电力电子技术复习重点总结

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电力电子技术第五版复习资料

第1章绪论

1 电力电子技术定义:是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,是应用于电力领域的电子技术,主要用于电力变换。

2 电力变换的种类

(1)交流变直流AC-DC:整流

(2)直流变交流DC-AC:逆变

(3)直流变直流DC-DC:一般通过直流斩波电路实现

(4)交流变交流AC-AC:一般称作交流电力控制

3 电力电子技术分类:分为电力电子器件制造技术和变流技术。

第2章电力电子器件

1 电力电子器件与主电路的关系

(1)主电路:指能够直接承担电能变换或控制任务的电路。

(2)电力电子器件:指应用于主电路中,能够实现电能变换或控制的电子器件。

2 电力电子器件一般都工作于开关状态,以减小本身损耗。

3 电力电子系统基本组成与工作原理

(1)一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。

(2)检测主电路中的信号并送入控制电路,根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信号。(3)控制信号通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断。

(4)同时,在主电路和控制电路中附加一些保护电路,以保证系统正常可靠运行。

4 电力电子器件的分类

根据控制信号所控制的程度分类

(1)半控型器件:通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。如SCR晶闸管。

(2)全控型器件:通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的电力电子器件。如GTO、GTR、MOSFET 和IGBT。

(3)不可控器件:不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。如电力二极管。

根据驱动信号的性质分类

(1)电流型器件:通过从控制端注入或抽出电流的方式来实现导通或关断的电力电子器件。如SCR、GTO、GTR。(2)电压型器件:通过在控制端和公共端之间施加一定电压信号的方式来实现导通或关断的电力电子器件。如MOSFET、IGBT。

根据器件内部载流子参与导电的情况分类

(1)单极型器件:内部由一种载流子参与导电的器件。如MOSFET。

(2)双极型器件:由电子和空穴两种载流子参数导电的器件。如SCR、GTO、GTR。

(3)复合型器件:有单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件。如IGBT。

5 半控型器件—晶闸管SCR

晶闸管的结构与工作原理

晶闸管的双晶体管模型

将器件N1、P2半导体取倾斜截面,则晶闸管变成V1-PNP和V2-NPN两个晶体管。

晶闸管的导通工作原理

(1)当AK间加正向电压A

E,晶闸管不能导通,主要是中间存在反向PN结。

(2)当GK间加正向电压G

E,NPN晶体管基极存在驱动电流G I,NPN晶体管导通,产生集电极电流2c I。

(3)集电极电流2c I构成PNP的基极驱动电流,PNP导通,进一步放大产生PNP集电极电流1c I。

(4)1c I与G I构成NPN的驱动电流,继续上述过程,形成强烈的负反馈,这样NPN和PNP两个晶体管完全饱和,晶闸管导通。

2.3.1.4.3 晶闸管是半控型器件的原因

(1)晶闸管导通后撤掉外部门极电流G I,但是NPN基极仍然存在电流,由PNP集电极电流1c I供给,电流已经形成强烈正反馈,因此晶闸管继续维持导通。

(2)因此,晶闸管的门极电流只能触发控制其导通而不能控制其关断。

2.3.1.4.4 晶闸管的关断工作原理

满足下面条件,晶闸管才能关断:

(1)去掉AK间正向电压;

(2)AK间加反向电压;

(3)设法使流过晶闸管的电流降低到接近于零的某一数值以下。

2.3.2.1.1 晶闸管正常工作时的静态特性

(1)当晶闸管承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。

(2)当晶闸管承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。

(3)晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用,不论门极触发电流是否还存在,晶闸管都保持导通。

(4)若要使已导通的晶闸管关断,只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。

2.4.1.1 GTO的结构

(1)GTO与普通晶闸管的相同点:是PNPN四层半导体结构,外部引出阳极、阴极和门极。

(2)GTO与普通晶闸管的不同点:GTO是一种多元的功率集成器件,其内部包含数十个甚至数百个供阳极的小GTO 元,这些GTO元的阴极和门极在器件内部并联在一起,正是这种特殊结构才能实现门极关断作用。

2.4.1.2 GTO的静态特性

(1)当GTO承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。

(2)当GTO承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。

(3)GTO导通后,若门极施加反向驱动电流,则GTO关断,也即可以通过门极电流控制GTO导通和关断。(4)通过AK间施加反向电压同样可以保证GTO关断。

2.4.3 电力场效应晶体管MOSFET

(1)电力MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的,因此它是电压型器件。

(3)当GS

U时,栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度,从而使P型半导体反型成N型半U大于某一电压值T

导体,形成反型层。

2.4.4 绝缘栅双极晶体管IGBT

(1)GTR和GTO是双极型电流驱动器件,其优点是通流能力强,耐压及耐电流等级高,但不足是开关速度低,所需驱动功率大,驱动电路复杂。

(2)电力MOSFET是单极型电压驱动器件,其优点是开关速度快、所需驱动功率小,驱动电路简单。

(3)复合型器件:将上述两者器件相互取长补短结合而成,综合两者优点。

(4)绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合型器件,由GTR和MOSFET两个器件复合而成,具有GTR和MOSFET 两者的优点,具有良好的特性。

2.4.4.1 IGBT的结构和工作原理

(1)IGBT是三端器件,具有栅极G、集电极C和发射极E。

(2)IGBT由MOSFET和GTR组合而成。

第3章整流电路

(1)整流电路定义:将交流电能变成直流电能供给直流用电设备的变流装置。

3.1.1 单相半波可控整流电路

(4)触发角 :

从晶闸管开始承受正向阳极电压起,到施加触发脉冲为止的电角度,称为触发角或控制角。

(7)几个定义

①“半波”整流:改变触发时刻,d u和d i波形随之改变,直流输出电压d u为极性不变但瞬时值变化的脉动直流,其波形只在2u正半周内出现,因此称“半波”整流。

②单相半波可控整流电路:如上半波整流,同时电路中采用了可控器件晶闸管,且交流输入为单相,因此为单相半波可控整流电路。

3.1.1.3 电力电子电路的基本特点及分析方法

(1)电力电子器件为非线性特性,因此电力电子电路是非线性电路。

(2)电力电子器件通常工作于通态或断态状态,当忽略器件的开通过程和关断过程时,可以将器件理想化,看作理想开关,即通态时认为开关闭合,其阻抗为零;断态时认为开关断开,其阻抗为无穷大。

3.1.2 单相桥式全控整流电路

3.1.2.1 带电阻负载的工作情况

(1)单相桥式全控整流电路带电阻负载时的原理图

① 由4个晶闸管(VT 1 ~VT 4)组成单相桥式全控整流电路。 ② VT 1 和VT 4组成一对桥臂,VT 2 和VT 3组成一对桥臂。 (2)单相桥式全控整流电路带电阻负载时的波形图

① α~0:

● VT 1 ~VT 4未触发导通,呈现断态,则0d =u 、0d =i 、02=i 。

2VT VT 41u u u =+,2VT VT 2

1

41u u u =

=。 ② πα~:

● 在α角度时,给VT 1 和VT 4加触发脉冲,此时a 点电压高于b 点,VT 1 和VT 4承受正向电压,因此可靠导

通,041VT VT ==u u 。

● 电流从a 点经VT 1 、R 、VT 4流回b 点。 ● 2d u u =,d 2i i =,形状与电压相同。 ③ )(~αππ+:

电源2u 过零点,VT 1 和VT 4承受反向电压而关断,2VT VT 2

1

41u u u =

=(负半周)。 ● 同时,VT 2 和VT 3未触发导通,因此0d =u 、0d =i 、02=i 。 ④ παπ2~)(+:

● 在)(απ+角度时,给VT 2 和VT 3加触发脉冲,此时b 点电压高于a 点,VT 2 和VT 3承受正向电压,因此可

靠导通,03VT VT 2==u u 。 ● VT 1 阳极为a 点,阴极为b 点;VT 4 阳极为a 点,阴极为b 点;因此2VT VT 41u u u ==。 ● 电流从b 点经VT 3 、R 、VT 2流回b 点。 ●

2d u u -=,d 2i i -=。

(3)全波整流

在交流电源的正负半周都有整流输出电流流过负载,因此该电路为全波整流。

(4)直流输出电压平均值

2

cos 19.02cos 122)(sin 212

22d α

απωωππ

α

+=+=

=

?

U U t td U U (5)负载直流电流平均值

2

cos 19.02cos 122R 2

2d d α

απ+=+==

R U R U U I (6)晶闸管参数计算

① 承受最大正向电压:)2(2

1

2U ② 承受最大反向电压:22U

③ 触发角的移相范围:0=α时,2d 9.0U U =;o 180=α时,0d =U 。因此移相范围为o 180。

④ 晶闸管电流平均值:VT 1 、VT 4与VT 2 、VT 3轮流导电,因此晶闸管电流平均值只有输出直流电流平均值的一半,即2

cos 145.021

2d dVT α+==

R U I I 。 3.1.2.2 带阻感负载的工作情况

(1)单相桥式全控整流电路带阻感负载时的原理图

(2)单相桥式全控整流电路带阻感负载时的波形图

分析时,假设电路已经工作于稳态下。

假设负载电感很大,负载电流不能突变,使负载电流d i 连续且波形近似为一水平线。

① πα~:

● 在α角度时,给VT 1 和VT 4加触发脉冲,此时a 点电压高于b 点,VT 1 和VT 4承受正向电压,因此可靠导通,041VT VT ==u u 。

● 电流从a 点经VT 1 、L 、R 、VT 4流回b 点,2d u u =。 ● d i 为一水平线,2d VT 1,4i i i ==。

VT 2 和VT 3为断态,02,3VT =i

② )(~αππ+:

● 虽然二次电压2u 已经过零点变负,但因大电感的存在使VT 1 和VT 4持续导通。

041VT VT ==u u ,2d u u =,2d VT 1,4i i i ==,02,3VT =i 。

③ παπ2~)(+:

● 在)(απ+角度时,给VT 2 和VT 3加触发脉冲,此时b 点电压高于a 点,VT 2 和VT 3承受正向电压,因此可

靠导通,03VT VT 2==u u 。 ●

由于VT 2 和VT 3的导通,使VT 1 和VT 4承受反向电压而关断01,4VT =i 。VT 1 阳极为a 点,阴极为b 点;VT 4 阳极为a 点,阴极为b 点;因此2VT 1,4u u =。 ● 电流从b 点经VT 3 、L 、R 、VT 2流回b 点,2d u u -=。 ●

d i 为一水平线,2d VT 2,3i i i -==。

④ )2(~2αππ+:

● 虽然二次电压2u 已经过零点变正,但因大电感的存在使VT 2 和VT 3持续导通。

032VT VT ==u u ,2VT 1,4u u =,2d u u -=,2d VT 2,3i i i -==,01,4VT =i 。

(3)直流输出电压平均值

ααπ

ωωπα

πα

cos 9.0cos 22)(sin 2122

2d U U t td U U ==

=

?

+

(4)触发角的移相范围

0=α时,2d 9.0U U =;o 90=α时,0d =U 。因此移相范围为o 90。

(5)晶闸管承受电压:正向:22U ;反向:22U 3.1.2.3 带反电动势负载时的工作情况

(1)单相桥式全控整流电路带反电动势负载时的原理图

① 当负载为蓄电池、直流电动机的电枢(忽略其中的电感)等时,负载可看成一个直流电压源,即反电动势负载。正常情况下,负载电压d u 最低为电动势E 。

② 负载侧只有2u 瞬时值的绝对值大于反电动势,即E u >2时,才有晶闸管承受正电压,有导通的可能。 (2)单相桥式全控整流电路带反电动势负载时的波形图

① )(~θαα+:

在α角度时,给VT 1 和VT 4加触发脉冲,此时E u >2,说明VT 1 和VT 4承受正向电压,因此可靠导通,2d u u =,R

d d E

u i -=

。 ② )(~)(απθα++:

● 在)(θα+角度时,E u <2,说明VT 1 和VT 4已经开始承受反向电压关断。 ● 同时,由于VT 2 和VT 3还未触发导通,因此E u =d ,0d =i 。 ③ )(~)(θαπαπ+++:

● 此过程为VT 2 和VT 3导通阶段,由于是桥式全控整流,因此负载电压与电流同前一阶段,2d u u -=,

R

d d E

u i -=

3.2 三相可控整流电路 3.2.1 三相半波可控整流电路

3.2.1.1 电阻负载

(1)三相半波可控整流电路带电阻负载时的原理图

① 变压器一次侧接成三角形,防止3次谐波流入电网。 ② 变压器二次侧接成星形,以得到零线。

③ 三个晶闸管分别接入a 、b 、c 三相电源,其所有阴极连接在一起,为共阴极接法。 (2)三相半波不可控整流电路带电阻负载时的波形图

● 将上面原理图中的三个晶闸管换成不可控二极管,分别采用VD 1、VD 2和VD 3表示。

● 工作过程分析基础:三个二极管对应的相电压中哪一个的值最大,则该相所对应的二极管导通,并使另两相的二极管承受反压关断,输出整流电压即为该相的相电压。

① 21~t t ωω:a 相电压最高,则VD 1导通,VD 2和VD 3反压关断,a u u =d 。 ② 32~t t ωω:b 相电压最高,则VD 2导通,VD 3和VD 1反压关断,b u u =d 。 ③

43~t t ωω:b 相电压最高,则VD 2导通,VD 3和VD 1反压关断,b u u =d 。

④ 按照上述过程如此循环导通,每个二极管导通o 120。

⑤ 自然换向点:在相电压的交点1t ω、2t ω、3t ω处,出现二极管换相,即电流由一个二极管向另一个二极管转移,这些交点为自然换向点。

(3)三相半波可控整流电路带电阻负载时的波形图(o 0=α)

自然换向点:对于三相半波可控整流电路而言,自然换向点是各相晶闸管能触发导通的最早时刻(即开始承受正向电压),该时刻为各晶闸管触发角α的起点,即o 0=α。

① 21~t t ωω: ● a 相电压最高,VT 1开始承受正压,在1t ω时刻触发导通,01VT =u ,而VT 2和VT 3反压关断。 ●

a u u =d ,R

u i i d

d VT 1=

=。 ② 32~t t ωω:

● b 相电压最高,VT 2开始承受正压,在2t ω时刻触发导通,02VT =u ,而VT 3和VT 1反压关断。 ●

b d u u =,01VT =i ,VT 1承受a 点-b 点间电压,即ab VT 1u u =。

③ 43~t t ωω: ● c 相电压最高,VT 3开始承受正压,在3t ω时刻触发导通,03VT =u ,而VT 1和VT 2反压关断。 ●

c d u u =,01VT =i ,VT 1承受a 点-c 点间电压,即ac VT 1u u =。

(4)三相半波可控整流电路带电阻负载时的波形图(o 30=α)

定义:1t ω时刻为自然换向点后o 30,2t ω和3t ω时刻依次间距o 120。 ① )90(~o 11+t t ωω: ●

a 相电压最高,VT 1已经承受正压,但在1t ω时刻(即o 30=α)时开始触发导通,01VT =u ,而VT 2和VT 3反压关断。 ●

a u u =d ,R

u i i d

d VT 1=

=。 ② 2o 1~)90(t t ωω+: ●

虽然已到a 相和b 相的自然换向点,b 相电压高于a 相电压,VT 2已经开始承受正压,但是VT 2没有门极触发脉冲,因此VT 2保持关断。

这样,原来已经导通的VT 1仍然承受正向电压(0a >u )而持续导通,01VT =u ,a u u =d ,R

u i i d

d VT 1=

=。 ③ 32~t t ωω:

b 相电压最高,VT 2已经承受正压,2t ω时刻(即o 30=α)时开始触发导通VT 2,02VT =u ,这样VT 1开始承受反压而关断。

b d u u =,01VT =i ,VT 1承受a 点-b 点间电压,即ab VT 1u u =。

④ 43~t t ωω: ●

c 相电压最高,VT 3已经承受正压,3t ω时刻(即o 30=α)时开始触发导通VT 3,03VT =u ,这样VT 2开始承受反压而关断。 ●

c d u u =,01VT =i ,VT 1承受a 点-c 点间电压,即ac VT 1u u =。

(5)三相半波可控整流电路带电阻负载时的波形图(o 60=α)

定义:1t ω时刻为自然换向点后o 60,2t ω和3t ω时刻依次间距o 120。 ① )90(~o 11+t t ωω: ●

a 相电压最高,VT 1在1t ω时刻(即o 60=α)时开始触发导通,即使过了自然换向点,但因VT 2未导通及0a >u ,而使VT 1持续导通,01VT =u ,而VT 2和VT 3反压关断。 ●

a u u =d ,R

u i i d

d VT 1=

=。 ② 2o 1~)90(t t ωω+: ● a 相电压过零变负(0a

0d VT 1==i i ,0d =u 。

③ 32~t t ωω及43~t t ωω期间情况分别为VT 2和VT 3导通过程,与上述相同。 (6)三相半波可控整流电路带电阻负载不同触发角工作时的情况总结 ① 当o 30<α时,负载电流处于连续状态,各相导电o 120。

数字电子技术基础总复习要点

数字电子技术基础总复习要点 一、填空题 第一章 1、变化规律在时间上和数量上都是离散是信号称为数字信号。 2、变化规律在时间或数值上是连续的信号称为模拟信号。 3、不同数制间的转换。 4、反码、补码的运算。 5、8421码中每一位的权是固定不变的,它属于恒权代码。 6、格雷码的最大优点就在于它相邻两个代码之间只有一位发生变化。 第二章 1、逻辑代数的基本运算有与、或、非三种。 2、只有决定事物结果的全部条件同时具备时,结果才发生。这种因果关系称 为逻辑与,或称逻辑相乘。 3、在决定事物结果的诸条件中只要有任何一个满足,结果就会发生。这种因 果关系称为逻辑或,也称逻辑相加。 4、只要条件具备了,结果便不会发生;而条件不具备时,结果一定发生。这 种因果关系称为逻辑非,也称逻辑求反。 5、逻辑代数的基本运算有重叠律、互补律、结合律、分配律、反演律、还原 律等。举例说明。 6、对偶表达式的书写。 7、逻辑该函数的表示方法有:真值表、逻辑函数式、逻辑图、波形图、卡诺 图、硬件描述语言等。 8、在n变量逻辑函数中,若m为包含n个因子的乘积项,而且这n个变量均 以原变量或反变量的形式在m中出现一次,则称m为该组变量的最小项。 9、n变量的最小项应有2n个。 10、最小项的重要性质有:①在输入变量的任何取值下必有一个最小项,而且 仅有一个最小项的值为1;②全体最小项之和为1;③任意两个最小项的乘积为0;④具有相邻性的两个最小项之和可以合并成一项并消去一对因子。 11、若两个最小项只有一个因子不同,则称这两个最小项具有相邻性。 12、逻辑函数形式之间的变换。(与或式—与非式—或非式--与或非式等) 13、化简逻辑函数常用的方法有:公式化简法、卡诺图化简法、Q-M法等。 14、公式化简法经常使用的方法有:并项法、吸收法、消项法、消因子法、配 项法等。 15、卡诺图化简法的步骤有:①将函数化为最小项之和的形式;②画出表示该 逻辑函数的卡诺图;③找出可以合并的最小项;④选取化简后的乘积项。 16、卡诺图法化简逻辑函数选取化简后的乘积项的选取原则是:①乘积项应包 含函数式中所有的最小项;②所用的乘积项数目最少;③每个乘积项包含的因子最少。 第三章 1、用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路称为门电路。 2、CMOS电路在使用时应注意以下几点:①输入电路要采用静电防护;②输 入电路要采取过流保护;③电路锁定效应的防护。 3、COMS电路的静电防护应注意以下几点:①采用金属屏蔽层包装;②无静

模拟电子技术基础_知识点总结

第一章半导体二极管 1.本征半导体 单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge 导电能力介于导体和绝缘体之间。 特性:光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体:纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下,本征半导体内的最重要的物 理现象是本征激发(又称热激发),产生两种带电性质相反的载流子(空穴和自由电子对),温度越 高,本征激发越强。 空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位,使局部显示+q 电荷的空位宏观定向运动。 在一定的温度下,自由电子和空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。当热激发和 复合相等时,称为载流子处于动态平衡状态。 2 ?杂质半导体 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 P型半导体:在本征半导体中掺入微量的3价元素(多子是空穴,少子是电子)。 N型半导体:在本征半导体中掺入微量的5价元素(多子是电子,少子是空穴)。 杂质半导体的特性 载流子的浓度:多子浓度决定于杂质浓度,几乎与温度无关;少子浓度是温度的敏感函数。 体电阻:通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 在半导体中,存在因电场作用产生的载流子漂移电流(与金属导电一致),还才能在因载流子 浓度差而产生的扩散电流。 3.PN 结 在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近,形成一个特殊的薄层(PN结)。 PN结中存在由N区指向P区的内建电场,阻止结外两区的多子的扩散,有利于少子的漂移。 PN结具有单向导电性:正偏导通,反偏截止,是构成半导体器件的核心元件。 正偏PN结(P+,N-):具有随电压指数增大的电流,硅材料约为0.6-0.8V,锗材料约为0.2-0.3V < 反偏PN结 (P-, N+):在击穿前,只有很小的反向饱和电流Is。 4.半导体二极管 普通的二极管内芯片就是一个PN结,P区引出正电极,N区引出负电极。单向导电性:正向导通,反向截止。

电力电子技术课程重点知识点总结

1.解释GTO、GTR、电力MOSFET、BJT、IGBT,以及这些元件的应用范围、基本特性。 2.解释什么是整流、什么是逆变。 3.解释PN结的特性,以及正向偏置、反向偏置时会有什么样的电流通过。 4.肖特基二极管的结构,和普通二极管有什么不同 5.画出单相半波可控整流电路、单相全波可控整流电路、单相整流电路、单相桥式半控整流电路电路图。 6.如何选配二极管(选用二极管时考虑的电压电流裕量) 7.单相半波可控整流的输出电压计算(P44) 8.可控整流和不可控整流电路的区别在哪 9.当负载串联电感线圈时输出电压有什么变化(P45) 10.单相桥式全控整流电路中,元件承受的最大正向电压和反向电压。 11.保证电流连续所需电感量计算。 12.单相全波可控整流电路中元件承受的最大正向、反向电压(思考题,书上没答案,自己试着算) 13.什么是自然换相点,为什么会有自然换相点。 14.会画三相桥式全控整流电路电路图,波形图(P56、57、P58、P59、P60,对比着记忆),以及这些管子的导通顺序。

15.三相桥式全控整流输出电压、电流计算。 16.为什么会有换相重叠角换相压降和换相重叠角计算。 17.什么是无源逆变什么是有源逆变 18.逆变产生的条件。 19.逆变失败原因、最小逆变角如何确定公式。 做题:P95:1 3 5 13 16 17,重点会做 27 28,非常重要。 20.四种换流方式,实现的原理。 21.电压型、电流型逆变电路有什么区别这两个图要会画。 22.单相全桥逆变电路的电压计算。P102 23.会画buck、boost电路,以及这两种电路的输出电压计算。 24.这两种电路的电压、电流连续性有什么特点 做题,P138 2 3题,非常重要。 25.什么是PWM,SPWM。 26.什么是同步调制什么是异步调制什么是载波比,如何计算 27.载波频率过大过小有什么影响 28.会画同步调制单相PWM波形。 29.软开关技术实现原理。

电子技术基础总结

电子技术基础总结 电子技术基础总结怎么写?以下是小编整理的相关范文,欢迎阅读。 电子技术基础总结一由于中职学生理论基础差,同时又缺乏主动学习的自觉性,如果采用传统的教学方法会使学生认为学习难度大学不会因而失去学习的兴趣,致使课堂出现学生睡倒一片或不听课各行其事的现象。采用项目任务驱动式教学,重在培养学生完成工作和动手实践的能力。学生在具体的工作任务中遇到问题,就会带着问题主动学习,这样使学生变要我学习为我要学习,提高学习的主动性,这种教学模式既锻炼了学生解决实际问题的能力,同时也提高了教学质量和教学效率。 组织召开专题会 为了确保课改取得实效,机电一体化教研组组织有关教师召开专题会,就如何开展好课改工作进行讨论,认真听取这门课有经验老师的建议,制定出课改实施方案。 教学内容的选取原则 1、坚持课程与技能岗位相对接; 2、下企业调研岗位工作任务; 3、提取典型工作任务; 4、确定课程学习任务与技能目标; 5、注重培养学生的基本技能。

项目教学内容的确定 在对企业充分调研的基础上,进行工作任务的分类归总,提取企业典型工作任务,确定了涵盖电工基础、模电、数电三部分的八大块 内容共十三个学习情境。在确定的学习内容中较侧重电子部分,任务的层次也是由易到难,十三个学习情境如下图所示。 项目教学的组织实施 1、所谓项目教学法,就是在老师的指导下,将一个相对独立的项目交由学生自己处理,项目学习中有关信息的收集、方案的设计、项目实施及最终评价,都由学生自己负责,学生通过该项目的进行,了解并把握整个过程及每一个环节中的基本要求。 “项目教学法”最显著的特点是“以项目为主线、教师为引导、学生为主体”,具体表现在:目标指向的多重性;培训周期短,见效快;可控性好;注重理论与实践相结合。项目教学法是师生共同完成项目,共同取得进步的教学方法。 2、在项目教学法的具体实施过程中,学生们还是能够给予较积极配合的。《电工与电子技术》计划的每周7课时安排在一天内进行,其中2节为理论课时,其余5节为任务实训课。但由于教师人手不够,后改为4节理论,3节实训。相比于理论课,学生还是偏向于上实训课,更喜欢做训练动

电力电子技术复习总结

电力电子技术复习题1 第1xx 电力电子器件 1. 电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2. 在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当 器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3. 电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添 加_保护电路__。 4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分 为_单极型器件双极型器件复合型器件_三类。 5. 电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电 压截止_。 6. 电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、XX 二极管。7.XX二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。 8. 晶闸管的基本工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、 反向电压则截止。 9. 对同一晶闸管,维持电流IH 与擎住电流IL 在数值大小上有IL__ 大于IH 。 10. 晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为, UDSM大于_UbQ 11. 逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反xx_ (如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12. GTO的__多兀集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13. MOSFET勺漏极XX特性中的三个区域与GTF共发射极接法时的输 出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截

后者的 _饱和区 __。 14. 电力MOSFE 的通态电阻具有正温度系数。 15.IGBT 的开启电压UGE (th )随温度升高而_略有下降开关速 度__小于__电力 MOSFET 。 16. 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可 将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型 _两类。 17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有 负 温 度系 数, 在1/2 或1/3 额定电流以上区段具有 __正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR 、门 极可关断晶闸管(GTO 、电力晶体管(GTR 、电力场效应管(电力 MOSFET 、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是 电力二极管 __,属于半控型器件的是 __晶闸管_,属于全控型器件的 是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET IGBT _;属于单极型电力电子器件 的有_电力 MOSFET ,_ 属于双极型器件的有 _电力二极管、晶闸管、 属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _ ;在可控的 器件中, 容量最大的是 _晶闸管_,工作频率最高的是 _电力 MOSFE , T 属于电压驱动的是电力 MOSFET 、 IGBT _,属于电流驱动的是 _晶闸 管、 GTO 、 GTR _。 第 2xx 整流电路 1. 电阻负载的特点是—电压和电流XX 且波形相同_,在单相半波 可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角 a 的最大移相范围是 0-180O_。 2. 阻感负载的特点是 _流过电感的电流不能突变,在单相半波可 控整流带阻感负载XX 续流二极管的电路中,晶闸管控制角a 的最大 止区_、前者的饱和区对应后者的 放大区 __、前者的非饱和区对应 GTO 、 GTR

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为~,锗材料约为~。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管~,锗管~。 *死区电压------硅管,锗管。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

电力电子技术复习总结(王兆安)

电力电子技术复习题1 第1章电力电子器件 J电力电子器件一般工作在开关状态。 乙在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为—通态损耗—,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。 3. 电力电子器件组成的系统,一般由—控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三 部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加保护电路。 4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型 器件、双极型器件、复合型器件三类。 L电力二极管的工作特性可概括为承受正向电压导通,承受反相电压截止。 6.电力二极管的主要类型有—普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。乙肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。 匕晶闸管的基本工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、反向电压则 截止。 乞对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL大于IH 。 10. 晶闸管断态不重复电压UDSMt转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM大于 _UbQ 11. 逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12(TO的_多元集成_结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13. MOSFET勺漏极伏安特性中的三个区域与GTRft发射极接法时的输出特性中的 三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区一、前者的饱和区对应后者的_放大区_、前者的非饱和区对应后者的_饱和区_ 。 14. 电力MOSFE的通态电阻具有正温度系数。 15JGBT的开启电压UGE(th )随温度升高而_略有下降一,开关速度—小于— 电力MOSFET 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子 器件分为电压驱动型和电流驱动型两类。 IZIGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负—温度系数,在1/2或 1/3额定电流以上区段具有__正—温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR、门极可关断晶闸管

武汉晴川学院级电力电子装置总复习思考题期末复习提纲

1.电力电子装置的定义及基本类型。 电力电子装置是以满足用电要求为目标,以电力电子器件为核心,通过合理的电路拓扑和控制方式,采用相关的应用技术对电能实现变换和控制的装置。(p1) 二、电力电子装置的主要类型 AC/DC变换器、DC/AC变换器、DC/DC变换器、AC/AC变换器、静态开关 2.电力电子装置和电力电子技术有哪些相同和不同 之处(p1) 相同之处:所用的电力电子器件、电力变换的功能 不同之处:研究的侧重点不同 电力单子技术主要从技术的层面出发,侧重于研究怎样用相应的电路来试验电力变换,以及电能变换的过程和原理电力电子装置主要从应用的层面出发,侧重于研究如何采用新技术新方法来提高整机的性能和效率,以满足用电对象的要求。 二者关系:电力电子技术的核心是电能形式的变换和控制,它通过电力电子装置来实现。 3.常用的散热措施有哪些(p14) (1)减小器件接触热阻Rθcs:提高接触面的光洁度,接触面上涂导热硅脂,施加合适的安装压力等。 (2)减小散热热阻Rθsa:选择有效散热面积大的铝型材散热器,将散热器作黑 化处理,必要时可采用紫铜材料制作散热器等。 (3)降低环境温度,加快散热过程:注意机箱的通风,装置内部安装风机, 必要时可用水、油或其他液体介质管道,以降低装置内部环境温度帮助冷却。4.缓冲电路的作用与分类。(p14) 抑制开关器件的du/dt和di/dt,减小器件的开关损耗,使开关器件工作在安全区内。 ?关断缓冲电路(du/dt抑制电路) 用于吸收器件的关断过电压和抑制du/dt,减小关断损耗。 ?开通缓冲电路(di/dt抑制电路) 用于抑制器件开通时的di/dt,减小开通损耗。 1)关断缓冲电路和开通缓冲电路 2)耗能缓冲电路和馈能缓冲电路 ?耗能缓冲电路 缓冲电路中储能元件的能量消耗在其内部的吸收电阻上。 ?馈能缓冲电路 将缓冲电路中储能元件上的能量回馈给负载或电源。 3)有极性缓冲电路和无极性缓冲电路 5.常用的过电流过电压保护措施,能看懂主电路中的 主要保护措施。 常用的过电压保护措施(p18): 1)封锁驱动信号 2)阻容吸收电路保护 3)压敏电阻保护 常用的过电流保护措施:(p17) ?电子电路保护——封锁驱动信号 ?快速熔断器保护——熔断器熔断切断回路 动作时间:约20ms ?过电流继电器保护——跳开交流断路器 动作时间:~

最新模拟电子技术基础总结

第一章晶体二极管及应用电路 一、半导体知识 1.本征半导体 ·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅(Si)和锗(Ge)(图1-2)。前者是制造半导体IC的材料(三五价化合物砷化镓GaAs是微波毫米波半导体器件和IC 的重要材料)。 ·纯净(纯度>7N)且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。在一定的温度下,本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发(又称热激发或产生)(图1-3)。本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。温度越高,本征激发越强。 +载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶·空穴是半导体中的一种等效q +电荷的空位宏观定向运动(图1-4)。 格中的空位,使局部显示q ·在一定的温度下,自由电子与空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。复合是产生的相反过程,当产生等于复合时,称载流子处于平衡状态。 2.杂质半导体 ·在本征硅(或锗)中渗入微量5价(或3价)元素后形成N型(或P型)杂质半导体(N型:图1-5,P型:图1-6)。 ·在很低的温度下,N型(P型)半导体中的杂质会全部电离,产生自由电子和杂质正离子对(空穴和杂质负离子对)。 ·由于杂质电离,使N型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴,而P型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。 ·在常温下,多子>>少子(图1-7)。多子浓度几乎等于杂质浓度,与温度无关;两少子浓度是温度的敏感函数。 ·在相同掺杂和常温下,Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。 3.半导体中的两种电流 在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流(这与金属导电一致);还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。 4.PN结 ·在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近,会形成一个特殊的薄层——PN结(图1-8)。 ·PN结是非中性区(称空间电荷区),存在由N区指向P区的内建电场和内建电压;PN结内载流子数远少于结外的中性区(称耗尽层);PN结内的电场是阻止结外两区的 仅供学习与交流,如有侵权请联系网站删除谢谢1

模拟电子技术基础期末复习总结

第一章 本征半导体:完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。 其特点: 在外部能量激励下产生本征激发,成对产生电子和空穴; 电子和空穴均为载流子,空穴是一种带正电的粒子; 温度越高,电子和空穴对的数目越多。 两种掺杂半导体: N型半导体:电子是多子,空穴是少子;还有不能自由移动的正离子。 P型半导体:空穴是多子,电子是少子;还有不能自由移动的负离子。 二极管 PN结及其单向导电性(正反接法,特点) 二极管的伏安特性(画伏安特性曲线) 二极管主要参数 稳压管 三极管 类型:NPN型、PNP型;硅管、锗管。 三种工作状态:(特例NPN型) 放大状态:发射结正向偏置,集电结反向偏置;(U BE>0,U BC<0,) 饱和状态:发射结和集电结均正向偏置;(U BE>0,U BC>0,) 截止状态:发射和集电结均反向偏置;(U BE<0,U BC<0), 三个工作区: 放大区:晶体管于放大状态,i c= i b有放大作用; 饱和区:晶体管工作于饱和状态,i c主要受的影响u ce,无放大作用; 截止区:晶体管工作于截止状态,i c≈0,无放大作用。 基本放大电路的组成原则: 直流偏置:发射结正向偏置,集电极反向偏置; 信号的输入和输出:信号源及负载接入放大电路时,就不影响晶体管原有的直流偏置,仍应保持发射结正偏,集电结反偏。要求隔“直”,又能使信号顺利通过。 放大电路的主要性能指标有:电压放大倍数AU、输入电阻Ri,输出电阻Ro,频带宽度fbw,全谐波失真度D及动态范围Uop-p等。 三种基本分析方法: 估算法:也称近似计算法,用于静态工作点的计算。分析过程为:画直流通路,由直流通路列出输入回路的直流负载方程,并设UBEQ值(硅管(NPN)为0.6V或0.7V,锗管(PNP)为0.2V,0.3V),代入方程,求出静态工作点。 图解法:

数字电子技术基础学习总结

数字电子技术基础学习总结 光阴似箭,日月如梭。有到了这个学期的期末,对我来说又是一次对知识的大检查。 这学期总共学习了4章,分别是数字逻辑基础、逻辑门电路基础、组合逻辑电路、触发器。 在第一章学习数字逻辑基础包括模拟信号与数字信号、数字电路、数制、各种数制之间的转换和对应关系表、码制(BCD码、格雷码、ASCII码)、逻辑问题的描述(这个是重点)、逻辑函数的五种描述方法、逻辑函数的化简; 在数制里学习四种进制十进制、二进制、八进制、十六进制;十进制是逢十进一,二进制是逢二进一,在八进制中只是二进制的一种简便表示方法而已,它的规律是逢八近一,而十六进制有09ABCDEF十六个数码这个要记住和一些算法。 比如十进制的534,八进制为1026,过程为: 534/8=66,余数为6; 66/8=8,余数为2; 8/8=1,余数为0; 1/8=0,余数为1;

仍然是从下往上看这些余数,顺序写出,答案为1026 所以在数制的之间转换有5种转换,10和2转换(除2取余数法,如上题一样),10和8转换对整数除8取余,对小数点乘8取整。10和16转换对整数除16取余,对小数点乘16取整,2和8转换对应关系3位二进制对应1位八进制可看对应关系图。2和16转换4位二进制对应1位十六进制数,可看对应关系图。 在码制的学习中学习了3种码BCD码、格雷码、ASCII码。 BCD码:用4位二进制数来表示1位十进制数中的0~9这10个数码,简称BCD码,还有几个常用的BCD码:8421(常用)、5421、2421、余3。 如8421码321的8421码就是(查表) 3 2 1 0011 0010 0001 原因:0011=8x0+4x0+1x2+1x1=3 、 0010=8x0+4x0+2x1+1x0=2、0001=8x0+4x0+2x0+1x1=1; 格雷码:有两个特点1相邻性2循环性。

数字电子技术基础知识总结

数字电子技术基础知识总结引导语:数字电子技术基础知识有哪些呢?接下来是小编为你带来收集整理的文章,欢迎阅读! 处理模拟信号的电子电路。“模拟”二字主要指电压(或电流)对于真实信号成比例的再现。 其主要特点是: 1、函数的取值为无限多个; 2、当图像信息和声音信息改变时,信号的波形也改变,即模拟信号待传播的信息包含在它的波形之中(信息变化规律直接反映在模拟信号的幅度、频率和相位的变化上)。 3.初级模拟电路主要解决两个大的方面:1放大、2信号源。 4、模拟信号具有连续性。 用数字信号完成对数字量进行算术运算和逻辑运算的电路称为数字电路,或数字系统。由于它具有逻辑运算和逻辑处理功能,所以又称数字逻辑电路。 其主要特点是: 1、同时具有算术运算和逻辑运算功能 数字电路是以二进制逻辑代数为数学基础,使用二进制数字信号,既能进行算术运算又能方便地进行逻辑运算(与、或、非、判断、比较、处理等),因此极其适合于运算、比较、存储、传输、控制、决策等应用。

2、实现简单,系统可靠 以二进制作为基础的数字逻辑电路,可靠性较强。电源电压的小的波动对其没有影响,温度和工艺偏差对其工作的可靠性影响也比模拟电路小得多。 3、集成度高,功能实现容易 集成度高,体积小,功耗低是数字电路突出的优点之一。电路的设计、维修、维护灵活方便,随着集成电路技术的高速发展,数字逻辑电路的集成度越来越高,集成电路块的功能随着小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路(MSI)、大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)的发展也从元件级、器件级、部件级、板卡级上升到系统级。电路的设计组成只需采用一些标准的集成电路块单元连接而成。对于非标准的特殊电路还可以使用可编程序逻辑阵列电路,通过编程的方法实现任意的逻辑功能。 模拟电路是处理模拟信号的电路;数字电路是处理数字信号的电路。 模拟信号是关于时间的函数,是一个连续变化的量,数字信号则是离散的量。因为所有的电子系统都是要以具体的电子器件,电子线路为载体的,在一个信号处理中,信号的采集,信号的恢复都是模拟信号,只有中间部分信号的处理是数字处理。具体的说模拟电路主要处理模拟信号,不随时间变化,时间域和值域上均连续的信号,如语音信号。而数

电力电子实训心得体会

电力电子技术实验总结 随着大功率半导体开关器件的发明和变流电路的进步和发展,产生了利用这类器件和电路实现电能变换与控制的技术——电力电子技术。电力电子技术横跨电力、电子和控制三个领域,是现代电子技术的基础之一,是弱电子对强电力实现控制的桥梁和纽带,已被广泛应用于工农业生产、国防、交通、能源和人民生活的各个领域,有着极其广阔的应用前景,成为电气工程中的基础电子技术。 本学期实验课程共进行了四个实验。包括单结晶体管触发电路实验,单相半波整流电路实验,三相半波有源逆变电路实验,单相交流调压电路实验. 单结晶体管触发电路实验 实验目的 (1)熟悉单结晶体管触发电路的工作原理及电路中各元件的作用。 (2)掌握单结晶体管触发电路的基本调试步骤。 实验线路及原理单结晶体管触发电路利用单结晶体管(又称双基极二极管)的负阻特性和rc充放电特性,可组成频率可调的自激振荡电路。v6为单结晶体管,其常用型号有 bt33和bt35两种,由等效电阻v5和c1组成rc充电回路,由c1-v6-脉冲变压器原边组成电容放电回路,调节rp1电位器即可改变c1充电回路中的等效电阻,即改变电路的充电时间。由同步变压器副边输出60v的交流同步电压,经vd1半波整流,再由稳压管v1、v2 进行削波,从而得到梯形波电压,其过零点与电源电压的过零点同步,梯形波通过r7及等效可变电阻v5向电容c1充电,当充电电压达到单结晶体管的峰值电压up时,v6导通,电容通过脉冲变压器原边迅速放电,同时脉冲变压器副边输出触发脉冲;同时由于放电时间常数很小,c1两端的电压很快下降到单结晶体管的谷点电压uv,使得v6重新关断,c1再次被充电,周而复始,就会在电容c1两端呈现锯齿波形,在每次v6导通的时刻,均在脉冲变压器副边输出触发脉冲;在一个梯形波周期内,v6可能导通、关断多次,但对晶闸管而言只有第一个输出脉冲起作用。电容c1的充电时间常数由等效电阻等决定,调节rp1电位器改变c1的充电时间,控制第一个有效触发脉冲的出现时刻,从而实现移相控制。 实验内容 (1)单结晶体管触发电路的调试。 (2)单结晶体管触发电路各点电压波形的观察。 单相半波整流电路实验 实验目的 1、熟悉强电实验的操作规程; 2、进一步了解晶闸管的工作原理; 3、掌握单相半波可控整流电路的工作原理。 4、了解不同负载下单相半波可控整流电路的工作情况。 实验原理 1、晶闸管的工作原理晶闸管的双晶体管模型和内部结构如下:晶闸管在正常工作时,承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。当承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值一下。 2.单相半波可控整流电路(电阻性负载) 2.1电路结构若用晶闸管t替代单相半波整流电路中的二极管d,就可以得到单相半波可控整流电路的主电路。变压器副边电压u2为50hz正弦波,负载 rl为电阻性负载。 三相半波有源逆变电路实验 实验目的 1、掌握三相半波有源逆变电路的工作原理,验证可控整流电路在有源逆变时的工作条件,并比较与整流工作时的区别。

电力电子技术重要公式总结

单相半波可控整流 带电阻负载的工作情况: 电阻负载的特点:电压与电流成正比,两者波形相同。 触发延迟角:从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度,用a 表示,也称触发角或控制角。 导通角:晶闸管在一个电源周期中处于通态的电角度,用θ表示 。 直流输出电压平均值: VT 的a 移相范围为180? 通过控制触发脉冲的相位来控制直流输出电压大小的方式称为相位控制方式简称相控方式。 ω ω ω ω t T V R 0 a u 1 u 2 u V u d i d ω t 1 π 2 π t t t u 2 u g u d u V α θ 0 b c d e 0 0 ?+=+== π α α απωωπ 2 cos 145.0)cos 1(22)(sin 2212 22d U U t td U U (3-1)

带阻感负载的工作情况: 阻感负载的特点:电感对电流变化有抗拒作用,使得流过电感的电流不发生突变。 续流二极管 数量关系: ω t t ω ω t ω t ω u 2 ω t 1 π 2 π t u g u d i d 0 u V θ α b c d e f + + d dVT 2I I π απ-=(3-5) d 2d VT 2)(21I t d I I πα πωπ π α-==?(3-6) d dVD R I I π απ2+=(3-7) d 22 d VD 2)(21R I t d I I πα πωπ α ππ +== ?+(3-8)

单相半波可控整流电路的特点: 1.VT 的a 移相范围为180?。 2.简单,但输出脉动大,变压器二次侧电流中含直流分量,造成变压器铁芯直流磁化。 3.实际上很少应用此种电路。 4.分析该电路的主要目的建立起整流电路的基本概念。 u 2 u d i d u V i V I d I d ω t 1 ω t ω t ω t ω t ω t ω t O O O O O O π - α π + α b c d e f g i V R a

数字电子技术基础第五版期末知识点总结 新

数字电子技术基础第五版期末知识点总结 数电课程各章重点 第一、二章 逻辑代数基础知识要点 各种进制间的转换,逻辑函数的化简。 一、二进制、十进制、十六进制数之间的转换;二进制数的原码、反码和补码 .8421码 二、逻辑代数的三种基本运算以及5种复合运算的图形符号、表达式和真值表:与、或、非 三、逻辑代数的基本公式和常用公式、基本规则 逻辑代数的基本公式 逻辑代数常用公式: 吸收律:A AB A =+ 消去律:B A B A A +=+ A B A AB =+ 多余项定律:C A AB BC C A AB +=++ 反演定律:B A AB += B A B A ?=+ B A AB B A B A +=+ 基本规则:反演规则和对偶规则,例1-5 四、逻辑函数的三种表示方法及其互相转换 逻辑函数的三种表示方法为:真值表、函数式、逻辑图 会从这三种中任一种推出其它二种,详见例1-7 五、逻辑函数的最小项表示法:最小项的性质;例1-8 六、逻辑函数的化简:要求按步骤解答 1、 利用公式法对逻辑函数进行化简 2、 利用卡诺图对逻辑函数化简 3、 具有约束条件的逻辑函数化简 例1.1 利用公式法化简 BD C D A B A C B A ABCD F ++++=)( 解:BD C D A B A C B A ABCD F ++++=)( BD C D A B A B A ++++= )(C B A C C B A +=+

BD C D A B +++= )(B B A B A =+ C D A D B +++= )(D B BD B +=+ C D B ++= )(D D A D =+ 例1.2 利用卡诺图化简逻辑函数 ∑= )107653()(、、、、m ABCD Y 约束条件为∑8)4210(、、、、 m 解:函数Y 的卡诺图如下: 00 01 11 10000111 10AB CD 11 1× 11×××× D B A Y += 第三章 门电路知识要点 各种门的符号,逻辑功能。 一、三极管开、关状态 1、饱和、截止条件:截止:T be V V <, 饱和:βCS BS B I I i = > 2、反相器饱和、截止判断 二、基本门电路及其逻辑符号 与门、或非门、非门、与非门、OC 门、三态门、异或; 传输门、OC/OD 门及三态门的应用 三、门电路的外特性 1、输入端电阻特性:对TTL 门电路而言,输入端通过电阻接地或低电平时,由于输入电流流过该电阻,会在电阻上产生压降,当电阻大于开门电阻时,相当于逻辑高电平。 习题2-7 5、输出低电平负载电流I OL 6、扇出系数N O 一个门电路驱动同类门的最大数目 第四章 组合逻辑电路知识要点

电力电子技术课程重点知识点总结

电力电子技术课程重点知识点 总结 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN

1.解释GTO、GTR、电力MOSFET、BJT、IGBT,以及这些元件的应用范围、基本特性。 2.解释什么是整流、什么是逆变。 3.解释PN结的特性,以及正向偏置、反向偏置时会有什么样的电流通过。 4.肖特基二极管的结构,和普通二极管有什么不同 5.画出单相半波可控整流电路、单相全波可控整流电路、单相整流电路、单相桥式半控整流电路电路图。 6.如何选配二极管(选用二极管时考虑的电压电流裕量) 7.单相半波可控整流的输出电压计算(P44) 8.可控整流和不可控整流电路的区别在哪 9.当负载串联电感线圈时输出电压有什么变化 (P45) 10.单相桥式全控整流电路中,元件承受的最大正向电压和反向电压。 11.保证电流连续所需电感量计算。 12.单相全波可控整流电路中元件承受的最大正向、反向电压(思考题,书上没答案,自己试着算)13.什么是自然换相点,为什么会有自然换相点。

14.会画三相桥式全控整流电路电路图,波形图 (P56、57、P58、P59、P60,对比着记忆),以及这些管子的导通顺序。 15.三相桥式全控整流输出电压、电流计算。 16.为什么会有换相重叠角换相压降和换相重叠角计算。 17.什么是无源逆变什么是有源逆变 18.逆变产生的条件。 19.逆变失败原因、最小逆变角如何确定公式。 做题:P95:1 3 5 13 16 17,重点会做 27 28,非常重要。 20.四种换流方式,实现的原理。 21.电压型、电流型逆变电路有什么区别这两个图要会画。 22.单相全桥逆变电路的电压计算。P102 23.会画buck、boost电路,以及这两种电路的输出电压计算。 24.这两种电路的电压、电流连续性有什么特点 做题,P138 2 3题,非常重要。 25.什么是PWM,SPWM。 26.什么是同步调制什么是异步调制什么是载波比,如何计算

电子技术基础复习总结.docx

第二章常用仪器设备介纟 1、仪器的选用原则是什么?:1屋程:所选仪器屋程应大于待测信号的范围;2 幅度:所选仪器的幅度应满足待测电路所需信号幅度的要求;3频率范围:所选仪器的频率范围应大于待测电路的频带宽度;4输入阻抗:所选择仪器的输入阻抗在所有量程范围内应足够高,如果输入阻抗不为常数,其数值变化应在允许的范围内。 2、仪器使用的注意事项是什么?1正确选择测量仪器的功能和量程;2保证仪器的精准度:注意仪器使用的规定条件3严格遵守操作规程:使用前先检查仪器的面板旋钮,使之处于所需位置。使用直流稳压电源,先将电源接通并调整输出电压到所需数值,然后关掉电源,待检杏全部电路连接无误再接通电源;4测量仪器的“接地”与“共地” 3、电子电路接地的I」的是什么?1使仪器屮所有单元电路都有一个基准零电位; 2带有接地屏蔽体的电路,防止外界电磁场的T扰,同时防止电路内部产生的电磁场外泄;3许多仪器的金属底座、机壳及外漏件为了屏蔽等需要,通常与电路中的地线是相连的 4、电子电路共地的口的是什么?将各台屯子仪器及被测装置的地端,按照信号输入、输出的顺序可靠地连接在一起,要求接线电阻和接触电阻越小越好。 5、模拟万用表的工作原理是什么?模拟万用表分三部分组成:指示部分、测量电路、转换装置。其核心部件是磁电式微安表头,测量原理是先通过一定的测量电路,将被测电量转换成电流信号,再由电流信号去驱动磁电式表头指针的偏转, 在刻度尺上指示出被测量的大小。 6、模拟万用表的使用方法:1使用前先将表水平放置。检查指针是否在“0”刻度的位置上,若不在则必须调整机械调零螺钉,使指针指在0位置上;2测量电阻时应根据被测量电阻的量值选择合适的量程,当不能估计被测量的量值时,应先将量程转换开关旋钮置于最大量程位置上,然后慢慢调至适当的量程,令指针尽可能指示在表头刻度屮间;3欧姆调零,测量电阻每次更换量程都要先进行欧姆调零,即将两根表笔短接,调整欧姆调零电位器R1,使指针达到零位,若欧姆调零旋钮到尽头指针仍未到零,则说明表内电池电压过低,应更换新电池。4 测量电阻时应注意两只手切忌同时捏住表笔的两根金属头,这样做相当于把人体的电阻并联在被测电阻两端,大大影响测量的准确性。5在电路屮测电阻时不允许带电测量,同时应将电阻一脚与电路断开防止其他元器件的并联影响。6测量直流电压选择量程时应选择比被测电压略高的量程档。当不能佔计被测量数值时,应将量程转换开关旋钮置于最人量程位置上,然后再调至适当的量程,使表针尽可能指在接近刻度中央的位置上。7不能用电流档测量电压,以防因电流档内阻过小,导致电流过大而烧坏表头,不可带电转换量程开关8万用表使用完毕, 将功能开关或量程开关置于空扌当或电压档的最大量程上,切勿置于电阻档,以防止不慎将两表笔短路,消耗内部电池。也不能放在电流档,以防止因疏忽用电流档测电压而损坏仪器。 7、数字万用表的工作原理是什么?数字万用表测量的基木量是直流电压,由核心电路A/D转换器、显示电路等组成。其他量的测量则先由转换电路将被测量转换成直流电压信号,由A/D转换器将随时间连续变化的模拟电压量变换成断续的数字量,然后由电子计数器对数字量进行计数得到测量结呆,由译码显示电路将测量结果显示出来。由逻辑控制电路控制各部分电路的协调丁作,在时钟脉冲的作用下按顺序完成整个测量过程。 8、数字力用表使用注意事项?1二极管正向电压测试条件是:正向直流屯流约1mA,

电力电子教材重点知识点总结

《电力电子技术》复习题 第1章绪论 1 电力电子技术定义:是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,是应用于电力领域的电子技术,主要用于电力变换。 2 电力变换的种类 (1)交流变直流AC-DC:整流 (2)直流变交流DC-AC:逆变 (3)直流变直流DC-DC:一般通过直流斩波电路实现,也叫斩波电路 (4)交流变交流AC-AC:可以是电压或电力的变换,一般称作交流电力控制 3 电力电子技术分类:分为电力电子器件制造技术和变流技术。 4、相控方式;对晶闸管的电路的控制方式主要是相控方式 5、斩空方式:与晶闸管电路的相位控制方式对应,采用全空性器件的电路的主要控制方式为脉冲宽度调制方式。相对于相控方式可称之为斩空方式。 第2章电力电子器件 1 电力电子器件与主电路的关系 (1)主电路:电力电子系统中指能够直接承担电能变换或控制任务的电路。 (2)电力电子器件:指应用于主电路中,能够实现电能变换或控制的电子器件。广义可分为电真空器件和半导体器件。 2 电力电子器件一般特征:1、处理的电功率小至毫瓦级大至兆瓦级。2、都工作于开关状态,以减小本身损耗。3、由电力电子电路来控制。4、安有散热器 3 电力电子系统基本组成与工作原理 (1)一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。

(2)检测主电路中的信号并送入控制电路,根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信号。 (3)控制信号通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断。 (4)同时,在主电路和控制电路中附加一些保护电路,以保证系统正常可靠运行。 4 电力电子器件的分类 根据控制信号所控制的程度分类 (1)半控型器件:通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。如SCR晶闸管。 (2)全控型器件:通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的电力电子器件。如GTO、GTR、MOSFET和IGBT。 (3)不可控器件:不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。如电力二极管。 根据驱动信号的性质分类 (1)电流驱动型器件:通过从控制端注入或抽出电流的方式来实现导通或关断的电力电子器件。如SCR、GTO、GTR。 (2)电压驱动型器件:通过在控制端和公共端之间施加一定电压信号的方式来实现导通或关断的电力电子器件。如MOSFET、IGBT。 根据器件内部载流子参与导电的情况分类 (1)单极型器件:内部由一种载流子参与导电的器件。如MOSFET。 (2)双极型器件:由电子和空穴两种载流子参数导电的器件。如SCR、GTO、GTR。(3)复合型器件:有单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件。如IGBT。 5 半控型器件—晶闸管SCR 2.3.1.4.4 晶闸管的关断工作原理 满足下面条件,晶闸管才能关断:

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