模拟电子线路期末试题及其答案(两套)
模拟电路试卷及答案(十套)
模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a,b。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a,b。
3．在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真.5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2，则输出电压为V;若u i1=1500µV， ui2=500µV,则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响.10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最;组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为().A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B。
β和ICBO增加,uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D。
β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻 C。
击穿电压 D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（)来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C。
利用参数对称的对管子 D。
利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数(）. A。
变大 B. 变小 C。
不变 D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
模拟电子技术期末考试复习试题及答案(2020版 共8套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共1基组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基2极偏置。
6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。
7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。
模拟电子线路期末考试题库
《模拟电子线路》题库一、判断题（每题2分，共20分）1、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）2、因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
（）3、稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。
（）4、N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）5、二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。
（）6、未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。
（）7、运算放大电路中一般引入正反馈。
（）8、凡是运算放大电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）9、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（）10、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。
（）11、晶体管的参数不随温度变化。
（）12、放大电路没有直流偏置不能正常工作。
（）13、多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。
（）14、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
（）15、放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。
（）16、射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。
（）17、多级放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。
（）18、理想运放的共模抑制比为无穷大。
（）19、通用型集成运放的输入级采用差分放大电路，这是因为它的电压放大倍数大。
（）20、在集成电路中各级电路间采用直接耦合方式。
（）21、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
（）22、负反馈放大电路可能产生自激振荡。
（）23、电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。
（）24、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（）25、要稳定放大电路静态工作点，可以引入交流负反馈。
（）26、在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的管耗功率就越大。
（）27、通常采用图解法分析功率放大电路。
（）28、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。
【强烈推荐】电子线路期末试卷及答案
(1)在半导体内部，只有电子是载流子。
(2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
(3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。
(4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。
(5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。
(6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。
(7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。
(8)在单管放大电路中，若V G不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。
(9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为A v1、A v2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A v，A v= A v1+A v2。
(10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。
(1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。
A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子(2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( )。
A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝-I c R c(3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。
A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡(4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。
A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关(5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的I C将( )。
A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关，只决定于R C和V G(6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。
模拟电子线路期末试题及其答案(两套)
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕一、填空题（15分）1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。
2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。
3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。
4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。
5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。
6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。
7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。
8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。
二、单项选择题（15分）1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。
[ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。
[ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。
[ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响4．差动放大电路的主要特点是 。
[ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。
5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。
[ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。
[ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。
[ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。
模电期末考试试题及答案
模电期末考试试题及答案模拟电子技术期末考试试题一、选择题（每题2分，共20分）1. 在理想运算放大器中，输入电阻是：A. 无穷大B. 0欧姆C. 1欧姆D. 10欧姆2. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 离散变化C. 随时间变化D. 可表示声音3. 一个共射放大电路的静态工作点是：A. 0VB. 5VC. 12VD. 取决于电源电压4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 降低增益C. 增加失真D. 稳定工作点5. 以下哪个不是模拟电子电路中的滤波器？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器二、填空题（每空2分，共20分）6. 运算放大器的_________端是虚拟地，即电压为0V。
7. 电压跟随器的特点是_________，输出阻抗小。
8. 一个理想的电压源的内阻是_________。
9. 模拟乘法器常用于实现_________和_________。
10. 波形发生器电路可以产生_________、_________、_________等波形。
三、简答题（每题10分，共30分）11. 解释什么是差分放大器，并简述其主要优点。
12. 描述一个基本的RC低通滤波器的工作原理。
13. 什么是振荡器？请列举至少两种常见的振荡器类型。
四、计算题（每题15分，共30分）14. 给定一个共射放大电路，其静态工作点为VB=10V，VC=20V，VE=5V，β=100。
假设晶体管的饱和压降VBE=0.7V，计算该电路的静态工作电流IE。
15. 设计一个简单的RC低通滤波器，要求截止频率为1kHz，输入信号频率为10kHz，计算所需的电阻和电容值。
答案：一、选择题1. A2. B3. D4. B5. D二、填空题6. 反向输入7. 高输入阻抗，低输出阻抗8. 0欧姆9. 调幅、解调10. 正弦波、方波、三角波三、简答题11. 差分放大器是一种差动放大电路，它能够放大两个输入端之间的差值信号，而抑制共模信号。
模电期末考试题目及答案
模电期末考试题目及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，运算放大器的基本应用不包括以下哪一项？A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 逻辑门答案：D2. 理想运算放大器的开环增益是：A. 有限的B. 非常大的C. 非常小的D. 零答案：B3. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 可以是数字形式C. 可以是模拟形式D. 可以是周期性变化答案：B4. 负反馈在运算放大器电路中的作用是：A. 增加增益B. 降低增益C. 增加稳定性D. 减少噪声答案：C5. 一个理想二极管的正向导通电压是：A. 0VB. 0.7VC. 3.3VD. 5V答案：B...二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述运算放大器的非线性应用有哪些，并举例说明。
答案：运算放大器的非线性应用包括比较器、振荡器、调制器等。
例如，比较器可以将输入信号与参考电压比较，输出高电平或低电平，常用于过压保护电路。
2. 解释什么是负反馈，并说明负反馈在电路设计中的作用。
答案：负反馈是指将输出信号的一部分反馈到输入端，与输入信号相减。
负反馈可以增加电路的稳定性，降低噪声，减小非线性失真，提高增益精度。
3. 什么是共模抑制比（CMRR）？它在模拟电路设计中的重要性是什么？答案：共模抑制比（CMRR）是指运算放大器对差模信号增益与对共模信号增益的比值。
CMRR高意味着运算放大器对差模信号的放大能力强，对共模信号的放大能力弱，这在模拟电路设计中非常重要，因为它可以减少共模干扰，提高电路的抗干扰能力。
...三、计算题（每题15分，共30分）1. 给定一个理想运算放大器电路，输入信号为Vin，反馈电阻Rf=10kΩ，输入电阻Ri=1kΩ，求输出电压Vout。
答案：由于是理想运算放大器，所以输入端的电压差为零，即Vin+ = Vin-。
根据虚短原理，Vin+ = Vout/Rf * Ri。
代入Rf和Ri的值，得到Vout = Vin * (Rf/Ri) = Vin * 10。
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《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕一、填空题（15分）1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。
2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。
3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。
4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。
5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。
6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数要略大于 才能起振。
7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。
8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。
二、单项选择题（15分）1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。
[ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。
[ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。
[ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响4．差动放大电路的主要特点是 。
[ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。
5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。
[ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
[ ]A 可获得较高增益B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。
[ ]A 耦合电容和旁路电容的影响B 晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的非线性特性D 放大电路的静态工作点设置不合适8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。
A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 []9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。
[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 10[ ]A 、C、D、三、判断以下电路能否放大交流信号，若不能，请改正其中的错误使其能起放大作用。
（12分）（A）（B）A VMAX A VMAXA V A Vo oof ff（C）四、请判断下列电路中的反馈的类型，并说明哪些元件起反馈作用。
（8分）（A）（B）五、综合题（50分）1．（6分）稳压管稳压电路如图所示。
已知稳压管稳压值为V Z =6V ，稳定电流围为I Z =5～20mA ，额定功率为200mW ，限流电阻R=500Ω。
试求： （1） 当?1,200=Ω==V K R V V L i 时， （2） 当?100,200=Ω==V R V V L i 时，2、（14分）单级放大电路如图：在输入信号的中频段C 1、C 2、C 3对交流短路， 已知：V CC =12V 、R 1=150K Ω 、R 2=150K Ω、R C =5.1K Ω、R e =2K Ω、R L =10K Ω、β=100、C 1=C 2=C 3=10μF 、C μ=5PF(即C bc ) 、 f T =100MH Z 、V BE =0.7V 、 r bb ’=200Ω， 试求：（1）放大电路的Q 点参数； （2）画出交流小信号等效电路，求O i V R R A ,,的值； （3）求电路上限频率H f ；（4）若C 2断开，将对Q 点，O i V R R A ,,产生何种影响？3、 （10分）OCL 功率放大电路如图，其中A 为理想运放。
已知V V V VCES CES 121==，R L =8Ω。
（1）求电路最大输出功率OMAX P （2）求电路电压放大倍数iOV V V A=？ （3）简述D 1 、D 2的作用4、 （10分）判断如图电路中A1、A2各是什么单元电路，简述整个电路的工作原理，并定性地作出V O1，V O2处的波形。
D Z1，D Z2的稳压值均为V Z （注：各运放为理想运放，已加电）.5、（10分）如图所示电路中,开关S可以任意闭合、断开，集成运放是理想的，设T1T2工作在放大区(忽略其直流偏置)，R C1=R C2=2KΩ，R1=2KΩ，R3=10KΩ，R b1=R b2=2KΩ，R e=5.1KΩ，R f=10KΩ，β1=β2=100，r be1=r be2=1kΩ试求：⑴当S断开时，电路的增益A V=V O/V I=？⑵当S闭合时，电路在深度负反馈条件下的闭环增益A VF=？《模拟电子技术基础》期末试题〔A 〕参考答案一、填空题1、单向导电性2、V BE > 0V BC < 03、共集电极、共基极电路共集电极路 共基极电路4、输入级、中间级、输出级、偏置电路5、2H Lωωπ- 6、静态电阻小，交流电阻大 7、2n φπ=38、一次一次9、电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路 二、单项选择题1、（A ）2、（B ）3、（C ）4、（A ）5、（D ）6、（C ）7、（B ） 8、（B ）9、（D ）10、（C ）三、判断题cc（1） A 图 不能放大交流信号，改正：去掉C 1，将+V CC 改为-V CCB 图 能够放大交流信号 （2） A 图 电流串连负反馈B 图 电流并联正反馈 四、综合题1、解：① 假设D z 能稳压，设V 0 = 6V有2061428500500R V I mA -===Ω 062828221DZ R RL L V VI I I mA mA mA R K =-=-=-=Ω226132200DZ DZ DZ P I V mA V mA mW ∴=⋅=⋅=<∴D Z 能稳压，V 0 = 6V ②假设D z 能稳压，V 0 = 6V20628500R VI mA -==Ω 660100RLV I mA == 286032DZ R RL I I I mA mA mA ∴=-=-=-∴D Z 不能稳压，又工作在反偏条件下，视为断路。
0210020 3.3500100L L R V V V R R ∴==⨯=++ 2、解：① 画出直流通路求Q 点参数得：12(1)()()CC BQ C E BEQ BQ V I R R V I R R β=+⋅++++Q12120.711.3(1)()()100(52)300CC BEQCC C E V V V VV A R R R R Kμβ-+∴===++++++(1)10011.3 1.13EQ BQ I I A mA βμ=+=⨯=(1)()12 1.137 4.09CEQ CC BQ C E V V I R R V V β=-++=-⨯=26(1)100 2.31.13T b e EQ V mVr K I mAβ'=+=⨯=Ω 200 2.3 2.5be bb b e r r r K K ''=+=Ω+=Ω②画出小信号等效电路如图所示，并据此求出A V 、R i 、R 02////150//5//10991322.5C L V be R R R K K KA r Kβ=-=-⨯=-1//150//2.5 2.46i be R R r K K K ===Ω 2//150//5 4.84o C R R R K K K ===Ω③画出混合π等效电路，求上限载止频率f H ：V O -V V O99100,432.3T b ef MHz gm ms r Kβ'====Q 且 64.368.52 6.2810010T gm msG pF f ππ∴===⨯⨯ (1)68(143150//5//10)578L C C gmR C pF K K K pF pFπμπ''=++=++⨯⨯=1//() 2.3//(0.2150) 2.3T b e bb R r r R K K K K ''=+=+=412118.775102 6.28 2.3860.51087.75H T f Hz R C K KHzππ-∴===⨯'⨯⨯⨯=④若C 2断开，对Q 点无影响，但R 1、R 2构成电压并联负反馈则V A ↓、i R ↓、0R ↓3、解：由电路看，A 为同相比例放大电路，后级为OCL 功率放大电路，则①22max()(121)7.56228CC CES o L V V V P W R --===⨯Ω②0010011(1)110(1)162F V i i V V V R A V V V R KK==⋅=+⋅=+⨯=③D 1、D 2的作用是消除交越失真4、答：电路中A 1为方波发生器电路，后级A 2为反相积分电路，这一电路的功能是作波形产生与变换，可以将方波变换为三角波。
其中V 01、V 02的波形如下：5、解：① 当S 断开时，反馈不存在，电路为一差放和一反相放大器的级联其中：11111002//2202220.5L V b be R K K A R r K β'-⨯=⋅=-⨯=-++211052f V R KA R K=-=-=- 012100V V V iV A A A V ∴==⋅= ②当S 闭合时，R f 起电压串联负反馈作用，在温度负反馈条件下：1Vf fA R = 22212211b f b f R K R R R K ===+111V fA R ∴==《模拟电子技术基础（二）》期末试题〔A 〕一、单项选择题（24分,每空1.5分）（请选择下列各题中的正确答案并将代表该正确答案的英文字母填入方框）1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s 将增大，是因为此时PN 结部的 。
[ ]A 多数载流子浓度增大B 少数载流子浓度增大C 多数载流子浓度减小D 少数载流子浓度减小2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为。
［］A +5v和-5vB -5v和+4vC +4v和-0.7vD +0.7v和-4v⒊根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B = -6.3v，V E = -7v，V C = -4v，可以判定此晶体管是管，处于。
［］A NPN管，饱和区B PNP管，放大区C PNP管，截止区D NPN管，放大区⒋场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的。
[ ]A 非饱和区B 饱和区C 截止区D 击穿区⒌在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是：。