TO-92封装半导体放电管P0080EA-P5000EA系列型号
TO-92封装半导体放电管P0080EA-P5000EA系列型号
硕凯电子（Sylvia）
1、P0080EA-P5000EA
2、型号特性：
型号：P0080EA，P0300EA，P0640EA，P0720EA，P0900EA，P1100EA，P1300EA，P1500EA，P1800EA，P2000EA，P2300EA，P2600EA，P3100EA，P3500EA，P4000EA，P4500EA，P5000EA。
半导体封装制程简介
（Die Saw） 晶片切割之目的乃是要將前製程加工完成的晶圓上一顆顆之芯片（Die）切割分離。首先要在晶圓背面貼上蓝膜（blue tape）並置於鋼 製的圆环上，此一動作叫晶圓粘片（wafer mount），如圖一，而後再 送至晶片切割機上進行切割。切割完後，一顆顆之芯片井然有序的排 列在膠帶上，如圖二、三，同時由於框架之支撐可避免蓝膜皺摺而使 芯片互相碰撞，而圆环撐住膠帶以便於搬運。 圖一 圖二
（Die Bond） 粘晶（装片）的目的乃是將一顆顆分離的芯片放置在导线框架（lead frame）上並用銀浆（epoxy ）粘着固定。引线框架是提供芯片一個粘着的位置+ （芯片座die pad），並預設有可延伸ＩＣ芯片電路的延伸腳（分為內 引腳及外引腳inner lead/outer lead）一個引线框架上依不同的設計可以有 數個芯片座，這數個芯片座通常排成一列，亦有成矩陣式的多列排法 。引线框架經傳輸至定位後，首先要在芯片座預定粘着芯片的位置上点
上銀浆（此一動作稱為点浆），然後移至下一位置將芯片置放其上。 而經過切割的晶圓上的芯片則由焊臂一顆一顆地置放在已点浆的晶 粒座上。装片完後的引线框架再由传输设备送至料盒（magazine） 。装片后的成品如圖所示。 引线框架装片成品 胶的烧结 烧结的目的是让芯片与引线框晶粒座很好的结合固定，胶可分为银浆（导电胶）和绝缘胶两种，根据不同芯片的性能要求使用不同的胶，通常导电胶在200度烤箱烘烤两小时；绝缘胶在150度烤箱烘烤两个半小时。 （Wire Bond） 焊线的目的是將芯片上的焊点以极细的金或铜线（18~50um）連接到引线框架上的內引腳，藉而將ＩＣ芯片的電路訊號傳輸到外界。當
SMA半导体放电管规格书
PXXXXAA SERIES Over-voltage Protection Thyristor HIGHFAR PxxxxAA Series Do-214AC are designed to protect baseband equipment such as modems,line cards,CPE and DSL from damaging overvoltage transients. The series provides a surface mount solution that enables equipment to comply with global regulatory standards.Features * Low voltage overshoot * Low on-state voltage * Does net degrade with use * Fails short citcuit when surged in excess of ratings * Low Capacitance Pinout Designation Schematic Symbol Dot Applicable Electrical Parameters Peak Off-state Voltage - maximum voltage that can be applied while Revosion:17-Oct-11 1/4 C O V PP I PP Parameter I DRM I S I T I H V S V T Definition Switching Voltage - maximum voltage prior to switching to on state On-state Voltage - maximum voltage measured at rated on-state current Leakage Current - maximum peak off-state current measured at V DRM V DRM maintaining off state Switching Current - maximum current required to switch to on state On-state Current - maximun rated continuous on-state current Holding Current - minimum current required to maintain on state Off-state Capacitance - typical capactiance measured in off state Peak Pulse Voltage - maximum rated peak impulse voltage Peak Pulse Current - maximum rated peak impulse current
半导体封装技术向高端演进 (从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP)
半导体器件有许多封装形式，按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代先进。总体说来，半导体封装经历了三次重大革新：第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装，它极大地提高了印刷电路板上的组装密度；第二次是在上世纪90年代球型矩阵封装的出现，满足了市场对高引脚的需求，改善了半导体器件的性能；芯片级封装、系统封装等是现在第三次革新的产物，其目的就是将封装面积减到最小。 高级封装实现封装面积最小化 芯片级封装CSP。几年之前封装本体面积与芯片面积之比通常都是几倍到几十倍，但近几年来有些公司在BGA、TSOP的基础上加以改进而使得封装本体面积与芯片面积之比逐步减小到接近1的水平，所以就在原来的封装名称下冠以芯片级封装以用来区别以前的封装。就目前来看，人们对芯片级封装还没有一个统一的定义，有的公司将封装本体面积与芯片面积之比小于2的定为CSP，而有的公司将封装本体面积与芯片面积之比小于1.4或1.2的定为CSP。目前开发应用最为广泛的是FBGA和QFN等，主要用于内存和逻辑器件。就目前来看，CSP的引脚数还不可能太多，从几十到一百多。这种高密度、小巧、扁薄的封装非常适用于设计小巧的掌上型消费类电子装置。 CSP封装具有以下特点：解决了IC裸芯片不能进行交流参数测试和老化筛选的问题；封装面积缩小到BGA的1/4至1/10；延迟时间缩到极短；CSP封装的内存颗粒不仅可以通过PCB板散热，还可以从背
面散热，且散热效率良好。就封装形式而言，它属于已有封装形式的派生品，因此可直接按照现有封装形式分为四类：框架封装形式、硬质基板封装形式、软质基板封装形式和芯片级封装。 多芯片模块MCM。20世纪80年代初发源于美国，为解决单一芯片封装集成度低和功能不够完善的问题，把多个高集成度、高性能、高可靠性的芯片，在高密度多层互联基板上组成多种多样的电子模块系统，从而出现多芯片模块系统。它是把多块裸露的IC芯片安装在一块多层高密度互连衬底上，并组装在同一个封装中。它和CSP封装一样属于已有封装形式的派生品。 多芯片模块具有以下特点：封装密度更高，电性能更好，与等效的单芯片封装相比体积更小。如果采用传统的单个芯片封装的形式分别焊接在印刷电路板上，则芯片之间布线引起的信号传输延迟就显得非常严重，尤其是在高频电路中，而此封装最大的优点就是缩短芯片之间的布线长度，从而达到缩短延迟时间、易于实现模块高速化的目的。 WLCSP。此封装不同于传统的先切割晶圆，再组装测试的做法，而是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后再切割。它有着更明显的优势：首先是工艺大大优化，晶圆直接进入封装工序，而传统工艺在封装之前还要对晶圆进行切割、分类；所有集成电路一次封装，刻印工作直接在晶圆上进行，设备测试一次完成，有别于传统组装工艺；生产周期和成本大幅下降，芯片所需引脚数减少，提高了集成度；引脚产生的电磁干扰几乎被消除，采用此封装的内存可以支持到800MHz的频
放电管介绍及选型(详解)
放电管特性及选用 吴清海 放电管的分类 放电管主要分为气体放电管和半导体放电管，其中气体放电管由烧结的材料不同分为玻璃气体放电管和陶瓷气体放电管，玻璃气体放电管和陶瓷气体放电管具有相同的特性。 气体放电管主要有密封的惰性气体组成，由金属引线引出，用陶瓷或是玻璃进行烧结。其工作原理为，当加在气体放电管两端的电压达到气体电离电压时，气体放电管由非自持放电过度到自持放电，放电管呈低阻导通状态，可以瞬间通过较大的电流，气体放电管击穿后的维持电压可以低到30V以内。气体放电管同流量大，但动作电压较难控制。 半导体放电管由故态的四层可控硅结构组成，当浪涌电压超过半导体放电管的转折电压V BO时放电管开始动作，当放电管动作后在返送装置，的作用下放电管两端的电压维持在很低（约20V以下）时就可以维持其在低阻高通状态，起到吸收浪涌保护后级设备的作用。半导体放电管的保护机理和应用方式和气体放电管相同。半导体放电管动作电压控制精确，通流量较小。 放电管动作后只需要很低的电压即可维持其低阻状态，所以放电管属于开关型的SPD。当正常工作时放电管上的漏电流可忽略不计；击穿后的稳定残压低，保护效果较好；耐流能力较大；在使用中应注意放电管的续流作用遮断，在适当场合中应有有效的续流遮断装置。 气体放电管 气体放电管：气体放电管由封装在小玻璃管或陶瓷管中相隔一定距离的两个电极组成；其电气性能主要取决于气体压力，气体种类，电极距离和电极材料；一般密封在放电管中的气体为高纯度的惰性气体。放电管主要由：电极、陶瓷管(玻璃管)、导电带、电子粉、Ag-Cu 焊片和惰性气体组成。 在放电管的两电极上施加电压时，由于电场作用，管内初始电子在电场作用下加速运动，与气体分子发生碰撞，一旦电子达到一定能量时，它与气体分子碰撞时发生电离，即中性气体分子分离成电子和阳离子，电离出来的电子与初始电子在行进过程中还要不断地再次与气体分子碰撞发生电离，从而电子数按几何级数增加，即发生电子雪崩现象，另外，电离出来的阳离子也在电场作用下向阴极运动，与阴极表面发生碰撞，产生二次电子，二次电子也参加电离作用，一旦满足： r(ead-1)=1 时放电管由非自持放电过渡到自持放电，管内气体被击
半导体放电管检测及测试方法
半导体放电管检测要求及测试方法 1 本要求遵循的依据 1.1YD/T940—1999《通信设备过电压保护用半导体管》 1.2YD/T694—1999《总配线架》 1.3GB/T2828.1—2003/ISO 2859—1：1999《计数抽样检验程序》 2 测试前准备及测试环境条件 2.1对测试设备进行校验，检查是否正常，正常后才能使用。 2.2在标准大气条件下进行试验 2.2.1温度：15～35℃ 2.2.2相对湿度：45％～75％ 2.2.3大气压力：86～106Ｋpa 所有的电测量以及测量之后的恢复应在以下大气条件下进行： 温度：25±5℃ 相对湿度：45％～75％ 大气压力：86～106Ｋpa 在进行测量前应使半导体管温度与测量环境温度达到平衡，测量过程的环境温度应记录在试验报告中。 2.3按GB/T2828.1—2003《计数抽样检验程序》的规定。按一定抽样正常方案，一般检查水平Ⅱ，抽取一定数量的样本。 3 检测要求和测试方法 3.1外形检查 3.1.1要求放电管两头封口平直无歪斜，外形整洁，无污染、腐蚀和其他多余物，封装无破损、裂纹、伤痕、引出线不短裂、不松动。 3.1.2金属镀层不起皮、不脱离、不生锈、不变色。 3.1.3外形尺寸公差符合SJ1782—81中4级公差，即公称尺寸＞3—6，其公差为±0.1，公称尺寸＞6—10，其中公差为±0.12，合格率要达到≥97.5%。 3.1.4产品标志应清晰耐久 3.1.5包装箱应标记生产厂家、产品名称、型号、标准号、重量及生产日期或批号，且包装材料应保持干燥、整洁、对产品无腐蚀作用 3.2直流击穿电压测试 3.2.1用XJ4810半导体管特性图示仪对经过上一项目测试合格的放电管进行初始检测，用正极性测试后进行反极性测试，正、反极性各测2次，每次测试间隔时间为1～2min。 3.2.1半导体管的最高限制电压应不大于表１给出的极限值，试验电流应在1A～10A之间试验是加在半导体管上的电流变化率应≤30A/μs。 3.2.3试验所用的电压发生器必须保持表1所示的开路电压上升速率，上升速率应在一定的范围之内。试验电路如图1、图2所示。 图 1 电压上升速率的范围 a) 电压上升速率为100KV/S 注：为了得到足够的试验电流以使样品击穿，图（a）中的电阻R和图（b）中的电阻R4可能需要进行调整，一般取为50Ω。
半导体集成电路封装技术试题汇总(李可为版)
半导体集成电路封装技术试题汇总 第一章集成电路芯片封装技术 1. (P1)封装概念：狭义：集成电路芯片封装是利用（膜技术）及（微细加工技术），将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体结构的工艺。 广义：将封装体与基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程。 2.集成电路封装的目的：在于保护芯片不受或者少受外界环境的影响，并为之提供一个良好的工作条件，以使集成电路具有稳定、正常的功能。 3.芯片封装所实现的功能：①传递电能，②传递电路信号，③提供散热途径，④结构保护与支持。 4．在选择具体的封装形式时主要考虑四种主要设计参数：性能，尺寸，重量，可靠性和成本目标。 5.封装工程的技术的技术层次？ 第一层次，又称为芯片层次的封装，是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺，使之成为易于取放输送，并可与下一层次的组装进行连接的模块元件。第二层次，将数个第一层次完成的封装与其他电子元器件组成一个电子卡的工艺。第三层次，将数个第二层次完成的封装组成的电路卡组合成在一个主电路版上使之成为一个部件或子系统的工艺。第四层次，将数个子系统组装成为一个完整电子厂品的工艺过程。 6.封装的分类？
按照封装中组合集成电路芯片的数目，芯片封装可分为：单芯片封装与多芯片封装两大类，按照密封的材料区分，可分为高分子材料和陶瓷为主的种类，按照器件与电路板互连方式，封装可区分为引脚插入型和表面贴装型两大类。依据引脚分布形态区分，封装元器件有单边引脚，双边引脚，四边引脚，底部引脚四种。常见的单边引脚有单列式封装与交叉引脚式封装，双边引脚元器件有双列式封装小型化封装，四边引脚有四边扁平封装，底部引脚有金属罐式与点阵列式封装。 7.芯片封装所使用的材料有金属陶瓷玻璃高分子 8.集成电路的发展主要表现在以下几个方面？ 1芯片尺寸变得越来越大2工作频率越来越高3发热量日趋增大4引脚越来越多 对封装的要求：1小型化2适应高发热3集成度提高，同时适应大芯片要求4高密度化5适应多引脚6适应高温环境7适应高可靠性 9.有关名词： SIP ：单列式封装 SQP：小型化封装 MCP：金属鑵式封装 DIP：双列式封装 CSP：芯片尺寸封装 QFP：四边扁平封装 PGA：点阵式封装 BGA：球栅阵列式封装 LCCC：无引线陶瓷芯片载体 第二章封装工艺流程 1.封装工艺流程一般可以分为两个部分，用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作，在成型之后的工艺步骤成为后段操作
放电管介绍及选型(详解)
放电管介绍及选型(详解)
放电管特性及选用 吴清海 放电管的分类 放电管主要分为气体放电管和半导体放电管，其中气体放电管由烧结的材料不同分为玻璃气体放电管和陶瓷气体放电管，玻璃气体放电管和陶瓷气体放电管具有相同的特性。 气体放电管主要有密封的惰性气体组成，由金属引线引出，用陶瓷或是玻璃进行烧结。其工作原理为，当加在气体放电管两端的电压达到气体电离电压时，气体放电管由非自持放电过度到自持放电，放电管呈低阻导通状态，可以瞬间通过较大的电流，气体放电管击穿后的维持电压可以低到30V以内。气体放电管同流量大，但动作电压较难控制。 半导体放电管由故态的四层可控硅结构组成，当浪涌电压超过半导体放电管的转折电压V BO 时放电管开始动作，当放电管动作后在返送装置，的作用下放电管两端的电压维持在很低（约20V以下）时就可以维持其在低阻高通状态，起到吸收浪涌保护后级设备的作用。半导体放电管的保护机理和应用方式和气体放电管相同。半导体放电管动作电压控制精确，通流量较小。
放电管动作后只需要很低的电压即可维持其低阻状态，所以放电管属于开关型的SPD。当正常工作时放电管上的漏电流可忽略不计；击穿后的稳定残压低，保护效果较好；耐流能力较大；在使用中应注意放电管的续流作用遮断，在适当场合中应有有效的续流遮断装置。 气体放电管 气体放电管：气体放电管由封装在小玻璃管或陶瓷管中相隔一定距离的两个电极组成；其电气性能主要取决于气体压力，气体种类，电极距离和电极材料；一般密封在放电管中的气体为高纯度的惰性气体。放电管主要由：电极、陶瓷管(玻璃管)、导电带、电子粉、Ag-Cu焊片和惰性气体组成。 在放电管的两电极上施加电压时，由于电场作用，管内初始电子在电场作用下加速运动，与气体分子发生碰撞，一旦电子达到一定能量时，它与气体分子碰撞时发生电离，即中性气体分子分离成电子和阳离子，电离出来的电子与初始电子在行进过程中还要不断地再次与气体分子碰撞发生电离，从而电子数按几何级数增加，即发生
半导体封装技术
随着半导体技术的发展，摩尔定律接近失效的边缘。产业链上IC 设计、 晶圆制造、封装测试各个环节的难度不断加大，技术门槛也越来越高，资 本投入越来越大。由单个企业覆盖整个产业链工艺的难度显著加大。半导 体产业链向专业化、精细化分工发展是一个必然的大趋势。 全球半导体产业整体成长放缓，产业结构发生调整，产能在区域上重新分 配。半导体产业发达地区和不发达地区将会根据自身的优势在半导体产 业链中有不同侧重地发展。封装产能转移将持续，外包封装测试行业的增 速有望超越全行业。 芯片设计行业的技术壁垒和晶圆制造行业的资金壁垒决定了，在现阶段， 封装测试行业将是中国半导体产业发展的重点。 在传统封装工艺中，黄金成本占比最高。目前采用铜丝替代金丝是一个大 的趋势。用铜丝引线键合的芯片产品出货占比的上升有助于提高封装企 业的盈利能力。 半导体封装的发展朝着小型化和多I/O 化的大趋势方向发展。具体的技术 发展包括多I/O 引脚封装的BGA 和小尺寸封装的CSP 等。WLSCP 和 TSV 等新技术有望推动给芯片封装测试带来革命性的进步。 中国本土的封装测试企业各有特点：通富微电最直接享受全球产能转移； 长电科技在技术上稳步发展、巩固其行业龙头地位；华天科技依托地域优 势享受最高毛利率的同时通过投资实现技术的飞跃。 中国本土给封装企业做配套的上游企业，如康强电子和新华锦，都有望在 封装行业升级换代的过程中提升自己的行业地位。 风险提示：全球领先的封装测试企业在中国大陆直接投资，这将加大行 业内的竞争。同时用工成本的上升将直接影响半导体封装企业的盈利能 力。 半导体封装产能持续转移 半导体封装环节至关重要 半导体芯片的大体制备流程包括芯片设计->圆晶制造->封装测试。所谓半导体 ?封装（Packaging）?，是半导体芯片生产过程的最后一道工序，是将集成电路用绝缘的材料打包的技术。封装工艺主要有以下功能：功率分配（电源分配）、信号分配、散热通道、隔离保护和机械支持等。封装工艺对于芯片来说是必须的，也是至关重要的一个环节。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能的下降。另外，封装后的芯片也更便于安装和运输。可以说封装是半导体集成电路与电路板的链接桥梁，封装技术的好坏还直接影响到芯片自身的性能和PCB 的设计与制造， 产业分工精细化 随着半导体产业的发展，?摩尔?定律持续地发酵，IC 芯片集成度以几何级数 上升，线宽大幅下降。以INTEL CPU 芯片为例，线宽已经由1978 年推出的8086 的3 μm 发展到2010 年推出Core i 7 的45nm , 对应的晶体管集成度由2.9 万只发展到7.8 亿只。产业链上IC 设计、晶圆制造、封装测试各个环节的难度不断加大，技术门槛也越来越高。同时随着技术水平的飞升和规模的扩大，产业链中的多个环节对资本投入的要求也大幅提高。由单个企业做完覆盖整个产业链工艺的难度越来越大。在这样的大环境下，产业链向专业化、精细化分工发展是一个必然的大趋势。 目前全球的半导体产业链大致可以归纳为几大类参与者：IDM 集成设备制造商；
半导体封装方式
半导体封装简介: 半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。塑封之后，还要进行一系列操作，如后固化（Post Mold Cure）、切筋和成型 （Trim&Form）、电镀（Plating）以及打印等工艺。典型的封装工艺流程为： 划片装片键合塑封去飞边电镀打印切筋和成型外观检查成品测试包装出货。 一、DIP双列直插式封装 1. 适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。 2. 芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。 二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装 QFP封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集 成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。用这种形式 封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。 采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好 的相应管脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊 接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。 PFP（Plastic Flat Package）方式封装的芯片与QFP方式基本相同。唯一的 区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。 QFP/PFP封装具有以下特点： 1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。 2.适合高频使用。 3.操作方便，可靠性高。 4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。 三、PGA插针网格阵列封装 一种名为ZIF的CPU插座，专门用来满足PGA封装的CPU在安装和 拆卸上的要求。ZIF(Zero Insertion Force Socket)是指零插拔力的插座。 1. 插拔操作更方便，可靠性高。 2. 可适应更高的频率。
P0080SB系列半导体放电管固体放电管
THYRISTOR SURGE SUPPRESSER DESCRIPTION DO 214AA SMB Thyristor solid state protection thyristor protect telecommunications equipment such as modems -/,line cards fax machines and other CPE ,,. This Series devices are used to enable equipment to meet various regulato-ry requirements including GR1089ITU-,K 20K 21and K 45IEC 60950and TIA 968formerly known as FCC Part 68.,..,,-(). FEATURES >Excellent capability of absorbing transient surge >Quick response to surge voltage >Eliminates overvoltage caused by fast rising transients >Non degenerative DO-214AA PACKAGE PART NUMBER AND ELECTRICAL PARAMETER @ T=25RH = 45%-75% ℃
PART NUMBERING AND MARKING SYSTEM P 3100 SB (1) Thyristor Surge Suppresser (2) Series: 0080, 0300, 0800, 1800, 2300, 2600, 3100, 3500,4200 etc.(3) Package : SMB 10/700uS:4KV (1) (2) (3) SEMIWILL LOGO Part Number DIMENSIONS SOLDERING PARAMETERS SMB/DO-214AA
晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程
A.晶圆封装测试工序 一、IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、IC封装 1. 构装（Packaging） IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。 (1) 晶片切割（die saw） 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶（die mount / die bond） 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线（wire bond） IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。
半导体放电管和气体放电管的基础知识
半导体放电管和气体放电管的基础知识 气体放电管的结构及特性 开放型气体放电管放电通路的电气特性主要取决于环境参数，因而工作的稳定性得不到保证。为了提高气体放电管的工作稳定性，目前的气体放电管大都采用金属化陶瓷绝缘体与电极进行焊接技术，从而保证了封接的外壳与放电间隙的气密性，这就为优化选择放电管中的气体种类和压力创造了条件，气体放电管内一般充电极有氖或氢气体。气体放电管的各种电气特性，如直流击穿电压、冲击击穿电压、耐冲击电流、耐工频电流能力和使用寿命等，能根据使用系统的要求进行调整优化。这种调整往往是通过改变放电管内的气体种类、压力、电极涂敷材料成分及电极间的距离来实现的。气体放电管有二极放电管及三极放电管两种类型。有的气体放电管带有电极引线，有的则没有电极引线。从结构上讲，可将气体放电管看成一个具有很小电容的对称开关，在正常工作条件下它是关断的，其极间电阻达兆欧级以上。当浪涌电压超过电路系统的耐压强度时，气体放电管被击穿而发生弧光放电现象，由于弧光电压低，仅为几十伏，从而可在短时间内限制了浪涌电压的进一步上升。气体放电管就是利用上述原理来限制浪涌电压，对电路起过压保护作用的。 随着过电压的降低，通过气体放电管的电流也相应减少。当电流降到维持弧光状态所需的最小电流值以下时，弧光放电
停止，放电管的辉光熄灭。气体放电管主要用来保护通信系统、交通信号系统、计算机数据系统以及各种电子设备的外部电缆、电子仪器的安全运行。气体放电管也是电路防雷击及瞬时过压的保护元件。气体放电管具有载流能力大、响应时间快、电容小、体积小、成本低、性能稳定及寿命长等特点;缺点是点燃电压高，在直流电压下不能恢复截止状态，不能用于保护低压电路，每次经瞬变电压作用后，性能还会下降。 半导体放电管也称固体放电管是一种PNPN元件，它可以被看作一个无门电极的自由电压控制的可控硅，当电压超过它的断态峰值电压或称作雪崩电压时，半导体放电管会将瞬态电压箝制到元件的开关电压或称转折电压值之内。电压继续增大时，半导体放电管由于负阻效应进入导通状态。只有在当电流小于维持电流时，元件才会复位并恢复到它的高阻抗状态。半导体放电管的优点包括它的快速响应时间，稳定的电气性能参数以及长期使用的可靠性。其响应速度是气体放电管的千分之一，而寿命是气体放电管的10倍以上。半导体放电管是负阻元件，其能量转移特性使之不会被高电压是你坏。这一点是远胜于TVS二极管的。另一方面，半导体放电管也能做到较高的浪涌电流和很低的电容值。 半导体放电管主要用作电子通讯和数据通讯电路的首级和二级过电压保护器。一、半导体放电管的结构和工作原理
半导体放电管2SA的培训内容
2SA器件相关知识培训内容 一、2SA器件相关术语及基本特性； 二、器件制造工艺介绍； 三、产品品质控制方法； 四、器件常规检测方法及参考标准； 五、使用的标准与国际标准符合性介绍； 六、器件寿命分析； 七、器件保存和使用的注意事项。
一、2SA器件相关术语及基本特性 1、产品名称：过电压保护用半导体管。 简称：半导体放电管，也有称固体放电管。 2、2SA110-J型号说明： “2”——器件的电极数目 “SA”——过电压保护用半导体管（Semiconductor arrester for the over-voltage protection of telecommunications installations） “110”——产品系列号 “J”——表示夹持安装 3、过电压保护用半导体管的定义： 当在两个电极上施加的电压超过额定值时迅速变成低阻（导通）状态，电压撤消后又恢复成高阻状态且正反特性一致的器件。 相关语术： 最高限制电压——在规定上升速率的电压冲击下半导体管上允许出现的最高电压。 不动作电压——半导体放电管保持高阻状态时所能承受的最高电压。 标称冲击电流——半导体放电管正常工作所允许通过的额定脉冲电流（峰值）。 标称工频电流——半导体放电管正常工作时所允许通过的频率为50HZ的额定交流电流（有效值） 4、SA110-J型放电管的结构如图1所示： 图1 1——上、下两个电极；2——封装材料（环氧树脂）；3——半导体芯片放电管的电性能是由半导体芯片生成的。半导体放电管芯片的结构如图2所示：
图2 图3 根据芯片结构图可以画出等效电路图3 图2中P1和P11、P2和P22实际上是同一工艺步骤形成的相同区域，为了清楚分析而特定划分开的。当外加电压施于A1、A2两电极之间，设若A1为正电压，A2为负电压时，PN结J1为正向偏置，呈低阻抗，而PN结J2为反向偏置，呈高阻抗。此时所有的晶体管Q1~Q4皆被截止。放电管呈开路状态。但是当外加电压不断增高，达到和超过PN结J2的击穿电压V BR时，J2立即发生雪崩击穿，有电流通过P2和P22区域并在其上产生电压降。当P22与N2间结上的电压差接近0.6V时，Q2晶体管的发射极N2有电子注入基区P22，晶体管Q2开始动作并有放大作用。电流经过反复放大，于是Q1、Q2迅速进入深饱和区，使A1与A2之间导通，其间的残压可达到3.5V以下，外加的高电压迅即释放。从而起到过电压保护作用，随着外加高电压泄放完毕，晶体管重又自动恢复到截止状态。 由于放电管芯片结构上上下完全对称，因此，反过来A1端为负、A2端为正，动作过程与上述完全类似。半导体放电管伏安特性曲线如图4所示：
半导体封装技术大全
半导体封装技术大全 1、BGA(ball grid array) 球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的30 4 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA不用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有 可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见OMPAC 和GPAC)。 2、BQFP(quad flat package with bumper) 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。 3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。 4、C－(ceramic) 表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 5、Cerdip 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EP ROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8 到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。 6、Cerquad 表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1. 5～ 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8m m、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。 7、CLCC(ceramic leaded chip carrier) 带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPRO M 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ－G(见QFJ)。 8、COB(chip on board) 板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。 9、DFP(dual flat package) 双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。 10、DIC(dual in-line ceramic package) 陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP). 11、DIL(dual in-line) DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。 12、DIP(dual in-line package) 双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。 DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52m m 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。 13、DSO(dual small out-lint) 双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。 14、DICP(dual tape carrier package) 双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照E
放电管原理及选型使
放电管的原理及选型使 1、产品简述 陶瓷气体放电管（Gas Tube)是防雷保护设备中应用最广泛的一种开关器件，无论是交直流电源的防雷还是各种信号电路的防雷，都可以用它来将雷电流泄放入大地.其主要特点是：放电电流大,极间电容小（≤3pF），绝缘电阻高(≥109Ω），击穿电压分散性较大（±20％），反应速度较慢（最快为0.1～0.2μs）。按电极数分，有二极放电管和三极放电管（相当于两个二极放电管串联）两种。其外形为圆柱形,有带引线和不带引线两种结构形式（有的还带有过热时短路的保护卡）。 2、工作原理 气体放电管由封装在充满惰性气体的陶瓷管中相隔一定距离的两个电极组成。 其电气性能基本上取决于气体种类、气体压力以及电极距离，中间所充的气体主要是氖或氩, 并保持一定压力,电极表面涂以发射剂以减少电子发射能。这些措施使得动作电压可以调整(一般是70伏到几千伏)，而且可以保持在一个确定的误差范围内。当其两端电压低于放电电压时，气体放电管是一个绝缘体（电阻Rohm〉100MΩ).当其两端电压升高到大于放电电压时，产生弧光放电,气体电离放电后由高阻抗转为低阻抗, 使其两端电压迅速降低,大约降几十伏。气体放电管受到瞬态高能量冲击时，它能以10—6秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，通过高达数十千安的浪涌电流. 3、特性曲线
Vs导通电压, Vg辉光电压，Vf弧光电压，Va熄弧电压 4、主要特性参数 ①直流击穿电压Vsdc：在放电管上施加100V/s的直流电压时的击穿电压值.这是放电管的标称电压，常用的有90V、150V、230V、350V、470V、600V、800V等几种，我们有最高3000V、最低70V的。其误差范围：一般为±20％，也有的为±15％。 ②脉冲（冲击）击穿电压Vsi：在放电管上施加1kV/μs的脉冲电压时的击穿电压值。因反应速度较慢，脉冲击穿电压要比直流击穿电压高得多。 陶瓷气体放电管对低上升速率和高上升速率电压的响应如下图所示。 ③冲击放电电流Idi：分为8/20μs波(短波）和10/1000μs波（长波）冲击放电电流两种。常用的是8/20μs波.冲击放电电流又分为单次冲击放电电流（8/20μs波冲击1次)和标称冲击放电电流（8/20μs波冲击10次），一般后者约为前者的一半左右,有2.5 kA、5 kA、10 kA、20 kA……等规格。
半导体放电管工作原理及选型应用
半导体放电管工作原理及选型应用 Socay（Sylvia） 1、产品简述 半导体过压保护器是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种新型保护器件，具有精确导通、快速响应（响应时间ns级）、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。由于其浪涌通流能力较同尺寸的TVS管强，可在无源电路中代替TVS管使用。但它的导通特性接近于短路，不能直接用于有源电路中，在这样的电路中使用时必须加限流元件，使其续流小于最小维持电流。半导体过压保护器有贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形式。 2、工作原理 ?反向工作状态（K端接正、A端接负） ?正向工作状态（A端接正、K端接负） ①阻断区：此时器件两端所加电压低于击穿电压，J1正偏，J2为反偏，电流很小，起了阻挡电流的作用，外加电压几乎都加在了J2上。 ②雪崩区：当外加电压上升接近J2结的雪崩击穿电压时，反偏J2结空间电荷区宽度扩展的同时，结区内电场大大增强，从而引起倍增效应加强。于是，通过J2结的电流突然增大，并使流过器件的电流也增大，这就是电压增加，电流急剧增加的雪崩区。 ③负阻区：当外加电压增加到大于VBO时，由于雪崩倍增效应而产生了大量的电子空穴对，此时这些载流子在强场的作用下，电子进入n2区，空穴进入p1区，由于不能很快复合而分别堆积起来，使J2空间电荷区变窄。由此使p1区电位升高、n2区电位下降，起了抵消外电压的作用。随着J2结区电场的减弱，降落在J2结上的外电压将下降，雪崩效应也随之减弱。另一
方面，J1、J3结的正向电压却有所增加，注入增强，造成通过J2结的电流增大，于是出现了电流增加电压减小的负阻现象。 ④低阻通态区：如上所述，雪崩效应使J2结两侧形成空穴和电子的积累，造成J2结反偏电压减小；同时又使J1、J3结注入增强，电流增大，因而J2结两侧继续有电荷积累，结电压不断下降。当电压下降到雪崩倍增完全停止，结电压全部被抵消后，J2结两侧仍有空穴和电子积累时，J2结变为正偏。此时，J1、J2和J3全部为正偏，器件可以通过大电流，因而处于低阻通态区。完全导通时，其伏安特性曲线与整流元件相似。 3、特性曲线 4、主要特性参数 ①断态电压VRM与漏电流IRM：断态电压VRM表示半导体过压保护器不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的漏电流IRM。
半导体放电管T0-92直插
A.General Description 简要概述 半导体放电管器件专门用来防止敏感的电信设备、POS 终端、基站设备、网络视频等设备出现由闪电、电源接触和电源感应引起的过压故障危险。它们具有高电气浪涌抑制能力，有助于防止瞬间故障和断开状态的高阻抗，使系统的正常运行过程变得实际上更加透明。 广泛应用在：网络通迅及消费类电子产品、高速数据传 输设备（T1/E1、XDSL、ISDN、HDSL、CATV、SLIC 等）。 经典应用：电话信号接口防护、RS485、RS232、RS422 等数据接口。产品特点产品特点:: 精确导通电压、快速响应 超强的浪涌处理能力 双向对称,可靠性高 安装简便，器件体积小 分SMA、SMB 贴片型/DO-15、TO-92直插型 符合ROHS 要求 满足通信产品标准要求 T0-92 B.Dimension 产品尺寸
C.Specification电气特性 D.Surge Ratings浪涌额定值 B级2502502501008030500 C级50040040015010050500 E.Product Terminology产品术语 Electrical Parameters电气参数 V DM:Repetitive peak Off-state Voltage最高峰值电压，器件可保持关断状态，也即：不正作峰值电压 VBo:Switching Voltage半导体雪崩或开关切换动作电压 Ipp：Surge Ratings最大额定峰值脉冲电流 I DM：Off-state current在V DM下最大泄漏电流值
I H Min ：Minimum Holding current 导通状态最小电流C ：O ff-state Capacitance 不工作状态下器件电容值di/dt ：Rate of Rise of Current 电流上升率dv/dt ：Rate of Rise of Voltage 电压上升率 F.Thermal Considerations 温度特性考虑 封装形式 Symbol 符号 Parameter 参数 Value 值TO-92 T J Operating Junction Temperature Range 工作温度范围-40~+150℃T S Storage Temperature Range 贮存温度范围-55~+150℃R ?JA Thermal Resistance:Junction to Ambient 90℃/W