太长，即应该增加的次数。
注意观察硅片腐蚀中表面的变化，提高目视判断能力，当硅片表面的 图形变得清晰，没有白雾状产生，再增加20-30秒即可。