Thyristor半导体放电管DO-15封装系列
Description of Part Number
P thyristor for circuit protection
Part Number P 310 0 L B Code ① ② ③ ④ ⑤
Main Suffix
① PRODUCT TYPE
Product type
P
TYPE
② MEDIAN VOLTAGE RATING
Code Median voltage rating
310 310 V
③ CONSTRUCTION VARIABLE
Code Product shape
0 One chip 1 Unidirectional part 2 Two chips 3 Three chips
④ PACKAGE TYPE
Code PACKAGE TYPE
E TO–92
M D O -27 S S M B/DO–214AA R S M A/DO-214AC
L DO-15
⑤ IPP RATING
Code IPP RATING
B 250 A (8x 20 μs)
C 400 A (8x 20 μs)
D 1000 A (8x20 μs)
A 150 A (8x20 μs) Applications
When protecting telecommunication circuits, P devices are connected across Tip and Ring for metallic protection and across Tip and Ground and Ring and Ground for longitudinal protection. They typically are placed behind some type of current-limiting device. Common applications include: ? Central office line cards (SLICs)
? T-1/E-1, ISDN, and xDSL transmission equipment
? Customer Premises Equipment (CPE) such as phones, modems, and caller ID adjunct boxes ? PBXs, KSUs, and other switches
? Primary protection including main distribution frames, five-pin modules, building entrance equipment, and station protection modules
? Data lines and security systems ? CATV line amplifiers and power inserters ? Sprinkler systems
Thyristor/DO-15 Ser ies
REV.2014.05.01 01 | spsemi
P Device （ series ）
DO-15P solid state protection devices protect telecommunications equipment such as modems, line cards, fax machines, and other CPE.
P devices are used to enable equipment to meet various regulatory requirements including
GR 1089, ITU K.20, K.21 and K.45, IEC 60950, UL 60950, and TIA-968 (formerly known as FCC Part 68).
Electrical Parameters
Part Number *V DRM Volts V S Volts V T Volts I DRM μAmps IS mAmps I T
Amps **I H
mAmps
C O pF
P0080L_ 6 25 4 5800 2.2
50 50-125
P0300L_25 40 4 5 800 2.2 150 70-175P0640L_58 77 4 5 800 2.2150 55-140P0720L_65 88 4 5 800 2.2150 55-140P0900L_75 98 4 5 800 2.2150 55-140P2300L_190260 4 5 800 2.2150 45-115P2600L_220300 4 5 800 2.2150 40-100 P3100L_275350 4 5 800 2.2150 35-90P3500L_
320
400
4
5
800
2.2
150 30-75
Surge Ratings
Series
I PP
2x10 μs Amps
I PP
8x20 μs Amps
I PP
10x160 μs Amps
I PP
10x560 μs Amps
I PP
10x1000 μs
Amps
I TSM 60 Hz Amps
di/dt Amps/μs
A 15015090 50 45 20 500
B 250 250 150 100 8030500
C 500 400 200 150 ********
Thermal Considerations
Package DO-15
Symbol
Parameter
Value
Unit
T J Operating Junction
Temperature -40 to +150°C T S Storage
Temperature Range
-65 to +150
°C R B J A
Thermal Resistance:
Junction to Ambient
90
°C/W
DO-204AC (DO-15)
*For i ndivi dual “L A”,“L B”
,and “L C”surge ratings,see table below Thyristor/DO-15 Ser ies
REV.2014.05.01 02 | spsemi
The Basic Characteristic of the P
The principle introduction
Operation
In the standby mode, P devices exhibit a high off-state impedance, eliminating excessive leakage currents and appearing transparent to the circuits they protect. Upon application of a voltage exceeding the switching voltage (V S ), P devices crowbar and simulate a short circuit condition until the current flowing through the device is either interrupted or drops below the P device’s holding current (I H ). Once this occurs, P devices
reset and return to their high off-state impedance.
Figure1 V-I Characteristics
Figure2 tr x td Pulse Wave-form
Figure3
Normalized V S Change versus Junction Temperature
Figure4
Normalized DC Holding Current
Thyristor/DO-15 Ser ies
REV.2014.05.01 03 | spsemi
SMA半导体放电管规格书
PXXXXAA SERIES Over-voltage Protection Thyristor HIGHFAR PxxxxAA Series Do-214AC are designed to protect baseband equipment such as modems,line cards,CPE and DSL from damaging overvoltage transients. The series provides a surface mount solution that enables equipment to comply with global regulatory standards.Features * Low voltage overshoot * Low on-state voltage * Does net degrade with use * Fails short citcuit when surged in excess of ratings * Low Capacitance Pinout Designation Schematic Symbol Dot Applicable Electrical Parameters Peak Off-state Voltage - maximum voltage that can be applied while Revosion:17-Oct-11 1/4 C O V PP I PP Parameter I DRM I S I T I H V S V T Definition Switching Voltage - maximum voltage prior to switching to on state On-state Voltage - maximum voltage measured at rated on-state current Leakage Current - maximum peak off-state current measured at V DRM V DRM maintaining off state Switching Current - maximum current required to switch to on state On-state Current - maximun rated continuous on-state current Holding Current - minimum current required to maintain on state Off-state Capacitance - typical capactiance measured in off state Peak Pulse Voltage - maximum rated peak impulse voltage Peak Pulse Current - maximum rated peak impulse current
气体放电管
放电管特性及选用 吴清海 放电管的分类 放电管主要分为气体放电管和半导体放电管，其中气体放电管由烧结的材料不同分为玻璃气体放电管和陶瓷气体放电管，玻璃气体放电管和陶瓷气体放电管具有相同的特性。 气体放电管主要有密封的惰性气体组成，由金属引线引出，用陶瓷或是玻璃进行烧结。其工作原理为，当加在气体放电管两端的电压达到气体电离电压时，气体放电管由非自持放电过度到自持放电，放电管呈低阻导通状态，可以瞬间通过较大的电流，气体放电管击穿后的维持电压可以低到30V以内。气体放电管同流量大，但动作电压较难控制。 半导体放电管由故态的四层可控硅结构组成，当浪涌电压超过半导体放电管的转折电压V BO时放电管开始动作，当放电管动作后在返送装置，的作用下放电管两端的电压维持在很低（约20V以下）时就可以维持其在低阻高通状态，起到吸收浪涌保护后级设备的作用。半导体放电管的保护机理和应用方式和气体放电管相同。半导体放电管动作电压控制精确，通流量较小。 放电管动作后只需要很低的电压即可维持其低阻状态，所以放电管属于开关型的SPD。当正常工作时放电管上的漏电流可忽略不计；击穿后的稳定残压低，保护效果较好；耐流能力较大；在使用中应注意放电管的续流作用遮断，在适当场合中应有有效的续流遮断装置。 气体放电管 气体放电管：气体放电管由封装在小玻璃管或陶瓷管中相隔一定距离的两个电极组成；其电气性能主要取决于气体压力，气体种类，电极距离和电极材料；一般密封在放电管中的气体为高纯度的惰性气体。放电管主要由：电极、陶瓷管(玻璃管)、导电带、电子粉、Ag-Cu 焊片和惰性气体组成。 在放电管的两电极上施加电压时，由于电场作用，管内初始电子在电场作用下加速运动，与气体分子发生碰撞，一旦电子达到一定能量时，它与气体分子碰撞时发生电离，即中性气体分子分离成电子和阳离子，电离出来的电子与初始电子在行进过程中还要不断地再次与气体分子碰撞发生电离，从而电子数按几何级数增加，即发生电子雪崩现象，另外，电离出来的阳离子也在电场作用下向阴极运动，与阴极表面发生碰撞，产生二次电子，二次电子也参加电离作用，一旦满足： r(ead-1)=1 时放电管由非自持放电过渡到自持放电，管内气体被击穿，放电管放电，此时放电电压称为击穿电压Vs。其中，r表示一个正离子轰击阴极表面而
气体放电管介绍及使用注意事项
气体放电管介绍及使用注意事项 气体放电管 气体放电管包括二极管和三极管，电压范围从75V—3500V，超过一百种规格，严格按照CITEL标准进行生产、监控和管理。放电管常用于多级保护电路中的第一级或前两级，起泄放雷电暂态过电流和限制过电压作用。 气体放电管包括贴片、二极管和三极管，电压范围从75V—3500V，超过一百种规格，严格按照CITEL标准进行生产、监控和管理。 放电管常用于多级保护电路中的第一级或前两级，起泄放雷电暂态过电流和限制过电压作用。 优点：绝缘电阻很大，寄生电容很小，浪涌防护能力强。 缺点：在于放电时延(即响应时间)较大，动作灵敏度不够理想，部分型号会出现续流现象，长时间续流会导致失效，对于波头上升陡度较大的雷电波难以有效地抑制。 结构简介 放电管的工作原理是气体放电。 当外加电压增大到超过气体的绝缘强度时，两极间的间隙将放电击穿，由原来的绝缘状态转化为导电状态，导通后放电管两极之间的电压维持在放电弧道所决定的残压水平。 五极放电管的主要部件和两极、三极放电管基本相同，有较好的放电对称性，可适用于多线路的保护。（常用于通信线路的保护） 注意事项 接地连线应当具有尽量短的长度 接地连线应具有足够的截面，以泄放暂态大电流。 放电管的失效模式 放电管受到机械碰撞，超耐受的暂态过电压多次冲击以及内部出现老化后，将发生故障。 故障的模式（即失效模式）有两种：
第一种是呈现低放电电压和低绝缘电阻状态；第二种是呈现高放电电压状态。 开路故障模式比短路故障模式具有更大的危害性： 开路故障模式令人难以及时察觉，从而不能采取补救措施。 现在的电源SPD产品中，带有失效报警装置，如声，光报警，颜色变化提示等，这些措施的采取对于及时发现和更换已经失效的SPD是有利的。 透明的容器(当然常见的是玻璃)中充有某种低压气体。在这气体中放电，会有特殊的现象。比如柔光，弧光，闪光。 导体中的游离电荷是电子承载的，电子是带负电的。当然要从阴极射出。 本文由深圳市瑞隆源电子有限公司提供，专业制造各种防雷器，避雷器，放电管，陶瓷气体放电管等。TEL=+86-755-82908296。
半导体封装技术向高端演进 (从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP)
半导体器件有许多封装形式，按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代先进。总体说来，半导体封装经历了三次重大革新：第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装，它极大地提高了印刷电路板上的组装密度；第二次是在上世纪90年代球型矩阵封装的出现，满足了市场对高引脚的需求，改善了半导体器件的性能；芯片级封装、系统封装等是现在第三次革新的产物，其目的就是将封装面积减到最小。 高级封装实现封装面积最小化 芯片级封装CSP。几年之前封装本体面积与芯片面积之比通常都是几倍到几十倍，但近几年来有些公司在BGA、TSOP的基础上加以改进而使得封装本体面积与芯片面积之比逐步减小到接近1的水平，所以就在原来的封装名称下冠以芯片级封装以用来区别以前的封装。就目前来看，人们对芯片级封装还没有一个统一的定义，有的公司将封装本体面积与芯片面积之比小于2的定为CSP，而有的公司将封装本体面积与芯片面积之比小于1.4或1.2的定为CSP。目前开发应用最为广泛的是FBGA和QFN等，主要用于内存和逻辑器件。就目前来看，CSP的引脚数还不可能太多，从几十到一百多。这种高密度、小巧、扁薄的封装非常适用于设计小巧的掌上型消费类电子装置。 CSP封装具有以下特点：解决了IC裸芯片不能进行交流参数测试和老化筛选的问题；封装面积缩小到BGA的1/4至1/10；延迟时间缩到极短；CSP封装的内存颗粒不仅可以通过PCB板散热，还可以从背
面散热，且散热效率良好。就封装形式而言，它属于已有封装形式的派生品，因此可直接按照现有封装形式分为四类：框架封装形式、硬质基板封装形式、软质基板封装形式和芯片级封装。 多芯片模块MCM。20世纪80年代初发源于美国，为解决单一芯片封装集成度低和功能不够完善的问题，把多个高集成度、高性能、高可靠性的芯片，在高密度多层互联基板上组成多种多样的电子模块系统，从而出现多芯片模块系统。它是把多块裸露的IC芯片安装在一块多层高密度互连衬底上，并组装在同一个封装中。它和CSP封装一样属于已有封装形式的派生品。 多芯片模块具有以下特点：封装密度更高，电性能更好，与等效的单芯片封装相比体积更小。如果采用传统的单个芯片封装的形式分别焊接在印刷电路板上，则芯片之间布线引起的信号传输延迟就显得非常严重，尤其是在高频电路中，而此封装最大的优点就是缩短芯片之间的布线长度，从而达到缩短延迟时间、易于实现模块高速化的目的。 WLCSP。此封装不同于传统的先切割晶圆，再组装测试的做法，而是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后再切割。它有着更明显的优势：首先是工艺大大优化，晶圆直接进入封装工序，而传统工艺在封装之前还要对晶圆进行切割、分类；所有集成电路一次封装，刻印工作直接在晶圆上进行，设备测试一次完成，有别于传统组装工艺；生产周期和成本大幅下降，芯片所需引脚数减少，提高了集成度；引脚产生的电磁干扰几乎被消除，采用此封装的内存可以支持到800MHz的频
半导体器件参数(精)
《党政领导干部选拔任用工作条例》知识测试题（二） 姓名：单位： 职务：得分： 一、填空题（每题1分，共20分）： 1、《党政领导干部选拔任用工作条例》于年月发布。 2、《党政领导干部选拔任用工作条例》是我们党规范选拔任用干部工作的一个重要法规，内容极为丰富，共有章条。 3、干部的四化是指革命化、知识化、年轻化、专业化。 4、，按照干部管理权限履行选拔任用党政领导干部的职责，负责《条例》的组织实施。 5、党政领导班子成员一般应当从后备干部中选拔。 6、民主推荐部门领导，本部门人数较少的，可以由全体人员参加。 7、党政机关部分专业性较强的领导职务实行聘任制△I称微分电阻 RBB---8、政协领导成员候选人的推荐和协商提名，按照RE---政协章程和有关规定办理。 Rs(rs----串联电阻 Rth----热阻 结到环境的热阻
动态电阻 本机关单位或本系统 r δ---衰减电阻 r(th--- Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 、对决定任用的干部，由党委（党组）指定专人同本人 tg---电路换向关断时间 12 Tj---和不同领导职务的职责要求，全面考察其德能勤绩廉toff---。 tr---上升时间13、民主推荐包括反向恢复时间 ts---存储时间和温度补偿二极管的贮成温度 p---发光峰值波长 △λ η---
15、考察中了解到的考察对象的表现情况，一般由考察组向VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降（正向峰值电压） 、正向压降（正向直流电压） △政府、断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---17、人民代表大会的临时党组织、人大常委会党组和人大常委会组成人员及人大代表中的党员，应当认真贯彻党委推荐意见 VGRM---门极反向峰值电压，带头（AV 履行职责交流输入电压 最大输出平均电压
气体放电管和压敏电阻组合构成的抑制电路原理
气体放电管和压敏电阻组合构成的抑制电路原理 上传者：dolphin 由于压敏电阻（VDR）具有较大的寄生电容，用在交流电源系统，会产生可观的泄漏电流，性能较差的压敏电阻使用一段时间后，因泄漏电流变大可能会发热自爆。为解决这一问题在压敏电阻之间串入气体放电管。图1 中，将压敏电阻与气体放电管串联，由于气体放电管寄生电容很小，可使串联支路的总电容减至几个pF。在这个支路中，气体放电管将起一个开关作用，没有暂态电压时，它能将压敏电阻与系统隔开，使压敏电阻几乎无泄漏电流。但这又带来了缺点就是反应时间为各器件的反应时间之和。例如压敏电阻的反应时间为25ns，气体放电管的反应时间为100ns，则图2 的R2、G、R3 的反应时间为150ns，为改善反应时间加入R1 压敏电阻，这样可使反应时间为25ns。 金属氧化物压敏电阻（MOV）的电压-电流特性见图3，金属氧化物压敏电阻（MOV）特性参数见表1。气体放电管（GDT）的电压-电流特性见图4，气体放电管（GDT）特性参数见表2。
金属氧化物压敏电阻（MOV）特性参数 由于浪涌干扰所致，一旦加在气体放电管两端的电压超过火花放电电压（图4 的u1）时，放电管内部气体被电离，放电管开始放电。放电管端的压降迅速下降至辉光放电电压（图4 的u2）（u2 在表2 中的数值为140V 或180V，与管子本身的特性有关），管内电流开始升高。随着放电电流的进一步增大，放电管便进入弧光放电状态。在这种状态下，管子两端电压（弧光电压）跌得很低（图4的u3）（u3 在表2 中数值为15V 或20V，与管子本身的特性有关），且弧光电压在相当宽的电流变动范围（从图4 的i1→i2 过程中）内保持稳定。因此，外界的高电压浪涌干扰，由于气体放电管的放电作用，被化解成了低电压和大电流的受保护情况（u3 和i2），且这个电流（从图4 的i2→i3）经由气体放电管本身流回到干扰源里，免除了干扰对灯具可能带来的危害。随着浪涌过电压的消退，流过气体放电管的电流降到维持弧光放电状态所需的最小值以下（约为10mA~100mA，与管子本身的特性关）,弧光放电便停止，并再次通过辉光放电状态后，结束整个放电状态（熄弧）。
IC封装的热特性-热阻
IC封装的热特性 摘要：IC封装的热特性对于IC应用的性能和可靠性来说是非常关键的。本文描述了标准封装的热特性：热阻(用“theta”或Θ表示)，ΘJA、ΘJC、ΘCA，并提供了热计算、热参考等热管理技术的详细信息。 引言 为确保产品的高可靠性，在选择IC封装时应考虑其热管理指标。所有IC在有功耗时都会发热，为了保证器件的结温低于最大允许温度，经由封装进行的从IC到周围环境的有效散热十分重要。本文有助于设计人员和客户理解IC热管理的基本概念。在讨论封装的热传导能力时，会从热阻和各―theta‖值代表的含义入手，定义热特性的重要参数。本文还提供了热计算公式和数据，以便能够得到正确的结(管芯)温度、管壳(封装)温度和电路板温度。结温-PN结度 热阻的重要性 半导体热管理技术涉及到热阻，热阻是描述物质热传导特性的一个重要指标。计算时，热阻用―Theta‖表示，是由希腊语中―热‖的拼写―thermos‖衍生而来。热阻对我们来说特别重要。 IC封装的热阻是衡量封装将管芯产生的热量传导至电路板或周围环境的能力的一个标准。给出不同两点的温度，则从其中一点到另外一点的热流量大小完全由热阻决定。如果已知一个IC封装的热阻，则根据给出的功耗和参考温度即可算出IC的结温。 Maxim网站(制造商、布线、产品、QA/可靠性、采购信息)中给出了常用的IC热阻值。 定义 以下章节给出了Theta (Θ)、Psi (Ψ)的定义，这些标准参数用来表示IC封装的热特性。 ΘJA是结到周围环境的热阻，单位是°C/W。周围环境通常被看作热―地‖点。ΘJA取决于IC封装、电路板、空气流通、辐射和系统特性，通常辐射的影响可以忽略。ΘJA专指自然条件下(没有加通风措施)的数值。 ΘJC是结到管壳的热阻，管壳可以看作是封装外表面的一个特定点。ΘJC取决于封装材料(引线框架、模塑材料、管芯粘接材料)和特定的封装设计(管芯厚度、裸焊盘、内部散热过孔、所用金属材料的热传导率)。 对带有引脚的封装来说，ΘJC在管壳上的参考点位于塑料外壳延伸出来的1管脚，在标准的塑料封装中，ΘJC的测量位置在1管脚处。对于带有裸焊盘的封装，ΘJC的测量位置在裸焊盘表面的中心点。ΘJC的测量是通过将封装直接放置于一个―无限吸热‖的装置上进行的，该装置通常是一个液冷却的铜片，能够在无热阻的情况下吸收任意多少的热量。这种测量方法设定从管芯到封装表面的热传递全部由传导的方式进行。 注意ΘJC表示的仅仅是散热通路到封装表面的电阻，因此ΘJC总是小于ΘJA。ΘJC表示是特定的、通过传导方式进行热传递的散热通路的热阻，而ΘJA则表示的是通过传导、对流、辐射等方式进行热传递的散热通路的热阻。 ΘCA是指从管壳到周围环境的热阻。ΘCA包括从封装外表面到周围环境的所有散热通路的热阻。 根据上面给出的定义，我们可以知道： ΘJA= ΘJC+ ΘCA ΘJB是指从结到电路板的热阻，它对结到电路板的热通路进行了量化。通常ΘJB的测量位置在电路板上靠近封装的1管脚处(与封装边沿的距离小于1mm)。ΘJB包括来自两个方面的热阻：从IC的结到封装底部参考点的热阻，以及贯穿封装底部的电路板的热阻。 测量ΘJB时，首先阻断封装表面的热对流，并且在电路板距封装位置较远的一侧安装一个散热片。如下图1所示：
半导体集成电路封装技术试题汇总(李可为版)
半导体集成电路封装技术试题汇总 第一章集成电路芯片封装技术 1. (P1)封装概念：狭义：集成电路芯片封装是利用（膜技术）及（微细加工技术），将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体结构的工艺。 广义：将封装体与基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程。 2.集成电路封装的目的：在于保护芯片不受或者少受外界环境的影响，并为之提供一个良好的工作条件，以使集成电路具有稳定、正常的功能。 3.芯片封装所实现的功能：①传递电能，②传递电路信号，③提供散热途径，④结构保护与支持。 4．在选择具体的封装形式时主要考虑四种主要设计参数：性能，尺寸，重量，可靠性和成本目标。 5.封装工程的技术的技术层次？ 第一层次，又称为芯片层次的封装，是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺，使之成为易于取放输送，并可与下一层次的组装进行连接的模块元件。第二层次，将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电子卡的工艺。第三层次，将数个第二层次完成的封装组成的电路卡组合成在一个主电路版上使之成为一个部件或子系统的工艺。第四层次，将数个子系统组装成为一个完整电子厂品的工艺过程。 6.封装的分类？
按照封装中组合集成电路芯片的数目，芯片封装可分为：单芯片封装与多芯片封装两大类，按照密封的材料区分，可分为高分子材料和陶瓷为主的种类，按照器件与电路板互连方式，封装可区分为引脚插入型和表面贴装型两大类。依据引脚分布形态区分，封装元器件有单边引脚，双边引脚，四边引脚，底部引脚四种。常见的单边引脚有单列式封装与交叉引脚式封装，双边引脚元器件有双列式封装小型化封装，四边引脚有四边扁平封装，底部引脚有金属罐式与点阵列式封装。 7.芯片封装所使用的材料有金属陶瓷玻璃高分子 8.集成电路的发展主要表现在以下几个方面？ 1芯片尺寸变得越来越大2工作频率越来越高3发热量日趋增大4引脚越来越多 对封装的要求：1小型化2适应高发热3集成度提高，同时适应大芯片要求4高密度化5适应多引脚6适应高温环境7适应高可靠性 9.有关名词： SIP ：单列式封装 SQP：小型化封装 MCP：金属鑵式封装 DIP：双列式封装 CSP：芯片尺寸封装 QFP：四边扁平封装 PGA：点阵式封装 BGA：球栅阵列式封装 LCCC：无引线陶瓷芯片载体 第二章封装工艺流程 1.封装工艺流程一般可以分为两个部分，用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作，在成型之后的工艺步骤成为后段操作
半导体放电管检测及测试方法
半导体放电管检测要求及测试方法 1 本要求遵循的依据 1.1YD/T940—1999《通信设备过电压保护用半导体管》 1.2YD/T694—1999《总配线架》 1.3GB/T2828.1—2003/ISO 2859—1：1999《计数抽样检验程序》 2 测试前准备及测试环境条件 2.1对测试设备进行校验，检查是否正常，正常后才能使用。 2.2在标准大气条件下进行试验 2.2.1温度：15～35℃ 2.2.2相对湿度：45％～75％ 2.2.3大气压力：86～106Ｋpa 所有的电测量以及测量之后的恢复应在以下大气条件下进行： 温度：25±5℃ 相对湿度：45％～75％ 大气压力：86～106Ｋpa 在进行测量前应使半导体管温度与测量环境温度达到平衡，测量过程的环境温度应记录在试验报告中。 2.3按GB/T2828.1—2003《计数抽样检验程序》的规定。按一定抽样正常方案，一般检查水平Ⅱ，抽取一定数量的样本。 3 检测要求和测试方法 3.1外形检查 3.1.1要求放电管两头封口平直无歪斜，外形整洁，无污染、腐蚀和其他多余物，封装无破损、裂纹、伤痕、引出线不短裂、不松动。 3.1.2金属镀层不起皮、不脱离、不生锈、不变色。 3.1.3外形尺寸公差符合SJ1782—81中4级公差，即公称尺寸＞3—6，其公差为±0.1，公称尺寸＞6—10，其中公差为±0.12，合格率要达到≥97.5%。 3.1.4产品标志应清晰耐久 3.1.5包装箱应标记生产厂家、产品名称、型号、标准号、重量及生产日期或批号，且包装材料应保持干燥、整洁、对产品无腐蚀作用 3.2直流击穿电压测试 3.2.1用XJ4810半导体管特性图示仪对经过上一项目测试合格的放电管进行初始检测，用正极性测试后进行反极性测试，正、反极性各测2次，每次测试间隔时间为1～2min。 3.2.1半导体管的最高限制电压应不大于表１给出的极限值，试验电流应在1A～10A之间试验是加在半导体管上的电流变化率应≤30A/μs。 3.2.3试验所用的电压发生器必须保持表1所示的开路电压上升速率，上升速率应在一定的范围之内。试验电路如图1、图2所示。 图 1 电压上升速率的范围 a) 电压上升速率为100KV/S 注：为了得到足够的试验电流以使样品击穿，图（a）中的电阻R和图（b）中的电阻R4可能需要进行调整，一般取为50Ω。
气体放电管基础知识教学提纲
2.1气体放电管 2.1.1简介 气体放电管是在放电间隙内充入适当的气体介质，配以高活性的电子发射材料及放电引燃机构，通过银铜焊料高温封接而制成的一种特殊的金属陶瓷结构的气体放电器件。它主要用于瞬时过电压保护，也可作为点火开关。在正常情况下，放电管因其特有的高阻抗(>1000MΩ)及低电容 (<2pF)特性，在它作为保护元件接入线路中时，对线路的正常工作几乎没有任何不利的影响。当有害的瞬时过电压窜入时，放电管首先被击穿放电，其阻抗迅速下降，几乎呈短路状态，此时，放电管将有害的电流通过地线或回路泄放，同时将电压限制在较低的水平，消除了有害的瞬时过电压和过电流，从而保护了线路及元件。当过电压消失后，放电管又迅速恢复到高阻抗状态，线路继续正常工作。 气体放电管是一种间隙式的防雷保护元件，它在通信系统的防雷保护中已获得了广泛应用。放电管常用于多级保护电路中的第一级或前两级，起泄放雷电暂态过电流和限制过电压作用。由于放电管的极间绝缘电阻很大，寄生电容很小，对高频电子线路的雷电防护具有明显的优势。 气体放电管的基本特点是：通流量容量大，绝缘电阻高，漏电流小。但残压高，反应时间慢(≤100ns)，动作电压精度较低，有续流现象。 Figure 1气体放电外观图 2.1.2气体放电的伏安特性 气体放电管的伏安特性通常与管子的哪些电极间施加什么极性的电压没有关系。现以一个直流放电电压为150V的二极放电管为例，来说明放电管伏安特性的基本特征。下图是按电子元件伏安特性的惯用画法，即以电压为自便量，画作横坐标；以电流为应变量，画作纵坐标。由于电流的范围很大，其变化常达几个数量级，所以电流用对数坐标表示。 如图所示的伏安特性上，当逐渐增加两电极间的电压时，放电管在A点放电，A点的电压称为放电管的直流放电电压。在A到B之间的这段伏安特性上，其斜率（即动态电阻du/di）是负的，称为负阻区。如果200V的直流电压源经1MΩ的电阻加到放电管上，放电管即工作在此区间，这时的放电具有闪变特征。BC段为正常辉光放电区，在此区间内电压基本不随电流而变，当辉光覆盖整个阴极表面时，电流再增加，电压也不增加。CD段称为异常辉光放电区。直流放电电压为90V~300V放电管，其辉光放电区BD的最大电流一般在0.2A～1.5A 之间。当电流增加到足够大时放电E点突然进入电弧放电区，即使是同一个放电管，放电由辉光转入电弧时的电流值也是不能精确重复的。在电弧放电时，处在电场中加速了的正离子轰击阴极表面，阴极材料被溅射到管壁上，阴极被烧蚀，使间隙距离增加，管壁绝缘变坏。在采用合适的材料后，放电管可以做到导通10KA、8/20μs电流数百次。在电弧区，放电管
半导体器件有许多封装形式
MSOP 是一种微型的SOP封装 半导体器件有许多封装形式，按封装的外形、尺寸、结构分类 可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代先进。总体说来，半导体封装经历了三次重大革新：第一次是在上世纪80年代从引脚插入式 封装到表面贴片封装，它极大地提高了印刷电路板上的组装密度；第 二次是在上世纪90年代球型矩阵封装的出现，满足了市场对高引脚的 需求，改善了半导体器件的性能；芯片级封装、系统封装等是现在第 三次革新的产物，其目的就是将封装面积减到最小。 高级封装实现封装面积最小化 芯片级封装CSP。几年之前封装本体面积与芯片面积之比 通常都是几倍到几十倍，但近几年来有些公司在BGA、TSOP的基础上 加以改进而使得封装本体面积与芯片面积之比逐步减小到接近1的水 平，所以就在原来的封装名称下冠以芯片级封装以用来区别以前的封 装。就目前来看，人们对芯片级封装还没有一个统一的定义，有的公 司将封装本体面积与芯片面积之比小于2的定为CSP，而有的公司将封 装本体面积与芯片面积之比小于1.4或1.2的定为CSP。目前开发应用 最为广泛的是FBGA和QFN等，主要用于内存和逻辑器件。就目前来看，CSP的引脚数还不可能太多，从几十到一百多。这种高密度、小巧、 扁薄的封装非常适用于设计小巧的掌上型消费类电子装置。 CSP封装具有以下特点：解决了IC裸芯片不能进行交流参数测试 和老化筛选的问题；封装面积缩小到BGA的1/4至1/10；延迟时间缩到 极短；CSP封装的内存颗粒不仅可以通过PCB板散热，还可以从背面散热，且散热效率良好。就封装形式而言，它属于已有封装形式的派生 品，因此可直接按照现有封装形式分为四类：框架封装形式、硬质基 板封装形式、软质基板封装形式和芯片级封装。 多芯片模块MCM。20世纪80年代初发源于美国，为解决单一芯片 封装集成度低和功能不够完善的问题，把多个高集成度、高性能、高 可靠性的芯片，在高密度多层互联基板上组成多种多样的电子模块系 统，从而出现多芯片模块系统。它是把多块裸露的IC芯片安装在一块 多层高密度互连衬底上，并组装在同一个封装中。它和CSP封装一样 属于已有封装形式的派生品。 多芯片模块具有以下特点：封装密度更高，电性能更好，与等效 的单芯片封装相比体积更小。如果采用传统的单个芯片封装的形式分 别焊接在印刷电路板上，则芯片之间布线引起的信号传输延迟就显得 非常严重，尤其是在高频电路中，而此封装最大的优点就是缩短芯片 之间的布线长度，从而达到缩短延迟时间、易于实现模块高速化的目 的。 WLCSP。此封装不同于传统的先切割晶圆，再组装测试的做法，而 是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后再切割。它有着更明显的优
半导体器件的热阻和散热器设计资料
半导体器件的热阻和散热器设计 一、半导体器件的热阻：功率半导体器件在工作时要产生热量，器件要正常工作就需要把这些热量散 发掉，使器件的工作温度低于其最高结温Tjm 。器件的散热能力越强，其实际结温就越低，能承受的功耗越大，输出功率也越大。器件的散热能力取决于热阻，热阻用来表征材料的热传导性能，以单位功耗下材料的温升来表示，单位是℃/W 。材料的散热能力越强则热阻越小，温升高则表示散热能力差，热阻大。 二、半导体器件热阻的分布： Rt1表示从结到外壳的热阻 Rt2表示外壳到器件表面的热阻 Rta 表示从结到器件表面的热阻，即Rta=Rt1+Rt2 Rtd 为散热板到周围空气的热阻 设未加散热板时的总热阻为Rt ，加散热板后的总热阻为Rts ，则有：Rts=Rta+Rtd<