第3章 单片机硬件基础知识学习

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单片机第一章第二章第三章

单片机第一章第二章第三章

码的大小、执行效率,部分型号FLASH非常大,特别适用于使
用高级语言进行开发;
·作输出时与PIC的HI/LOW相同,可输出40mA(单一输
出),作输入时可设置为三态高阻抗输入或带上拉电阻输入,具
备10mA-20mA灌电流的能力;
·片内集成多种频率的RC振荡器、上电自动复位、看门狗、
启动延时等功能,外围电路更加简单,系统更加稳定可靠;
整理课件
属于RISC结构的有Microchip公司的PIC系列、 Atmel的AT90S系列、 Zilog的Z86系列、韩国三星 公司的KS57C系列4位单片机、台湾义隆的EM-78系 列等。
一般来说,控制关系较简单的小家电,可以采用 RISC型单片机;控制关系较复杂的场合,如通讯产品、 工业控制系统应采用CISC单片机。
整理课件
三、 单片机的特点、分类、及应用
1. 单片机的特点
(1)性价比高 (2)控制功能强 (3)高集成度、高可靠性、体积小 (4)低电压、低功耗
2. 单片机的分类
(1)按单片机内部程序存储器分类 片内无ROM型 片内带掩膜ROM(QTP)型、片内EPROM型、
片内一次可编写型(OTP型)和片内带Flash型等。 整理课件
(4)按单片机字长分类 4位、8位、16位、32位整理、课件和64位机
3. 单片机均可用单片机实现
四、MCS-51和8051、8031、89C51等的关系
MCS-51是指INTEL公司生产的一系列单片机的总称。
此系列包括好多品种,如8031,8051,8751, 8032,8052,8752等等。
系统。
单片机片内的各功能部件 通过内部总线相互连接,
集成在单片机内的这 些部件如何连接和进

单片机3章

单片机3章

第3章 C51语言编程基础内容概要目前单片机应用设计与开发,多使用C51语言来编程。

C51语言是在标准C的基础上,根据单片机存储器硬件结构及内部资源,扩展相应的数据类型和变量,而在语法规定、程序结构与设计方法上,都与标准C相同。

本章介绍C51语言的基础知识、对C51集成开发环境Keil µVision3以及单片机虚拟仿真平台Proteus也作以介绍。

在单片机应用开发中,软件编程占有非常重要的地位。

要求编程人员在短时间内编写出执行效率高、运行可靠的程序代码。

同时,由于实际系统的日趋复杂,对程序的可读性、升级与维护以及模块化的要求越来越高,以方便多个工程师协同开发。

C51语言是近年来在国内外的51单片机开发中,普遍使用的一种程序设计语言。

C51能直接对单片机硬件进行操作,既有高级语言的特点,又有汇编语言的特点,因此在单片机应用的程序设计中,得到非常广泛的使用。

3.1 编程语言Keil C51简介Keil C51(简称C51),是在标准C语言的基础上发展的。

3.1.1 Keil C51简介Keil C51语言是在标准C的基础上针对51单片机的硬件特点进行的扩展,并向51单片机上移植,经多年努力,C51语言已成为公认的高效、简洁的51单片机的实用高级编程语言。

与汇编语言相比,用C51语言进行软件开发,有如下优点:(1)可读性好。

C51语言程序比汇编语言程序的可读性好,因而编程效率高,程序便于修改、维护以及程序升级。

(2)模块化开发与资源共享。

C51开发的模块可直接被其他项目所用,能很好地利用已有的标准C程序资源与丰富的库函数,减少重复劳动,也有利于多个工程师的协同开发。

(3)可移植性好。

为某型单片机开发的C51程序,只需将与硬件相关之处和编译链接的参数进行适当修改,就可方便地移植到其它型号的单片机上。

例如,为51单片机编写的程序通过改写头文件以及少量的程序行,就可以方便地移植到PIC单片机上。

专题四 MCS-51指令系统-第三章 单片机的指令系统

专题四 MCS-51指令系统-第三章 单片机的指令系统

8、指令字节数和机器周期数
第三章 单片机的指令系统
是必须掌握的内容。 Ø 一台计算机所有指令的集合, 称为该计算机的指令系统。 Ø 各种计算机都有专用的指令系统。
Ø 本章主要介绍单片机的寻址方式及指令系统,
学时分配:2学时 1—53+97+98+99 2学时 54—96 100
第三章 单片机的指令系统 • 3.1 MCS-51 指令系统概述

按指令字长分类
按指令执行时间分类
3.2 寻址方式
• 寻址方式:7种
– – – – – – – – – 寄存器寻址 直接寻址 寄存器间接寻址 立即寻址 变址间接寻址 相对寻址 位寻址 寻址方式与寻址空间 MCS-51单片机的两个突出特点
寄存器寻址——操作数存放在寄存器中
寄存器为 MOV A,R0 MOV R0,#01001111B R0~R7,A,DPTR,C SETB RS0 MOV R3,#56H
目的寻址为直接寻址
2) 20H ~2FH 可位寻址区的寻址方式
字节寻址方式: 直接寻址 direct
寄存器间接寻址@R0,@R1
位寻址: bit 直接寻址
例: MOV 26H,C ; 位寻址 (26H)1位
MOV 26H,A ;字节寻址(26H)8位
3) 30H ~7FH 数据缓冲区的寻址方式
字节寻址方式: 直接寻址 direct
MOV A,#23H
PUSH ACC
;
A寄存器寻址
POP
0E0H
;直接寻址
4、可做片内RAM的指针有:
R0,R1, 四个组共有8个 预先设置RS1、RS0,以选定组。 SETB RS0 CLR RS1; 1组

单片机第三章PPT教学课件

单片机第三章PPT教学课件

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4.完成以下的数据传送过程。 (1)R1的内容传送到R0。 (2)片外RAM 20H单元的内容送R0。 (3)片外RAM 20H单元的内容送片内RAM 20H (4)片外RAM 1000H单元的内容送片内RAM 20H (5)片外RAM 20H单元的内容送R0。 (6)片外RAM 2000H单元的内容送片内RAM 20H (7)片外RAM 20H单元的内容送片外RAM 20H
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(1)R1的内容传送到R0 ;
MOV A,
R1
MOV R0, A
(2)片外RAM 20H单元内容送R0 ;
MOV DPTR, #0020H
MOVX A,
@
MOV R0, A
(3)片外 RAM 20H单元的内容送片内RAM 20H单元;
MOV DPTR, #0020H
MOVX A, @DPTR
LOOP:MOV A,@R1
MOVX @DPTR,A
INC R1
INC DPTR
DJNZ R7,LOOP
SJMP $
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6.设有100个有符号数,连续存放在片外RAM以2200H为首 地址的存储区中,试片成统计其中正数|、负数、零的个数。
ORG 0000H
LJMP MAIN
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3.在8051的片内RAM中,已知(20H)=30H, (30H)=40H,(40H)=50H,(50H)=55H。
分析下面各条指令,说明源操作数的寻址方式, 分析按顺序执行各条指令后的结果。
MOV A,40H MOV R0,A MOV P1,#0F0H MOV @R0,20H MOV 50H,R0 MOV A,@R0 MOV P2,P1

微控制器技术第三章 单片机结构

微控制器技术第三章 单片机结构

有时候字长被定义为某个特定值是为了与早期的计算机 保持兼容。
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北京信息科技大学
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北京信息科技大学
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专业术语
4. 指令、指令系统和程序 (Instruction, Instruction set, Program)
一个CPU能执行什么操作,是工程人员设计和制造好 的, 是固定的,用户不能改变。
地址 01F0h~01FFh 01E0h~01EFh
01D0h~01DFh
说明 ESP430、Scan IF ESP430、DMA
Scan IF ESP430、 Scan
IFDMA
01C0h~01CFh
01B0h~01BFh 01A0h~01AFh
0190h~019Fh
0180h~018Fh
DAC12、ESP430、
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3.3.4 外围模块寄存器
• 外围模块都可以用软件访 问和控制。
• 外围模块相关的控制寄存 器和状态寄存器都被安排 在0000H-01FFH范围
• 特殊功能寄存器
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MSP430F4xx外围模块寄存器地址分配列表(字模 块)
代码区、系统引导区
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3.3.3 数据存储器
• 数据存储器
• 0200H单元以上
• 用于堆栈和变量
– 存放一些经常变化的数据,采集 到的数据,输入的变量、运算的 中间结果
– 堆栈是先进后出的一段特殊结构 的存储单元,在子程序调用、中 断处理、函数调用过程中保存程 序指针、参数、寄存器等。

单片机基础知识点总结(热门6篇)

单片机基础知识点总结(热门6篇)

单片机基础知识点总结第1篇MCS-51单片机是标准数字电路芯片,其输入输出引脚电平符合TTL电平规则(高电平逻辑3 -5V,低电平逻辑0-1V),该电平标准有效传输距离较短(15米以内),不适于远距离通信信号传输。

为了提高串行通信可靠性,增大通信距离,人们定义了各种新的通信电平标准。

后经美国电子工业协会(EIA)指定标准规范化,形成RS422,RS232,RS485三种异步串行通信电平标准和硬件接口协议。

RS232接口标准是一种用于短距离或带调制解调器(Modem)的串行通信接口标准,1 970年由美国电子工业协会(EIA)联合贝尔系统、调制解调器厂家及计算机终端生产厂家共同制定的。

MCS-51单片机串行口主要由发送数据寄存器、发送控制器、输出控制门、接收数据寄存器、接收控制器、输入移位寄存器等组成SM0、 SM1:串行口工作方式选择位。

SM2:多机通信控制位。

REN:允许接收控制位。

TB8:发送的第9位数据RB8:接收的第9位数据。

TI:发送中断标志位。

RI:接收中断标志位。

当SMOD位为1,则串行口方式1、方式2、方式3的波特率加倍。

方式o通常用来外接移位寄存器,用作扩展I/O口。

方式0工作时波特率固定为: f o s c / 12 f_{osc} /12 fosc/12。

工作时,串行数据通过RXD输入和输出,同步时钟通过TXD输出。

在TI=0时,当CPU执行一条向SBUF写数据的指令时,启动发送过程。

从RXD依次发送出去,同步时钟从TXD送出。

8位数据发送完后,发送中断标志TI置位,并向CPU申请中断。

在RI=0的条件下,将REN置 “1”就启动一次接收过程。

在移位脉冲的控制下,RXD上的串行数据依次移入移位寄存器。

当8位数据全部移入移位寄存器后,8位数据送入接收数据缓冲器SBUF中,同时,接收中断标志RI置位,向CPU申请中断。

单片机基础知识点总结第2篇为了方便用户,C51编译器把S1单片机的常用的特殊功能寄存器和特殊位进行了定义,放在一个“regsl。

[工学]单片机基础第3版_第3章

[工学]单片机基础第3版_第3章

片内 RAM 地址 内容
46H ZH 45H ZM 44H ZL 43H YH 42H YL 41H XH 40H XL
;子程序结束
第十七页,共32页。
例4:两个4位BCD码相加,一个存放(cúnfàng)在(31H)(30H);另一 个存放(cúnfàng)在(33H)(32H);和数拟回存在(31H)(30H)中, 试编程实现之。
解:
MOV R0,#30H
MOV R1,#32H
MOV A,@R0
ADD A,@R1
DA A MOV @R0,A
INC R0 INC R1
MOV A,@R0
ADDC A,@R1 DA A
MOV @R0,A
第十八页,共32页。
例5:试将A中的二进制数转换为3位BCD码,其中,百位数存放于 31H单元(dānyuán),十位数和个位数压缩后存于30H单元(dānyuán)中。
单片机基础 (第3 (jīchǔ) 版)第三章
80C51 单片机指令系统(zhǐ lìnɡ xì
tǒnɡ)
第一页,共32页。
3.1 单片机指令系统(zhǐ lìnɡ xì tǒnɡ)概述
[标号
操作码助记符 [第一(dìyī)操作数] [,第二操作数] [;注释]
(biāohào):]
LOOP: MOV A,#40H ;取参数
(1)R1内容传送到R0。
(2)外部RAM 20H单元内容送R0。
(3)外部RAM20H单元内容送内部RAM20H单元。
(4)外部RAM1000H单元内容送内部RAM20H单元。
(5)外部ROM 2000H单元内容送R0。 (6)外部ROM 2000H单元内容送内部矛盾RAM 20H单元。

单片机单元3

单片机单元3
图3-9 8051启动代时,在工程窗口的文件页中,出现了建立的工程界面如图3-10所示,
“Target1”前面有“+”号,单击“+”号展开,可以看到下一层的 “Source Group 1”,这时的工程还是一个空的工程,里面什么文件也没 有,需要手动加入源程序。
图 3-2 简易实验板
图 3-3 实验板和计算机连接示意图
3.3 软件平台建立
❖ IDE是用于提供程序开发环境的应用程序,一般包括代码编辑器、编 译器、调试器和图形用户界面工具,集成了代码编写功能、分析功能、 编译功能、调试功能等一体化的开发软件。
❖ Keil C51(µVision)是美国Keil software公司专门为80C51系列单片 机开发的第三方软件,它的免费测试版可在上下载,也 可以在各种单片机网站上下载,虽然有2KB代码的限制,但足以满足 初学者的需要。
3.3.1 Keil 集成开发环境安装方法
❖ Keil C51是由Keil Software公司出品的51系列兼容单片机C语言软件 开发系统,是目前最流行的开发80C51系列单片机的软件。Keil C51 提供了包括C编译器、宏汇编、连接器、库管理和一个功能强大的仿 真调试器等在内的完整开发方案,通过一个集成开发环境(μVision) 将这些部份组合在一起。
3.1单片机开发过程
❖ 单片机开发的一般过程是首先进行硬件设计, 然后根据硬件和系统的 要求在开发环境中编写软件程序,程序调试成功后,再通过烧录器把 程序写到单片机里。单片机开发流程如图3-1所示。
3.2硬件平台建立
❖ 学单片机第一步是建立自己的硬件学习条件。需要一台电脑用于编程 和学习,还需要一套单片机实验板,简易实验板如图3-2所示。再就 是买几块单片机芯片就可以了。
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通过上一课的学习,我们貌似成功的点亮了一个LED小灯,但是还有一些知识大家还没有彻底明白。

单片机是根据硬件电路图的设计来写代码的,所以我们不仅仅要学习编程知识,还有硬件知识,也要进一步的学习,这节课我们就要来穿插介绍电路硬件知识。

3.1 电磁干扰EMI第一个知识点,去耦电容的应用,那首先要介绍一下去耦电容的应用背景,这个背景就是电磁干扰,也就是传说中的EMI。

1、冬天的时候,尤其是空气比较干燥的内陆城市,很多朋友都有这样的经历,手触碰到电脑外壳、铁柜子等物品的时候会被电击,实际上这就是“静电放电”现象,也称之为ESD。

2、不知道有没有同学有这样的经历,早期我们使用电钻这种电机设备,并且同时在听收音机或者看电视的时候,收音机或者电视会出现杂音,这就是“快速瞬间群脉冲”的效果,也称之为EFT。

3、以前的老电脑,有的性能不是很好,带电热插拔优盘、移动硬盘等外围设备的时候,内部会产生一个百万分之一秒的电源切换,直接导致电脑出现蓝屏或者重启现象,就是热插拔的“浪涌”效果,称之为Surge。

... ...电磁干扰的内容有很多,我们这里不能一一列举,但是有些内容非常重要,后边我们要一点点的了解。

这些问题大家不要认为是小问题,比如一个简单的静电放电,我们用手能感觉到的静电,可能已经达到3KV以上,如果用眼睛能看得到的,至少是5KV了,只是因为这个电压虽然很高,电量却很小,因此不会对人体造成伤害。

但是我们应用的这些半导体元器件就不一样了,一旦瞬间电压过高,就有可能造成器件的损坏。

而且,即使不损坏,在2、3里边介绍的两种现象,也严重干扰到我们正常使用电子设备了。

基于以上的这些问题,就诞生了电磁兼容(EMC)这个名词。

这节课我们仅仅讲一下去耦电容的应用,电磁兼容的处理在我们今后设计电路,对PCB画板布局中应用尤为重要,那是后话,暂且不说。

3.2 去耦电容的应用首先我们来看图3-1。

图3-1 去耦电容应用左边这张图,过了保险丝以后,接了一个470uF的电容C16,右边这种图,经过开关后,接了一个100uF的电容C19,并且并联了一个0.1uF的电容C10。

其中C16和C19起到的作用是一样的,C10的作用和他们两个不一样,我们先来介绍这2个大一点的电容。

容值比较大的电容,理论上可以理解成水缸或者水池子,同时,大家可以直接把电流理解成水流,其实大自然万物的原理都是类似的。

作用一,缓冲作用。

当上电的瞬间,电流从电源处流下来的时候,不稳定,容易冲击电子器件,加个电容可以起到缓冲作用。

就如同我们直接用水龙头的水浇地,容易冲坏花花草草的。

我们只需要在水龙头处加个水池,让水经过水池后再缓慢流进草地,就不会冲坏花草,起到有效的保护作用。

作用二,稳定作用。

我们一整套电路,后级的电子器件功率大小、电流大小也不一样,器件工作的时候,电流大小不是一直持续不变的。

比如后级有个器件还没有工作的时候,电流消耗是100mA,突然它参与工作了,电流猛的增大到150mA 了,这个时候如果没有一个水缸的话,电路中的电压(水位)就会直接突然下降,比如我们的5V电压突然降低到3V了。

而我们系统中有些电子元器件,必须高于一定的电压才能正常工作,电压太低就直接不工作了,这个时候水缸就必不可少了。

电容会在这个时候把存储在里边的电流释放一下,稳定电压,当然,随后前级的电流会及时把水缸充满的。

有了这个电容,可以说我们的电压和电流就会很稳定了,不会产生大的波动。

这种电容常用的有以下三种:图3-2 铝电解电容图3-3 钽电容图3-4 陶瓷电容这三种电容是我们常用的三种电容,其中第一种个头大,占空间大,单位容量价格最便宜,第二种和第三种个头小,占空间小,性能一般也略好于第一种,但是价格也贵不少。

当然,除了价格,还有一些特殊参数,在通信要求高的场合也要考虑很多,这里暂且不说。

我们板子上现在用的是第一种,只要在符合条件的情况下,第一种470uF的电容不到一毛钱,同样的耐压和容值,第二种和第三种可能得1块钱左右。

电容的选取,第一个参数是耐压值的考虑。

我们用的是5V系统,电容的耐压值要高于5V,一般推荐1.5倍到2倍即可,有些场合稍微高于也可以。

我们板子上用的是10V耐压的。

第二个参数是电容容值,这个就需要根据经验来选取了,选取的时候,要看这个电容起作用的这块系统的功率消耗情况,如果系统耗电较大,波动可能比较大,那么容值就要选大一些,反之,可以小一些。

刚开始同学们设计电路也模仿别人,别人用多大自己也用多大,慢慢积累。

比如咱上边讲电容作用二的时候,电流从100mA突然增大到150mA的时候,其实即使加上这个电容,电压也会轻微波动,比如从5V波动到4.9V,但是只要我们板子上的器件在电压4.9V以上也可以正常工作的话,这点波动是没有问题的,但是如果不加或者加的很小,电压波动比较大,有些器件就会工作不正常了。

但是如果加的太大,占空间并且价格也高,所以这个地方电容的选取多参考经验。

第二个电容,容值较小,是0.1u F,也就是100nF,是用来滤除高频信号干扰的。

比如ESD,EFT等。

有一点大家要清楚,我们初中学过电容可以通交流隔直流,但是电容的参数对不同频率段的干扰的作用是不一样的。

这个100nF的电容,是我们的前辈根据干扰的频率段,根据板子的参数,根据电容本身的参数所总结出来的一个值。

也就是说,以后大家在设计数字电路的时候,在电源处的去耦高频电容,直接用这个0.1uF就可以了,不需要去计算。

还有一点,就是大家看我们的电路图可以看出来,通常在电路中可能瞬间电流较大的地方,会加一个大电容,比如在1602液晶左上角的那个,靠近了单片机的VCC以及1602液晶背光的VCC,起到稳定电压的作用,在左上角电机和蜂鸣器位置有一个,也是起到稳定电压的作用。

还有在所有的IC器件的VCC和GND 之间,都会放一个0.1uF的高频去耦电容,特别在布板的时候,这个0.1uF电容要尽可能的靠近IC,尽量很顺利的将这个IC的VCC和GND连到一起,这个大家先了解,细节以后再讨论。

3.3 三极管在数字电路中的应用三极管在我们数字电路和模拟电路中都有大量的应用,在我们开发板上也用了多个三极管。

在我们板子上的LED小灯部分,就有这个三极管的应用了,图3-5的LED电路中的Q16就是一个PNP型的三极管。

图3-5 LED电路3.3.1 三极管的初步认识三极管是一种很常用的控制和驱动器件,常用的三极管根据材料分有硅管和锗管两种,原理相同,压降略有不同,本课程用硅管的参数来进行讲课。

三极管共有2种类型,分别是PNP型和NPN型,先来认识一下。

图3-6 三极管示意图三极管一共有3个极,从图3-6来看,横向左侧的引脚叫做基极(base),中间有一个箭头,一头连接基极,另外一头连接的是发射极e(emitter),那剩下的一个引脚就是集电极c(collector)。

这块是必须要记住的内容,死记硬背即可,后边慢慢用的多了,每次死记硬背一次,多次以后就会深入脑海了。

3.3.2 三极管的原理三极管的应用有截止、放大、饱和三种状态。

放大状态主要是对模拟信号而言,而且用法的计算内容比较复杂,暂时我们用不到。

而我们数字电路主要使用三极管的开关特性,因此我们只用到了截止与饱和两种状态,所以我们只讲这两种用法。

三极管的类型和用法我给大家总结了一句口诀,大家要把这句口诀记牢了:箭头朝内PNP,导通电压顺箭头过,电压导通,电流控制。

下面我们一句一句来解析口诀。

大家可以看图3-6,三极管有2种类型,箭头朝内就是PNP,箭头朝外自然就是NPN了,在实际应用中,往往我们要根据实际电路需求来选择到底用哪种类型,大家用几次估计就会了,很简单。

三极管的用法特点,关键点在于b极(基极)和e级(发射极)之间的电压情况,对于PNP而言,e极电压只要高于b级0.7V以上,这个三极管e级和c级之间就可以顺利导通。

也就是说,控制端在b和e之间,被控制端是e和c之间。

同理,NPN型三极管的导通电压是b极比e极高0.7V,总之是箭头的始端比末端高0.7V 就可以导通三极管的e极和c极。

这就是关于“导通电压顺箭头过,电压控制”的解释,我们来看图3-7。

图3-7 三极管的用法我们以图3-7为例介绍一下。

三极管基极通过一个10K的电阻接到了单片机的一个IO口上,发射极直接接到5V的电源上,集电极接了一个LED小灯,并且串联了一个1K的限流电阻最终接到了电源负极GND上。

如果LEDS6我们程序给一个高电平1,那么基极b和发射极e都是5V,也就是说e到b不会产生一个0.7V的压降,这个时候,发射极和集电极也就不会导通,那么竖着看这个电路在三极管处是断开的,所以没有电流通过,LED2小灯也就不会亮。

如果我们程序给LEDS6的位置一个低电平0,而e极是个5V,产生压差就会导通,三极管e和b之间大概有0.7V的电压,那还有(5-0.7)V的电压会在电阻R47上。

这个时候,e和c之间也会导通了,那么LED小灯本身有2V的压降,三极管本身e和c之间大概有0.2V的压降,我们忽略不计。

那么在R41上就会有大概3V的压降,可以计算出来,这条之路的电流大概是3mA,可以成功点亮LED。

最后一个概念,电流控制。

前边讲过,三极管有截止,放大,饱和三个状态,截止就不用说了,只要e和b之间不导通即可。

我们要让这个三极管处于饱和状态,就是我们所谓的开关特性,必须要满足一个条件。

三极管都有一个放大倍数β,要想处于饱和状态,b极电流就必须大于e和c之间电流值除以β。

这个β,对于常用的三极管大概可以认为是100。

那么上边的R47的阻值我们必须要来计算一下了。

刚才我们算过了,e和c之间的电流是3mA,那么b极电流最小就是3mA除以100等于30uA,大概有4.3V电压会在基极电阻上,那么基极电阻最大值就是4.3V/30uA = 143K。

只要比这个值小就可以,当然也不能太小,STC89C52RC 的IO口输入电流最大理论值是25mA,我推荐不要超过10mA。

3.3.3 三极管的应用三极管在我们数字电路里的开关特性,常用的一个是控制应用,一个是驱动应用。

所谓的控制就是如同我们图3-7里边介绍的,我们可以通过单片机控制三极管的基极来间接控制后边的小灯的亮灭,用法大家基本熟悉了。

还有一个控制就是进行不同电压之间的转换控制,比如我们的单片机的IO口是5V系统,如果直接接12V系统会烧坏单片机,所以我们加一个三极管,三极管的工作电压高于单片机的IO口电压,用5V的IO口来控制12V的电路,如图3-8所示。

图3-8 三极管控制电路图图3-8里所示,当IO口输出高电平5V时,三极管导通,OUT输出低电平0V,当IO口输出低电平时,三极管截止,OUT则由于上拉电阻R2的作用而输出12V 的高电平,这样就实现了低电压控制高电压的工作原理。

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