“材料科学与工程基础”第二章习题 答案题目整合版

“材料科学与工程基础”第二章习题 1. 铁的单位晶胞为立方体，晶格常数a=0.287nm，请由铁的密度算出每个单位晶胞

所含的原子数。 ρ铁＝7.8g/cm31mol铁＝6.022×1023个=55.85g 所以，7.8g/1(cm)3=(55.85/6.022×1023)X/(0.287×10-7)3cm3 X＝1.99≈2（个） 2.在立方晶系单胞中，请画出： （a）[100]方向和[211]方向，并求出他们的交角； （b）（011）晶面和（111）晶面，并求出他们得夹角。 （c）一平面与晶体两轴的截距a=0.5,b=0.75,并且与z轴平行,求此晶面的密勒指数。

（a）[211]和[100]之夹角θ＝arctg22=35.26。

或222222[211][100]2cos3211*100，35.26o （b）222222[111][011]2cos3111011，35.26o （c）a=0.5b=0.75z=∞ 倒数24/30取互质整数（320） 3、请算出能进入fcc银的填隙位置而不拥挤的最大原子半径。 室温下的原子半径R＝1.444A。（见教材177页） 点阵常数a=4.086A 最大间隙半径R’=（a-2R）/2=0.598A 4、碳在r-Fe（fcc）中的最大固溶度为2.11﹪(重量百分数),已知碳占据r-Fe中的八面体间隙,试计算出八面体间隙被C原子占据的百分数。 在fcc晶格的铁中，铁原子和八面体间隙比为1：1，铁的原子量为55.85，碳的原子量为12.01 所以（2.11×12.01）/(97.89×55.85)＝0.1002 即碳占据八面体的10％。 5、由纤维和树脂组成的纤维增强复合材料，设纤维直径的尺寸是相同的。请由计算最密堆棒的堆垛因子来确定能放入复合材料的纤维的最大体积分数。 见下图，纤维的最密堆积的圆棒，取一最小的单元，得，单元内包含一个圆（纤维）

的面积。

所以，20.90642*323rrr。 即纤维的最大体积分数为90.64％。 6、假设你发现一种材料，它们密排面以ABAC重复堆垛。这种发现有意义吗？你能否计算这种新材料的原子堆垛因子? fcc和hcp密排面的堆积顺序分别是ABCABC……和ABAB…,如果发现存在ABACABAC……堆积的晶体，那应该是一种新的结构，而堆积因子和fcc和hcp一样，为0.74。 7.在FCC、HCP和BCC中最高密度面是哪些面？在这些面上哪些方向是最高密度方向？ 密排面密排方向

FCC{111)}<110> HCP(0001)(1120) BCC{110)}<111> 8.在铁中加入碳形成钢。BCC结构的铁称铁素体，在912℃以下是稳定的，在这温度以上变成FCC结构，称之为奥氏体。你预期哪一种结构能溶解更多碳?对你的答案作出解释。 奥氏体比铁素体的溶碳量更大，原因是1、奥氏体为FCC结构，碳处于八面体间隙

中，间隙尺寸大（0.414R）。而铁素体为BCC结构，间隙尺寸小，四面体间隙

32r

2r 0.291R，八面体间隙0.225R；2、FCC的间隙是对称的，BCC的间隙是非对称的，非对称的间隙产生的畸变能大；3、奥氏体的形成温度比铁素体高，固溶体温度高，溶碳量大；所以奥氏体的溶碳量比铁素体溶碳量大。 9．试说明为何不能用描述宏观物质的运动方程来描述微观粒子的运动状态？描述微观粒子状态变化的基本方程是什么？ 根据海森堡思维测不准原理，微观粒子由于具有玻粒两象性则对于经典力学中的一对共轭参量（如动量与位移，能量与时间），原则上不可能同时精确确定，而宏观物质的运动状态符合牛顿力学，原则上可以同时确定各个参量，描述微观粒子的运动状态是波函数，而波函数的变化需满足薛定谔方程。 10．设一能级的电子占据几率为1/4，另一能级为3/4， (1)分别计算两个能级的能量比费米能高出多少KT； (2)应用计算结果说明费米分布的特点。 由费米分布函数得：

（1）1114FKTEEe得：ln3FEEKTKT

3114FKTEEe得：ln3FEEKTKT

（2）以上的计算结果说明能量低于费米能（EF）KT的能级有1/4的电子发生了跃迁，而KT是平均势能，通常情况下势能KT（如室温）要比势能小两个数量级以上，可以在外场(如温度)的作用下，发生跃迁（跃过费米面）的电子需处于费米面附近的能级上，离费米面越远的能级发生跃迁的概率越低。 11．何为能带？请用能带理论解释金属、绝缘体、半导体的电学性能。 能带理论：当原子相互靠拢形成晶体时，原子的外层电子的能级发生了分裂和拓宽，形成准连续的能级。由于这些外层电子在晶格中周期性的势场中运动，解电子运动状态波函数的薛定谔方程时，方程中的外势场U0，由此解得，晶体中价电子得能带中存在着禁带和导带，这即是能带理论。 金属的能带结构：存在着两种情况，一是能带中存在着不完全价带，另一是能量重叠，这都使得金属具有导电性。 绝缘体的能带结构：能带结构中存在着宽的禁带，使价电子在外场作用下难以进入导带。 半导体的能带结构：能带结构中的禁带较窄，价电子在外场作用下能一定程度的进入导带，导电率介于导体和绝缘体之间。 12．试解释面心立方晶体和密排六方晶体结构不同、致密度相同的原因。 面心立方和密排六方晶体的堆垛都是最密排面（面配位数为6）的堆垛，层 与层都堆垛在相互的凹槽当中，但是堆垛的顺序不同（分别为ABCABC…..和ABAB…），所以它们的致密度相同，结构不同。 13．请解释名词：空间点阵、晶胞、晶系 空间点阵：是实际晶体结构的数字抽象，它概括晶体结构的周期性，空间点阵中的阵点（几何点）的周围环境是相同的，空间点阵有14种。 晶胞：晶胞是晶格中的最小基本单元，它反映了晶格排列的规律性和对称性，为一平行六面体。 晶系：根据晶胞中的点阵常数（a,b,c,α,β,γ）的相互关系，可以把晶格分为7大晶系。 14.试解释什么叫费米面和费米能。 费米能：绝对零度时固体中电子所具有的最高能级，或者，在体积不变的条件下，系统增加一个电子所需的自由能。 费米面：在K空间中具有费米能的能级所处的面称为费米面。 15.试分析晶体中的点缺陷是一种热力学平衡缺陷的原因。 根据热力学公式GHTSVVV 当晶体存在点缺陷时，系统的增加，也增加，点缺陷数量少时，每增加一个点缺陷，系统的内能增加一份（缺陷形成能），而熵值（混乱度）的增加较多，使得系统的自由能下降，随着晶体的缺陷数量的增加，焓近似的成线性增加，但是熵值的增加变缓，从而使得系统的自由能GHTSVVV存在着一个最小值，这时所对应的晶体缺陷的数量即是平衡浓度。 16.假设1%（质量分数）的B加入Fe中， a. B以间隙还是置换杂质存在？ b. 计算被B原子占据的位置（不论是间隙或者是置换）的分数。 c. 若含B的Fe进行气体渗碳，这个过程会比在不含B的Fe中进行得快还是慢？请解释。 （a）B是小分子，它在铁的晶格中以间隙的形式存在。

（b）（1）若B占据α-Fe（bcc）中的八面体间隙位置，则bcc晶胞中有2个铁原子，6个八面体间隙，

所以1%/10.812(*)%1.74%99%/55.856

（2）若B占据α-Fe（fcc）中的八面体间隙位置，则1*55.851(*)%5.22%99*10.811 （c）当铁中的B含量少时，少量的B会使晶格产生畸变，系统能量升高，扩散系数D增大，有利于渗碳时C的扩散。 当铁中的B趋向于饱和时，C在铁中的溶解度大大下降（畸变能太大），即C在铁中的溶剂和扩散的化学驱动力大大下降，不利于碳的扩散。 17.在室温下SiO2可以是玻璃也可以是晶态固体。问在玻璃态的二氧化硅还是在晶态二氧化硅中扩散更快？为什么？ 玻璃态的二氧化硅系统自由能大于晶态的二氧化硅，所以玻璃态中的扩散系数更大

些。 18.何为位错？它有哪些类型？什么叫滑移？什么叫攀移？在什么情况下会发生滑移和攀移。 位错即是晶体中的线缺陷，基本类型有：刃位错，螺位错和混合位错。 滑移：晶体的一部分相对于另一部分在切应力作用下沿一定的晶面进行相对滑动。滑移是位错在滑移面上移动并移出表面而实现的。 攀移：刃位错在正应力作用下垂直于滑移面的运动，滑移是位错在切应力作用下沿滑移面运动并移出晶体表面实现的，攀移是刃位错在正应力作用下垂直于滑移面的运动，攀移只有刃位错才能进行，并需借助于扩散才能攀移，所需的温度比位错的滑移要高。 19.是一个柏氏矢量为b的位错环， 在剪切应力的作用下，求： I)该位错环各段位错线的结构类型（位错线方向为顺时针方向）； II)指出其中刃型位错的半原子面位置； III）在的作用下，该位错环在晶体中如何运动？运动结果如何？ IV)=0时，该位错线是否会稳定存在，为什么？ 答：Ⅰ.a段为正刃，b段为负刃，c段为左螺，d段为右螺。 Ⅱ.a段半原子面在滑移面上方，b段半原子面在滑移面下方。 Ⅲ.在切应力作用下，位错环沿着滑移面滑移，最终移出表面，在柏氏矢量方向产生一个柏氏矢量长度的台阶。 Ⅴ.切应力等于零时，该位错环在位错张力的作用下，存在一个指向位错环中心的收缩力，如果晶格阻力小于位错环的收缩力，位错环收缩变小。晶格阻力如果为零，则位错环收缩为一点而消失。 20.柏氏矢量的物理意义是什么？当一根位错线在什么条件下才能自发转变成另两根位错线？ 柏氏矢量的物理意义是反映了位错的畸变大小和方向，一根位错线自发转变成为两根位错线的条件是：矢量相等，能量下降。（123bbburuurur，123bbb

uruururf）。

21.为什么间隙固溶体中的溶质扩散要比置换固溶体中的溶质扩散快得多？请解释之。 同隙固溶体溶质的扩散所需的激活能低（只要迁移能MHV）而置换固溶体溶质的扩散所需激活能较高（迁移能MHV＋空位形成能VHV），所以间隙固溶体溶质的扩散比置换的要快(0/RTDDe)。 22.晶体在低温时的扩散以晶界扩散为主，高温时以体积扩散为主，试述理由。 由于扩散系数为0/RTDDe。在低温时晶格的扩散系数很小（Q大，T小），晶界的扩散系数较大（Q小，T大）。所以，低温时晶体扩散以晶界扩散为主，在高温时晶格的扩散系数D大大增大（Q比晶界的Q大些，T大），同时由于晶格的扩散路径比晶界要多得多，所以高温扩散以晶格扩散为主。 23.考察FCC金属Cu，其点阵常数a为0.362nm。 a. 计算这个材料最低能量的柏氏矢量的长度。