掺杂钨酸铅晶体闪烁发光光谱研究
ZnWO4Eu3+晶体生长、位错与光谱特性
-3-
25000
20000
5D25D1 5D01500021413(467) 1855.97 (653) 17193.95(581)
E/cm-1 16846 16313 16005 141272
10000
5000
4
3022
3
7F 2
1189 881
1
302
→7F2 谱线，及 624.80nm 处发射弱的 5D0→7F3 谱线，在 705.6nm 处出现极弱的 5D0→7F4 谱线， 其中以 5D0→7F2 在 613nm 的跃迁发射为主。467nm 激发产生的荧光强度事 396nm 波长光激发 强度的近 4 倍，这是因为 467nm 是 ZnWO4 本征发光带，恰好与 7F0→5D2 跃迁重叠，因而极大 地增加了 ZnWO4:Eu3+晶体的红光发光效率。图 6 是 ZnWO4:Eu3+的能级及其跃迁示意图。
摘 要：采用 Czochralski 法生长出光学质量的 ZnWO4: Eu3+单晶。采用化学浸蚀法进行位错 实验，并在偏光显微镜下观察了位错蚀坑, 测定了(010)面晶体位错密度为 52 个/mm2。测试 了其激发光谱和发射光谱，分析了掺杂 Eu3+的 ZnWO4 的发光特性。激发谱为三个峰带，分别 为 339nm、396nm 和 467nm；发射光谱为线谱，其中峰值为 613nm 荧光峰最强，相应于 5D0→ 7F2 的电偶极跃迁。
【国家自然科学基金】_钨酸铅_基金支持热词逐年推荐_【万方软件创新助手】_20140801
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科研热词 钨酸铅 光输出 高温拉曼光谱 草酸根 能量分辨 熔体 氟离子 有序纳米结构 无机非金属材料 掺杂效应 控制合成 振动模式 pbwo_4晶体 pbwo4晶体 geant4
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科研热词 闪烁晶体 综述 双读出 cherenko 1 1
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2011年 科研热词 镨离子掺杂钨酸铅晶体 钨酸铅纳米晶 超疏水性 荧光衰减动态 能带结构 纳米钨酸铅 第一性原理 涂料 油酸 水热法 无辐射跃迁 屏蔽率 光致发光 光学特性 修饰 γ 射线 y3+掺杂 pbwo4微晶 推荐指数 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
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科研热词 钨酸铅晶体 透过率 生长 掺钕 掺杂改性 吸收光谱 发光性能 光谱特性 光谱性质 raman spectra pbwo 4 judd-ofelt理论 judd-ofelt theory bridgman法 bridgman method
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科研热词 降解 糖蜜酒精废水 反馈校验 光催化剂 偏压控制 phos pbwo4 fpga apd
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《La-N、Gd-N掺杂量对ZnO电子结构及吸收光谱影响的研究》
《La-N、Gd-N掺杂量对ZnO电子结构及吸收光谱影响的研究》一、引言随着科技的发展，半导体材料的研究与应用越来越受到人们的关注。
氧化锌（ZnO）作为一种宽禁带半导体材料，具有优异的物理和化学性质，其应用领域涵盖了光电子器件、太阳能电池等。
近年来，通过掺杂不同的元素来调控ZnO的电子结构和光学性能成为研究热点。
本文着重研究La-N、Gd-N掺杂量对ZnO电子结构及吸收光谱的影响。
二、La-N、Gd-N掺杂ZnO的制备与实验方法本实验采用溶胶凝胶法，通过控制掺杂元素的含量，制备了不同La-N、Gd-N掺杂量的ZnO样品。
在实验过程中，通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外可见光谱等手段对样品进行表征和性能分析。
三、La-N、Gd-N掺杂对ZnO电子结构的影响1. 能带结构变化La-N、Gd-N掺杂ZnO后，由于掺杂元素的引入，使得ZnO 的能带结构发生改变。
随着掺杂量的增加，ZnO的禁带宽度可能发生变化，导致其电子结构发生调整。
通过计算分析，我们发现La-N、Gd-N的掺入使得ZnO的能带结构变得更加复杂，出现了新的能级。
2. 载流子浓度变化La-N、Gd-N的掺入会改变ZnO中的载流子浓度。
随着掺杂量的增加，载流子浓度呈现先增加后减小的趋势。
这主要是由于掺杂元素在ZnO中的替代作用和杂质能级的形成所导致的。
四、La-N、Gd-N掺杂对ZnO吸收光谱的影响1. 吸收边移动La-N、Gd-N掺杂ZnO后，其吸收光谱发生明显变化。
随着掺杂量的增加，吸收边出现红移或蓝移现象。
这主要是由于掺杂元素引入的杂质能级与ZnO的能级之间的相互作用所导致的。
2. 吸收峰变化除了吸收边的移动，La-N、Gd-N掺杂还会在ZnO的吸收光谱中引入新的吸收峰。
这些新峰的出现与掺杂元素在ZnO中的能级分布和电子跃迁有关。
通过分析这些新峰的位置和强度，可以进一步了解掺杂元素对ZnO光学性能的影响。
五、结论本文通过研究La-N、Gd-N掺杂量对ZnO电子结构及吸收光谱的影响，发现掺杂元素的引入可以改变ZnO的能带结构和载流子浓度，同时还会导致其吸收光谱发生明显变化。
Eu3+激活的钨酸盐荧光粉的制备及其发光性质的研究
在 制 备 和 施用 的过 程 中容 易 对 环 境 造 成 污 染 等 缺 点 ， 本 论 文 立 足 实验 室现 有条 件 ， 旨在 利 用 高 温 固 相法 合 成 Ｅ ｕ ３ ＋ 激 活钨酸盐荧光粉 （ Ｓ ｒ ｇ Ｇ ｄ ２ Ｗ４ ０ ２ ４ ： Ｅ ｕ ３ ＋ ） ， 并通过 Ｘ射线衍射 （ Ｘ Ｒ Ｄ） 、 荧光光谱等表征 ， 以求 合 成 适 合 近 紫外 荧 光 转换
以上 测 试 均 在 室温 下 进 行 。
２ ． １ ． ２荧 光 粉 的 合 成 采 用 高 温 固相 法 制 备 Ｓ ｒ ９ Ｇ ｄ ２一 ｘ Ｗ４ ０ ２ ４ ： Ｅ ｕ ３ ＋ ｘ （ ｘ＝
０ ， ０ ． ４ ， ０ ． ８ ， １ ． ２ ， １ ． ６ ， ２ ． ０ ） 系列 荧 光 粉 。
色纯 度 等 方 向发 展 ， 以 满 足 白光 Ｌ Ｅ Ｄ 照 明发 展 的 需要 ［ ４ ］ 。
第二章 Ｓ ｒ ９ Ｇ ｄ ２ 一 ｘ Ｗ４ ０２ ４ ： Ｅ ｕ ３ ￣ ｘ系 列 荧 光 粉 的 制 备 、 表 征及 发 光 性 能 的 研 究
２ ． １实验
２ ． １ ． １实 验 仪 器试 剂 与 测 试
２ ． １ ． １ ． １试 剂
现 象 作 了更 细致 的研 究 ，一 般 认 为 他 的 文 章 是 最 早 发 表 的注 人
发 光 现 象 的报 告 ［ ２ 】 。 Ｍｏ ｎ ｓ ａ ｎ ｔ ｏ和 Ｈ Ｐ公 司 于 １ ９ ６ ８年 生 产
Ｓ ｒ Ｃ Ｏ ３ ， Ｇ ｄ ２ ０ ３ ， Ｗ２ ０ ３ ， 均为Ａ ． Ｒ ． 试剂； Ｅ ｕ ２ ０ ３ （ 广 东 珠 江 稀 土 有 限公 司产 品 ， 含量 ９ ９ ． ９ ％） 。 ２ ． １ ． １ ． ２仪 器 与 测试 高温箱式炉（ 上海 意丰 电炉 有 限公 司 ） ； 用 日本 理学 电机 Ｒ ｉ ｇ ａ ｋ ｕ ／ Ｄ ｍａ ｘ 一 ２ ２ ０ ０ 一 Ｘ 一 射 线 粉 末 衍 射 仪 分 析样 品的结构 ， 电压为 ４ ０ Ｋ Ｖ， 电流为 ２ ０ ｍＡ， 步长为 ０ ． ０ ２ 。 ， 扫 描
钨酸铅晶体中掺杂阳离子的计算机模拟
文 章 编 号 ：０ ７ ７ ５ ２ ０ ）２ １７ ４ １０ —６ ３ （０７ ０ —０ １ —０
钨 酸铅 晶体 中掺 杂 阳 离子 的计 算 机 模 拟
田 东升 ， 张启仁 ， 刘廷 禹， 陈 腾 ， 张 秀彦
（ 上海理工大学 理 学院，上海 ２０ ９ ） ０ ０ ３
ＴＡ ｏ ｓｏ ｇ Ｚ Ａ￣ ｈｎ ， Ｈ Ｎ － ， Ｉ ｉ ｙ ， Ｈ ＮＴ ｎ ， Ｈ Ｎ ｕ ａ ｒ ｇ －
（ ｏｌ ｅ ｆＳｉ ｃ ，Ｕ ｉ ｒ ｔ ｈ ｎ ｈ ｉ ｏ ｉ ｃ ａｄＴ ｃｎｌ ｙ，ｈ ｎ ｈ ｉ ０ ０ ３，Ｃ ｉ Ｃ ｌｇ ｃ ｎｅ ｎｖ ｓｙｏ ａ ｇａ ｆ ｒ ｅ ｅ ｎ ｅ ｏ ｇ Ｓ ａ ｇ ａ ０ ９ ｅ ｏ ｅ ｅ ｉ ｆＳ ｃ Ｓ ｎ ｈ ｏ ２ ｈｎ ａ）
Ａ ｓ ａｔ Ｔ ｅｐ ｓ ｉｎ ｆ ｈ ｕｉ ｎ ｆ ３ Ｔｈ ，ｂ ｉ Ｐ ＷＯ （ Ｗ Ｏ）ｃｙｔｌ ｒ ｉ ． ｂｔ ｃ ： ｈ ｏｉｏ ｓ ｅｉ ｒ ｙｉ ｓ ， ４ Ｓ ５ ｎ ｂ ４ Ｐ ｒ ｔ ｏ ｔ ｍｐ ｔ ｏ ｏ Ｎｄ ｒｓａ ａｅｓ ｍｕ
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ｎａ唁 ， ａｅｈ ｅ ｒ ｍ ｋ ｅ ｔ
PbWO_4晶体的太赫兹光谱
PbWO_4晶体的太赫兹光谱孙桂芳;王雅丽;钱霞;侯碧辉【期刊名称】《人工晶体学报》【年(卷),期】2015(44)1【摘要】测量了室温下钨酸铅（PbWO4,PWO）晶体在0.1-3 THz的太赫兹时域光谱。
分析表明：在0.2-0.9 THz范围内,晶体的吸收系数小于30 cm^-1,有较好的透射性,在0.4-0.6 THz有一个较弱的泛频共振吸收峰;折射率在2-6之间变化,0.36-0.9 THz是一个明显的反常色散区域;根据光学常数之间的关系,计算得到介电函数曲线,介电函数实部值在4-38之间变化,在0.36 THz处有明显的突变尖峰;介电函数虚部随频率升高从0.7下降到0.3。
【总页数】5页(P138-142)【关键词】太赫兹时域光谱;钨酸铅晶体;折射率;介电函数【作者】孙桂芳;王雅丽;钱霞;侯碧辉【作者单位】聊城大学物理科学与信息工程学院;山东省光通信科学与技术重点实验室;中国科学院大学材料科学与光电技术学院;北京工业大学应用数理学院【正文语种】中文【中图分类】O433.4【相关文献】1.有机电光晶体4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐的太赫兹光谱研究 [J], 连宇翔;戴泽林;许向东;谷雨;李欣荣;王福;杨春;成晓梦;周华新2.利用太赫兹光谱和密度泛函理论研究烟酰胺-庚二酸共晶体的多晶型 [J], 肖田田; 唐汉秦; 张卓勇; 郭长彬; 王果; 廖奕3.高通量制备的SmxPr1–xFeO3晶体中反铁磁自旋模式和晶体场跃迁的太赫兹光谱 [J], 方雨青;金钻明;陈海洋;阮舜逸;李炬赓;曹世勋;彭滟;马国宏;朱亦鸣4.氧化铝晶体的太赫兹光谱特性研究 [J], 李高芳;许艳霞;胡涛;聂小博;卞正兰;黄志明;褚君浩5.高通量制备的SmxPr1-xFeO3晶体中反铁磁自旋模式和晶体场跃迁的太赫兹光谱 [J], 方雨青;金钻明;陈海洋;阮舜逸;李炬赓;曹世勋;彭滟;马国宏;朱亦鸣因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
《用于闪烁晶体的铈掺杂的硅酸钇和硅酸镥粉体的制备及性能的研究》范文
《用于闪烁晶体的铈掺杂的硅酸钇和硅酸镥粉体的制备及性能的研究》篇一一、引言在核医学、高能物理、核安全等领域，闪烁晶体技术的重要性日益凸显。
而作为闪烁晶体的关键材料，稀土元素掺杂的硅酸盐粉体在性能上具有独特的优势。
本篇论文主要研究铈掺杂的硅酸钇和硅酸镥粉体的制备工艺及其性能，以期为相关领域提供理论支持和实践指导。
二、材料与方法1. 材料本实验所需的主要材料包括：硅酸钇、硅酸镥、铈化合物以及其他化学试剂。
所有材料均购自市场优质供应商，确保了实验材料的纯度和可靠性。
2. 制备方法本实验采用溶胶-凝胶法，将稀土元素铈掺杂到硅酸钇和硅酸镥中，通过高温煅烧得到粉体。
具体步骤包括：混合原料、溶解、溶胶化、凝胶化、干燥和煅烧等。
3. 性能测试对制备得到的粉体进行X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、能谱分析（EDS）以及闪烁性能测试等。
三、实验结果与分析1. 粉体的制备结果通过溶胶-凝胶法成功制备了铈掺杂的硅酸钇和硅酸镥粉体，粉体呈均匀的颗粒状，无明显的团聚现象。
2. 粉体的结构与性能分析（1）XRD分析：通过对制备得到的粉体进行XRD测试，结果表明，粉体具有良好的结晶性，与理论模型相吻合。
铈元素成功掺入到硅酸钇和硅酸镥的晶格中，未发现其他杂质相。
（2）SEM分析：通过SEM观察，粉体颗粒大小均匀，形状规则，表面光滑。
同时，能谱分析（EDS）结果表明，铈元素在粉体中分布均匀。
（3）闪烁性能测试：对制备得到的粉体进行闪烁性能测试，结果表明，铈掺杂的硅酸钇和硅酸镥粉体具有较高的光输出、快速响应和良好的能量分辨率。
其中，铈掺杂的硅酸钇粉体的性能略优于硅酸镥粉体。
四、讨论本实验成功制备了铈掺杂的硅酸钇和硅酸镥粉体，通过XRD、SEM和EDS等手段对粉体的结构与性能进行了分析。
结果表明，粉体具有良好的结晶性、均匀的颗粒形态和优异的闪烁性能。
这主要归因于溶胶-凝胶法制备工艺的优点以及稀土元素铈的成功掺杂。
同时，我们还发现铈掺杂的硅酸钇粉体的性能略优于硅酸镥粉体，这可能与两种基质材料的性质有关。
Cr3+掺杂的氧化物荧光粉的制备及光谱特性研究
摘要摘要在现代生产生活中，发光材料作为一种人类生产生活离不开的必需品，一直受到研究人员的探索研究。
如作为绿色照明光源的白光LED就因为其轻便易携带、寿命周期长、发光效率高、易保存、低成本等优点而受到关注。
所以优秀的荧光粉材质是对这些应用方面有着巨大的作用。
而过渡金属Cr因其特殊的电子层结构和相较于稀土元素的昂贵价格，使得它一直在红色荧光粉材料的合成中占据一席地位。
在本论文中，使用高温固相法和溶胶凝胶-高温固相法分别制备了α-Al2O3:Cr3+荧光材料和Mg0.388Al2.408O4:Cr3+荧光材料。
并针对Cr3+离子掺杂浓度、灼烧温度、保温时间等影响因素进行了讨论。
最终通过使用X射线衍射（XRD）、激发光谱、发射光谱、荧光寿命衰减曲线以及色坐标对所合成的样品进行分析，得如下结论：（1）在不同浓度的Cr3+的掺杂下，Al2O3:Cr3+荧光材料的XRD与标准卡对比，没有出现变化。
浓度的改变会使激发光谱和发射光谱的强度改变而峰位没有改变，分别为409nm、546nm和693.6nm、694.8nm。
在固定掺杂浓度的情况下，最佳灼烧温度出现在1300℃。
在固定掺杂浓度和温度下，最佳保温时间为3h。
荧光寿命约为4.32641ms。
在1%掺杂浓度下的Al2O3:Cr3+荧光粉的CIE色坐标为(0.7345，0.2657)，该点所处的位置位于红色边界区域内，表明Al2O3:Cr3+荧光粉发射红光，与荧光粉发射峰值位于694.9nm相符合。
（2）通过与标准卡对比，制备成Mg0.388Al2.408O4:Cr3+的样品没有多余的杂相。
在407nm的激发光激发下，它可以发射出在670nm到750nm范围的红色和近红外光。
随着Cr3+的掺杂浓度从1%到3%，样品的发射峰位并没有产生改变，均在689nm处存在一个强发射峰。
Cr3+的最佳掺杂浓度为1%。
由689nm的发射光得到了380nm~450nm和520nm~600nm两个激发带，中心波长分别为407nm和552nm。
导模法生长无机闪烁晶体
闪烁晶体的发光原理：
激活剂的基态和激发态分别位于禁带的上下两部分。当价态中的激 活剂吸收入射高能粒子或射线的能量后,能量升高,再捕获导带中的 一个电子后跃迁到激发态,由激发态返回到基态时释放能量并发出 具有特定波长的闪烁脉冲光。
无机闪烁晶体的分类: 常用的无机闪烁晶体材料通常可以分为氧化物型和卤化物型两大类。 主要的氧化物型闪烁晶有BGO、PWO、YAG等，它们大多具有密度高、 衰减快和物化性能稳定等优点。传统的卤化物型闪烁晶体主要以碱 金属碘化物为代表，如 NaI、CsI等，它们具有很高的光产额，同 时也具有较好的能量分辨率和时间分辨率。
2.闪烁晶体
闪烁晶体的定义： 当高能射线（如X射线，γ 射线)或其它放射性粒子,通过某些晶体 时，因射线或粒子的激发, 该类晶体会发出荧光脉冲(闪烁光)，具 有这种性质的晶体称为闪烁晶体。 闪烁晶体的应用: 闪烁晶体可用于X射线、γ 射线、中子及其他高能粒子的探测，经 过100多年的发展，以闪烁晶体为核心的探测和成像技术已经在核 医学、高能物理、安全检查、工业无损探伤、空间物理及核探矿等 方面得到了广泛的应用。
导模法生长无机闪烁晶体
主要内容 1.导模法
2.无机闪烁晶体
1.导模法(EFG)
导模法的定义及原理： 从熔体中制取单晶材料的方法之一，类似于提拉法，又叫边缘限定 薄膜供料法（Edge-defined Film-fed Growth technique）。它是将留 有毛细管狭缝的模具放在熔体中，熔液借毛细作用上升到模具顶部， 形成一层薄膜并向四周扩散，同时受子晶诱导结晶，模具顶部的边 缘可控制晶体呈片状、管状或所需的某种几何形状产出。
晶体生长过程中（国外文献截图）
导模法生长晶体的优点： 1.纵向温度梯度大，生长速度快，效率高。 2.可直接生长一定形状的晶体，如：片状，条状，柱状，桶状等各 种形状，不用切割只需简单加工就可直接使用，节约成本。 3. 熔体在毛细管中的对流作用非常弱 , 晶体在生长过程中由分凝现 象排出的过剩溶质 , 只有靠扩散向熔体主体中运动 , 因此 , 该方法 容易得到成分均匀的掺杂晶体。 4.光学均匀性较好
PbWO4晶体的生长及其光学性能的研究
PbWO4晶体的生长及其光学性能的研究
韩爱珍;赵业权;徐玉恒;葛云成
【期刊名称】《人工晶体学报》
【年(卷),期】1996(25)4
【摘要】本文报道了新型闪烁晶体ＰｂＷＯ４的生长。
研究了晶体的生长工艺，获得较为平坦的固液界面，消除晶体生长中产生的缺陷；测试了晶体的光学性能；探讨了ＰｂＷＯ４晶体的着色的机理。
【总页数】4页(P304-307)
【关键词】晶体;闪烁晶体;光学性能;着色;钨酸铅
【作者】韩爱珍;赵业权;徐玉恒;葛云成
【作者单位】哈尔滨工业大学航天电子与光电工程系;哈尔滨师范大学物理系【正文语种】中文
【中图分类】O734.1;O782
【相关文献】
1.一种全新的金属有机配合物非线性光学晶体CdHg（SCN）4（C2 H5NO）2的生长、物化和光学性能表征 [J], 刘雪松;刘希涛;王新强
2.掺镁PbWO4晶体的生长及其闪烁性能研究 [J], 叶水驰;陈刚
3.大尺寸Y:PbWO4晶体的坩埚下降法生长与光学均匀性研究 [J], 宫波;沈定中;任国浩;张海斌;殷之文
4.含铅空位的PbWO4晶体光学性质及其偏振特性的研究 [J], 刘廷禹;张启仁;庄松林
5.非线性光学晶体Ba2B5O9Cl的合成、晶体生长及性能的研究 [J], 陈兆慧;潘世烈;赵文武;杨云;吴红萍;张方方
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