【CN209487513U】一种提高GaN功率器件击穿电压的外延结构【专利】
【CN209487309U】一种谐振电感器【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920490378.2(22)申请日 2019.04.11(73)专利权人 深圳市茂兴恒业科技有限公司地址 518109 广东省深圳市龙华区民治街道上芬社区第五工业区一区18号306(72)发明人 胡敏 (74)专利代理机构 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616代理人 高志军(51)Int.Cl.H01F 27/30(2006.01)(54)实用新型名称一种谐振电感器(57)摘要本实用新型公开了一种谐振电感器，包括外轮廓呈矩形板状结构的PCB板，所述PCB板两端设置有两组插针，两组所述插针呈直线阵列分布，两组插针以PCB板为中心呈对称分布的关系，所述PCB板的下表面上开有四组呈矩形阵列分布的沉孔，沉孔内部均设置有螺纹套，所述PCB板上方设置有两组垂直于PCB板的搭板，搭板两端均设置有折弯板，折弯板下侧设置有固定板，固定板上均设置有呈矩形阵列分布的固定孔，两组搭板上开有圆孔，圆孔之间设置有轮廓呈圆管状的中筒，中筒外部套设有轮廓呈圆管状的磁芯，磁芯上缠绕有线圈，线圈由外部涂有绝缘漆的铜线制成，搭板和折弯板的连接部分均设置有三组通线管。
该谐振电感器，故障排除简单易于维护，适合普遍推广使用。
权利要求书1页 说明书3页 附图3页CN 209487309 U 2019.10.11C N 209487309U权 利 要 求 书1/1页CN 209487309 U1.一种谐振电感器，包括外轮廓呈矩形板状结构的PCB板(2)，其特征在于：所述PCB板(2)两端设置有两组插针(1)，两组所述插针(1)呈直线阵列分布，两组插针(1)以PCB板(2)为中心呈对称分布的关系，所述PCB板(2)的下表面上开有四组呈矩形阵列分布的沉孔，沉孔内部均设置有螺纹套(12)；所述PCB板(2)上方设置有两组垂直于PCB板(2)的搭板(10)，所述搭板(10)两端均设置有折弯板(3)，所述折弯板(3)下侧设置有固定板(9)，所述固定板(9)上均设置有呈矩形阵列分布的固定孔(11)，两组所述搭板(10)上开有圆孔，所述圆孔之间设置有轮廓呈圆管状的中筒(7)，所述中筒(7)外部套设有轮廓呈圆管状的磁芯(5)，所述磁芯(5)上缠绕有线圈(6)，所述线圈(6)由外部涂有绝缘漆的铜线制成，所述搭板(10)和折弯板(3)的连接部分均设置有三组通线管(4)；所述线圈(6)设置有六组，每组线圈(6)各有两个端点，端点上均焊接有导线(8)，所述导线(8)从与其配合的通线管(4)内拉出。
【CN209471230U】一种直流电源系统绝缘监测装置的在线校验装置【专利】
权利要求书1页 说明书4页 附图7页
CN 209471230 U
CN 209471230 U
权 利 要 求 书
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1 .一种直流电源系统绝缘监测装置的在线校验装置，其特征在于，包括散热外壳（1）、 装置外壳（2）和装置箱盖（3），装置外壳（2）放置在散热外壳（1）的内部，散热外壳（1）的四周 均设有若干个散热片（4），散热外壳（1）一侧设有开口（5），工作电源接口（6）与开口（5）相对 应设置，装置外壳（2）顶端的另一侧固定设有插孔（8），装置外壳（2）顶部的一边侧通过铰链 （9）与装置箱盖（3）铰接，装置箱盖（3）的顶部开设有通孔（10）、固定孔（11）和滑槽（12），滑 槽（12）呈半圆弧型，固定孔（11）与滑槽（12）的圆弧心，通孔（10）的圆心、固定孔（11）的圆心 和滑槽（12）的一端处于同一直线上，通孔（10）的顶部设置有旋盖装置。
3 .根据权利要求1或2所述的一种直流电源系统绝缘监测装置的在线校验装置，其特征 在于，所述固定孔（11）与旋转轴（16）的旋转连接处设置有卷簧（17），所述卷簧（17）的内圈 与旋转轴（16）的外壁固定连接，所述卷簧（17）的外圈与固定孔（11）的内壁固定连接。
4 .根据权利要求2所述的一种直流电源系统绝缘监测装置的在线校验装置，其特征在 于，所述旋转轴（16）与装置箱盖（3）的旋转连接处固定设有滚动轴承，所述滚动轴承的内圈 与旋转轴（16）底部的表面固定连接。
( 19 )中华人民 共和国国家知识产权局
( 12 )实 用新型专利
(21)申请号 201920047385 .5
(22)申请日 2019 .01 .09
(73)专利权人 中国长江电力股份有限公司 地址 443002 湖北省宜昌市西陵区西坝建 设路1号
【CN109873034A】沉积多晶AlN的常关型HEMT功率器件及其制备方法【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910223702.9(22)申请日 2019.03.22(71)申请人 华南理工大学地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号(72)发明人 李国强 陈丁波 刘智崑 万利军 (74)专利代理机构 广州粤高专利商标代理有限公司 44102代理人 何淑珍 江裕强(51)Int.Cl.H01L 29/778(2006.01)H01L 29/06(2006.01)H01L 21/335(2006.01)(54)发明名称沉积多晶AlN的常关型HEMT功率器件及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件及其制备方法。
所述HEMT功率器件主体采用外延硅衬底上的AlGaN/GaN异质结外延结构，包括由外延缓冲层，GaN沟道层，Al y Ga 1-y N势垒层，并在外延硅衬底上依次生长形成，在Al y Ga 1-y N势垒层上制作电极，所述电极包括栅电极、源电极和漏电极，栅电极制作于Al y Ga 1-y N势垒层上，位于源电极和漏电极之间；在源电极和栅电极之间、栅电极和漏电极之间的Al y Ga 1-y N势垒层上电极之外的区域形成一层多晶AlN层；所述HEMT功率器件为常关型。
对于高性能、高可靠性氮化镓基器件的更广泛应用具有重要意义。
权利要求书2页 说明书7页 附图5页CN 109873034 A 2019.06.11C N 109873034A1.沉积多晶AlN的常关型HEMT功率器件，其特征在于，所述HEMT功率器件主体采用外延硅衬底上的AlGaN/GaN异质结外延结构，所述AlGaN/GaN异质结外延结构包括由AlN和C掺杂高阻GaN层组成的外延缓冲层、非人为掺杂的GaN沟道层和Al y Ga1-y N势垒层，y=0.2～0.3；所述外延缓冲层、GaN沟道层和Al y Ga1-y N势垒层在外延硅衬底上依次生长形成，在Al y Ga1-y N势垒层上制作电极，所述电极包括栅电极、源电极和漏电极，源电极和漏电极分别制作于Al y Ga1-y N势垒层上表面的两侧，栅电极制作于Al y Ga1-y N势垒层上，位于源电极和漏电极之间；在源电极和栅电极之间、栅电极和漏电极之间的Al y Ga1-y N势垒层上电极之外的区域形成一层多晶AlN层；所述HEMT功率器件为常关型。
【CN209487689U】一种定向耦合器【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920215539.7(22)申请日 2019.02.20(73)专利权人 广东通宇通讯股份有限公司地址 528400 广东省中山市火炬开发区东镇东二路1号(72)发明人 赵伟 欧迪 刘木林 (74)专利代理机构 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120代理人 陈利超(51)Int.Cl.H01P 5/18(2006.01)(54)实用新型名称一种定向耦合器(57)摘要一种定向耦合器，包括介质板，介质板的其中一侧覆盖有金属地，介质板的另一侧上安装有带状线，介质板上的带状线的包括直通线路和耦合线路，直通线路的两端分别为输入口和直通口，耦合线路的两端分别为耦合负载端和耦合输出口，耦合负载端通过金属化过孔贯穿介质板和金属地并设置有电阻焊盘，电阻焊盘和金属地上搭接焊有电阻，电阻焊盘上还连接有长条状的调试枝节，调试枝节凸出于电阻焊盘，调整调试枝节的长度和宽度以达到良好的阻抗匹配。
本实用新型通过在电阻焊盘上向外凸出连接有调试枝节，通过改变调试枝节的长度和宽度来实现耦合器达到良好的阻抗匹配。
权利要求书1页 说明书2页 附图2页CN 209487689 U 2019.10.11C N 209487689U权 利 要 求 书1/1页CN 209487689 U1.一种定向耦合器，包括介质板，介质板的其中一侧覆盖有金属地，介质板的另一侧上安装有带状线，介质板上的带状线的包括直通线路和耦合线路，直通线路的两端分别为输入口和直通口，耦合线路的两端分别为耦合负载端和耦合输出口，输入口通过金属化过孔贯穿介质板延伸至金属地的一侧上设置有输入口接头焊盘，直通口通过金属化过孔贯穿介质板延伸至金属地的一侧上设置有直通口接头焊盘，其特征在于：所述的耦合负载端通过金属化过孔贯穿介质板和金属地并设置有电阻焊盘，电阻焊盘和金属地上搭接焊有电阻，电阻焊盘上还连接有长条状的调试枝节，调试枝节凸出于电阻焊盘，调整调试枝节的长度和宽度以达到阻抗匹配。
【CN209357746U】一种用于提升电池片抗PID性能的氧化装置【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920261828.0(22)申请日 2019.03.01(73)专利权人 江苏东鋆光伏科技有限公司地址 214421 江苏省无锡市江阴市华士镇海达路５８号(72)发明人 费春燕 赵卫东 赵沁 朱广和 赵枫 李向华 赵雅 赵龙宝 (74)专利代理机构 北京中济纬天专利代理有限公司 11429代理人 赵海波 孙燕波(51)Int.Cl.H01L 31/18(2006.01)H01L 21/02(2006.01)H01L 21/673(2006.01)H01L 21/67(2006.01)C30B 31/06(2006.01)(54)实用新型名称一种用于提升电池片抗PID性能的氧化装置(57)摘要本实用新型公开了一种用于提升电池片抗PID性能的氧化装置，涉及太阳能光伏电池片技术领域。
本实用新型包括柜体，还包括石英反应圆管；石英反应圆管内壁矩形排列固定有若干组导柱固定块；若干组导柱固定块矩形排列固定有导柱；若干导柱滑动配合有加热组件；其中两导柱滑动配合有电池板支撑组件；电池板支撑组件包括矩形框；矩形框一相对侧面均固定有两第一滑块；第一滑块与导柱滑动配合；矩形框上表面平行固定有若干电池板支撑矩形杆。
本实用新型通过设计的石英反应圆管、电池板支撑组件、加热组件、第一密封端盖和第二密封端盖组合方便硅片的进出料和方便调节加热电偶与硅片的距离，解决了现有反应装置使用不便的问题。
权利要求书2页 说明书5页 附图6页CN 209357746 U 2019.09.06C N 209357746U权 利 要 求 书1/2页CN 209357746 U1.一种用于提升电池片抗PID性能的氧化装置，包括柜体(1)，其特征在于：还包括石英反应圆管(2)；所述石英反应圆管(2)内壁矩形排列固定有若干组导柱固定块(201)；若干组所述导柱固定块(201)矩形排列固定有导柱(202)；若干所述导柱(202)滑动配合有加热组件(4)；其中两所述导柱(202)滑动配合有电池板支撑组件(3)；所述电池板支撑组件(3)包括矩形框(301)；所述矩形框(301)一相对侧面均固定有两第一滑块(302)；所述第一滑块(302)与导柱(202)滑动配合；所述矩形框(301)上表面平行固定有若干电池板支撑矩形杆(303)；所述矩形框(301)一侧面固定有固定延长操作杆(304)；所述加热组件(4)包括立方体框(401)；所述立方体框(401)一相对侧面均固定有四个第二滑块(402)；所述第二滑块(402)与导柱(202)滑动配合；所述立方体框(401)一相对表面间固定有若干加热电偶(403)；所述石英反应圆管(2)一端扣接有第一密封端盖(5)；所述第一密封端盖(5)；所述石英反应圆管(2)另一端扣接有第二密封端盖(6)；所述柜体(1)一相对侧面分别贯穿固定有第一连接管(101)和第二连接管(102)；所述柜体(1)内部设有抽真空泵(11)；所述抽真空泵(11)吸气口通过第一导气管(12)与第一连接管(101)一端连接；所述第一连接管(101)另一端通过第二导气管(9)与第一密封端盖(5)内腔连通；所述第二连接管(102)一端通过第三导气管(10)与第二密封端盖(6)内腔连通；所述第二连接管(102)另一端连接有供氧组件；所述柜体(1)上表面固定有矩形保温下箱体(7)；所述矩形保温下箱体(7)上表面开有第一半圆槽(701)；所述第一半圆槽(701)与石英反应圆管(2)周侧面配合；所述矩形保温下箱体(7)一侧面通过若干合页铰接有保温上箱体(8)；所述保温上箱体(8)下表面开有第二半圆槽(801)；所述第二半圆槽(801)与石英反应圆管(2)周侧面配合；所述保温上箱体(8)一侧面固定有若干第一快速搭扣(802)；所述柜体(1)一侧面设有柜门(103)。
【CN209487767U】一种电测连接器【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920291903.8(22)申请日 2019.03.08(73)专利权人 松富电子（深圳）有限公司地址 518000 广东省深圳市宝安区福永街道凤凰社区腾丰大道187号(A10幢)1层、2层、3层(72)发明人 于长弘 (74)专利代理机构 东莞市创益专利事务所44249代理人 许彬(51)Int.Cl.H01R 13/02(2006.01)H01R 13/40(2006.01)(54)实用新型名称一种电测连接器(57)摘要本实用新型涉及一种电测连接器，用于电连接器产品的短路或高压测试，具有绝缘主体及复数个电测端子，复数个电测端子由绝缘主体稳固形成有序排列，电测端子的两端分别露出绝缘主体后形成第一连接部和第二连接部；第一连接部连接电测载体，第二连接部贴合连接待测连接器产品的锡脚；电测载体设有相互连通的第一触点和第二触点，第一触点与第一连接部导通连接，第二触点连接电测设备，第二触点之间的脚距大于或等于第一触点之间的脚距。
本实用新型解决小pitch的电连接器产品难以进行短路或高压测试的问题，且测试简便、快捷，可代替传统探针电测方式，同时采用的是贴合导通，还具有可拆换性，更换便捷，耗时极短，仅需3~5分钟，生产效率高。
权利要求书1页 说明书3页 附图2页CN 209487767 U 2019.10.11C N 209487767U权 利 要 求 书1/1页CN 209487767 U1.一种电测连接器，用于电连接器产品的短路或高压测试，其特征在于：该电测连接器具有绝缘主体及复数个电测端子，该复数个电测端子由绝缘主体稳固形成有序排列，电测端子的两端分别露出绝缘主体后形成第一连接部和第二连接部；该第一连接部连接电测载体，该第二连接部贴合连接待测连接器产品的锡脚；所述电测载体设有相互连通的第一触点和第二触点，第一触点与第一连接部导通连接，第二触点连接电测设备，第二触点之间的脚距大于或等于第一触点之间的脚距。
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号
(45)授权公告日
(21)申请号 201920241671.5
(22)申请日 2019.02.26
(73)专利权人 同辉电子科技股份有限公司
地址 050200 河北省鹿泉区高新技术开发
区昌盛大街21号
(72)发明人 白欣娇 李帅 崔素杭
(74)专利代理机构 石家庄元汇专利代理事务所
(特殊普通合伙) 13115
代理人 周大伟
(51)Int.Cl.
H01L 29/06
(2006.01)
(54)实用新型名称
一种提高GaN功率器件击穿电压的外延结构
(57)摘要
本实用新型公开了一种提高GaN功率器件击
穿电压的外延结构，包括基板和外延层，所述外
延层设置在基板的顶部，所述基板的内部设有陶
瓷纤维，所述基板的顶部设有矩形槽，所述矩形
槽内设有导热装置，本实用新型通过在基板内部
掺杂有陶瓷纤维，用于增加器件的抗击穿能力，
且利用陶瓷的导热性能，利于基板的散热，避免
基板温度升高，产生热击穿，基板内的导热装置
由铜板和导热杆，通过铜板位于基板内部，用于
收集基板内的热量，并通过导热杆将热量导出，
增加基板的散热效果，提高使用寿命。
权利要求书1页 说明书2页 附图2页
CN 209487513 U
2019.10.11
C
N
2
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9
4
8
7
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3
U
1.一种提高GaN功率器件击穿电压的外延结构，包括基板(1)和外延层(2)，所述外延层
(2)设置在基板(1)的顶部，其特征在于：所述基板(1)的内部设有陶瓷纤维(3)，所述基板
(1)的顶部设有矩形槽(5)，所述矩形槽(5)内设有导热装置(4)；
所述导热装置(4)包括铜板(6)和导热杆(10)，所述矩形槽(5)的左右两端均设有安装
槽(11)，所述安装槽(11)内固定安装有导热硅脂块(8)，所述铜板(6)的左右两端均一体成
型有固定块(7)，所述固定块(7)位于安装槽(11)内，两个所述安装槽(11)的外壁均设有通
孔(9)，所述导热杆(10)固定安装在通孔(9)内。
2.根据权利要求1所述的一种提高GaN功率器件击穿电压的外延结构，其特征在于：所
述基板(1)的左右两端均设有散热块(12)，所述散热块(12)的顶部固定安装有连接件(15)，
所述散热块(12)的外侧设有散热槽(13)。
3.根据权利要求2所述的一种提高GaN功率器件击穿电压的外延结构，其特征在于：所
述连接件(15)包括第一立杆(16)、第二立杆(18)和螺母(20)，所述第一立杆(16)和第二立
杆(18)的底端分别固定安装在散热块(12)的顶部和基板(1)的顶部，所述第一立杆(16)和
第二立杆(18)靠近的一侧分别设有第一平面(17)和第二平面(19)，所述第一立杆(16)和第
二立杆(18)的外侧壁设有螺纹，所述螺母(20)螺接在第一立杆(16)和第二立杆(18)的外侧
壁上。
4.根据权利要求1所述的一种提高GaN功率器件击穿电压的外延结构，其特征在于：所
述固定块(7)的外端设有弧面(14)。
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