模拟电子技术基础简明教程复习(1)
模拟电子技术基础简明教程(第三版)课后习题答案详解
模拟电子技术基础简明教程（第三版）课后习题答案习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
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第一章 放大电路的动态和频响分析3.1.1 放大电路的主要性能指标放大电路质量的优劣，常用性能指标来衡量。
放大电路的性能指标主要有增益、输入电阻、输出电阻、通频带、最大不失真输出幅度等，它们通常是对交流信号而言的。
(1)增益增益又称放大倍数，是衡量放大电路放大电信号能力的重要指标。
放大电路的增益可用电压增益、电流增益、互阻增益、互导增益或功率增益来表示。
最常用的是电压增益。
电压增益又称电压放大倍数，定义为放大电路输出电压与输入电压之比，即io u U U A = (3.1.1) 当负载开路，即R L =∞时的电压增益称为放大电路的开路电压增益，表示为ioo uo U U A = (3.1.2) 放大电路输出电压与信号源电压之比称为源电压增益，表示为s o us U U A = (3.1.3)由图3.1.1放大电路框图可知，源电压增益与电压增益及开路电压增益有下列关系：u s i i s i i o s o us A R R R U U U U U U A +=⋅== (3.1.4)(2)输入电阻R i输入电阻R i 是从放大电路输入端看进去的等效电阻，定义为输入电压与输入电流之比，即i i i I U R = (3.1.5)输入电阻R i 反映了在一定的输入电压下，放大电路从信号源所汲取电流的大小。
显然，R i 越大，表明放大电路从信号源所汲取的电流I i 越小，则信号源内阻上的电压越小，信号电压损失越小，则放大电路所得到输入电压U i 越接近信号源电压U s 。
(3)输出电阻R o输出电阻R o 是放大电路负载开路时从输出端看进去的等效电阻。
输出电阻R o 的大小，反映了放大电路带负载的能力。
对放大电路而言，R o 越小，则放大电路带负载能力越强，电路输出越接近恒压源输出；反之，R o 越大，越接近恒流源输出。
有两种方法可以确定输出电阻R o 。
①分析电路时采用在输出端反加等效信号源的方法。
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05
模拟电子技术的应用
音频信号处理
音频信号放大
模拟电子技术常用于音频信号的放大，如音响设备中 的前置放大器、功率放大器等，可将微弱的音频信号 放大至合适的幅度，以驱动扬声器或其他输出设备。
音频信号处理效果
通过模拟电子技术，可以对音频信号进行各种处理， 如均衡、混响、压缩等，以达到特定的音效效果，广 泛应用于音乐制作、录音和演出等领域。
关注电路在正弦交流信号下的响应， 分析电路的频率响应、阻抗和增益等 参数。
直流分析
关注电路在静态或直流条件下的工作 状态，分析电路的静态工作点、直流 电阻和电流等参数。
等效电路分析
要点一
等效电路
将复杂的电路简化成易于分析的等效电路，通过等效元件 和等效阻抗来表示原电路的性能。
要点二
等效分析方法
利用电路理论和等效原理，将复杂的电路简化为简单的等 效电路，便于理解和分析。
详细描述
电阻是一种电子元件，其作用是限制电流的流动 。它的主要特性是阻值，即电阻对电流的阻碍能 力。电阻的阻值通常由欧姆定律确定，即电压与 电流的比值等于电阻。
详细描述
电阻的阻值精度表示其实际阻值与标称阻值的接 近程度。温度系数则表示电阻阻值随温度变化的 程度。稳定性则是指电阻在长期使用或环境变化 下，阻值保持稳定的能力。
团队协作
在项目实践中，能够与团队成员 协作完成项目任务，发挥各自的 优势，提高团队协作能力。
项目实施与总结
参与项目实施过程，对项目进行 总结和评估，提出改进意见和建 议，为后续项目提供参考。பைடு நூலகம்
THANKS
感谢观看
06
实验与项目
基本实验操作
01
02
03
模拟电子技术基础简明教程(第三版)-杨素行-课后答案
+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
最新模拟电子技术基础第1章
势垒 UO
硅 0.5V 锗 0.1V
多子扩散电流
总电流＝0
2. PN结的单向导电性
(1) 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。
外电场削弱内电场 →耗尽层变窄 →扩散运动＞漂移运动
→多子扩散形成正向电流I F
P型半导体 空间电荷区 N型半导体
－ － －－
++ ++
硅原子
+4
空穴
+4
硼原子
+4
电子空穴对
空穴
+4 +4
P型半导体
－ － －－
+3 +4
－ － －－
－ － －－
+4 +4
受主离子
多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子
杂质半导体的示意图
多子—空穴
多子—电子
P型半导体
N型半导体
－ － －－
++ + +
－ － －－
++ + +
－ － －－
++ + +
一 、半导体二极管的V—A特性曲线
实验曲线
i
锗
击穿电压UBR
(1) 正向特性 i
u
V
mA
(2) 反向特性
i u
V
uA
0 反向饱和电流
u
导通压降 硅：0.7 V
死区
电压
E
锗：0.3V
硅：0.5 V 锗： 0.1 V
E
二. 二极管的模型及近似分析计算
例：
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模拟电子技术基础简明教程复习（1）
一、单项选择题
1、三极管处于放大状态，除了内部结构条件外，外部条件必需是（ C ）
(a)发射结正向偏置，集电结正向偏置 (b) 发射结反向偏置，集电结反向
偏置 (c) 发射结正向偏置，集电结反向偏置
2、指出下列哪个是场效应管（ B ）
(a) (b) （c）
3、造成集成运放温漂过于严重的原因可能是（ A ）。
(a)负反馈开环 (b) 存在虚焊点 (c)输入信号过大
4、RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ ）。
A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路
C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路
5、
某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。
A．P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管
C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管
6、当温度升高时，半导体三极管的β( A )，穿透电流
ICEO( A )，Vbe( B )
a: 变大 b: 变小 c: 不变
二、填空题
1、二极管最主要的特性是具有 单向导电性 特性。
2、三极管输出特性有三个工作区，分别是 放大 、 截止、 饱和， 故三极管
具有开关和放大特性。
3 、下列图所示为某个型号三极管的各电极实测对地电压数据，试判断下图情况，
是 PNP 型三极管 管，工作在 截止 状态；
0
iD/mA
-4
uGS/V
5
整理 、滤波 、稳压
4、半导体直流电源由电压变压器、等四
个主要环节组成。
5、正弦波振荡器主要由三部分主成 放大电路 、选频电路 、反馈网络
三、判断题
1、稳压管工作在反向击穿区时，管子将损坏 。 （ × ）
2、MOS管在储存时必须将三个电极短接，以免MOS管损坏。（ √ ）
3、增强型MOS管在栅极与源极未加电压时，就存在导通的沟道（ × ）
4、射极输出器电压放大倍数不为1，具有电压放大作用 （ × ）
5、为了消除交越失真，功率放大电路工作在甲类放大工作状态（ × ）
6、当输入信号为一个失真的正弦波时，加入负反馈后能使失真得到
改善。 ( × )
7、电流反馈一定可以稳定输出电流，电压反馈一定可以稳定输出电
压。 ( √ )
四、分析计算与作图
1、在图示电路中，设A1、A2、A3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V。
（1）试说明A1、A2、A3各组成什么电路？
（2）
A1、A2、A3分别工作在线形区还是非线形区？
（3）若输入为1V的直流电压，则各输出端uO1、uO2、uO3的电压为多大？（10分）
解：
A
1
+
+
8
A
2
+
+
8
A
3
+
+
8
R2
k
k
R1
u
I
u
O3
u
O2
u
O1
R3
k
R4
k
R’
±6V
2、电路如图所示，设满足深度负反馈条件。
（1）试判断级间反馈的极性和组态；
（2）试求其闭环电压放大倍数Auf。电路如图所示，设满足深度负反馈条件。
解：
为电流串联负反馈
3、如图所示电路中D为理想元件，已知ui = 5sinωtV ，试对应ui画出uo的波形图。
倒多数
解：
+
o
U
－
+
i
U
－
R
A
+
+
8
R
R
R
R
LE1Ef1uf
RRRRRRA