模电习题

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(完整版)模拟电子技术(模电)习题整理及参考答案

《模拟电子技术》习题整理
第一章
1.1
（1）信号是反映消息的物理量，电信号是指随时间而变化的电压或电流。

（2）模拟信号在时间和数值上均具有连续性，数字信号在时间和数值上均具有离散性。

（3）模拟电路是处理模拟信号的电路。

（4）构成具有各种功能模拟电路的基本电路是放大电路。

1.2 （1）在设计电子系统时，应尽量可能做到哪几点？
答：必须满足功能和性能的指标要求；
在满足功能和性能指标要求的前提下，电路要尽量简单，所用元器件尽可能少；
考虑电磁兼容性；
系统的调试应简单方便，而且生产工艺应简单。

第二章
2.9 求解电路输出电压与输入电压的运算关系式。

解：
2.13 求解电路的运算关系。

第三章
3.2
（1）N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素，如磷等；P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素，如硼等。

（2）PN结加正向电压时，由扩散运动形成电流，其耗尽层变窄；加反向电压时，由漂移运动形成电流，其耗尽层变宽。

第四章
第五章
第六章
第七章
7.3
（1）为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应引入电流串联负反馈。

（3）为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载的能力，应引入电压串联负反馈。

第十章。

模电习题库及答案

一、填空题1、P型半导体多数载流子为空穴，而N型半导体的多数载流子为电子。

2、为了使三极管具有放大作用，要求外加电压保证发射结正偏，集电结反偏。

3、甲类功放电路管子的导通角为2π，乙类功放电路管子的导通角为π。

4、同相比例运算电路可实现Au>1的放大器；反相比例运算电路可实现Au<0的放大器。

5、差分放大电路能够放大差模信号，而抑制共模信号。

6、在具有反馈的放大电路中，如果令输出电压0u，反馈信号消失，说明它o的反馈类型属于电压反馈，否则就是电流反馈。

7、在某个信号处理系统中，要求让输入信号中的10～15KH信号通过，应该选Z用带通滤波器，如果要抑制20～30KH的干扰信号，不使其通过可采Z用带阻滤波器。

8、振荡电路的自激振荡条件中，幅值平衡条件为AF=1，相位平衡条件为：ψa+ψf=2nπ。

u的幅值又相对较大，则很容易引9、当静态工作点Q的位置偏低，而输入电压iu的幅值又起截止失真，当静态工作点Q的位置偏高，而输入电压i相对较大，则很容易引起饱和失真。

10、正弦波振荡电路由放大器、正反馈网络和选频网络和稳幅环节四部分构成。

11、PN结外加正向偏置电压时，在外电场的作用下，空间电荷区的宽度要变窄，于是多子的扩散运动将增强。

12、当三极管工作在放大区（线性区）时，集电极电流的变化基本与Uce无关，而主要受 Ib 的控制。

13、半导体中的载流子为电子和空穴。

14、三极管根据结构不同可分成PNP型和NPN 型。

K等于差模放大倍数与共模放大倍数之比的绝对值，15、共模抑制比CMRK值越大，表明电路抑制共模信号的能力越强。

CMR16、在对放大电路的输入、输出电阻的影响中，串联负反馈的影响是使输入电阻的阻值增大，而电压负反馈的影响是使得输出电阻的阻值减小。

17、在某个信号处理系统中，为了获得输入电压中的低频信号，应该选用低通滤波器，为了避免50HZ电网电压的干扰进入放大器，应该选用带阻滤波器。

18、电路中品质因数的公式为：Q值越大，则幅频特性越尖锐，说明选频特性越好。

模电习题答案(精选.)

2.10 在图P2.9所示电路中，设静态时I C Q ＝2mA ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.6V 。

试问：当负载电阻R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？解：由于I C Q ＝2mA ，所以U C E Q ＝V C C －I C Q R c ＝6V 。

空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。

故 V 82.32CESCEQ om ≈-=U U UΩ=k 3L R 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。

故V 12.22'LCQ om ≈=R I U2.11 电路如图P2.11所示，晶体管的β＝100，'bb r =100Ω。

（1）求电路的Q 点、uA &、R i 和R o ；（2）若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？解：（1）静态分析：V7.5)( A μ 101mA1V 2e f c EQ CEQEQBQ e f BEQBQ EQ CC b2b1b1BQ =++-≈≈+=≈+-==⋅+≈R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β动态分析：Ω==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV26)1(c o f be b2b1i fbe L c EQbb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥&（2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A &减小，ef 'LR R R A u+-≈&2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的β＝80，r b e =1k Ω。

（1）求出Q 点；（2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的uA &和R i ；（3）求出R o 。

解：（1）求解Q 点：V17.7mA61.2)1(Aμ3.32)1(e EQ CC CEQ BQ EQ eb BEQ CC BQ ≈-=≈+=≈++-=R I V U I I R R U V I ββ（2）求解输入电阻和电压放大倍数： R L ＝∞时996.0)1()1(k 110])1([ebe ee be b i ≈+++=Ω≈++=R r R A R r R R uβββ&∥R L ＝3k Ω时992.0))(1())(1( k 76)])(1([L e be L e L e be b i ≈+++=Ω≈++=R R r R R A R R r R R u∥∥∥∥βββ&（3）求解输出电阻： Ω≈++=371beb s e o βr R R R R ∥∥2.19 电路如图P2.19所示，晶体管的β＝60，'bb r =100Ω。

模电基础公式及习题总结

模电基础公式及习题总结一、欧姆定律（适用于线性电阻电路）1. 公式：I = (V)/(R)（I为电流，V为电压，R为电阻）2. 习题：已知电阻R = 10Ω，两端电压V=20V，求通过电阻的电流I。

解析：根据欧姆定律I=(V)/(R)，将R = 10Ω，V = 20V代入公式，可得I=(20)/(10)=2A。

二、基尔霍夫定律。

1. 基尔霍夫电流定律（KCL）公式：∑_k = 1^nI_k=0，即在任何一个节点上，所有电流的代数和等于零（流入节点的电流为正，流出节点的电流为负）习题：如图所示电路节点，I_1 = 3A流入节点，I_2= 2A流出节点，求I_3（I_3流入节点）。

解析：根据基尔霍夫电流定律∑_k = 1^nI_k=0，设流入为正，流出为负，则I_1 I_2+I_3 = 0。

将I_1 = 3A，I_2 = 2A代入可得3 2+I_3=0，解得I_3=1A，负号表示I_3的实际方向与假设方向相反，即I_3是流出节点的。

2. 基尔霍夫电压定律（KVL）公式：∑_k = 1^mV_k=0，即在任何一个闭合回路中，所有电压的代数和等于零（沿回路顺时针方向，电压升为正，电压降为负）习题：对于一个闭合回路，其中有电阻R_1 = 5Ω，电流I = 2A（方向与假设的回路方向相同），电源电动势E = 20V（方向与假设的回路方向相同），求另一个电阻R_2上的电压V_R2（假设回路方向为顺时针）。

解析：根据基尔霍夫电压定律∑_k = 1^mV_k=0。

对于该回路，E I× R_1-V_R2=0。

已知E = 20V，I = 2A，R_1 = 5Ω，代入可得20-2×5 V_R2=0，解得V_R2=10V。

三、半导体二极管。

1. 二极管的电流方程（正向偏置时）公式：I = I_S(e^(V)/(V_T)-1)，其中I为二极管电流，I_S为反向饱和电流，V 为二极管两端电压，V_T=(kT)/(q)≈26mV（在常温T = 300K时）习题：已知二极管的反向饱和电流I_S=10^-12A，二极管两端电压V = 0.7V，求二极管电流I（常温下）。

模电考试题及答案

第一章自测题五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。

试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

图T1.5(2)∵ 2.86CC BECS cV U I mA R -==， /28.6BS CS I I A βμ==∵45.5BB BEb BSV U R k I -==Ω习题1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。

图P1.3 解图P1.3解：波形如解图Pl.3所示。

1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。

在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。

图P1.9解:如解图1.9。

解图1.91.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时0.7BE U V =，β=50。

试分析BB V 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压O u 的值。

解： (1)当0BB V =时，T 截止，12O u V =。

(2)当1BB V V =时，因为60BB BEQBQ bV U I A R μ-==3CQ BQ I I mA β==9O CC CQ c u V I R V =-= 图P1.10 所以T 处于放大状态。

(3)当3BB V V =时，因为460BB BEQBQ bV U I A R μ-==，2311.3CC CESCQ BQ CS cV U I I mA I mA R β-====，所以T 处于饱和状态2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。

分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、u A 、i R 和o R 。

模电练习题2021-第1章试题及答案

模电练习题2021-第1章试题及答案1. 纯净的半导体称为本征半导体。

[判断题]对错(正确答案)2. 自由电子带负电，空穴带正电。

[判断题]对(正确答案)错3. 自由电子是载流子，空穴不是。

[判断题]对错(正确答案)4. 本征半导体导电性能很差。

[判断题]对(正确答案)错5. 在半导体内部，只有自由电子是载流子。

[判断题]对错(正确答案)6. 在 P 型半导体中，空穴浓度大于自由电子浓度。

[判断题]对(正确答案)错7. P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

[判断题]对错(正确答案)8. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。

[判断题]对(正确答案)错9. 与多数载流子相比，少数载流子的浓度受温度影响大。

[判断题]对(正确答案)错10. 因电场作用所产生的运动称为扩散运动。

[判断题]对错(正确答案)11. PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

[判断题]对(正确答案)错12. 在 PN 结中，P 区的电势比 N 区高。

[判断题]对错(正确答案)13. 当 PN 结外加反向电压时，扩散电流大于漂移电流。

[判断题]对错(正确答案)14. PN 结具有单向导电性，施加正向电压时处于导通，施加反向电压时处于截止，其导通电流的方向由 P 区流向 N 区。

[判断题]对(正确答案)错15. 在 PN 结形成过程中，空穴的扩散运动方向是从 P 区到 N 区。

[判断题]对(正确答案)错16. 漂移运动方向是从 N 区到 P 区。

[判断题]对(正确答案)错17. PN 结形成后，参与扩散运动的载流子数量大于参与漂移运动的载流子数量。

[判断题]对错(正确答案)18. PN 结外加正向电压变化时，结电容近似为扩散电容。

[判断题]对(正确答案)错19. PN 结的单向导电性与外加电压频率无关。

[判断题]对错(正确答案)20. 结电容是常量。

[判断题]对错(正确答案)21. 本征半导体在温度升高后（） [单选题]自由电子和空穴数目都不变自由电子和空穴数目都增加且增量相同(正确答案)22. 在杂质半导体中，温度变化时，（） [单选题]载流子的数目变化(正确答案)少子与多子变化的数目不相同少子与多子浓度的变化相同23. N 型半导体中多数载流子是（） [单选题]空穴自由电子(正确答案)24. 内部自由电子数量和空穴数量相等的半导体是（） [单选题] P 型半导体N 型半导体本征半导体(正确答案)25. 下列半导体材料热敏特性突出的是（） [单选题]本征半导体(正确答案)P 型半导体N 型半导体26. 半导体获得广泛应用的原因是（） [单选题]半导体的电阻介于导体与绝缘体之间半导体可以制作成非常纯净的晶体半导体可以通过掺杂工艺制成 N 型半导体和 P 型半导体半导体具有热敏性、光敏性和特殊的掺杂特性(正确答案)27. 本征半导体中，自由电子和空穴的数目（） [单选题]相等(正确答案)自由电子比空穴的数目多自由电子比空穴的数目少28. P 型半导体的空穴数目多于自由电子，则 P 型半导体呈现的电性为（） [单选题]负电正电电中性(正确答案)29. PN 结加正向电压时，空间电荷区将（） [单选题]变窄(正确答案)基本不变变宽30. 当 PN 结达到动态平衡时，参与扩散运动的载流子数目（）漂移运动的载流子数目。

模电练习题(1)

1.二极管电路如图（a）所示，设二极管为理想的。

（1）试求电路的传输特性（v o～v i特性），画出v o～v i波形；
（2）假定输入电压如图（b）所示，试画出相应的v o波形。

2.测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图所示。

（1）判断它们各是NPN管还是PNP管，在图中标出e，b，c极；
（2）估算(b)图晶体管的值。

3. 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。

在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。

3.在图2.8所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得
输出波形如图 2.7（a）、（b）、（c）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。

图 2.7
图2.8
三、计算题
r=100Ω。

电路如下图所示，晶体管的＝100，
'
bb
(1)求解电路的Q点；
A 、输入电阻R i和输出电阻R o；
(2) 求电压放大倍数
u
(3) 若R b2和R b1分别断开时，问电路能否正常工作？简述理由。

（4）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？。

模电习题课（答案版）

模电习题课（答案版）第1 页，共31页9. 集成运放电路的实质是⼀个 B 的多级放⼤电路。

[]A 阻容耦合式B 直接耦合式C 变压器耦合式D 三者都有 10. 放⼤电路在⾼频信号作⽤下放⼤倍数下降的原因是_B _______ 。

[]A 耦合电容和旁路电容的影响B 晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的⾮线性特性D 放⼤电路的静态⼯作点设置不合适11 ?在输⼊量不变的情况下，若引⼊反馈后D.，则说明引⼊的是负反馈。

[] A 电路稳定性变差 B 输出量增⼤ C 净输⼊量增⼤D 净输⼊量减⼩ 12、共发射极电路中采⽤恒流源做有源负载是利⽤其 _B _________ 的特点以获得较⾼增益。

[ :A 直流电阻⼤、交流电阻⼩B 直流电阻⼩、交流电阻⼤C 直流电阻和交流电阻都⼩D直流电阻⼤和交流电阻都⼤1 ?当环境温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流I s 将增⼤，是因为此时PN 结内部的 B 。

载流⼦浓度增⼤ C 多数载流⼦浓度减⼩2.某只硅稳压管的稳定电压[ B D Vz = 4v ， ] 少数载流⼦浓度增⼤少数载流⼦浓度减⼩其两端施加的电压分别为 +5v （正向偏置）和⼀5v （反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 D 。

[A +5v 和-5vB -5v 和 +4vC +4v 和-0.7vD +0.7V和-4v3.根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B =-6.3v , V E =-7v , V C = -4v , 管，处于 B 。

A NPN 管，饱和区B PNP 管，放⼤区C PNP 管，截⽌区D NPN 管，放⼤区4.场效应管起放⼤作⽤时应⼯作在其漏极特性的 B。

[ ] 可以判定此晶体管是击穿区5. 截⽌区 D A ⾮饱和区 B 饱和区 C在单级放⼤电路的三种接法中，它们相互⽐较起来正确的说法是:共发射极电路的共集电极电路的共基极电路的共发射极电路的 A V 最⼤、 A V 最⼩、 A 最R 最⼩、 R 最⼤、 R 最A B C D 直接耦合放⼤电路存在零点漂移的原因主要是 A 电阻阻值有误差 B C 晶体管参数受温度影响 D 7?差分放⼤电路的长尾电阻的主要功能是 A 6. R o 最⼩ R o 最⼩R o 最⼤R o 最⼤旦 C抑制共模信号； BC 放⼤共模信号； D组合放⼤电路的输出级采⽤射极输出⽅式是为了使电压放⼤倍数⾼ C 输出电阻增⼤O晶体管参数的分散性受输⼊信号变化的影响 A _____ ，⽽提⾼共模抑制⽐?抑制差模信号；既抑制共模信号⼜抑制差模信号； D 输出电流⼩带负载能⼒强13、在RC桥式正弦波振荡电路中，当满⾜相位起振条件时，则其中电压放⼤电路的放⼤倍数必须满⾜_D_____ 才能起振。

模电习题及答案

一、填空题1. 半导体导电时有和两种载流子共同参与导电，其中带正电，而带负电。

2. 测得某放大电路中一晶体三极管各电极直流电位V1=12V，V2=8V，V3=7.3V，则该三极管的基极电位等于，由材料制成，管型为。

3.双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。

4.根据反馈信号在输出端的取样方式不同，可分为反馈和反馈，根据反馈信号和输入信号在输入端的比较方式不同，可分为反馈和反馈。

6. 正弦波振荡电路的振幅平衡条件是__ _____，相位平衡条件是________ _。

7. 电压负反馈可稳定输出，串联负反馈可使提高。

8. 在运算电路中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区。

二、选择题1．晶体三极管最突出的缺点是（）。

A.输入电阻小B.温度稳定性差C.放大倍数小D.易产生失真2．放大电路静态工作点过低容易产生__________失真A．交越B．饱和C．截止D．频率3．某深度负反馈电路，反馈深度AF1 =100，未接负反馈时，放大电路的开环增益为104，则该反馈电路的闭环增益为( )。

A．103B．104C．102D．105 4．下边哪一项不属于多级直接耦合放大电路的优点（）。

A．既能放大直流信号，也能放大交流信号B．不会产生零点漂移C．低频响应好D．便于集成化5．差动放大器抑制零点漂移的效果主要取决于( )A．两个三极管的放大倍数B．两个三极管及偏置电阻参数的对称程度C．每个三极管的穿透电流的大小D．两个集电极电阻6．若想把正弦信号转换成方波，可采用以下哪种电路（）。

A．微分运算电路B．滞回比较器C．过零比较器D．积分运算电路7．稳压管的稳压作用是利用其什么特性实现的( )A．PN 结的反向截止特性B．PN 结的正向导通特性C．PN 结的反向击穿特性D．PN 结的单向导电性8．下列关于电流串联负反馈不正确的说法是：（）A.反馈取样量是电压B.输入量与反馈量在输入端串联C.可提高放大电路的输出电阻D.可以提高放大电路输入电阻9．下面那一项不是对功率放大电路的基本要求（）。

模电习题集——精选推荐

模电习题集半导体⼆极管及其基本电路例1．求图所⽰电路的静态⼯作点电压和电流。

解：（1）图解分析法⾸先把电路分为线性和⾮线性两部分，然后分别列出它们的端特性⽅程。

在线性部分，其端特性⽅程为Ｖ＝Ｖ1－ＩＲ将相应的负载线画在⼆极管的伏安特性曲线上，如图所⽰，其交点便是所求的（ＩQ，ＶQ）。

（2）模型分析法①理想⼆极管模型Ｖ＝0，Ｉ＝Ｖ1／Ｒ②恒压降模型设为硅管，Ｖ＝0.7V，Ｉ＝（Ｖ1－Ｖ）／Ｒ例2．图所⽰电路中，设Ｄ为理想⼆极管，试画出其传输特性曲线（Ｖo～Ｖi）。

解：（1）ｖi<0，⼆极管Ｄ1、Ｄ2均截⽌，ｖo=2.5V。

（2）ｖi>0当0<ｖi<2.5V时，⼆极管Ｄ1、Ｄ2均截⽌，ｖo=2.5V；当ｖi>2.5V时，Ｄ1导通，假设此时Ｄ2尚未导通，则ｖo=(2/3)．(vi-2.5)+2.5V；令ｖo=10V，则ｖi=13.75V，可见当ｖi>13.25V时，Ｄ1、Ｄ2均导通，此时ｖo=10V。

传输特性曲线略。

例3．试判断图中⼆极管是导通还是截⽌？并求出AO两端电压ＶA0。

设⼆极管为理想的。

解：分析⽅法：（1）将D1、D2从电路中断开，分别出D1、D2两端的电压；（2）根据⼆极管的单向导电性，⼆极管承受正向电压则导通，反之则截⽌。

若两管都承受正向电压，则正向电压⼤的管⼦优先导通，然后再按以上⽅法分析其它管⼦的⼯作情况。

本题中：Ｖ12=12V，Ｖ34=12+4=16V，所以D2优先导通，此时，Ｖ12=-4V，所以D1管⼦截⽌。

ＶA0 = -4V。

例4．两个稳压管的稳压值ＶZ1=5V，ＶZ2=7V，它们的正向导通压降均为0.6V，电路在以下⼆种接法时，输出电压Ｖo为多少？若电路输⼊为正弦信号ＶI=20sinωt（V），画出图（a）输出电压的波形。

解：图（a）中D1、D2都承受反向偏压，所以输出电压Ｖo=ＶZ1+ＶZ2=5V+7V=12V若输⼊正弦信号ＶI=20sinωt（V）：在输⼊信号正半周，若ＶI<12V 稳压管处于反向截⽌状态，Ｖo=ＶI；若ＶI ≥12V 稳压管处于反向击穿状态，Ｖo=12V。

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《电路与电子技术基础》第九章参考答案第1页第6章 6-4 什么是PN结的击穿现象，击穿有哪两种。击穿是否意味着PN结坏了？为什么？答：当PN结加反向电压（P极接电源负极，N极接电源正极）超过一定的时候，反向电流突然急剧增加，这种现象叫做PN结的反向击穿。击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿两种，齐纳击穿是由于PN结中的掺杂浓度过高引起的，而雪崩击穿则是由于强电场引起的。PN结的击穿并不意味着PN结坏了，只要能够控制流过PN结的电流在PN结的允许范围内，不会使PN结过热而烧坏，则PN结的性能是可以恢复正常的，稳压二极管正式利用了二极管的反向特性，才能保证输出电压的稳定。 6-5 理想二极管组成电路如题图6-1所示，试确定各电路的输出电压uo。

解：理想二极管的特性是：当二极管两端加正向电压，二极管导通，否则二极管截止。分析含有二极管电路的方法是：假定二极管是开路，然后确定二极管两端的电位，若二极管的阳极电位高于阴极电位，则二极管导通，否则截止。对于图(a)假定D1、D2、D3截止，输出端的电位为-18V，而D1、D2、D3的阳极电位分别是-6V、0V、-6V，因此，理论上D1、D2、D3都能导通，假定D1导通，则输出点的电位为-6V，由于该点电位也是D2的阴极电位，因此D2会导通，一旦D2导通，uO点的电位就为0V，因此，D1、D3的阴极电位为0V，而阳极端为-6V，这样D1、D3必定截止，所以输出电压uo=0V（这就是脉冲数字电路中的或门，0V为高电平，-6V为低电平，只要输入端有一个高电平，输出就为高电平）。对于图(b)依同样的道理可知：D1、D2、D3的阳极电位都低于+18V，所以三个二极管均截止，流过R的电流为0，故输出电位uo=18V 试分析图(b)中的三个二极管极性都反过来，输出电压uo=？ 6-6 二极管电路如题图6-2所示，判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端的电压UAO。

解：对于土(a)，在闭合回路中12V电源大于6V电源，故在二极管D的两端加了正向

-18V R 6K D1 -6V uo D2 0V

D3 -6V

(a)

+18V R 6K D1 +6V uo D2 -6V

D3 0V

(b) 图6-1 习题6-5电路图

D1 D2

D D2 D1

A A A

3k 3k 3k 6V 15V 6V 12V 12V 12V O O O (a) (b) (c) 题图6-2 习题6-6电路图《电路与电子技术基础》第九章参考答案第2页电压，二极管导通，由于是理想二极管，二极管的管压降为0，所以UAO=-6V；对于图(b)，假定D1、D2截止，A点电位是-12V，D1的阳极电位是0V，D2的阳极电位是-15V，所以D1两端加正向电压导通，D2加反向电压截止，因此，UAO=0V 对于图(c)，同样假定D1、D2截止，A点电位是12V，D1的阴极电位是-6V，D2的阴极电位是0V，两个二极管都具备导通条件，但一旦D1导通，A点的电位就为-6V，D2两端加反向电压，故D2必截止，所以输出UAO=-6V（也可以假定D2导通，则A点电位为0V，而D1仍是正向偏置，所以D1必然导通，一旦D1导通，UAO=-6V）。 6-7 二极管电路如题图6-3所示。输入波形ui=Uimsinωt，Uim>UR，二极管的导通电压降可忽略，试画出输出电压uo1~uo4的波形图。

解：由于ui=Uimsinωt，且Uim>UR，则有：图(a)当uiUR时，二极管D导通，输出为UR；图(b)当uiUR时，二极管D截止，输出为ui；图(c)当uiUR时，二极管D截止，输出为UR；图(d)当uiUR时，二极管D导通，输出为ui。其波形如下图所示。其中下图(a)是上图(a)、(c)的波形图；图(b)是上图(b)、(d)的波形图。

6-8 利用稳压二极管组成的简单稳压电路如题图6-4所示。R为限流电阻，试定性说明RL变动或UI变动时，UO基本恒定的理由。答：由于稳压管工作在反向击穿状态，由反向击穿特性知，当DZ两端电压有微小变化，必然引起DZ中电流很大变化。例如：当RL变小时→UO减小→DZ两端电压减小→流过DZ的电流减小→流过R的电流减小→在R上的压降减小→UO上升。RL变大可以做同样的分析。当UI变大时→流过DZ中的电流急剧增加→流过电阻R中的电流急剧增加→在R上的压降急剧增加→UO维持不变。

R R D D + + + + + + + + D D R R ui uo1 ui uo2 ui uo3 ui uo4 UR UR UR UR - - - - - - - -

(a) (b) (c) (d)

题图6-32 习题6-7电路图

uo2,uo4 UR 0 t (b) uo1,uo3

0 t

(a) 《电路与电子技术基础》第九章参考答案第3页 6-9 单相桥式整流电路如题图6-5所示。试说明当某只二极管断路时的工作情况，并画出负载电压波形。解：假设D4断路，当u2的正半周时，D1、D3导通，负载上有电流流过；当u2的负半周时，由于D4

断路，在负载中无电流流过，这一桥式电路在一个二

极管断路的情况下实际上是一个半波整流电路。其波形图如图所示。 6-10 为了使三极管能有效地起放大作用，对三极管的发射区掺杂浓度有什么要求、基区宽度有什么要求、集电结面积比发射结面积大小有何要求。其理由是什么？如果将三极管的集电极和发射极对调使用（即三极管反接），能否起放大作用。答：为了使三极管能有效地起放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度高；基区宽度薄；集电结结面积比发射结面积大。其理由是，由于发射极的掺杂浓度高，所以可以利用浓度差使多数载流子向基区扩散，只有基区宽度薄才能保证扩散到基区的多数载流子向集电极附近扩散，又因为集电区面积比较大，所以在集电结反向偏置下，就可以尽可能多的收集扩散到集电结附近的多数载流子。如果集电极和发射极对调，是不能起到放大作用的。因为集电极的掺杂浓度低，由于浓度差扩散到基区的载流子较少，且由于发射区的面积不够大，也不能将接近发射极的载流子大量的收集到发射极。 6-11 工作在放大区的某个三极管，当IB从20μA增大到40μA时，IC从1mA变成2mA。它的β值约为多少？

解：根据动态放大倍数的定义得：50201000204010002000bcII 6-12 工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是什么？流过集电结的电流主要是什么？答：工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。 6-13 某三极管，其α=0.98，当发射极电流为2mA时，基极电流是多少？该管的β多大？另一只三极管，其β=100。当发射极电流为5mA时，基极电流是多少？该管的α多大？

解：根据α定义ECECIIII，

T a + + D4 D1 ~220V u2 c b - io - D3 D2 + d RL uo - 题图6-5 习题6-9电路图 UO R +

UI DZ RL

题图6-4 习题6-8电路图 u2

0 T/2 T 3T/2 2T t uo,io

0 T/2 T 3T/2 2T t 波形图《电路与电子技术基础》第九章参考答案第4页所以AmAIIImAmAIIcEBEC4004.096.1296.1298.0 4904.096.1BC

I

由于100BCII，所以AmAIICB5005.01005 99.005.055ECCEC

IIII

I

6-14 放大电路中，测得几个三极管的三个电极电位U1、U2、U3分别为下列各组数值，判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？确定e、b、c。（1）U1=3.3V，U2=2.6V，U3=15V （2）U1=3.2V，U2=3V，U3=15V （3）U1=6.5V，U2=14.3V，U3=15V （4）U1=8V，U2=14.8V，U3=15V 答：先确定是硅管还是锗管。由于硅管的结电压降一般为0.6~0.8V，锗管的结电压降约为0.1~0.3V，所以(1) (3.3-2.6=0.7V)、(3) (15-14.3=0.7V)为硅管，(2) (3.2-3=0.2V)、(4) (15-14.8=0.2V)为锗管。然后确定是NPN还是PNP管。对于NPN管，基极电位高于发射极电位（发射极正向偏置），而集电极的电位高于基极（集电极反向偏置）。对于PNP管，发射极电位高于基极电位（发射结正向偏置），基极电位高于集电极电位（集电结反向偏置），所以（1）、（2）是NPN管；（3）、（4）是PNP管因此：（1）是NPN硅三极管；3.3V—b极，2.6V—e极，15V—c极（2）是NPN锗三极管；3.2V—b极，3V—e极，15—c极（3）是PNP硅三极管；6.5V—c极，14.3V—b极，15V—e极（4）是PNP锗三极管；8V—c极，14.8V—b极，15V—e极 6-15 电路如题图6-2所示，已知三极管为硅管，UBE=0.7V，β=50，ICBO忽略不计，若希望IC=2mA，试求（a）图的Re和(b)图的Rb值，并将两者比较。解：对于图(a)，在输入回路中（图中左边回路），Re两端的电压降为6-0.7V，所以

BCEBeeEIIIIRRI1

3.57.06，

故KIIRCBe598.2251503.5502513.5)1(3.5)1(3.5

对于图(b)，CBbBIIRI7.06，所以kIRCb5.1322503.53.5 Re

+ - + 10V

10V + - 6V - 6V + -

(a) (b) 题图6-6 习题6-15电路图