模拟集成电路论文
我国未来集成电路发展模式思考
张媛媛1230440115
（湖南工学院电气与新新工程学院衡阳 421002）
【摘要】目前，正处于集成电路产业的发展、投资规模、产业结构、技术水平都发生巨大变革阶段，我国
集成电路产业的发展面临更加严峻的,挑战。推动这一产业的发展关系到国家信息安全和国家主权。因而需
要关注以下几点：集成电路产业的发展趋势；我国集成电路的发展状况；我国集成电路面临的机遇与展望。【abstract】Nowadays,we are in the development of IC industry ,the scale of investment,industrial structure,technological level of great change,of china’s IC industry face more severe challenge.How to deal with the new pattern of development of the industry .we must pay more attention the following points:the development trend of integrated circuit industry;development of china’s intrgrated circuit;the opportunities and prospect of china’s integrated circuit.
【关键词】集成,挑战，发展
【Keywords】Integrated Circuit;challenge ;development
1、引言目前，以集成电路为核心的电子信息产业产业超过了以汽车、石油、钢铁为代表的传统工业成为第一大产业、成为改造和拉动传统产业迈向数字时代的将达引擎和雄厚的基石。
2、集成电路产业的发展趋势
集成电路发展的总趋势是革新工艺、提高集成度和速度。集成电路复杂度不断增加，设计与整体系统结合更加紧密。总结为以下几点：高集成度、芯片模块化、应对“软件差异“的同质化
[1]集成电路设计。
目前，世界集成电路技术已经进入纳米时代，未来5-10年面向系统级（SOC)芯片的设计方法将成为技术热点，设计线宽将达到0.045微米，芯片集成度将达到10的8-9次方，电子设计自动化技术得到广泛应用，IP复用技术将得到极大完善。
[2]芯片制造。
目前国际高端集成电路晶片直径是12英寸，近年内16英寸晶片将面世，纳米级光刻工艺将广泛使用，新型器件结构的产生将带动产生新工艺。
[3]封装。
现有占主流的阵列式封装方式将让位给芯片级、晶片级封装，更先进的系统级等封装方式将进入实用化。芯片实现表面贴装，封装与组装界限将消失。
3、我国集成电路产业的发展状况
据中国半导体行业协会统计数据，我国集成电路产业销售收入从2001年的199亿元提升到2011年的1572亿元，10年实现翻三番。我国集成电路产业的芯片设计、制造和封装测试能力均有大幅度提高，正在追近世界先进水平。我国集成电路产业的芯片设计、制造和封装测试产业链已经初具规模，产业能力迅速提升。
但是，我国集成电路产业的发展远远不能满足国内市场的需求，产业自主创新能力、企业制造能力亟待提升。目前面临的主要问题如下：
[1]与国际水平差距逐步加大，产业发展主导能力较弱
近几年，集成电路发展领先的国家及地区以及国外大企业通过不断加快先进技术研发、加大资金投入力度等方式进一步巩固优势地位，我国产业在产业布局、产业投入等方面与之差距正在逐步拉大。从芯片设计、制造、封装测试到专用设备和材料等产业链各个环节都缺乏具有国际竞争力的大企业，加上产业投资的不足，我国企业突围和提升的难度进一步增加。
[2]产业链联动机制尚未建立，产业生态环境有待优化
目前，国内整机系统开发、芯片设计、芯片制造等产业链环节还处于脱节状态。绝大多数整机企业停留在加工组装阶段，缺乏整机系统设计能力，多数国内芯片设计企业缺乏产品解决方案的开发能力，国内整机企业基本采购国外系统解决方案。先进加工制造技术、产能规模、IP数量、服务质量的不足，导致高端芯片设计与制造工艺结合的不紧密，芯片代工企业无法承接国内先进芯片产能，本土一半以上的芯片制造需求被台积电、联电等境外公司承接。移动互联市场被Google-Arm、Google-Android等构成的生态圈所主导，国内企业在产业发展上只能处于被动跟随地位。
[3]产品自主配套能力较弱，持续创新能力亟待加强
2012年我国集成电路产品进口1920亿美元，较2011年的1702亿美元增长12.8%，为同期国内生产集成电路产值5倍多。但国内芯片产品主要以中低端为主，CPU、DSP等高端芯片产品主要依靠进口，严重影响我国集成电路产业核心竞争力的提升以及国家信息安全的建设。与此同时，国家信息安全建设、移动互联网、信息消费、新能源汽车、高端装备等领域快速发展，对国内高端芯片产品的自主研发和产业化以及企业的持续创新能力提出更高要求。
4、我国集成电路产业发展面临的机遇与展望
2006 2010 年，中国集成电路产业销售收的年平均复合增长率为 17. 6%，高于同期全球导体市场销售额年平均复合增长率的 6. 6%; 同集成电路产业链结构发生了重要的变化，以销额占比为例，中国集成电路设计业比重明显上升由2006 年的仅占18. 5%上升至2010 年25.3%封装测试业比重逐步下降，由2006 年的 50. 8%降至 2010 年的 43. 6%; 芯片制
造一直保持0%以上的比重中国集成电路产业结构不断化，竞争能力逐步增强。
未来全球半导体市场的发展将由技术创新科技消费和新兴市场发展驱动，中国作为世界重要的集成电路制造基地和消费市场，已经成为全球半导体产业发展的重要引擎。
当前中国集成电路产业的重要历史机遇体现在以下几个方面。
[1]产业转移和细分拓展新发展空间
全球集成电路产业布局不断变化，加速向发展中国家逐渐转移全球范围内大规模的产业转移为中国集成电路产业承接转移扩大产业规模提供了良好的机遇，产业分工的不断细化也为我国集成电路产业切入全球产业价值链提供了契机。同时，中国集成电路产业的空间布局也正发生新势，产业的区域分布将趋于集聚，企业的区域投资则逐渐分散; 集成电路设计业向东部的智力密集区域汇聚，制造业和封装测试业向西部的低成本地区转移。全球半导体产业格局的重组将使中国实力渐强的集成电路企业走向世界，进行全球范围内的战略布局的变化，呈现有聚有分，东进西移的演变趋。
[2]应用市场需求的扩张带来新动力
集成电路产业发展已呈现出技术推动和市场驱动共同作用的特征。未来几年3C 领域仍然是中国集成电路产品的重要应用领域，产业和市场需求的多元化将为集成电路产业发展带来广阔的空间，集成电路产业将进入新一轮的快速成长期。未来集成电路多元化的特色工艺和混合工艺技术的发展，将成为我国集成电路产业跨越式发展的重要契机。
[3]产业政策与专项扶持创造新机遇
近年来，政府不断加强对集成电路产业的政策支持与宏观管理，配套的产业政策为产业发展提供了保障，科技重大专项的顺利实施为产业发展注入了动力。在国家政策和科技重大专项的支持下，中国集成电路产业和技术创新能力均取得了长足进步产品设计核心技术取得了很大突破，一批高端产品进入市场，核心 IP 的积累不断加深;一系列高端半导体设备和材料产品完成研发开始进入市场，一批高密度封装工艺进入量产，三维集成封装技术研发取得突破这一系列进展标志着我国集成电路产业链培育迈上了新的台阶，围绕全产业链布局的产学研创新链初步形成，为实现从“追赶战略”向“创新超越战略”转变提供了新的契机。
5 总结与建议
英特尔公司CEO 保罗.欧德宁曾经说过，拿出好的想法解决问题就是创新本质，不一定所有创新都是技术上的。产业发展模式的创新也是重要的创新之一。当前产业界关于我国集成电路产业的发展模式的讨论已经成为持久不衰的话题，且争议不断。因此客观环境决定着发展模式，任何发展模式的选择都是与本地资源密切相关的，不可能脱离产业客观环境来谈
论发展模式的优劣。产业的发展模式并不是一成不变的依据产业不同发展阶段、不同地域特点，可以选择不同的、多元化的产业发展模式。发展模式的本质是顺应本地域产业的内在要求，凝聚若干展业影响因素，进而形成国家或地域的特色发展模式。
参考文献
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集成电路设计小论文
电子学与集成电路设计小论文 论文题目：半导体制造工艺综述 学院： 专业： 学号： 姓名： 指导教师： 二〇一三年五月十五日 摘要 典型的集成电路硅片制造工艺可能要花费六到八周的时间，包括350或者更
多步骤来完成所有的制造工艺。这种工艺的复杂性是无以复加的。大多数半导体流程都发生在硅片顶层的几微米以内。这一有源区对应于工艺流程的顶层工艺。所有硅上方的材料都是互联芯片上各个器件所需的分层结构的一部分。为了增加多层金属及绝缘层，工艺流程要求在不同工艺步骤中循环。集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。 关键词：集成电路、工艺、硅片
一、简述 大多数半导体流程都发生在硅片顶层的几微米以内。这一有源区对应于工艺流程的高端工艺。所有硅上方的材料都是互连芯片上各个器件所需的分层结构的一部分。为了增加多层金属及绝缘层，工艺流程要求硅片在不同的工艺步骤中循环。了解了工艺流程，就会认识到要制造一块高性能微芯片，只需要多次运用有限的几种工艺。 集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作（layer）、刻印（pattern）、刻蚀和掺杂。基本流程如图1所示。即使制造单个MOS管也不例外。由于CMOS技术在工艺家族中最具有代表性，我们以它为例介绍硅片制造流程。 图1 CMOS工艺流程中的主要制造步骤 二、COMS制作工艺流程 1，双阱工艺 在一般的CMOS流程中，第一步往往是定义MOSFET的有源区，现在的亚0.25um的工艺通常采用双阱工艺（也称双管）来定义nMOS和pMOS晶体管的有源区。通常采用倒掺杂技术来优化晶体管的电学特性，这一技术采用高能量、
【毕业论文选题】半导体专业集成电路设计论文题目有哪些
半导体专业集成电路设计论文题目有哪些 经过20多年的发展无制造半导体产业快速发展，成为令世界瞩目的一支新兴力量。那么对于半导体专业中集成电路设计论文题目又有哪些呢？请看最新整理。 半导体专业集成电路设计论文题目一： 1、基于遗传算法的模拟集成电路优化设计 2、一种关于PCB铜板表面缺陷检测的AOI设计 3、基于3D打印的高导电石墨烯基柔性电路的构建与性能研究 4、CMOS太赫兹探测器的优化设计研究 5、石墨烯基喷墨打印墨水及其柔性电路的制备研究 6、基于工艺偏差的带隙基准电压源设计 7、基于CMOS工艺的太赫兹成像芯片研究 8、PCB元器件定位与识别技术研究 9、基于机器视觉的PCB缺陷自动检测系统 10、纳米银导电墨水的制备及室温打印性能研究 1
11、高散热印制电路材料与互连的构建研究 12、基于CMOS工艺的射频毫米波锁相环集成电路关键技术研究 13、高速高密度PCB信号完整性与电源完整性研究 14、温度冲击条件下PCB无铅焊点可靠性研究 15、多层PCB过孔转换结构的信号完整性分析 16、基于近场扫描的高速电路电磁辐射建模研究 17、铜/树脂界面结合力的研究及其在印制线路板制造中的应用 18、基于HFSS的高速PCB信号完整性研究 19、基于CMOS工艺的全芯片ESD设计 20、高速板级电路及硅通孔三维封装集成的电磁特性研究 21、CMOS电荷泵锁相环的分析与设计 22、CMOS射频接收集成电路关键技术研究与设计实现 23、PCB铜表面的抗氧化处理方法 24、高速电路PCB的信号完整性和电源完整性仿真分析 25、面向PCB焊点检测的关键技术研究 26、CMOS工艺静电保护电路与器件的特性分析和优化设计 27、PCB光学特性对PCB光电外观检查机性能的影响机理 28、印制电路板表面涂覆层与刚挠分层的失效分析研究 29、贴片机同步带传动XY平台的伺服控制系统设计 30、HDMI视频接口电路信号完整性设计 31、嵌入挠性线路印制电路板工艺技术研究及应用 32、基于MIPI协议的LCD驱动接口数字集成电路设计 33、HDI印制电路板精细线路及埋孔制作关键技术与应用 34、辐照环境中通信数字集成电路软错误预测建模研究 35、PCI-E总线高速数据采集卡的研制 36、数字电路功耗分析及优化的研究 2
模拟集成电路设计期末试卷
《模拟集成电路设计原理》期末考试 一．填空题（每空1分，共14分） 1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_ 较低__的制造成本。 2、放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来 表示电压转换电流的能力。 3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。 4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。 5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。 6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输 出的改变。 7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制 沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。 8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。 9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C in为__ C F（1－A）__。 10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。 二．名词解释（每题3分，共15分） 1、阱 解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。 2、亚阈值导电效应 解：实际上，V GS=V TH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当V GS 集成电路设计基础 2010-11年第一学期试题 一、填空题（20分） 1、目前，国内已引进了12英寸0.09um 芯片生产线，由此工艺线生产出来的集成 电路特征尺寸是0.009um （大 小），指的是右图中的W （字 母）。 2、CMOS工艺可分为p阱、n阱、双阱 三种。 在CMOS工艺中，N阱里形成的晶体管是p （PMOS，NMOS）。 3、通常情况下，在IC中各晶体管之间是由场氧来隔离的；该区域的形成用到的制造工艺是氧化工艺。 4.集成电路制造过程中，把掩膜上的图形转换成晶圆上器件结构一道工序是指光 刻，包括晶圆涂光刻胶、曝光、显影、烘干四个步骤； 其中曝光方式包括①接触式、②非接触式两种。 5、阈值电压V T是指将栅极下面的si表面从P型Si变成N型Si所必要的电压，根据阈值电压的不同，常把MOS区间分成耗尽型、增强型两种。降低V T 的措施包括：降低杂质浓度、增大Cox 两种。 二、名词解释（每词4分，共20分） ①多项目晶圆（MPW） ②摩尔定律 ③掩膜 ④光刻 ⑤外延 三、说明（每题5分共10分） ①说明版图与电路图的关系。 ②说明设计规则与工艺制造的关系。 四、简答与分析题（10分） 1、数字集成电路设计划分为三个综合阶段，高级综合,逻辑综合,物理综合；解释这 三个综合阶段的任务是什么？ 2、分析MOSFET尺寸能够缩小的原因。 五、综合题（共4小题，40分） 1、在版图的几何设计规则中，主要包括各层的最小宽度、层与层之间的最小间距、各 层之间的最小交叠。把下图中描述的与多晶硅层描述的有关规则进行分类： （2）属于层与层之间的最小间距的是: （3）属于各层之间的最小交叠是： 2．请提取出下图所代表的电路原理图。画出用MOSFET构成的电路。 集成电路的过去、现在和未来 摘要:本文简要介绍了集成电路的发展历史、发展现状和发展前景。着重介绍了集成电路技术在一些领域的应用和我国集成电路产业的现状和发展。 关键词：集成电路技术应用电子信息技术 一、发展历史 集成电路的发明和应用是人类20世纪科技发展史上一颗最为璀璨的明珠。50多年来，集成电路不仅给经济繁荣、社会进步和国家安全等方面带来了巨大成功，而且改变了人们的生产、生活和思维方式。当前集成电路已是无处不有、无时不在。她已经成为人类文明不可缺乏的重要内容。 1949年12月23日，美国贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿三人研究小组发现了晶体管效应，并在此基础上制出了世界上第一枚锗点接触晶体管，从此开创了人类大规模利用半导体的新时代。两年后肖克莱首次提出了晶体管理论。1953年出现了锗合金晶体管，1955年又出现了扩散基区锗合金晶体管。1957年美国仙童公司利用硅晶片上热生长二氧化硅工艺制造出世界上第一只硅平面晶体管。从此，硅成为人类利用半导体材料的主要角色。1958年美国德州仪器公司青年工程师基尔比制作出世界上第一块集成电路。1960年初美国仙童公司的诺依思制造出第一块实用化的集成电路芯片。集成电路的发明为人类开创了微电子时代的新纪元。在此后的五十多年里，集成电路技术发展迅速，至今，半导体领域中获得过诺贝尔物理奖的发明创造已有5项。晶体管由于其广泛的用途而被 迅速投入工业生产，“硅谷”成为世界集成电路的策源地，并由此向世界多个国家和地区辐射：上世纪60年代向西欧辐射，70年代向日本转移，80年代又向韩国、我国台湾和新加坡转移。至上世纪90年代，集成电路产业已成为一个高度国际化的产业。 发展现状 简介 集成电路具有多种特点，如其体积小、质量轻、功能齐全、可靠性高、安装方便、频率特性好、专用性强以及元器件的性能参数比较一致，对称性好。目前最先进的集成电路是微处理器或多核处理器的“核心”，可以控制电脑、手机到数字微波炉的一切。当前全球生产技术水平最高的集成电路项目是三星电子高端存储器芯片项目，其预备生产目前世界上最先进的10纳米级闪存芯片。集成电路的设计是集成电路三大产业支柱之一，目前相对主流的设计技术有IP核技术、可重构芯片技术、适应计算设计技术以及结构化设计技术等。IP核技术是目前主流的设计技术，ARM公司以专业设计IP核在CPU领域占据重要地位，成为了全球性RISC微处理器标准的缔造者。三大产业支柱之一的封装技术也在快速发展，目前有发展前景的是DCA技术和三维封装技术。同时，集成电路中单片系统集成芯片的特征尺寸在不断缩小，芯片的集成度在逐渐提升，工作电压在逐渐降低。 2、国内产业现状 中国集成电路发展势头迅速。2000年《国务院关于印发鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》发布以来，中国集成电路市场和产业规模都实现了快速增长。市场规模方面，2014年中国集成电路市场规模首次突破万亿级大关，达到10393亿元，同比增长13.4%，约占全球市场份额的50%。产业规模方面，2014年中国集成电路产业销售额为3015.4亿元，2001-2014年年均增长率达到23.8%。2014年12月5日，联发科与晶圆代工厂商华力电子共同宣布双方将在28纳米工艺技术和晶圆制造服务方面紧密合作，受到业界极大关注。2015年7月，我国科技重大专项“40-28纳米集成电路制造用300毫米硅片”在上海产业区启动，旨在解决我国集成电路行业300毫米硅片完全依赖进口的局面。 毕业设计（论文）集成电路封装与测试 摘要 IC封装是一个富于挑战、引人入胜的领域。它是集成电路芯片生产完成后不可缺少的一道工序，是器件到系统的桥梁。封装这一生产环节对微电子产品的质量和竞争力都有极大的影响。按目前国际上流行的看法认为，在微电子器件的总体成本中，设计占了三分之一，芯片生产占了三分之一，而封装和测试也占了三分之一，真可谓三分天下有其一。封装研究在全球范围的发展是如此迅猛，而它所面临的挑战和机遇也是自电子产品问世以来所从未遇到过的；封装所涉及的问题之多之广，也是其它许多领域中少见的，它需要从材料到工艺、从无机到聚合物、从大型生产设备到计算力学等等许许多多似乎毫不关连的专家的协同努力，是一门综合性非常强的新型高科技学科。 媒介传输与检测是CPU封装中一个重要环节，检测CPU物理性能的好坏，直接影响到产品的质量。本文简单介绍了工艺流程，机器的构造及其常见问题。 关键词：封装媒介传输与检测工艺流程机器构造常见问题 Abstract IC packaging is a challenging and attractive field. It is the integrated circuit chip production after the completion of an indispensable process to work together is a bridge device to the system. Packaging of the production of microelectronic products, quality and competitiveness have a great impact. Under the current popular view of the international community believe that the overall cost of microelectronic devices, the design of a third, accounting for one third of chip production, packaging and testing and also accounted for a third, it is There are one-third of the world. Packaging research at the global level of development is so rapid, and it faces the challenges and opportunities since the advent of electronic products has never been encountered before; package the issues involved as many as broad, but also in many other fields rare, it needs to process from the material, from inorganic to polymers, from the calculation of large-scale production equipment and so many seem to have no mechanical connection of the concerted efforts of the experts is a very strong comprehensive new high-tech subjects . Media transmission and detection CPU package is an important part of testing the physical properties of the mixed CPU, a direct impact on product quality. This paper describes a simple process, the structure of the machine and its common problems. Keyword: Packaging Media transmission and detection Technology process Construction machinery Frequently Asked Questions 专升本CMOS模拟集成电路分析与设计试卷答案 专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》 一、（共75题,共150分） 1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分） A.12 B.18 C.20 D.24 .标准答案：B 2. MOS 管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。（2分） A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 .标准答案：C 3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。（2分） A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区 .标准答案：D 4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。（2分） A.夹断 B.反型 C.导电 D.耗尽 .标准答案：A 5. （）表征了MOS器件的灵敏度。（2分） A. B. C. D. .标准答案：C 6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。（2分） A. B. C. D. .标准答案：B 7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。（2分） A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值 B.负载不匹配 C.输入MOS不匹配 D.电路制造中的误差 .标准答案：C 8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。（2分） A.二极管负载差分放大器 B.电流源负载差分放大器 C.有源电流镜差分放大器 D.Cascode负载Casocde差分放大器 .标准答案：C 9. 镜像电流源一般要求相同的（）。（2分） A.制造工艺 B.器件宽长比 C.器件宽度W D.器件长度L .标准答案：D 10. 某一恒流源电流镜如图所示。忽略M3的体效应。要使和严格相等，应 取为（）。（2分） A. B. C. D. .标准答案：A 11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。（2分） A.共源级放大器 B.源级跟随器 C.共栅级放大器 D.共源共栅级放大器 .标准答案：A 集成电路设计实习Integrated Circuits Design Labs I t t d Ci it D i L b 单元实验三（第二次课） 模拟电路单元实验－差分放大器版图设计 2007-2008 Institute of Microelectronics Peking University 实验内容、实验目的、时间安排 z实验内容： z完成差分放大器的版图 z完成验证：DRC、LVS、后仿真 z目的： z掌握模拟集成电路单元模块的版图设计方法 z时间安排： z一次课完成差分放大器的版图与验证 Institute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page1 实验步骤 1.完成上节课设计放大器对应的版图 对版图进行、检查 2.DRC LVS 3.创建后仿真电路 44.后仿真（进度慢的同学可只选做部分分析） z DC分析：直流功耗等 z AC分析：增益、GBW、PM z Tran分析：建立时间、瞬态功耗等 Institute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page2 Display Option z Layout->Options ->Display z请按左图操作 Institute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page3 由Schematic创建Layout z Schematic->Tools->Design Synthesis->Layout XL->弹出窗口 ->Create New->OK >选择Create New>OK z Virtuoso XL->Design->Gen From Source->弹出窗口 z选择所有Pin z设置Pin的Layer z Update Institute of Microelectronics, Peking University集成电路设计实习－单元实验三Page4 集成电路自动测试技术综述 陈华成0812002193 电087 摘要：随着经济发展和技术的进步，集成电路(Integrated Circuit，IC)产业取得了突飞猛进的发展。集成电路测试是集成电路产业链中的一个重要环节，是保证集成电路性能、质量的关键环节之一。集成电路测试是集成电路产业的一门支撑技术，而集成电路自动测试设备(Automatic Test Equipment，A TE)是实现集成电路测试必不可少的工具。 本文首先介绍了集成电路自动测试系统的国内外研究现状，接着介绍了数字集成电路的测试技术，包括逻辑功能测试技术和直流参数测试技术。逻辑功能测试技术介绍了测试向量的格式化作为输入激励和对输出结果的采样，最后讨论了集成电路测试面临的技术难题。 关键词：集成电路；测试技术；IC 1 引言 随着经济的发展，人们生活质量的提高，生活中遍布着各类电子消费产品。电脑﹑手机和mp3播放器等电子产品和人们的生活息息相关，这些都为集成电路产业的发展带来了巨大的市场空间。2007年世界半导体营业额高达2.740亿美元，2008世界半导体产业营业额增至2.850亿美元，专家预测今后的几年随着消费的增长，对集成电路的需求必然强劲。因此，世界集成电路产业正在处于高速发展的阶段。 集成电路产业是衡量一个国家综合实力的重要重要指标。而这个庞大的产业主要由集成电路的设计、芯片、封装和测试构成。在这个集成电路生产的整个过程中，集成电路测试是惟一一个贯穿集成电路生产和应用全过程的产业。如：集成电路设计原型的验证测试、晶圆片测试、封装成品测试，只有通过了全部测试合格的集成电路才可能作为合格产品出厂，测试是保证产品质量的重要环节。 集成电路测试是伴随着集成电路的发展而发展的，它为集成电路的进步做出了巨大贡献。我国的集成电路自动测试系统起步较晚，虽有一定的发展，但与国外的同类产品相比技术水平上还有很大的差距，特别是在一些关键技术上难以实现突破。国内使用的高端大型自动测试系统，几乎是被国外产品垄断。市场上各种型号国产集成电路测试，中小规模占到80%。大规模集成电路测试系统由于稳定性、实用性、价格等因素导致没有实用化。大规模/超大规模集成电路测试系统主要依靠进口满足国内的科研、生产与应用测试，我国急需自主创新的大规模集成电路测试技术，因此，本文对集成电路测试技术进行了总结和分析。 2 集成电路测试的必要性 随着集成电路应用领域扩大，大量用于各种整机系统中。在系统中集成电路往往作为关键器件使用，其质量和性能的好坏直接影响到了系统稳定性和可靠性。 如何检测故障剔除次品是芯片生产厂商不得不面对的一个问题，良好的测试流程，可以使不良品在投放市场之前就已经被淘汰，这对于提高产品质量，建立生产销售的良性循环，树立企业的良好形象都是至关重要的。次品的损失成本可以在合格产品的售价里得到相应的 研究生课程开设申请表 开课院（系、所）：集成电路学院 课程申请开设类型：新开√重开□更名□（请在□内打勾，下同） 一、课程介绍（含教学目标、教学要求等）（300字以内） 本课程将向学生提供集成电路设计的理论与实例相结合的培养训练，讲述包括电路设计与仿真、版图设计和验证以及寄生参数提取的完整全定制集成电路设计流程以及CADENCE与IC制造厂商的工艺库配合等内容。通过系统的理论学习与上机实践，学生可掌握集成电路设计流程以及各阶段所使用的工具，并能进行集成电路的设计工作。 掌握资料查询、文献检索及运用现代信息技术获取相关信息的基本方法；培养学生具有一定的设计，归纳、整理、分析设计结果，撰写论文，参与学术交流的能力。 指导学生学会如何利用现代的EDA工具设计集成电路，培养学生的工程设计意识，启发学生的创新思想。 全面了解集成电路设计、制造、封装、测试的完整芯片制成技术，提高综合运用微电子技术知识的能力和实践能力。 二、教学大纲（含章节目录）：（可附页） 第一章cadence集成电路设计软件介绍 第二章偏置电路设计 第三章基本运放和高性能运放 第四章比较器、振荡器设计 第五章电源系统设计（LDO与DC-DC） 三、教学周历 四、主讲教师简介： 常昌远，男，1961年10月出生，2000年东南大学微电子专业博士毕业，现为东南大学副教授，硕士研究生导师。长期从事微电子和自动控制领域内的教学、科研和指导研究生工作。参加过国家自然科学基金重点项目的研究、并主持与IC设计企业合作的多项横向研究课题。近年来主要从事显示控制芯片和电源管理芯片DC-DC、LDO等产品的开发，在CMOS数字集成电路、模拟集成电路的分析、设计与研发、系统的建模和稳定性设计等方面积累了较丰富的实际工作经验。教学方面，主讲包括与研究方向有关的“半导体功率器件”，“自动控制原理”，CMOS模拟集成电路设计等课程。已在国内核心刊物上发表学术论文20余篇，获国家专利1项。目前在东南大学IC学院负责集成电路设计与MPW项目建 集成电路设计 实验报告 时间：2011年12月 实验一原理图设计 一、实验目的 1.学会使用Unix操作系统 2.学会使用CADENCE的SCHEMA TIC COMPOSOR软件 二：实验内容 使用schematic软件，设计出D触发器，设置好参数。 二、实验步骤 1、在桌面上点击Xstart图标 2、在User name：一栏中填入用户名，在Host：中填入IP地址，在Password：一栏中填入 用户密码，在protocol：中选择telnet类型 3、点击菜单上的Run！，即可进入该用户unix界面 4、系统中用户名为“test9”，密码为test123456 5、在命令行中（提示符后，如：test22>）键入以下命令 icfb&↙(回车键)，其中& 表示后台工作，调出Cadence软件。 出现的主窗口所示： 6、建立库(library)：窗口分Library和Technology File两部分。Library部分有Name和Directory 两项，分别输入要建立的Library的名称和路径。如果只建立进行SPICE模拟的线路图，Technology部分选择Don’t need a techfile选项。如果在库中要创立掩模版或其它的物理数据（即要建立除了schematic外的一些view），则须选择Compile a new techfile(建立新的techfile)或Attach to an existing techfile(使用原有的techfile)。 7、建立单元文件(cell)：在Library Name中选择存放新文件的库，在Cell Name中输 入名称，然后在Tool选项中选择Composer-Schematic工具(进行SPICE模拟)，在View Name中就会自动填上相应的View Name—schematic。当然在Tool工具中还有很多别的 2017年数字IC类笔试面试试题 威盛logic design engineer考题 1。一个二路选 择器，构成一个4路选择器，满足真值表要求、 2。已知A,B,C三个信号的波形，构造一个逻辑结构，使得从AB可以得到C，并且说明如何避免毛刺 3。一段英文对信号波形的描述，理解后画出波形，并采用verilog 实现。 4。169.6875转化成2进制和16进制 5。阐述中断的概念，有多少种中断，为什么要有中断，举例 6。这道比较搞，iq题，5名车手开5种颜色的车跑出了5个耗油量（milespergallon)，然后就说什么颜色的车比什么车手的耗油量多什么的，判断人，车，好油量的排序ft致死，看了一堆FSM和数字电路没啥用，结果基本的冬冬把自己搞死了。 不过mixedsignal里的数字部分到是很全的考察了数字的冬冬（转）几道威盛电子的FPGA工程师试题 7、解释setup和hold time violation,画图说明,并说明解决办法. 17、给出某个一般时序电路的图,有Tsetup,Tdelay,Tck->q,还有clock 的delay,写出决定最大时钟的因素,同时给出表达式. 18、说说静态、动态时序模拟的优缺点. 19、一个四级的Mux,其中第二级信号为关键信号如何改善timing 22、卡诺图写出逻辑表达使. 23、化简F(A,B,C,D)=m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和 28Please draw the transistor level schematic of a cmos2input AND gate andexplain which input has faster response for output rising edge.(less del aytime). 30、画出CMOS的图,画出tow-to-one mux gate. 45、用逻辑们画出D触发器46、画出DFF的结构图,用verilog实现之. 68、一个状态机的题目用verilog实现73、画出可以检测10010串的状态图,并verilog实现之. 80、 Please draw schematic of a common SRAM cell with6transistors,point o utwhich nodes can store data and which node is word line control?(威盛笔试circuit design)（转） VIA数字IC笔试试题 1。解释setup和hold time violation，画图说明，并说明解决办法。 模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生 ( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。 8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路 模拟集成电路 模拟集成电路设计与应用综述 系、部：计电系11级供用电技术二班 学生姓名：季丽丽 指导教师：徐晓莹 专业：电路基础 班级：11级供用电技术二班 完成时间：2012、06、25 模拟集成电路设计与应用综述 摘要 近年来，随着集成电路工艺技术的进步，整个电子系统可以集成在一个芯片上。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。随着信息技术及其产业的迅速发展，当今社会进入到了一个崭新的信息化时代。微电子技术是信息技术的核心技术，模拟集成电路又是微电子技术的核心技术之一，因而模拟集成电路成为信息时代的重要技术领域。已广泛应用于信号放大、频率变换、模拟运算、计算机接口、自动控制、卫星通信等领域。 关键词：模拟集成电路；微电子技术；信号放大；频率变换 引言 集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块 或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，这样，整个电路的体积大大缩小，且引出线和焊接点的数目也大为减少，从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。 集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性 能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也 得到广泛的应用。 集成电路按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。 集成电路卓越计划实验班本科培养计划Undergraduate Experimental Program in IC Design and Integrated System 一、培养目标 Ⅰ．Program Objectives 培养具备坚实的集成电路与集成系统专业理论基础、工程实践能力和相关创业能力，创新意识、创业素质和综合能力强，具备多学科视野和国际竞争力的光电领域研究型高端工程技术人才。毕业生能在集成电路产业部门、研究院所、高等院校及其相关领域创造性地从事集成电路工程相关的研究、开发和管理等工作。 Aiming at preparing all-rounded, high-quality talents with international competence, this program will enable students to be solidly grounded in basic theory, wide-ranged in specialized knowledge, capable of practical work and particularly specialized in Integrated Circuit theories, methods and EDA tools, Integrated System and Information Processing. Our graduates will be capable of research, design and management in IC-related industrial sectors, research centers and colleges etc. 二、基本规格要求 Ⅱ．Learning Outcomes 毕业生应获得以下几个方面的知识和能力: 1．扎实的数理基础； 2．熟练掌握微电子学与固体电子学、半导体集成电路及嵌入式系统的基本理论和方法； 3．分析解决本学科领域内工程技术问题的能力； 4．了解本学科重大工程技术的发展动态和前沿； 5．外语应用能力强； 6．出色的文献检索、资料综述和撰写科技论文的能力； 7．较好的创业素质，较强的项目协调、组织能力； ·122· 西安邮电学院电子工程学院 本科集成电路设计与集成系统专业培养方案 学科：工学---电气信息专业：集成电路设计与集成系统（Engineering---Electric Information）（Integrated Circuit Design & Integrated System）专业代码：080615w 授予学位：工学学士 一、专业培养指导思想 遵循党和国家的教育方针，体现“两化融合”的时代精神，把握高等教育教学改革发展的规律与趋势，树立现代教育思想与观念，结合社会需求和学校实际，按照“打好基础、加强实践，拓宽专业、优化课程、提高能力”的原则，适应社会主义现代化建设和信息领域发展需要，德、智、体、美全面发展，具有良好的道德修养、科学文化素质、创新精神、敬业精神、社会责任感以及坚实的数理基础、外语能力和电子技术应用能力，系统地掌握专业领域的基本理论和基本知识，受到严格的科学实验训练和科学研究训练，能够在集成电路设计与集成系统领域，特别是通信专用集成电路与系统领域从事科学研究、产品开发、教学和管理等方面工作的高素质应用型人才。 二、专业培养目标 本专业学生的知识、能力、素质主要有：①较宽厚的自然科学理论基础知识、电路与系统的学科专业知识、必要的人文社会学科知识和良好的外语基础；②较强的集成电路设计和技术创新能力，具有通信、计算机、信号处理等相关学科领域的系统知识及其综合运用知识解决问题的能力；③较强的科学研究和工程实践能力，总结实践经验发现新知识的能力，掌握电子设计自动化（EDA）工具的应用；④掌握资料查询的基本方法和撰写科学论文的能力，了解本专业领域的理论前沿和发展动态；⑤良好的与人沟通和交流的能力，协同工作与组织能力；⑥良好的思想道德修养、职业素养、身心素质。毕业学生能够从事通信集成电路设计与集成系统的设计、开发、应用、教学和管理工作，成为具有奉献精神、创新意识和实践能力的高级应用型人才。 三、学制与学分 学制四年，毕业生应修最低学分198学分，其中必修课110学分，限选课36学分，任选课10学分，集中实践环节34学分，课外科技与实践活动8学分。 1． MOSFET 跨导g m 是如何定义的。在不考虑沟道长度调制时，写出MOSFET 在饱和区的g m 与 V GS ?V TH 、√D 和1V GS ?V TH 的关系表示式。画出它们各自的变化曲线。 2． MOSFET 的跨导g m 是如何定义的。在考虑沟道长度调制时，写出MOSFET 在饱和区的g m 与 V GS ?V TH 、√D 和1 V GS ?V TH 的关系表示式。画出它们各自的变化曲线。 3． 画出考虑体效应和沟道长度调制效应后的MOSFET 小信号等效电路。写出r o 和g mb 的定 义，并由此定义推出r o 和g mb 表示式。 4． 画出由NMOS 和PMOS 二极管作负载的MOSFET 共源级电路图。对其中NMOS 二极管负载共 源级电路，推出忽略沟道长度调制效应后的增益表示式，分析说明器件尺寸和偏置电流对增益的影响。对PMOS 二极管负载的共源级电路，对其增益表示式作出与上同样的分析。 5． 画出MOS 共源共栅级电路的电路图和其对应的小信号等效电路图。并推出此共源共栅 级电路的电压增益和输出电阻表示式。 6． 画出带源极负反馈电阻的以电阻作负载的MOS 共源级电路的电路图和其对应的小信号 等效电路图。写出此电路的等效跨导定义式，并由此推出在不考虑沟道长度调制和体效应情况下的小信号电压增益表示式。画出其漏电流和跨导随V in 的变化曲线图。 7． 画出带源极负反馈电阻的以电阻作负载的MOS 共源级电路的电路图和其对应的小信号 等效电路图。写出此电路的等效跨导定义式，并由此推出考虑沟道长度调制和体效应情 况下的小信号电压增益表示式。画出其漏电流和跨导随V in 的变化曲线图。 8． 画出以二极管连接的MOS 为负载的差动对和以电流源为负载的差动对的电路图。并求 出这两种电路的小信号增益。 9．下图给出一个电阻负载共源级放大器的高频模型。画出其小信号等效电路。并由此等效 电路推出其传输函数。就此传输函数，简要说明电路的零极点分布情况。 10．对如下图所示的共源级电路，画出其含有噪声的电路模型。并根据此模型图写出其输出 噪声电压V n ，out 2?????????和输入噪声电压V n ，in 2????????。 11．下图是一个电路系统的环路增益波特图，由图分析此系统的极点和零点情况。指出系统的稳定性，写出系统的开环和闭环传输函数，并由此求出闭环系统的极点公式来。 离子注入掺杂对ZnO薄膜性能的影响The influence of ion implantation on the ZnO thin film 姓名:郝秀秀 西安电子科技大学 摘要 氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带(室温下Eg--3．37eV)直接带隙半导体材料。离子注入是将具有高功能的掺杂离子引入到半导体中的一种工艺．其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型. 本论文是利用离子注入技术进行掺杂和热退火处理ZnO薄膜改性。利用溶胶凝胶方法在石英玻璃衬底上制备了ZnO薄膜，将能量56 keV、剂量1×10"cm-2的Zn离子注入到薄膜中。离子注入后，薄膜在500～900℃的氩气中退火，利用X射线衍射谱、光致发光谱和光吸收谱研究了离子注入和退火对ZnO薄膜结构和光学性质的影响。 结果显示：衍射峰在约700℃退火后得到恢复；当退火温度小于600℃时，吸收边随着退火温度的提高发生蓝移，超过600℃时，吸收边随着退火温度的提高发生红移。 关键词：ZnO薄膜；离子注入；退火温度；吸收；光致发光。 ABSTRACT Zinc oxide (ZnO) is a kind of important wide forbidden band (Eg at room temperature-3.37 eV) direct bandgap semiconductor materials. Ion implantation iswill have high function into thedopingisemiconductor process. The aim is to change the charge carriers concentration and semiconductor conductive type. The present paper is using ion implantation technology and thermal annealing processing doped ZnO thin film modification. Using sol-gel method in quartz glass substrates gel preparation ZnO films, the energy 56 keV, dose 1 X 10 "cm-2 of Zn ion implantation to film. Ion implantation, film in 500 ~ 900 ℃ in the argon annealing, X-ray diffraction spectrum, the light spectrum and light absorption spectrum to send the ion implantation and annealing ZnO thin film on the influence of the structure and optical properties. The results showed that: about 700 ℃ in the diffraction peak after annealing集成电路设计基础_期末考试题
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