模电期末考试试题

模拟电子技术与实训期末考试试题

一、填空题（每空1分，共35分）

1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为（ 0.5 ），导通后在较大电流下的正向压降约为（ 0.7 ）；锗二极管的门槛电压约为（ 0.1 ），导通后在较大电流下的正向压降约为（ 0.2 ）。

2．PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

3．漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

4. 整流电路是利用二极管的（单向导电）性，将交流电变为脉动直流电。稳压二极管是利用二极管的（反向击穿）特性实现稳压。

5．二极管的最主要特性是（单向导电），它的两个主要参数是反映正向特性的（）和反映反向特性的（）。

6. 晶体管(BJT)具有电流放大作用的外部条件是发射结（），集电结（）。

7. 晶体管是（电流）控制电流器件，场效应管是（电压）控制电流器件

8. 共集电极放大电路(射极输出器)的主要特点是：输入电阻（大），输出电阻（小）。

9. 三种不同耦合方式的放大电路分别为：（）、（）和（）。

10. 放大电路引入反馈后，若使净输入信号削弱，则引入的是（）反馈；若使净输入信号增强，则引入的是（）反馈。

11．差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12．差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。

13．三极管放大电路共有三种组态（）、（）、（）放大电路。

二、选择题（每题2分，共20分）

1、温度升高后，在纯净的半导体中（A ）

A 自由电子和空穴数目都增多，且增量相同

B 空穴增多，自由电子数目不变

C 自由电子增多，空穴不变

D 自由电子和空穴数目都不变

2、如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（B ）

A阻当层不变，反向电流基本不变B阻当层变厚，反向电流基本不变

C阻当层变窄，反向电流增大D阻当层变厚，反向电流减小

3、差分放大电路是为了（C ）而设置的。

A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移 D促进零点漂移

4、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（A）能力。A放大差模抑制共模 B输入电阻高

C输出电阻低 D抑制差模放大共模

5、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B ）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（ A ）失真。

A 饱和

B 截止 C交越 D频率

6、振荡器的输出信号最初是由（ C ）而来的。

A基本放大器 B 选频网络 C干扰或噪声信号 D差分放大器7、场效应管主要优点（ B ）

A输出电阻小B输入电阻大

C是电流控制D组成放大电路时电压放大倍数大

8、在负反馈放大电路中，当要求放大电路的输入阻抗大,输出阻抗小时，应选用的反馈类型

（ A ）。

A串联电压负反馈B串联电流负反馈

C并联电压负反馈D并联电流负反

9、理想运放的两个重要结论是（C ）

A虚地与反相B虚短与虚地

C虚短与虚断D断路与短路

10、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。

A非饱和区 B 饱和区 C 截止区D击穿区

三、简答题（共45分）

1、试回答放大电路的性能指标有哪些？（10分）

2、什么叫反馈？（10分）

3、简述直流稳压电源的主要组成部分及各部分功能。（10分）

4、三极管具有放大作用的内部条件和外部条件各是什么？（15分）

答案

一、填空题

1. 0.5V、0.7V、0.1V、0.2V；

2. 导通、截止、单向

3. 温度、少数、温度、无关；

4. 单向导电、反向击穿

5. 单向导电性、最大整流电流、反向击穿电压

6. 正偏、反偏

7. 电流、电压 8. 大、小 9. 阻容耦合、直接耦合、变压器耦合

10. 负、正 11. 共模、差模 12. 零点、温度、集成

13. 共射极、共集电极、共基极

二、选择题

1.A

2. B

3.C

4.A

5.B、A

6.C

7.B

8.A 9 .C 10.B

三、简单题

1.答：放大倍数、输入电阻、输出电阻、通频带、非线性失真系数、最大不失真输出电压、最大输出功率和效率

2.答：在电子系统中，把放大电路的输出量的一部分或全部，通过某些元件或网络，反送到输入回路中，参与控制，从而构成一个闭环系统，这样使放大电路输入量不仅受到输入信号的控制，而且受到放大电路输出量的控制，这种连接叫做反馈。

3.答：直流稳压电源主要由整流电路、滤波电路、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。

4.答：从内部条件看，主要有两个特点。第一，发射区进行高浓度掺杂，因而期中的多数载流子浓度很高，NPN三极管的发射区为N型，期中的多子是电子，所以电子的浓度很高。第二，基区做的很薄，通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少，因而基区中多子浓度低，NPN型三极管基区为P型，故其中的多子空穴的浓度很低。

从外部条件看，外加电源的极性使发射结处于正向偏置状态，因而集电结处