元器件国产化替代解决方案

一、为什么要国产化替代

电子元器件就是航空航天等高端装备的基本单元,所以,电子元器件的可靠性就是保证航空航天装备可靠性的基础。目前国内还有很多航空航天装备采用的就是进口电子元器件。这些进口的元器件的使用主要有一下问题存在。

1、研制生产没有保障

目前,电子元器件更新换代周期越来越短。以集成电路为例,按照摩尔定律,每18个月其尺寸缩小一半,而集成度提升一倍。由于元器件的升级换代速度越来越快,以及国外厂商合并重组等原因导致的元器件停产,就给很多已服役与仍在生产的航空航天等高端装备的维护与生产带来了很大的困难。

另外,以美国为首的西方国家形成联盟,长期对我国实行严格的出口限制政策。以美国为例,制定了严格的政策与相关措施限制高新技术及产品出口。美国商务部制定了商品管制清单(Commerce Control List, CCL),严禁将清单内的电子元器件出口到相关国家与地区。这种电子元器件的禁运政策也给我国高性能的航空航天装备的研制与生产造成了较大影响。

2、信息安全隐患

由于西方国家的技术先进性与国家间利益冲突,进口电子元器件可能会在设计、制造、封装、测试等环节被人为植入后门,如IP核可能被嵌入后门、掩膜制版及高端封装也可植入后门。这些后门可窃取我国装备的数据甚至摧毁设备,并可能进一步通过网络传播病毒与木马,严重影响我国的信息安全。比如,2008年,美国国家安全局的一台发电机控制系统受到攻击后造成物理损坏。2010年,德国发现首个专门针对工业控制系统芯片的破坏性病毒。可见,在国防与信息安全建设中如果不能实现电子元器件的自主可控,则会始终处于受制于人、被动挨打的局面。

3、装备质量风险

由于各种客观因素,航空航天装备使用了部分工业级元器件,这些工业级元

器件大多通过代理商购买,无法获取相关的质量证明文件,个别已停产元器件甚至就是翻新件。同时,部分大规模集成电路国内也无相应的测试手段。因此,部分进口电子元器件的性能参数、可靠性水平等往往只能随设备进行测试,无法预先开展检测与筛选工作,导致在设备使用过程中可能存在参数异常、早期失效等情况。进口电子元器件存在的质量风险已严重影响了航空航天装备的研制、生产、以及使用。

二、元器件国产化替代中的问题

由于航空航天装备使用进口电子元器件的保障困难,在安全隐患、质量风险等方面的诸多问题,因此,大力推进进口电子元器件的国产化替代,已经成为一项构筑国家信息安全、保卫国家独立外交能力的紧迫而艰巨的任务。虽然,我国已在元器件国产化替代方面加大投入并取得了很大进展,但就是由于各单位在元器件国产化替代方面执行力度不一,元器件国产化替代仍存在一些问题。

1、缺乏系统指导性文件

由于顶层管理文件不完善,目前国内尚无指导性文件规范国产新研电子元器件的研制、生产、鉴定与应用验证等工作,无法对元器件国产化替代工作进行有效的控制与监督。同时,部分装备研制单位虽然自行制定了单位内部的元器件国产化替代制度,但由于设计、工艺、加工等因素,国产化替代验证只能结合实际的模块、整机统筹开展,难以全面验证元器件的性能。

2、参数体系不完整

我国电子元器件生产起步晚,早期主要以仿制进口电子元器件为主。受各种客观条件与进口电子元器件知识产权保护的限制,仿制元器件无法保证设计、材料、工艺与进口元器件完全一致,且由于参数体系不完整、性能指标测试覆盖不全,测试合格的元器件仍然可能存在未被激发的缺陷。

3、工艺设计有问题

为了满足小型化需求,国内航空航天装备选择了部分进口表贴电子元器件。由于管壳工艺差异等原因,对应的国产化替代元器件可能存在封装无法完全兼容的问

题。而且,考虑到研制进度与技术风险,整机单位多选用原位替代的国产化方案,且应用验证试验多为性能、工艺与环境适应性验证,难以暴露因管脚或工艺不匹配导致的问题。如某国产A/D转换器,管脚间距与进口产品存在微小差异,封装不完全兼容,在长期使用后很容易就会出现脱焊。

三、国产一体化解决方案

因为深刻的认识到了元器件国产化替代的重要性,为了更好的应对国际复杂形势,本着元器件自主可控的原则,融融网元器件平台向客户提供产品元器件国产兼容产品替代方案,实现供应链的多元化解决方案。通过进口元器件的国产兼容产品方案以及优选统型两方面的服务。实现元器件级自主可控,助力国家产业升级,保障国家电子产业持续健康发展。

方案内容如下:

方案包含产品用进口元器件的国产兼容产品方案以及优选统型两方面主要内容。

基于数据库支撑,通过对产品元器件清单的梳理,针对所包含的进口元器件,对其进行国产兼容产品推荐,优选国内主流厂家元器件,提高产品国产化率。

针对产品所包含的暂无国产兼容产品的进口元器件,基于优选与统型的相关要求进行推荐,优选国外主流厂家元器件,通过统型压缩元器件品种,进一步提高国产化率并降低使用非主流元器件而保障困难带来的风险。

元器件国产化替代解决方案

元器件国产化替代解决方案一、为什么要国产化替代电子元器件是航空航天等高端装备的基本单元，所以，电子元器件的可靠性是保证航空航天装备可靠性的基础。目前国内还有很多航空航天装备采用的是进口电子元器件。这些进口的元器件的使用主要有一下问题存在。 1.研制生产没有保障目前，电子元器件更新换代周期越来越短。以集成电路为例，按照摩尔定律，每18个月其尺寸缩小一半，而集成度提升一倍。由于元器件的升级换代速度越来越快，以及国外厂商合并重组等原因导致的元器件停产，就给很多已服役和仍在生产的航空航天等高端装备的维护和生产带来了很大的困难。另外，以美国为首的西方国家形成联盟，长期对我国实行严格的出口限制政策。以美国为例，制定了严格的政策和相关措施限制高新技术及产品出口。美国商务部制定了商品管制清单(Commerce Control List，CCL)，严禁将清单内的电子元器件出口到相关国家和地区。这种电子元器件的禁运政策也给我国高性能的航空航天装备的研制和生产造成了较大影响。 2.信息安全隐患由于西方国家的技术先进性和国家间利益冲突，进口电子元器件可能会在设计、制造、封装、测试等环节被人为植入后门，如IP核可能被嵌入后门、掩膜

制版及高端封装也可植入后门。这些后门可窃取我国装备的数据甚至摧毁设备，并可能进一步通过网络传播病毒和木马，严重影响我国的信息安全。比如，2008年，美国国家安全局的一台发电机控制系统受到攻击后造成物理损坏。2010年，德国发现首个专门针对工业控制系统芯片的破坏性病毒。可见，在国防和信息安全建设中如果不能实现电子元器件的自主可控，则会始终处于受制于人、被动挨打的局面。 3.装备质量风险由于各种客观因素，航空航天装备使用了部分工业级元器件，这些工业级元器件大多通过代理商购买，无法获取相关的质量证明文件，个别已停产元器件甚至是翻新件。同时，部分大规模集成电路国内也无相应的测试手段。因此，部分进口电子元器件的性能参数、可靠性水平等往往只能随设备进行测试，无法预先开展检测和筛选工作，导致在设备使用过程中可能存在参数异常、早期失效等情况。进口电子元器件存在的质量风险已严重影响了航空航天装备的研制、生产、以及使用。二、元器件国产化替代中的问题由于航空航天装备使用进口电子元器件的保障困难，在安全隐患、质量风险等方面的诸多问题，因此，大力推进进口电子元器件的国产化替代，已经成为一项构筑国家信息安全、保卫国家独立外交能力的紧迫而艰巨的任务。虽然，我国已在元器件国产化替代方面加大投入并取得了很大进展，但是由于各单位在元器件国产化替代方面执行力度不一，元器件国产化替代仍存在一些问题。

电子元件与电子线路实习报告

电子元件与电子线路实习报告 (1)学习识别简单的电子元件与电子线路; (2)学习并掌握收音机的工作原理; (3)按照图纸焊接元件，组装一台收音机，并掌握其调试方法。 (1)电烙铁：由于焊接的元件多，所以使用的是外热式电烙铁，功率为30w，烙铁头是铜制。 (2)螺丝刀、镊子等必备工具。 (3)松香和锡，由于锡它的熔点低，焊接时，焊锡能迅速散步在金属表面焊接牢固，焊点光亮美观。 (4)两节5号电池。 1.熟悉手工焊锡的常用工具的使用及其维护与修理。 2.基本掌握手工电烙铁的焊接技术，能够独立的完成简单电子产品的安装与焊接。熟悉电子产品的安装工艺的生产流程。 3.熟悉印制电路板设计的步骤和方法，熟悉手工制作印制电板的工艺流程，能够根据电路原理图，元器件实物设计并制作印制电路板。

4.熟悉常用电子器件的类别、型号、规格、性能及其使用范围，能查阅有关的电子器件图书。 5.能够正确识别和选用常用的电子器件，并且能够熟练使用普通万用表和数字万用表。 6.了解电子产品的焊接、调试与维修方法。 zx-921型收音机是由8个三极管和2个二极管组成的，其中bg1为变频三极管，bg2、bg3为中频放大三极管，bg4为检波三极管，bg5、bg6组成阻容耦合式前置低频放大器，bg7、bg8组成变压器耦合推挽低频功率放大器。该机的主要技术指标为：频率范围：中波530～1605khz 中频：465khz 灵敏度：小于lmv/m 选择性：大于16db 输出功率：56mw～140mw 电源：×2v(干电池二节) zx-921型收音机电路原理图 (一)调谐、变频电路

l1(线圈)从磁性天线(磁棒)上感应出的电台信号，经由l1和cl-a(双联电容)组成的输入调谐回路选择后，只剩下需要的电台信号，该信号耦合给l2(线圈)，并由l2送bg1的基极和发射极。由于调谐回路阻抗高，约为100kω，三极管输入阻抗低，约为1～2kω。要使它们的阻抗匹配，使信号输出最大，就必须适当选择l1与l2的圈数比，一般取l1为60～80圈，l2取l1的十分之一左右。以改变输人回路的高端谐振频率，使之始终低于本机振荡频率465khz。所以微调电容c主要用于调整波段高端的接收灵敏度。相反，微调电容c对波段低端接收灵敏度的影响极小，这是因为在波段低端双连可变电容器cl-a几乎全部旋进，这时cl-a的电容量很大，约为200多微微法，微调电容器c的电容量的变化对它来说便可忽略不计。来自l2经输入调谐回路选择的信号电压一端接bg1的基极，另一端经c2旁路到地，再由地经本振回路b2次级下半绕组，然后由c3耦合送bg1的发射极。与此同时，来自本机振荡回路的本机振荡信号由本振线圈次级抽头b2输出，经电容c3耦合后注入bg1的发射极;本机振荡信号的另一端，即本振线圈次级另一端，经地由c2耦合到l2的一端，并经l2送bg1的基极。由于l2线圈只有几匝，电感量很少，它对本机振荡信号的感抗可忽略不计。因此，可认为由c2耦合的本振信号是直送bg1基极，这样在bg1三极管的发射结同时加有两个信号，它们的频率

电子元器件期末试题.doc

《》试卷，第1页，共4 页《》试卷，第2页，共4页《电子元器件》试卷一、填空题（每空1分，共20分） 1．电阻在电路中用____字母表示，主要作用是________,1M Ω=_________Ω。 2. 色环电阻“棕黑红金”表示___________Ω,“蓝灰蓝金”表示___________Ω。 3. 用万用表测量电阻时，选好合适的档位后，在测量前应该先对万用表进行_________。 4. 电容的国际单位是______，其基本特性是________、_______、________、________。 5．电容的数码表示法“3n3“表示____________。 6. 在电路中常用字母_____来表示电感，1H=_________mH 。 7. 二极管的特性是____________,电路符号是___________。 8. 稳压管工作在____________。 9. 三极管是一种______控制器件。 10.结型场效应管的______极和_______极可以互换使用。二、选择题（每小题 3分，共30 分） 1．下列属于N 型硅材料稳压管的是（）。 A ．2AP B. 2DZ C.3CW D.2CW 2．晶闸管的三个电级是（）。 A ．b,c,e B. g,d,s C.g,a,k D.p,n,k 3．下列不属于固定电阻器的主要参数的是（）。 A ．标称阻值 B.漏电阻 C.额定功率 D.允许误差 4．干簧管是一种（）元件。 A ．光控 B. 声控 C.磁控 D.电控 5．目前计算机中的CPU 芯片的封装大多是（）。 A ．DIP B. BGA C.QFP D.CLCC 6. 没有工作在反向偏置状态下的二极管是（）。 A.稳压二极管 B.发光二极管 C.光电二极管 D.变容二极管 7. 三极管的三极电流的关系是（）。 A.I C >I B >I E B.I E >I B >I C C.I E >I C >I B D.I C >I E >I B 8. 如果三极管的发射结和集电结均处于反偏状态，说明该三极管处于（）状态。A.放大 B.截止 C.饱和 D.不知道 9. 用来制作半导体器件的是（）。 A.本征半导体 B.杂质半导体 C.空穴 D.电子 10.LED 的电路符号是（）。A. B. C. D. 三、判断题（每小题 2分，共20分） 1．在电子电路当中，二极管可以作为开关来使用。（） 2．发光二极管正常工作时，其正向电压要比普通二极管两端的正向电压高。（） 3．PN 结外加反向电压时，阻挡层的厚度变厚。（） 4．二极管具有电容效应。（） 5．电磁继电器是一种用小电流来控制大电流的自动开关。（） 6. 三极管的集电极C 和发射极E 是可以互换使用的。（） 7. 场效应管的输入电阻比较低。（） 8. 测量三极管的放大倍数时应该用“R ×100”的档位。 9. 电容数字表示法“339”表示容量为33×109 pF 。（） 10.扬声器的标称阻抗一般应与音频功放器的输出阻抗相符。（）四、简答题（共30分）

常用电子元器件培训资料

常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号

二．半导体管三．其它电气图形符号

第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器 1．电阻器和电位器的型号命名方法示例： (1)精密金属膜电阻器 R J7 3 第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器） (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）

2．电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。 (2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家规范，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 (3) 允许误差等级 3．电阻器的标志内容及方法 (1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，表５

例如： RJ71－0.125－5k1－II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率1/8W 型号由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。 (2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值有效数字后0的个数允许误差图1 两位有效数字阻值的色环表示法三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。例如，色环为棕黑红，表示10?102＝1.0kΩ±20%的电阻器。四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15?103＝15kΩ±5%的电阻器。五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示275?104＝2.75MΩ±1%的电阻器。

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。

元器件国产化替代解决方案

一、为什么要国产化替代电子元器件是航空航天等高端装备的基本单元，所以，电子元器件的可靠性是保证航空航天装备可靠性的基础。目前国内还有很多航空航天装备采用的是进口电子元器件。这些进口的元器件的使用主要有一下问题存在。 1.研制生产没有保障目前，电子元器件更新换代周期越来越短。以集成电路为例，按照摩尔定律，每18个月其尺寸缩小一半，而集成度提升一倍。由于元器件的升级换代速度越来越快，以及国外厂商合并重组等原因导致的元器件停产，就给很多已服役和仍在生产的航空航天等高端装备的维护和生产带来了很大的困难。另外，以美国为首的西方国家形成联盟，长期对我国实行严格的出口限制政策。以美国为例，制定了严格的政策和相关措施限制高新技术及产品出口。美国商务部制定了商品管制清单(Commerce Control List， CCL)，严禁将清单内的电子元器件出口到相关国家和地区。这种电子元器件的禁运政策也给我国高性能的航空航天装备的研制和生产造成了较大影响。 2.信息安全隐患由于西方国家的技术先进性和国家间利益冲突，进口电子元器件可能会在设计、制造、封装、测试等环节被人为植入后门，如IP核可能被嵌入后门、掩膜制版及高端封装也可植入后门。这些后门可窃取我国装备的数据甚至摧毁设备，并可能进一步通过网络传播病毒和木马，严重影响我国的信息安全。比如，2008年，美国国家安全局的一台发电机控制系统受到攻击后造成物理损坏。2010年，德国发现首个专门针对工业控制系统芯片的破坏性病毒。可见，在国防和信息安全建设中如果不能实现电子元器件的自主可控，则会始终处于受制于人、被动挨打的局面。 3.装备质量风险由于各种客观因素，航空航天装备使用了部分工业级元器件，这些工业级元器件大多通过代理商购买，无法获取相关的质量证明文件，个别已停产元器件甚

电子元器件总结

总结 2016.3.1一．常用电子器件 1、元件类：主要有电阻器、电容器、电感器、晶振、陶瓷滤波器、机械开关、接插件、简单的传感器（如热敏电阻）等。 2、器件类：主要有二极管、三极管、晶闸管、集成电路、简单的传感器（如光敏二极管、三极管）等。 3、组合件：主要有各种模块、复杂的传感器等。

图1 4环电阻图2 电容图3 电感图4 发光二极管（LED）图5 三极管二．电平匹配方法 (1) 晶体管+上拉电阻法就是一个双极型三极管或MOSFET，C/D极接一个上拉电阻到正电源，输入电平很灵活，输出电平大致就是正电源电平。 (2) OC/OD 器件+上拉电阻法跟1)类似。适用于器件输出刚好为 OC/OD 的场合。 (3) 74xHCT系列芯片升压(3.3V→5V)

凡是输入与 5V TTL 电平兼容的 5V CMOS 器件都可以用作3.3V→5V 电平转换。 ——这是由于 3.3V CMOS 的电平刚好和5V TTL电平兼容（巧合），而CMOS 的输出电平总是接近电源电平的。廉价的选择如 74xHCT(HCT/AHCT/VHCT/AHCT1G/VHCT1G/...) 系列 (那个字母 T 就表示 TTL 兼容)。 (4) 超限输入降压法(5V→3.3V, 3.3V→1.8V, ...) 凡是允许输入电平超过电源的逻辑器件，都可以用作降低电平。这里的"超限"是指超过电源，许多较古老的器件都不允许输入电压超过电源，但越来越多的新器件取消了这个限制(改变了输入级保护电路)。例如，74AHC/VHC 系列芯片，其datasheets 明确注明"输入电压范围为0~5.5V"，如果采用3.3V 供电，就可以实现5V→3.3V 电平转换。 (5) 专用电平转换芯片最著名的就是 164245，不仅可以用作升压/降压，而且允许两边电源不同步。这是最通用的电平转换方案，但是也是很昂贵的因此若非必要，最好用前两个方案。 (6) 电阻分压法最简单的降低电平的方法。5V电平，经1.6k+3.3k电阻分压，就是3.3V。 (7) 限流电阻法如果嫌上面的两个电阻太多，有时还可以只串联一个限流电阻。某些芯片虽然原则上不允许输入电平超过电源，但只要串联一个限流电阻，保证输入保护电流不超过极限(如74HC系列为20mA)，仍然是安全的。 (8) 无为而无不为法只要掌握了电平兼容的规律。某些场合，根本就不需要特别的转换。例如，电路中用到了某种5V 逻辑器件，其输入是 3.3V 电平，只要在选择器件时选择输入为TTL 兼容的，就不需要任何转换，这相当于隐含适用了方3)。补充：（一）．TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管－晶体管逻辑门（transistor-transistor logic gate），TTL大部分都采用5V电源。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V，Uil≤0.8V （二）．CMOS CMOS电路是电压控制器件，输入电阻极大，对于干扰信号十分敏感，因此不用的输入端不应开路，接到地或者电源上。 CMOS电路的优点是噪声容限较宽，静态功耗很小。

电力电子技术期末考试试题及答案最新版本

电力电子技术试题
第 1 章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为 _ 有源逆变 _ ，欲实现有源逆变，只能采用 __ 全控 _ 电路；对于单相全波电路，当控制角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。第 3 章直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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半导体电子国产化产业分析

半导体电子国产化产业分析三大周期叠加，国产化加速

创新周期、政策周期、资本周期三大周期叠加，5G、云、人工智能、可穿戴等为核心的创新周期不断。政策周期，国家多次强调支持科技产业，以华为为代表的科技自立，国产产业链重塑；资本周期，科创板推出，华为为代表的龙头崛起增强科技自信，一批硬核资产长期发展空间明确！我们着重关注本轮疫情中大陆电子龙头产业链地位提升、供应链份额集中、库存下降以及国产替代加速背景下的全产业链受益。我们坚定认为，随着后续疫情拐点到来、需求恢复叠加新一轮创新启动，A 股电子企业有望率先受益，继续迎来黄金发展期。国之重器、新型举国体制攻坚，【中芯国际】作为产业链核心将深度受益。国务院接连出相关政策，探索关键核心技术新型举国体制，同时对集成电路及软件进行力度空前的减税，标志全面立体式支持的开始。对于免税政策，相对于过去第一次提出基于nm 级的分类，尤其28nm 的关键制程值得重点关注。28nm 是半导体的重要节点，理论上进行纯国产化是具备短期可能性的（尤其是光刻机等重要设备28nm 是分界点），也是重要公司解决生存问题的关键节点。我们认为【中芯国际】作为大陆代工龙头，先进制程率先突破，作为产业链核心将深度受益，并有望拉动配套设备、材料企业共同发展。全球代工行业景气度有望开启，8 寸PMIC、Driver IC 率先启动，中芯国际基本盘有望巩固！近期我们行业跟踪下来，台系代工企业【联电】、【世界先进】等纷纷超预期股价大涨，全球代工企业资产重估开启！我们认为本轮8 寸景气主要由消费电子类PMIC、大尺寸Driver IC 等率先反转所拉动，中芯国际亦有望同步受益。我们观察到公司天津8 寸厂产能由6.3 万片提升至7.3 万片，下游主要亦为PMIC 领域。消费电子核心龙头高增长，中国供应链在全球地位提升。消费电子海外门店和供应商陆续复工。苹果、三星部分线下零售店陆续恢复营业，消费电子领域5G 手机创新、TWS、光学、可穿戴（智能手表）等主线进一步提升景气度。优质公司处于长期估值底部！2020 年优于疫情压制需求，5G 引领持续创新，有望戴维斯双击。TWS 耳机继续高增长。苹果618 大促销，降价幅度历史级，同时airpod 等销量预期回升。光学赛道价量齐升，成为终端厂商的必争之地。面板：从周期修复到价值转换。短期景气度位置价格接近前低底部，Q3/Q4 旺季带动备货+韩厂实质性退出，国内二线面板厂潜在重组，价格修复或优于预期。两个尾声、一个定局：产能扩张尾声，区域竞争尾声，行业双寡头定局，周期性有望减弱。龙头厂商产业地位更高，潜在ROE、FCF 中枢修复。打造科技价值白马。 PCB：5G 引领行业新生，行业全面受益。5G 的建设目前得到了积极的推荐，中国三大运营商均加速进行了5G 基站的铺设。各类消费电子中的主板为了承载更多信息量以及传输速率的同时，又要保持其体积的微小，高端HDI 的产能却并未有较大的提升，或者说较多国内厂商目前仍然不具备高端HDI 的批量生产工艺，我们认为HDI 的领先厂商将会从中受益。随着消费电子产品不断迭代，产品不断向着小型、轻薄、多功能转变，FPC 将得益于下游领域创新迎来新发展。

电子元器件采购年终工作总结

电子元器件采购年终工作总结电子元器件采购年终工作总结时光飞逝，转眼间我在公司工作已经一年了，在这一年的时间里，我在公司学到了很多也懂得了很多更多阅读请查看本站工作总结频道。时间总是在悄无声息中流逝，2019年即将画上一个圆满句号。真的很感谢呈达公司给我提供磨练自己的机会，更感谢公司长久以来对我的信任和栽培。回顾2019年我们大家一起共同经历了风风雨雨，酸甜苦辣，我发现我真的发现我长大了成熟了。在经理和副总的指导下，做事不在像以前那么自嫩比以前稳重了很多，能和公司一起成长，我感到很自豪！一转眼发现我已经来公司1.5年了，从商务助理到采购助理，现在兼行政专员。刚刚接手行政上面的事，有好多事都很生疏，所以大概的说下行政专员职责素养：职业素养包含职业道德、职业技能、职业行为、职业作风和职业意识等方面。行政专员：主要是沟通，沟通是处理人际关系的必要方式，对于行政工作，尤其重要。如果沟通不及时、不准确，会严重影响工作的效率甚至出现南辕北辙的错误。建立良好的人际关系是沟通的金钥匙，平时注重同事间的友好关系，力所能及地帮助身边需要帮助的同仁，相互支持工作，有助于大家积极、有效地推动工作进度。工作如果是一成不变的，就会没有生机，久而久之更会影响工作情绪，间接

地为高效工作筑起一道无形的城墙。在日常工作中，通过对细节的观察，努力找寻改进的可能，使工作生动、充满乐趣，也在潜移默化中提升了自己的创新思维能力。在社会群体中，没有人能独自生存，在公司也一样，没有多少工作是可以不需要任何人帮助就可以独立完成的。不仅仅针对自己，同样适用于任何人。在平日里，积极参与、配合同事的工作，提供必要的协助，创建良好的工作氛围，使之良性循环下去，是本人一直遵循的不二法则。我们公司虽不是很大，但我喜欢这样的工作环境，喜欢和公司一起成长，希望能够通过我们大家一起努力看着公司一天天壮大，我感到很荣幸和自豪！一、在2019年采购助理工作总结： 1.工作中，尊敬领导，团结同事，能正确处理好与领导同事之间的关系，保持良好的沟通。充分发挥岗位职能，不断改进工作方法，提高工作效率，较好地完成了各项工作任务，保证货如期出货,满足客户要求，协助销售工作。 2.与各供应商建立良好关系，顺利将货物如期跟崔到位，保证工程顺畅生产。 3.以最低的价格购买的产品，并根据市场行情降低单价减少成本。 4.由于资金周转问题，尽力与厂商协调月结。 5.下单跟单正确率达99％。二、不足方面上半年由于太忙出现下单漏订率 0.1％，但未构成订单延误。；

电力电子技术期末考试试题及答案

电力电子技术试题第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ， 2__，续流二极管承受的最大反向电压为2_（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22 和2；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_和2_；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2_，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为2_，随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_，通常设计时，应取RC ≥_1.5-2.5_T ，此时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值，T 为交流电源的周期)。 10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。

电子元器件失效模式总结

元器件的失效模式总结 Beverly Chen 2016-2-4 一、失效分析的意义失效分析（Failure Analysis）的意义在于通过对已失效器件进行事后检查，确定失效模式，找出失效机理，确定失效的原因或相互关系，在产品设计或生产工艺等方面进行纠正以消除失效的再次发生。一般的失效原因如下：二、失效分析的步骤失效分析的步骤要遵循先无损，后有损的方法来一步步验证。比如先进行外观检查，再进行相关仪器的内部探查，然后再进行电气测试，最后才可以进行破坏性拆解分析。这样可以避免破坏性的拆解破坏证据。拿到失效样品，首先从外观检查开始。 1. 外观检查：收到失效样品后，首先拍照，记录器件表面Marking信息，观察器件颜色外观等有何异常。 2.根据器件类型开始分析：

2.1贴片电阻，电流采样电阻 A: 外观检查，顶面覆盖保护层有针状圆形鼓起或黑色击穿孔->内部电阻层烧坏可能->万用表测量阻值：测得开路或者阻抗偏大->内部电阻层烧毁可能->可能原因：过电压或过电流烧毁—>检查改电阻的稳态功率/电压或者瞬时功率/电压是否已超出spec要求。 Coating 鼓起并开裂黑色击穿点 ●可失效样品寄给供应商做开盖分析，查看供应商失效报告：如发现烧毁位置位于激光切割线下端，可确定是过电压导致失效。需要考虑调整应用电路，降低电压应力，或者换成能承受更大应力的电阻。激光切割线去除coating保护层后，可以看到烧毁位置位于激光切割线旁边，该位置电应力最集中。 B: 外观检查，顶面底面均无异常->万用表测量阻值：测得开路或者阻抗偏大->内部电阻层烧毁或者电极因硫化断开或阻抗增大->检查改电阻的稳态功率或者瞬时功率是否已超出spec要求，如有可能是过电压或过功率烧毁；应力分析在范围内，考虑硫化->失效样品寄给供应商分析。查看供应商失效报告： ●如发现烧毁位置位于激光切割线下端，可确定是过电压导致失效。需要考虑降低应用电路中的电压应力，或者换成能承受更大应力的电阻。 ●如果测试发现保护层附近电极硫元素含量高且电极沿保护层边缘发生断裂情况，可确认是应用中硫化物污染导致银电极被硫化生成AgS而断开需确认应用环境是否硫含量比较高。如果有必要，更换为抗硫化电阻。

“中国芯”助力我国工业控制系统国产化

“中国芯”助力我国工业控制系统国产化信息安全是国家战略问题，其硬件支撑就是核心芯片。核心芯片及基础软件是构建自主可控的工业控制安全防护体系的基石。目前，我国芯片主要依赖进口，信息安全难以保证，因此芯片的国产化，是我国实现工业控制系统国产化，保障信息安全的必经之路。而事实上，实现芯片的国产化替代并非易事。由于起步较晚，目前中国的核心芯片主要依赖国外进口，中国芯片产业价值链核心环节缺失，产业远不能支撑市场需要；高端芯片最为紧缺，其开发过程需要雄厚的研发基础、资本支持以及时间积累，而中国厂商在这几方面都还比较薄弱。在此背景下，10月28日，“国产芯片及软件在工业控制系统中应用”的主题研讨会在北京召开，此次会议作为工业控制系统信息安全技术国家工程实验室技术专家委员会系列研讨会之一，由工业控制系统信息安全技术国家工程实验室联合《电子技术应用》杂志、《微型机与应用》杂志及工业控制系统信息安全产业联盟共同举办，来自中央网信办、工信部电子信息司、国家信息技术安全研究中心、公安部第三研究所、中国电子技术标准化研究院、北京微电子所、浙江中控、国电南瑞、上海申威、龙芯科技、上海华虹、北京航空航天大学、西北工业大学等数十家单位近百位专家、学者莅临现场，大家齐聚一堂，围绕国产芯片及基础软件发展现状、工业控制系统芯片国产化需求、系统应用及解决方案等主题进行热烈讨论，为加速推进国产芯片和软件的进一步应用，发展自主可控的工业控制系统提出意见和建议。中国电子信息产业集团有限公司第六研究所所长、工业控制系统信息安全技术国家工程实验室主任宋黎定致辞国产芯片的发展现状近年来，国产芯片已经取得了长足的进步，然而，国产芯片还面临多重挑战。国产芯片高速发展的基础，很大部分是来自中低端市场，在高端市场上，国产芯片依然处于弱势状态。尤其在工业控制系统领域，真正投入应用的国产芯片比例非常少。另外，国产芯片此前一直处于被海外厂商打压的状态，很大程度上是由于创新研发能力上的不足，而这一问题目前仍然没有得到有效解决。尽管当前国产芯片取得了不小的进步，但核心技术仍然受制于人，严重依赖进口的局面短期内难以改变。因此，应加大对国产芯片创新研发的投入，以自主创新为突破口，并将其转换为现实的生产力，这样才能真正实现国产芯片整体实力的提升。工业控制系统对国产芯片的应用需求工业控制系统已广泛应用于电力、轨道交通、石油化工、高新电子、航空航天、核工业、医药、食品制造等工业领域，其中超过80%的涉及国计民生的关键基础设施依靠工业控制系统来实现自动化作业。随着计算机及网络技术的发展，信息化与工业化深度融合以及物联网的快速发展，工业控制系统产品越来越多地采用通用协议、通用硬件和通用软件。网络化浪潮又将诸如嵌入式技术、多标准工业控制网络互联、无线技术等新兴技术融合进来，从而拓展了工业控制的发展空间，带来新的发展机遇，同时也带来了工业控制系统的信息安全等问题。自2010年“震网”病毒事件之后，全球工业大国纷纷将工业安全提向国家战略级的高度。核心芯片及基础软件是构建我国自主可控的工业控制安全防护体系的基石，芯片的国产化，则成为我国实现工业控制系统国产化，保障信息安全的必经之路。那么，工控系统对国产芯片的具体需求是怎样的呢？龙芯科技的杜安利部长给出这样的答案：（1）高质量的产品品质和供货保障。安全可靠是根本，应用是可靠的核心。（2）工控领域对芯片的应用相对品种多，数量少；相对专用，对芯片性能的要求是够用即可；工控芯片未来要求总线和接口丰富，方便扩展和小型化。（3）高端工控产品在应用方面有其特殊性和专用性。（4）工业应用模式决定了CPU／SOC有低功耗、高集成的趋势。机遇与挑战