集成电路的基本知识

集成电路的基本知识
集成电路的基本知识

集成电路的基本知识

1.集成电路型号的识别

要全面了解一块集成电路的用途、功能、电特性,那必须知道该块电路的型号及其产地。电视、音响、录像用集成电路与其它集成电路一样,其正面印有型号或标记,从而根据型号的前缀或标志就能初步知道它是那个生产厂或公司的集成电路,根据其数字就能知道属哪一类的电路功能。例如AN5620,前缀AN说明是树下公司双极型集成电路,数字“5620”前二位区分电路主要功能,“56”说明是电视机用集成电路,而70~76属音响方面的用途,30~39属录像机用电路。详细情况请参阅部分生产厂集成型号的命名,但要说明,在实际应用中常出现A4100,到底属于日立公司的HA、三洋公司的LA、日本东洋电具公司的BA、东芝公司的TA、南朝鲜三星公司的KA、索尼公司的CXA、欧洲联盟、飞利浦、莫托若拉等国的TAA、TCA、TDA、的哪一产品?一般来说,把前缀代表生产厂的英文字母省略掉的集成路,通常会把自己生产或公司的名称或商标打印上去,如打上SONY,说明该集成电路型号是CXA1034,如果打上SANYO,说明是日本三洋公司的LA4100,C1350C一般印有NEC,说明该集成电路是日本电气公司生产的UPC1350C集成电路。

有的集成电路型号前缀连一个字母都没有,例如东芝公司生的KT-4056型存储记忆选台自动倒放微型收放机,其内部集成电路采用小型扁平封装,其中二块集成电路正面主要标记有2066、JRC、2067、JRC,显然2066、2067是型号的简称。要知道该型号的前缀或产地就必需找该块梳成上的其它标记,那么JRC是查找的主要线索,经查证是新日本无线电公司制造的型号为NJM2066和NJM2067集成电路,JRC是新日本无线电公司英文缩写的简称,其原文是New Japan Radio Co Ltd,它把NEW省略后写成JRC。(生产厂的商标的公司缩写请参阅有关内容)。但要注意的是,有的电源图或书刊中标明的集成电路型号也有错误,如常殷uPC1018C误印为UPC1018C或MPC1018C等(在本站的资料中,“U”用“u”代用),在使用与查阅时应注意。

2.使用前对集成电路要进行一次全面了解

使用集成电路前,要对该集成电路的功能,内部结构、电特性、外形封装以及与该集成电路相连的电路作全面分析和理解,使用时各项电性能参数不得超出该集成电路所允许的最大使用范围。

3.安装集成电路时要注意方向

在印刷线路板上安装集成电路时,要注意方向不要搞错,否则,通电时集成电路很可能被烧毁。一般规律是:集成电路引脚朝上,以缺口或打有一个点“。”

或竖线条为准,则按逆时方向排列。如果单列直手插式集成电路,则以正面(印有型号商标的一面)朝自己,引脚朝下,引脚编号顺序一般从左到右排列。除了以上常规的引脚方向排列外,也有一些引脚方向排列较为特殊,应引起注意,这些大多属于单列直插式封装结构,它的引脚方向排列刚好与上面说的相反,后缀为“R”,如M5115和M5115RP、HA1339A和A1339AR、HA1366W和HA1366AR等,即印有型号或商标的一面朝自己时,引脚朝下,后缀为“R”

的引脚排列方向是自右向左,这主要是一些双声道频功率放大电路,在连接BTL功放时,印刷板的排列对称方便,而特设计的。

还有双列14脚附散热片封装,单声道音频功率放大电路AN7114与AN7115.

它与LA4100、LA4102封装形式基本相同,所不同的是AN7114的散热片安装在引脚第7、8脚的一边,而LA4100的散热片是安装在引脚的第1、14脚一边,其内部电路和参数等均相同,如果前者的第1~7脚对应于LA4100第8~14脚,而AN7114的第8~14脚对应于LA4100第1~7脚正好相差180°安装代换时,则两者引脚可兼容。

4.有些空脚不应擅自接地

内部等效电路和应用电路中有的引出脚没有标明,遇到空的引脚时,不应擅自接地,这些引出脚为更替或备用脚,有时也作为内部连接。数字电路所有不用的输入端,均应根据实际情况接上适当的逻辑电平(Vdd 或Vss),不得悬空,否则电路的工作状态将不确定,并且会增加电路的功耗。对于触发器(CMOS电路)还应考虑控制端的直流偏置问题,一般可在控制端与Vdd 或Vss(视具体情况而定)之间接一只100K 的电阻,触发信号则接到管脚上。这样才能保证在常态下电路状态是唯一的,一旦触发信号(脉冲)来到,触发器便能正常翻转。

5.注意引脚能承受的应力与引脚间的绝缘

集成电路的引脚不要加上太大的应力,在拆卸集成电路时要小心,以防折断。

对于耐高压梳成电路,电源Vcc与地线以及其它输入线之间要留有足够的空隙。

6.对功率集成电路需要注意以下几点

⑴在未装散热板前,不能随意通电

⑵在未确定功率梳成电路的散热片应该接地前,不要将地线焊到散热片上。

⑶散热片的安装要平,紧固转矩一般为4~6㎏.cm,散热板面积要足够大。

⑷散热片与集成电路之间不要夹进灰尘、碎屑等东西,中间最好使用硅脂,用

以降低热阻,散热板安装好后,需要接地的散热板用引线焊到印刷线路板的接地端上。

7.集成电路引脚加电时要同步

集成块引脚施加的电压要同步,原则上集成块的Vcc与地之间要最加上电压。CMOS电路尚未接通电源时,决不可以将输入信号加到CMOS电路的输入端。

如果信号源和CMOS电路各用一套电源,则应先接通CMOS电源,再接通信号源的电源;关机时,应先切断信号源电源,再关掉CMOS电源。

8.集成电路以允许大电流冲击

大电流冲击最容易导致集成电路损坏,所以,正常使用和测试是的电源应附加电流限制电路。

9.要注意供电电源的稳定性

要确认供电电源和集成电路测量仪器在电源通断切换时,如果产生异常的脉冲波,则要在电路中增设诸如二极组成的浪涌吸收电路。

TTL电路的电源电压范围很窄,献宝Ⅰ类和Ⅲ类产品为4.75-5.25V(即5V ±5%),Ⅱ类产品为4.5-5.5V(即5V±10%),典型值为Vcc=5V。使用中Vcc不

得超出范围。输入信号V1不得高于Vcc,也不得低于GND(地电位)。

ECL的电源电压一般规定为Vcc=OV,Vee=-5.25V

±10%,使用中不得超标。

10.不应带电插拔集成电路

带有集成电路插座或电路间连接采用接插件,以及组件式结构的音响设备等,应尽量避免拔插集成块或接插件,必要拔插前,一定要切断电源,并注意让电源滤波电容放电后进行。

11.集成电路及其引线应远离脉冲高压源

设置集成电路位置时应尽量脉冲高压、高频等装置。连接集成电路的引线及相关导线要尽量短,在不可避免的长线上要加入过压保护电路,尤其是汽车用收录机的安装更要注意。CMOS电路接线时,外围元件应尽量靠近所连管脚,引线力求短捷,避免使用平行的长引线,否则易引入较大的分布电容和分布电感,容易形成LC振荡,解决的办法是在输入端串入10K∩电阻。

CMOS用于高速电路时,要注意电路结构和印制板的设计。输出引线过长,容易产生“振铃”现象,引起波形失真。

由于ECL属于高速数字集成电路,因此必须考虑信号线上存在的“反射”以及相邻信号线之间的“串扰”等特殊问题,必要时应采用输线(例如同轴电缆),并保证传输线的阻抗匹配。此外,还需采用一定的屏蔽、隔离措施。当工作频率超过200MZ时,宜选用多层线路板,以减少地线阻抗。

12.防止感应电动势击穿集成电路

电路中带有继电器等感性负载时,在集成电路相关引脚要接入保护二极管防止过压击穿。焊接时宜采用20W内热式烙铁,烙铁外壳需接地线,或防静电电烙铁,防止因漏电而损坏集成电路。每次焊接时间应控制在3——5秒内。有时为安全起见,也可先拔下烙铁插头,利用烙铁的余热进行焊接。严禁在电路通电时进行焊接。

CMOS电路的栅极与基极之间,有一层厚度仅为0.1——0.2Um的二氧化硅绝缘层。由于CMOS电路的输入阻抗高,而输入电容又很小,只要在栅极上积有少量电荷,便可形成高压,将栅级击穿,造成永久性损坏。因人体能感应出几十伏的交流电压,衣服在摩擦时还能产生干伏的静电,帮尽量不要用手或身体接触CMOS电路的管脚。长期不用时,最好用锡纸将全部管脚短路后包好。塑料袋易产生静电,不宜用来包装集成电路。

13.要防止超过最高温度

一般集成电路所爱的最高温度是260°C、10秒中350°C、3秒。这是指每块集成电路全部引脚同时浸入离封基底平面的距离大于1至1.5MM所允许的最长时间,所以波峰焊和浸焊温度一般控制在240°C~260°C,时间约7秒。

ECL电路的速度高,功耗也大。用于小型系统时,器件上应装散热器;用于大、中型系统时,则应加装风冷或液冷设备。

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集成电路IC常识 中国半导体器件型号命名方法 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号 日本半导体分立器件型号命名方法 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。 第五部分:用字母表示同一型号的改进型产品标志。 集成电路(IC)型号命名方法/规则/标准 原部标规定的命名方法X XXXXX 电路类型电路系列和电路规格符号电路封装T:TTL;品种序号码(拼音字母)A:陶瓷扁平; H:HTTL;(三位数字) B :塑料扁平; E:ECL; C:陶瓷双列直插; I:I-L; D:塑料双列直插; P:PMOS; Y:金属圆壳; N:NMOS; F:金属菱形; F:线性放大器; W:集成稳压器; J:接口电路。 原国标规定的命名方法CXXXXX中国制造器件类型器件系列和工作温度范围器件封装符号 T:TTL;品种代号C:(0-70)℃;W:陶瓷扁平; H:HTTL;(器件序号)E :(-40~85)℃;B:塑料扁平; E:ECL; R:(-55~85)℃;F:全密封扁平; C:CMOS; M:(-55~125)℃;D:陶瓷双列直插; F:线性放大器; P:塑料双列直插; D:音响、电视电路; J:黑瓷双理直插; W:稳压器; K:金属菱形; J:接口电路; T:金属圆壳; B:非线性电路; M:存储器; U:微机电路;其中,TTL中标准系列为CT1000系列;H 系列为CT2000系列;S系列为CT3000系列;LS系列为CT4000系列; 原部标规定的命名方法CX XXXX中国国标产品器件类型用阿拉伯数字和工作温度范围封装 T:TTL电路;字母表示器件系C:(0~70)℃F:多层陶瓷扁平; H:HTTL电路;列品种G:(-25~70)℃B:塑料扁平; E:ECL电路;其中TTL分为:L:(-25~85)℃H:黑瓷扁平; C:CMOS电路;54/74XXX;E:(-40~85)℃D:多层陶瓷双列直插; M:存储器;54/74HXXX;R:(-55~85)℃J:黑瓷双列直插; U:微型机电路;54/74LXXX;M:(-55~125)℃P:塑料双列直插; F:线性放大器;54/74SXXX; S:塑料单列直插; W:稳压器;54/74LSXXX; T:金属圆壳; D:音响、电视电路;54/74ASXXX; K:金属菱形; B:非线性电路;54/74ALSXXX; C:陶瓷芯片载体; J:接口电路;54/FXXX。 E:塑料芯片载体; AD:A/D转换器;CMOS分为: G:网格针栅阵列; DA:D/A转换器;4000系列;本手册中采用了: SC:通信专用电路;54/74HCXXX; SOIC:小引线封装(泛指); SS:敏感电路;54/74HCTXXX; PCC:塑料芯片载体封装;SW:钟表电路; LCC:陶瓷芯片载体封装; SJ:机电仪电路; W:陶瓷扁平。SF:复印机电路; 一。如何鉴别IC原装、散新 在研发或学习过程中,经常需要买少量的片子,代理的质量虽然好,但是数量

了解一下集成电路的基础知识要点

了解一下集成电路的基础知识要点 将许多电阻、二极管和三极管等元器件以电路的形式制作半导体硅片上,然后接出引脚并封装起来,就构成了集成电路。集成电路简称为 集成块,下图 (a)所示的LM380就是一种常见的音频放大集成电路, 其内部电路如图(b)所示。 图 (a) 图(b) 对于大多数人来说,不用了解内部电路具体结构,只需知道集成电路 的用途和各引脚的功能。 单独集成电路是无法工作的,需要给它加接相应的外围元件并提供电 源才能工作。下图中的集成电路LM380提供了电源并加接了外围元件,它就可以对6脚输入的音频信号进行放大,然后从8脚输出放大的音 频信号,再送入扬声器使之发声。 有些时候,我们会把集成电路和芯片混为一谈,比如在大家平常讨论 话题中,集成电路设计和芯片设计说的是一个意思,芯片行业、集成 电路行业、IC行业往往也是一个意思。实际上,这两个词有联系,也 有区别。集成电路实体往往要以芯片的形式存在,因为狭义的集成电路,是强调电路本身,比如简单到只有五个元件连接在一起形成的相 移振荡器,当它还在图纸上呈现的时候,我们也可以叫它集成电路, 当我们要拿这个小集成电路来应用的时候,那它必须以独立的一块实物,或者嵌入到更大的集成电路中,依托芯片来发挥他的作用;集成 电路更着重电路的设计和布局布线,芯片更强调电路的集成、生产和 封装。而广义的集成电路,当涉及到行业(区别于其他行业)时,也 可以包含芯片相关的各种含义。 芯片也有它独特的地方,广义上,只要是使用微细加工手段制造出来 的半导体片子,都可以叫做芯片,里面并不一定有电路。比如半导体 光源芯片;比如机械芯片,如MEMS陀螺仪;或者生物芯片如DNA芯片。

使用集成电路的基本知识详细版

文件编号:GD/FS-8265 (安全管理范本系列) 使用集成电路的基本知识 详细版 In Order To Simplify The Management Process And Improve The Management Efficiency, It Is Necessary To Make Effective Use Of Production Resources And Carry Out Production Activities. 编辑:_________________ 单位:_________________ 日期:_________________

使用集成电路的基本知识详细版 提示语:本安全管理文件适合使用于平时合理组织的生产过程中,有效利用生产资源,经济合理地进行生产活动,以达到实现简化管理过程,提高管理效率,实现预期的生产目标。,文档所展示内容即为所得,可在下载完成后直接进行编辑。 1.集成电路型号的识别 要全面了解一块集成电路的用途、功能、电特性,那必须知道该块集成电路的型号及其产地。电视、音响、录像用集成电路与其它集成电路一样,其正面印有型号或标记,从而根据型号的前缀或标志就能初步知道它是那个生产厂或公司的集成电路,根据其数字就能知道属哪一类的电路功能。例如 AN5620,前缀AN说明是松下公司双极型集成电路,数字“5620”前二位区分电路主要功能,“56”说明是电视机用集成电路,而70~76属音响方面的用途,30~39属录像机用电路。详细情况请

参阅部分生产厂集成电路型号的命名,但要说明,在实际应用中常会出现A4100,到底属于日立公司的HA、三洋公司的LA、日本东洋电具公司的BA、东芝公司的TA、南朝鲜三星公司的KA、索尼公司的CXA、欧洲联盟、飞利浦、莫托若拉等国的TAA、TCA、TDA的哪一产品?一般来说,把前缀代表生产厂的英文字母省略掉的集成路,通常会把自己生产厂或公司的名称或商标打印上去,如打上SONY,说明该集成电路型号是CXA1034,如果打上SANYO,说明是日本三洋公司的LA4100,C1350C 一般印有NEC,说明该集成电路是日本电气公司生产的uPC1350C集成电路。 有的集成电路型号前缀连一个字母都没有,例如东芝公司生产的KT-4056型存储记忆选台自动倒放

集成电路设计基础复习

1、解释基本概念:集成电路,集成度,特征尺寸 参考答案: A、集成电路(IC:integrated circuit)是指通过一系列特定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件,按照一定的电路互连,“集成”在一块半导体晶片(如硅或砷化镓)上,封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能的集成块。 B、集成度是指在每个芯片中包含的元器件的数目。 C、特征尺寸是代表工艺光刻条件所能达到的最小栅长(L)尺寸。 2、写出下列英文缩写的全称:IC,MOS,VLSI,SOC,DRC,ERC,LVS,LPE 参考答案: IC:integrated circuit;MOS:metal oxide semiconductor;VLSI:very large scale integration;SOC:system on chip;DRC:design rule check;ERC:electrical rule check;LVS:layout versus schematic;LPE:layout parameter extraction 3、试述集成电路的几种主要分类方法 参考答案: 集成电路的分类方法大致有五种:器件结构类型、集成规模、使用的基片材料、电路功能以及应用领域。根据器件的结构类型,通常将其分为双极集成电路、MOS集成电路和Bi-MOS 集成电路。按集成规模可分为:小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路、特大规模集成电路和巨大规模集成电路。按基片结构形式,可分为单片集成电路和混合集成电路两大类。按电路的功能将其分为数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路。按应用领域划分,集成电路又可分为标准通用集成电路和专用集成电路。 4、试述“自顶向下”集成电路设计步骤。 参考答案: “自顶向下”的设计步骤中,设计者首先需要进行行为设计以确定芯片的功能;其次进行结构设计;接着是把各子单元转换成逻辑图或电路图;最后将电路图转换成版图,并经各种验证后以标准版图数据格式输出。 5、比较标准单元法和门阵列法的差异。 参考答案:

集成电路基本概念入门

>>技术支持 - 集成电路基本概念入门 我们通常所说的“芯片”是指集成电路,它是微电子技术的主要产品.所谓微电子是相对"强电"、"弱电"等概念而言,指它处理的电子信号极其微小.它是现代信息技术的基础,我们通常所接触的电子产品,包括通讯、电脑、智能化系统、自动控制、空间技术、电台、电视等等都是在微电子技术的基础上发展起来的。 我国的信息通讯、电子终端设备产品这些年来有长足发展,但以加工装配、组装工艺、应用工程见长,产品的核心技术自主开发的较少,这里所说的"核心技术"主要就是微电子技术.就好像我们盖房子的水平已经 不错了,但是,盖房子所用的砖瓦还不能生产.要命的是,"砖瓦"还很贵.一般来说,"芯片"成本最能影响整机的成本。 微电子技术涉及的行业很多,包括化工、光电技术、半导体材料、精密设备制造、软件等,其中又以集成电路技术为核心,包括集成电路的设计、制造。 集成电路(IC)基本概念 1、晶圆:多指单晶硅圆片,由普通硅沙拉制提炼而成,是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至更大规格.晶圆越大,同一圆片上可生产的IC就多,可降低成本;但要求材料技术和生产技术更高。 2、前、后工序:IC制造过程中, 晶圆光刻的工艺(即所谓流片),被称为前工序,这是IC制造的最要害技术;晶圆流片后,其切割、封装等工序被称为后工序。 3、光刻:IC生产的主要工艺手段,指用光技术在晶圆上刻蚀电路。 4、线宽:4微米/1微米/0.6微未/0.35微米/035微米等,是指IC生产工艺可达到的最小导线宽度,是IC工艺先进水平的主要指标.线宽越小,集成度就高,在同一面积上就集成更多电路单元。 5、封装:指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接。 6、逻辑电路:以二进制为原理的数字电路。 7、存储器:专门用于保存数据信息的IC。

集成电路版图基础知识练习

一、填空 1.ls (填写参数)命令用于显示隐藏文件。(-a) 2.进入当前目录的父目录的命令为 (%cd ..) 3.查看当前工作目录的命令为:(%pwd) 4.目录/home//uuu已建立,当前工作目录为/home/,采用绝对路径进入/home//uuu 的命令为:(%cd /home//uuu) 5.假设对letter文件有操作权限,命令%chmod a+rw letter会产生什么结果:(对 所有的用户增加读写权限。) 6.显示当前时间的命令为:(%date) 7.打开系统管理窗口的命令为:(%admintool) 8.与IP地址为166.111.4.80的主机建立FTP连接的命令为:(%ftp 166.111.4.80 or %ftp %open 166.111.4.80) 9.建立FTP连接后,接收单个文件的命令为:(%get) 10.建立FTP连接后,发送多个文件的命令为:(%mput) 11.有一种称为0.13um 2P5M CMOS单井工艺, 它的特征线宽为______,互连层共有 _____层,其电路类型为_______。0.13um 7 CMOS 12.请根据实际的制造过程排列如下各选项的顺序: a.生成多晶硅 b.确定井的位置和大小 c.定义扩散区,生成源漏区 d.确定有源区的位置和大小 e.确定过孔位置 正确的顺序为:___ _________________。bdace 13.集成电路中的电阻主要有__________, ____________, _____________三种。井电 阻,扩散电阻,多晶电阻 14.为方便版图绘制,通常将Contact独立做成一个单元,并以实例的方式调用。若该 Contact单元称为P型Contact,由4个层次构成,则该四个层次分别为:_________,_________, _________, ___________. active, P+ diffusion, contact, metal. 15.CMOS工艺中,之所以要将衬底或井接到电源或地上,是因为 ___________________________________。报证PN结反偏,使MOS器件能够正常工 作。 16.版图验证主要包括三方面:________,__________,__________; 完成该功能的 Cadence工具主要有(列举出两个):_________,_________。DRC, LVS, ERC, Diva, Dracula 17.造成版图不匹配的因数主要来自两个方面:一是制造工艺引起的,另一个是 __________;后者又可以进一步细分为两个方面:_______________, _____________。片上环境波动,温度波动,电压波动。 18.DRC包括几种常见的类型,如最大面积(Maximum Dimension),最小延伸(Minimum Extension),此外还有_________,_________,_________。最小间距,最小宽度,最小包围(Minimum Enclosure)。 19.减少天线效应的三种方法有:____________,____________,__________。插入二 极管,插入缓冲器,Jumper (或者,通过不同的金属层绕线)。 20.由于EDA工具的不统一,出现了各种不同的文件格式,如LEF, DEF等,业界公认 的Tape out的文件格式为 _______,它不可以通过文本编辑器查看,因为它是

使用集成电路的基本知识

编订:__________________ 审核:__________________ 单位:__________________ 使用集成电路的基本知识 Deploy The Objectives, Requirements And Methods To Make The Personnel In The Organization Operate According To The Established Standards And Reach The Expected Level. Word格式 / 完整 / 可编辑

文件编号:KG-AO-1587-33 使用集成电路的基本知识 使用备注:本文档可用在日常工作场景,通过对目的、要求、方式、方法、进度等进行具体的部署,从而使得组织内人员按照既定标准、规范的要求进行操作,使日常工作或活动达到预期的水平。下载后就可自由编辑。 1.集成电路型号的识别 要全面了解一块集成电路的用途、功能、电特性,那必须知道该块集成电路的型号及其产地。电视、音响、录像用集成电路与其它集成电路一样,其正面印有型号或标记,从而根据型号的前缀或标志就能初步知道它是那个生产厂或公司的集成电路,根据其数字就能知道属哪一类的电路功能。例如AN5620,前缀AN 说明是松下公司双极型集成电路,数字“5620”前二位区分电路主要功能,“56”说明是电视机用集成电路,而70~76属音响方面的用途,30~39属录像机用电路。详细情况请参阅部分生产厂集成电路型号的命名,但要说明,在实际应用中常会出现A4100,到底属于日立公司的HA、三洋公司的LA、日本东洋电具公司的

模拟集成电路基础知识整理

当GS V 恒定时,g m 与DS V 之间的关系 当DS V 恒定时,g m 、DS I 与GS V 之间的关系 通过对比可以发现,DS V 恒定时的弱反型区、强反型区、速度饱和区分别对应于当GS V 恒定时的亚阈值区、饱和区、线性区(三极管区)。 跨导g m 在线性区(三极管区)与DS V 成正比,饱和区与GS TH V V -成正比 DS g GS TH V V - 饱和区的跨导

NMOS 1、截止区条件:GS TH V V < 2、三极管区(线性区)条件:TH GD V V < 电压电流特性:()21 2DS n GS TH DS DS W I Cox V V V V L μ?????=-?- 3、饱和区条件:TH GD V V > 电压电流特性:()2 1 (1)2DS n GS TH DS W I Cox V V V L μλ= -+ 4、跨导: 就是小信号分析中的电流增益,D GS dI gm dV = () n GS TH W gm Cox V V L μ=- gm =2DS GS TH I gm V V = - 5、输出电阻就是小信号分析中的r0:10DS r I λ≈ PMOS 1、截止区GS THp V V > 2、三极管区(线性区)条件:THP DG V V < 电压电流特性:()21 2DS p GS TH DS DS W I Cox V V V V L μ?????=-? - 3、饱和区条件:THP DG V V > 电压电流特性:()2 1 (1)2DS p GS TH DS W I Cox V V V L μλ= -- 4、跨导和输出电阻与NMOS 管一样

集成电路设计基础

集成电路设计基础复习提纲 一EDA常用命令 ls 显示当前目录下的文件和路径。Pwd显示当前文件的绝对路径.。Cd进入指定目录。More显示文件内容。Cp拷贝。Mkdir创建目录。tar 打包。zip压缩。unzip解压。ftp传送文件。 二基本概念 1版图设计 CIW命令解释窗口, Library 库,Reference Library相关库, Library Path库路径,Cell单元,View视图,Techfiler.tf工艺文件, cds.lib库管理文件, techfile.cds ASCII 文件,LSW图层选择窗口,display.drf图层显示文件。LayerPurpose Pair层次用途配对,Cellview Attributes and Properties单元视图属性,Instance单元,Snap Mode 光标按钮画线条或图形的模型。Stream。数据流(一个标准数据格式用在cad系统间传递物理设计数据) parameterized cells,参数化单元。Flatten,打平 设计方法 1 CIC设计流程 ①设计规划。②建库。③原理图输入。④电路仿真。⑤单元模块版图。⑥TOP 版图。⑦验证。⑧输出GDSII。⑨制掩膜。⑩流片封装测试。 2CIC建库的步骤,工艺文件和显示文件的使用。 建库进入设计项目所在的文件夹,打开名利窗口输入icfb,在ciw菜单栏中选择file-creat-creat new library,选择要连接的Techfiler.tf或者选择相应库作为链接库,后根据指示完成余下的操作 工艺文件p1-40说明图层连接,等效连接,不可被重叠,自动布线,设计规则等情况 ciw-technology-file-dump ,design,layout definations,ascll 命名.Tf,ok;/techpurposes /techlayers;/techdisplays;/techlayerpurposepriorities(图层目的优先);:q!(保存退出):wq!(写后保存退出);/ptap File-load 显示文件的使用:在显示资源编辑窗口里编辑并保存(display。drf)长期有效 添加新包,先编辑显示文件再在显示资源编辑窗口里编辑其填充等;file—save;tools-display resources-mergefile;分配图层目的配对。 3单元版图绘图方法及编辑基本方法, 新建,根据设计要求选择图层用不同的绘图命令绘制和按参数编辑、连接,测试4绘图及编辑常用命令的使用: Create— Rectangle 。create-rectangle left点拉升点 Instance、create-instance(名字不可改)填写库cell view 坐标等 Path、create-path 1点2点+回车/双击 Pcell、edit-hierarchy(分层)-make cell 填写,画长方形区域,ok Polygon、create- Polygon(F3),选择图层,点,点等,回车 Conics create-arc,点,点,点回车

数字集成电路知识点整理

Digital IC:数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统 第一章引论 1、数字IC芯片制造步骤 设计:前端设计(行为设计、体系结构设计、结构设计)、后端设计(逻辑设计、电路设计、版图设计) 制版:根据版图制作加工用的光刻版 制造:划片:将圆片切割成一个一个的管芯(划片槽) 封装:用金丝把管芯的压焊块(pad)与管壳的引脚相连 测试:测试芯片的工作情况 2、数字IC的设计方法 分层设计思想:每个层次都由下一个层次的若干个模块组成,自顶向下每个层次、每个模块分别进行建模与验证 SoC设计方法:IP模块(硬核(Hardcore)、软核(Softcore)、固核(Firmcore))与设计复用Foundry(代工)、Fabless(芯片设计)、Chipless(IP设计)“三足鼎立”——SoC发展的模式 3、数字IC的质量评价标准(重点:成本、延时、功耗,还有能量啦可靠性啦驱动能力啦之类的) NRE (Non-Recurrent Engineering) 成本 设计时间和投入,掩膜生产,样品生产 一次性成本 Recurrent 成本 工艺制造(silicon processing),封装(packaging),测试(test) 正比于产量 一阶RC网路传播延时:正比于此电路下拉电阻和负载电容所形成的时间常数 功耗:emmmm自己算 4、EDA设计流程 IP设计系统设计(SystemC)模块设计(verilog) 综合 版图设计(.ICC) 电路级设计(.v 基本不可读)综合过程中用到的文件类型(都是synopsys): 可以相互转化 .db(不可读).lib(可读) 加了功耗信息

集成电路常识性概念

电路常识性概念--你还记得多少? 一.TTL TTL集成电路的主要型式为晶体管-晶体管逻辑门,TTL大部分都采用5V电源。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.输入高电平和输入低电平 Uih≥2.0V,Uil≤0.8V 二.CMOS CMOS电路是电压控制器件,输入电阻极大,对于干扰信号十分敏感,因此不用的输入端不应开路,接到地或者电源上。CMOS电路的优点是噪声容限较宽,静态功耗很小。 1.输出高电平Uoh和输出低电平Uol Uoh≈VCC,Uol≈GND 2.输入高电平Uoh和输入低电平Uol Uih≥0.7VCC,Uil≤0.2VCC(VCC为电源电压,GND为地) 从上面可以看出: 在同样5V电源电压情况下,COMS电路可以直接驱动TTL,因为CMOS的输出高电平大于2.0V,输出低电平小于0.8V;而TTL电路则不能直接驱动CMOS电路,TTL的输出高电平为大于2.4V,如果落在2.4V~3.5V之间,则CMOS 电路就不能检测到高电平,低电平小于0.4V满足要求,所以在TTL电路驱动COMS电路时需要加上拉电阻。如果出现不同电压电源的情况,也可以通过上面的方法进行判断。 如果电路中出现3.3V的COMS电路去驱动5VCMOS电路的情况,如3.3V单片机去驱动74HC,这种情况有以下几种方法解决,最简单的就是直接将74HC换成74HCT(74系列的输入输出在下面有介绍)的芯片,因为3.3VCMOS 可以直接驱动5V的TTL电路;或者加电压转换芯片;还有就是把单片机的I/O口设为开漏,然后加上拉电阻到5V,这种情况下得根据实际情况调整电阻的大小,以保证信号的上升沿时间。 三.74系列简介 74系列可以说是我们平时接触的最多的芯片,74系列中分为很多种,而我们平时用得最多的应该是以下几种:74LS,74HC,74HCT这三种,这三种系列在电平方面的区别如下: TTL和CMOS电平 1、TTL电平(什么是TTL电平): 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是0.4V。 2、CMOS电平: 1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。 3、电平转换电路: 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样(ttl5v<==>cmos3.3v),所以互相连接时需要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。 4、OC门,即集电极开路门电路,OD门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动门电路。 5、TTL和COMS电路比较: 1)TTL电路是电流控制器件,而CMOS电路是电压控制器件。 2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。 3)COMS电路的锁定效应: COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。

集成电路基础知识

集成电路基础知识 自本世纪初,真空电子管发明后,至今电子器件至今已经历了五代的发展过程。集成电路(IC)的诞生,使电子技术出现了划时代的革命,它是现代电子技术和计算机发展的基础,也是微电子技术发展的标志。 集成电路规模的划分,目前在国际上尚无严格、确切的定义。在发展过程中,人们逐渐形成一种似乎比较一致的划分意见,按芯片上所含逻辑门电路或晶体管的个数作为划分标志。一般人们将单块芯片上包含100个元件或10个逻辑门以下的集成电路称为小规模集成电路;而将元件数在100个以上、1000个以下,或逻辑门在10个以上、100个以下的称为中规模集成电路;门数有100─100 000个元件的称大规模集成电路(LSI),门数超过5000个,或元件数高于10万个的则称超大规模集成电路(VLSI)。 电路集成化的最初设想是在晶体管兴起不久的1952年,由英国科学家达默提出的。他设想按照电子线路的要求,将一个线路所包含的晶体管和二极管,以及其他必要的元件统统集合在一块半导体晶片上,从而构成一块具有预定功能的电路。 1958年,美国德克萨斯仪器公司的一位工程师基尔比,按照上述设想,制成了世界上第一块集成电路。他使用一根半导体单晶硅制成了相移振荡器,这个振荡器所包含的4个元器件已不需要用金属导线相连,硅棒本身既用为电子元器件的材料,又构成使它们之间相连的通路。 同年,另一家美国著名的仙童电子公司也宣称研制成功集成电路。由该公司赫尔尼等人所发明的一整套制作微型晶体管的新工艺──“平面工艺“被移用到集成电路的制作中,使集成电路很快从实验室研制试验阶段转入工业生产阶段。 1959年,德克萨斯仪器公司首先宣布建成世界上第一条集成电路生产线。1962年,世界上出现了第一块集成电路正式商品。虽然这预示着第三代电子器件已正式登上电子学舞台。 不久,世界范围内掀起了集成电路的研制热潮。早期的典型硅芯片为1.25毫米见方。60年代初,国际上出现的集成电路产品,每个硅片上的元件数在100个左右;1967所已达到1000个晶体管,这标志着大规模集成阶段的开端;到1976年,发展到一个芯片上可集成1万多个晶体管;进入80年代以来,一块硅片上有几万个晶体管的大规模集成电路已经很普遍了,并且正在超大规模集成电路发展。如今,已出现属于第五代的产品,在不到50平方毫米的硅芯片上集成的晶体管数激增到200万只以上。

集成电路设计基础 课后答案

班级:通信二班姓名:赵庆超学号:20071201297 7,版图设计中整体布局有哪些注意事项? 答:1版图设计最基本满足版图设计准则,以提高电路的匹配性能,抗干扰性能和高频工作性能。 2 整体力求层次化设计,即按功能将版图划分为若干子单元,每个子单元又可能包含若干子单元,从最小的子单元进行设计,这些子单元又被调用完成较大单元的设计,这种方法大大减少了设计和修改的工作量,且结构严谨,层次清晰。 3 图形应尽量简洁,避免不必要的多边形,对连接在一起的同一层应尽量合并,这不仅可减小版图的数据存储量,而且版图一模了然。 4 在构思版图结构时,除要考虑版图所占的面积,输入和输出的合理分布,较小不必要的寄生效应外,还应力求版图与电路原理框图保持一致(必要时修改框图画法),并力求版图美观大方。 8,版图设计中元件布局布线方面有哪些注意事项? 答:1 各不同布线层的性能各不相同,晶体管等效电阻应大大高于布线电阻。高速电路,电荷的分配效应会引起很多问题。 2 随器件尺寸的减小,线宽和线间距也在减小,多层布线层之间的介质层也在变薄,这将大大增加布线电阻和分布电阻。 3 电源线和地线应尽可能的避免用扩散区和多晶硅布线,特别是通过

较大电流的那部分电源线和地线。因此集成电路的版图设计电源线和地线多采用梳状布线,避免交叉,或者用多层金属工艺,提高设计布线的灵活性。 4 禁止在一条铝布线的长信号霞平行走过另一条用多晶硅或者扩散区布线的长信号线。因为长距离平行布线的两条信号线之间存在着较大的分布电容,一条信号线会在另一条信号线上产生较大的噪声,使电路不能正常工作。、 5 压点离开芯片内部图形的距离不应少于20um,以避免芯片键和时,因应力而造成电路损坏。

集成电路设计基础复习要点

集成电路设计基础复习要点 第一章集成电路设计概述 1、哪一年在哪儿发明了晶体管?发明人哪一年获得了诺贝尔奖? 2、世界上第一片集成电路是哪一年在哪儿制造出来的?发明人哪一 年为此获得诺贝尔奖? 3、什么是晶圆?晶圆的材料是什么? 4、晶圆的度量单位是什么?当前主流晶圆尺寸是多少?目前最大晶 圆尺寸是多少? 5、摩尔是哪个公司的创始人?什么是摩尔定律? 6、什么是SoC?英文全拼是什么? 7、说出Foundry、Fabless和Chipless的中文含义。 8、什么是集成电路的一体化(IDM)实现模式? 9、什么是集成电路的无生产线(Fabless)设计模式? 10、目前集成电路技术发展的一个重要特征是什么? 11、一个工艺设计文件(PDK)包含哪些内容? 12、什么叫“流片”? 13、什么叫多项目晶圆(MPW) ?MPW英文全拼是什么? 14、集成电路设计需要哪些知识范围? 15、著名的集成电路分析程序是什么?有哪些著名公司开发了集成电 路设计工具?

16、SSI、MSI、LSI、VLSI、ULDI的中文含义是什么?英文全拼是 什么?每个对应产品芯片上大约有多少晶体管数目? 17、国内近几年成立的集成电路代工厂家或转向为代工的厂家主要有 哪些? 18、境外主要代工厂家和主导工艺有哪些? 第二章集成电路材料、结构与理论 1、电子系统特别是微电子系统应用的材料有哪些? 2、常用的半导体材料有哪些? 3、半导体材料得到广泛应用的原因是什么? 4、为什么市场上90%的IC产品都是基于Si工艺的? 5、砷化镓(GaAs) 和其它III/V族化合物器件的主要特点是什么? 6、GaAs晶体管最高工作频率f T可达多少?最快的Si晶体管能达到多 少? 7、GaAs集成电路主要有几种有源器件? 8、为什么说InP适合做发光器件和OEIC? 9、IC系统中常用的几种绝缘材料是什么? 10、什么是欧姆接触和肖特基接触? 11、多晶硅有什么特点? 12、什么是材料系统?

IC设计基础笔试集锦

IC设计基础(流程、工艺、版图、器件)笔试集锦 1、我们公司的产品是集成电路,请描述一下你对集成电路的认识,列举一些与集成电路 相关的内容(如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA 等的概念)。(仕兰微面试题目) 什么是MCU? MCU(Micro Controller Unit),又称单片微型计算机(Single Chip Microcomputer),简称单片机,是指随着大规模集成电路的出现及其发展,将计算机的CPU、RAM、ROM、定时数器和多种I/O接口集成在一片芯片上,形成芯片级的计算机。 MCU的分类 MCU按其存储器类型可分为MASK(掩模)ROM、OTP(一次性可编程)ROM、FLASH ROM等类型。MASK ROM的MCU价格便宜,但程序在出厂时已经固化,适合程序固定不变的应用场合;FALSH ROM的MCU程序可以反复擦写,灵活性很强,但价格较高,适合对价格不敏感的应用场合或做开发用途;OTP ROM的MCU价格介于前两者之间,同时又拥有一次性可编程能力,适合既要求一定灵活性,又要求低成本的应用场合,尤其是功能不断翻新、需要迅速量产的电子产品。 RISC为Reduced Instruction Set Computing的缩写,中文翻译为精简执令运算集,好处是CPU核心 很容易就能提升效能且消耗功率低,但程式撰写较为复杂;常见的RISC处理器如Mac的Power PC 系列。 CISC就是Complex Instruction Set Computing的缩写,中文翻译为复杂指令运算集,它只是CPU分类的一种,好处是CPU所提供能用的指令较多、程式撰写容易,常见80X86相容的CPU即是此类。 DSP有两个意思,既可以指数字信号处理这门理论,此时它是Digital Signal Processing的缩写;也可以是Digital Signal Processor的缩写,表示数字信号处理器,有时也缩写为DSPs,以示与理论的区别。 2、FPGA和ASIC的概念,他们的区别。(未知) 答案:FPGA是可编程ASIC。 ASIC:专用集成电路,它是面向专门用途的电路,专门为一个用户设计和制造的。根据一 个用户的特定要求,能以低研制成本,短、交货周期供货的全定制,半定制集成电路。与 门阵列等其它ASIC(Application Specific IC)相比,它们又具有设计开发周期短、设计 制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点 3、什么叫做OTP片、掩膜片,两者的区别何在?(仕兰微面试题目)otp是一次可编程(one time programme),掩膜就是mcu出厂的时候程序已经固化到里面去了,不能在写程序进去!( 4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种?(仕兰微面试题目) 5、描述你对集成电路设计流程的认识。(仕兰微面试题目) 6、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。(仕兰微面试题目) 7、IC设计前端到后端的流程和eda工具。(未知) 8、从RTL synthesis到tape out之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.(未知) 9、Asic的design flow。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题) 10、写出asic前期设计的流程和相应的工具。(威盛) 11、集成电路前段设计流程,写出相关的工具。(扬智电子笔试) 先介绍下IC开发流程: 1.)代码输入(design input) 用vhdl或者是verilog语言来完成器件的功能描述,生成hdl代码 语言输入工具:SUMMIT VISUALHDL MENTOR RENIOR 图形输入: composer(cadence); viewlogic (viewdraw) 2.)电路仿真(circuit simulation) 将vhd代码进行先前逻辑仿真,验证功能描述是否正确 数字电路仿真工具: Verolog:CADENCE Verolig-XL SYNOPSYS VCS MENTOR Modle-sim VHDL : CADENCE NC-vhdl SYNOPSYS VSS MENTOR Modle-sim 模拟电路仿真工具: AVANTI HSpice pspice,spectre micro microwave: eesoft : hp 3.)逻辑综合(synthesis tools) 逻辑综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应一定工艺手段的门级电路;将初级仿真 中所没有考虑的门沿(gates delay)反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段进行再 仿真。最终仿真结果生成的网表称为物理网表。 12、请简述一下设计后端的整个流程?(仕兰微面试题目) 13、是否接触过自动布局布线?请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪些基本元 素?(仕兰微面试题目) 14、描述你对集成电路工艺的认识。(仕兰微面试题目)

电子元件基础认识第三章:各种集成电路简介

电子元件基础认识第三章:各种集成电路简介 电子元件基础认识(三) [作者:华益转贴自:本站原创点击数:7832 更新时间:2005-3-27 文章录入:华益] 第三章:各种集成电路简介 第一节三端稳压IC ? ? 电子产品中常见到的三端稳压集成电路有正电压输出的78××系列和负电压输出的79××系列。故名思义,三端IC是指这种稳压用的集成电路只有三条引脚输出,分别是输入端、接地端和输出端。它的样子象是普通的三极管,TO-220的标准封装,也有9013样子的TO-92封装。 ? ? 用78/79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少,电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路,使用起来可靠、方便,而且价格便宜。该系列集成稳压IC型号中的78或79后面的数字代表该三端集成稳压电路的输出电压,如7806表示输出电压为正6V,790 9表示输出电压为负9V。 ? ? 78/79系列三端稳压IC有很多电子厂家生产,80年代就有了,通常前缀为生产厂家的代号,如TA7805是东芝的产品,AN7909是松下的产品。(点击这里,查看有关看前缀识别集成电路的知识) ? ? 有时在数字78或79后面还有一个M或L,如78M12或79L24,用来区别输出电流和封装形式等,其中78L调系列的最大输出电流为10 0mA, 78M系列最大输出电流为1A,78系列最大输出电流为1.5A。它的封装也有多种,详见图。塑料封装的稳压电路具有安装容易、价格低廉等优点,因此用得比较多。 79系列除了输出电压为负。引出脚排列不同以外,命名方法、外形等均与78系列的相同。 ? ? 因为三端固定集成稳压电路的使用方便,电子制作中经常采用,可以用来改装分立元件的稳压电源,也经常用作电子设备的工作电源。电路图如图所示。 ? ? 注意三端集成稳压电路的输入、输出和接地端绝不能接错,不然容易烧坏。一般三端集成稳压电路的最小输入、输出电压差约为2V,否则不能输出稳定的电压,一般应使电压差保持在4-5V,即经变压器变压,二极管整流,电容器滤波后的电压应比稳压值高一些。 ? ? 在实际应用中,应在三端集成稳压电路上安装足够大的散热器(当然小功率的条件下不用)。当稳压管温度过高时,稳压性能将变差,

你应该知道的半导体芯片知识科普

尺寸缩小有其物理限制 不过,制程并不能无限制的缩小,当我们将晶体管缩小到20 奈米左右时,就会遇到量子物理中的问题,让晶体管有漏电的现象,抵销缩小L 时获得的效益。作为改善方式,就是导入FinFET(Tri-Gate)这个概念,如右上图。在Intel 以前所做的解释中,可以知道藉由导入这个技术,能减少因物理现象所导致的漏电现象。 更重要的是,藉由这个方法可以增加Gate 端和下层的接触面积。在传统的做法中(左上图),接触面只有一个平面,但是采用FinFET(Tri-Gate)这个技术后,接触面将变成立体,可以轻易的增加接触面积,这样就可以在保持一样的接触面积下让Source-Drain 端变得更小,对缩小尺寸有相当大的帮助。 最后,则是为什么会有人说各大厂进入10 奈米制程将面临相当严峻的挑战,主因是1 颗原子的大小大约为0.1 奈米,在10 奈米的情况下,一条线只有不到100 颗原子,在制作上相当困难,而且只要有一个原子的缺陷,像是在制作过程中有原子掉出或是有杂质,就会产生不知名的现象,影响产品的良率。 如果无法想象这个难度,可以做个小实验。在桌上用100 个小珠子排成一个10×10 的正方形,并且剪裁一张纸盖在珠子上,接着用小刷子把旁边的的珠子刷掉,最

后使他形成一个10×5 的长方形。这样就可以知道各大厂所面临到的困境,以及达成这个目标究竟是多么艰巨。 随着三星以及台积电在近期将完成14 奈米、16 奈米FinFET 的量产,两者都想争夺Apple 下一代的iPhone 芯片代工,我们将看到相当精彩的商业竞争,同时也将获得更加省电、轻薄的手机,要感谢摩尔定律所带来的好处呢。 在前面已经介绍过芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样,先有晶圆作为地基,再层层往上迭的芯片制造流程后,就可产出必要的IC 芯片。然而,没有设计图,拥有再强制造能力都没有用,因此,建筑师的角色相当重要。但是IC 设计中的建筑师究竟是谁呢?接下来要针对IC 设计做介绍。 在IC 生产流程中,IC 多由专业IC 设计公司进行规划、设计,像是联发科、高通、Intel 等知名大厂,都自行设计各自的IC 芯片,提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为IC 是由各厂自行设计,所以IC 设计十分仰赖工程师的技术,工程师的素质影响着一间企业的价值。然而,工程师们在设计一颗IC 芯片时,究竟有那些步骤?设计流程可以简单分成如下。 设计第一步,订定目标

集成电路设计基础复习

1. 在P 衬底硅片上设计的PMOS 管可以分为n+层、SiO 2层、多晶硅层、金属层和N 井层。 2. 在集成电路设计中,制造厂商所给的工艺中有R □为它成为(方块电阻)。 3. MOS 管元件参数中的C ox 是栅极单位面积所具有的(电容值)。 4. 对于NMOS 而言,工作在饱和区中,其漏电流I D 等于(21()2D P ox GS TH W I C V V L μ= -),不能使用β或K 来表示。 5. 对于PMOS 而言,工作在饱和区中,其漏电流I D 等于 (21(||)2D P ox SG TH W I C V V L μ=--),不能使用β或K 来表示。 6. 对于工作在饱和区的NMOS 而言,其g m 等于(2D m GS TH I g V V =-),只能有I D 和过 驱动电压表示。 7. 对于工作在饱和区的NMOS 而言,其g m 等于(m g =),只能有I D 、W 、L 以及工艺参数表示。 8. 根据MOS 管特征曲线划分的四个工作区域,可以作为MOS 电阻的区域为(深度三极管区)。 9. 根据MOS 管特征曲线划分的四个工作区域中,可以作为电流源的区域为(饱和区)。 10. 对于NMOS 而言,导电沟道形成,但没有产生夹断的外部条件为(V DS 小于V GS -V TH )。 11. 差动信号的优点,能(有效抑制共模噪声),增大输出电压摆幅,偏置电路更简单和输出线性度更高。 12. 分析MOS 共栅放大电路,其电流增益约等于(1)。 13. 差动信号的优点,能有效抑制共模噪声,增大输出电压摆幅,偏置电路更简单和(输出线性度更高)。 14. 共源共栅电流镜如下图所示,当V X 电压源由大变小的过程中,M2和M3管,(M3)先退出饱和区。

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