常用串行EEPROM芯片

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串行EEPROM AT24CXX芯片资料

串行EEPROM AT24CXX芯片资料

串行EEPROM AT24CXX芯片资料AT24CXX是美国ATMEL公司的低功耗CMOS串行EEPROM,典型的型号有AT24C01A/02/04/08/16等5种,它们的存储容量分别是1024/2048/4096/8192/16384位;也就是128/256/512/1024/2048字节;使用电压级别有5V,2.7V,2.5V,1.8V;本文主要介绍常用的AT24C02即256字节存储器的使用;它具有工作电压宽(2.5~5.5V)、擦写次数多(大于10000次)、写入速度快(小于10ms)等特点。

外行如图:AT24C02的1、2、3脚是三条地址线,用于确定芯片的硬件地址(实验板中直接接地只有一块器件);第8脚和第4脚分别为正、负电源。

第5脚SDA为串行数据输入/输出,数据通过这条双向I2C总线串行传送,SDA和SCL都需要和正电源间各接一个5.1K的电阻上拉。

第7脚为WP写保护端,接地时允许芯片执行一般的读写操作。

接电源端时不允许对器件写。

24C02中带有片内地址寄存器。

每写入或读出一个数据字节后,该地址寄存器自动加1,以实现对下一个存储单元的读写。

所有字节均以单一操作方式读取。

为降低总的写入时间,一次操作可写入多达8个字节的数据。

;这是将0100H地址中以下的8个数据写到24C02的01H为首址单元中去的汇编程序可直接在实验板上实验。

ORG 0000HSCL BIT P3.7;定义24C02的串行时钟线SDA BIT P3.6;定义24C02的串行数据线LJMP STARTSTART:LCALL STAR;调用MOV R2,#08H;一个数据有8位MOV DPTR,#0100H;定义源数据的位置LOOP:MOV A,#00HMOVC A,@A+DPTRLCALL SDATALCALL ACKJC LOOPINC DPTRDJNZ R2,LOOPLCALL STOP;调用停止子程序STAR:SETB SDASETB SCLNOPNOPNOPNOPCLR SDANOPNOPNOPNOPCLR SCLRETSDATA:MOV R0,#08HLOOP0:RLC AMOV SDA,CNOPNOPSETB SCLNOPNOPNOPCLR SCLDJNZ R0,LOOP0 RETACK:SETB SDA NOPNOPSETB SCL NOPNOPNOPNOPMOV C,SDA CLR SCLRETSTOP:CLR SDA NOPNOPNOPNOPSETB SCL NOPNOPNOPNOPSETB SDANOPNOPNOPRETORG 0100HDB 0A0H,10H,01H,02H,03H,04H,05H,06HEND读写子程序如下:;写串行E2PROM子程序XEPR; R3=10100000(命令1010+器件3位地址+读/写。

串行eepromat24cxx芯片资料

串行eepromat24cxx芯片资料

串行EEPROM AT24CXX芯片资料AT24CXX是美国ATMEL公司的低功耗CMOS串行EEPROM,典型的型号有AT24C01A/02/04/08/16等5种,它们的存储容量分别是1024/2048/4096/8192/16384位;也就是128/256/512/1024/2048字节;使用电压级别有5V,2.7V,2.5V,1.8V;本文主要介绍常用的AT24C02即256字节存储器的使用;它具有工作电压宽(2.5~5.5V)、擦写次数多(大于10000次)、写入速度快(小于10ms)等特点。

外行如图:AT24C02的1、2、3脚是三条地址线,用于确定芯片的硬件地址(实验板中直接接地只有一块器件);第8脚和第4脚分别为正、负电源。

第5脚SDA为串行数据输入/输出,数据通过这条双向I2C总线串行传送,SDA和SCL 都需要和正电源间各接一个5.1K的电阻上拉。

第7脚为WP写保护端,接地时允许芯片执行一般的读写操作。

接电源端时不允许对器件写。

24C02中带有片内地址寄存器。

每写入或读出一个数据字节后,该地址寄存器自动加1,以实现对下一个存储单元的读写。

所有字节均以单一操作方式读取。

为降低总的写入时间,一次操作可写入多达8个字节的数据。

;这是将0100H地址中以下的8个数据写到24C02的01H为首址单元中去的汇编程序可直接在实验板上实验。

ORG 0000HSCL BIT P3.7;定义24C02的串行时钟线SDA BIT P3.6;定义24C02的串行数据线LJMP STARTSTART:LCALL STAR;调用MOV R2,#08H;一个数据有8位MOV DPTR,#0100H;定义源数据的位置LOOP:MOV A,#00HMOVC A,@A+DPTRLCALL SDATALCALL ACKJC LOOPINC DPTRDJNZ R2,LOOPLCALL STOP;调用停止子程序STAR:SETB SDASETB SCLNOPNOPNOPNOPCLR SDANOPNOPNOPNOPCLR SCLRETSDATA:MOV R0,#08HLOOP0:RLC AMOV SDA,CNOPNOPSETB SCLNOPNOPNOPCLR SCLDJNZ R0,LOOP0 RETACK:SETB SDA NOPNOPSETB SCL NOPNOPNOPNOPMOV C,SDA CLR SCLRETSTOP:CLR SDA NOPNOPNOPNOPSETB SCL NOPNOPNOPNOPSETB SDANOPNOPNOPRETORG 0100HDB 0A0H,10H,01H,02H,03H,04H,05H,06HEND读写子程序如下:;写串行E2PROM子程序XEPR; R3=10100000(命令1010+器件3位地址+读/写。

24c16读写程序详解

24c16读写程序详解

24c16读写程序详解24C16是一种常见的串行EEPROM芯片,可用于存储数据。

本文将详细介绍24C16的读写程序,包括读取和写入数据的步骤和方法。

24C16是一款16K位的串行EEPROM芯片,它具有256字节的存储容量。

它被广泛应用于各种电子设备中,如智能卡、计算机、嵌入式系统等。

本文将以一个简单的例子来说明24C16的读写程序。

我们需要连接24C16芯片到我们的系统中。

通常,我们使用I2C总线来与芯片进行通信。

在开始之前,我们需要确定芯片的I2C地址。

24C16有两个地址引脚(A0和A1),通过这两个引脚可以设置芯片的地址。

根据这两个引脚的连接方式,可以得到芯片的地址。

例如,如果我们将A0和A1引脚都接地,那么芯片的地址将是0x50。

接下来,我们需要编写读取数据的程序。

首先,我们需要发送起始信号,然后发送芯片的地址和读取命令。

然后,我们可以连续读取数据,直到读取完所有数据。

读取数据的过程如下所示:1. 发送起始信号2. 发送芯片地址和读取命令3. 读取数据4. 发送应答信号5. 重复步骤3和4,直到读取完所有数据6. 发送停止信号写入数据的程序与读取数据的程序类似。

首先,我们发送起始信号和芯片地址。

然后,我们发送写入命令和要写入的数据。

写入数据的过程如下所示:1. 发送起始信号2. 发送芯片地址和写入命令3. 发送要写入的数据4. 发送停止信号需要注意的是,写入数据时需要等待一段时间,以确保数据已经写入到芯片中。

在等待的过程中,我们可以执行其他的操作。

以上就是24C16的读写程序的详细介绍。

在实际应用中,我们可以根据具体的需求对读写程序进行优化和扩展。

例如,我们可以添加错误处理机制,以确保数据的完整性和正确性。

另外,我们还可以使用不同的编程语言来编写读写程序,如C、Python等。

总结起来,24C16是一款常见的串行EEPROM芯片,可以用于存储数据。

通过编写读写程序,我们可以方便地读取和写入数据。

m24256 例程

m24256 例程

m24256 例程m24256是一款非常常见的串行EEPROM芯片,广泛应用于各种电子设备中。

它具有容量大、速度快、可靠性高等优点,因此备受电子工程师的欢迎和青睐。

本文将介绍m24256的基本特点、工作原理以及在实际应用中的一些注意事项。

让我们来了解一下m24256的基本特点。

m24256是一款2-wire串行EEPROM芯片,容量为256K位,即32K字节。

它采用了I2C总线协议进行数据传输,具有8个地址引脚,可以支持128个设备的级联。

m24256具有高速度的写入和读取操作,写入速度可达5ms,读取速度可达400ns。

此外,m24256还具有低功耗、可靠性高、抗干扰能力强等特点。

接下来,我们来了解一下m24256的工作原理。

m24256的工作分为写入和读取两个过程。

在写入过程中,首先选择所需写入的地址,并将数据送入数据输入引脚。

然后,通过I2C总线发送写入命令,m24256会将数据写入相应的存储单元中。

在读取过程中,同样需要选择所需读取的地址,并发送读取命令。

m24256会将相应的存储单元中的数据送至数据输出引脚,供外部设备读取。

在实际应用中,我们需要注意一些事项。

首先,由于m24256是一款非易失性存储器,因此在写入数据时要谨慎,避免误操作导致数据丢失。

其次,m24256的写入和读取速度较快,但在实际应用中,我们还需要考虑到总线传输速度、外部设备的响应速度等因素,以确保数据的正确性和稳定性。

此外,m24256的地址引脚较多,应根据实际需求进行正确连接。

最后,m24256的工作电压为2.5V至5.5V,应根据实际电源情况选择合适的供电电压。

总的来说,m24256是一款功能强大、性能优越的串行EEPROM芯片。

它具有容量大、速度快、可靠性高等优点,广泛应用于各种电子设备中。

在实际应用中,我们需要注意写入数据的谨慎操作、总线传输速度和外部设备响应速度的匹配、地址引脚的正确连接以及合适的供电电压选择。

EEPROM存储芯片24C02

EEPROM存储芯片24C02

EEPROM存储芯⽚24C021、24C02简介 24C02是⼀个2Kbit的串⾏EEPROM存储芯⽚,可存储256个字节数据。

⼯作电压范围为1.8V到6.0V,具有低功耗CMOS技术,⾃定时擦写周期,1000000次编程/擦除周期,可保存数据100年。

24C02有⼀个16字节的页写缓冲器和⼀个写保护功能。

通过I2C总线通讯读写芯⽚数据,通讯时钟频率可达400KHz。

可以通过存储IC的型号来计算芯⽚的存储容量是多⼤,⽐如24C02后⾯的02表⽰的是可存储2Kbit的数据,转换为字节的存储量为2*1024/8 = 256byte;有⽐如24C04后⾯的04表⽰的是可存储4Kbit的数据,转换为字节的储存量为2*1024/8 = 512byte;以此来类推其它型号的存储空间。

24C02的管脚图如下: VCC和VSS是芯⽚的电源和地,电压的⼯作范围为:+1.8V~+6.0V。

A0、A1、A2是IC的地址选择脚。

WP是写保护使能脚。

SCL是I2C通讯时钟引脚。

SDA是I2C通讯数据引脚。

2、24C02的设备地址和写保护功能 I2C主机在与24C02通讯时,需要发送⼀个设备地址进⾏寻址,在I2C总线上,每⼀个从机设备的地址都是唯⼀的。

24C02的设备地址包含两部分,第⼀部分是bit7~bit4是固定的“1010”,第⼆部分bit3~bit1位由A2、A1、A0组成。

主机在与24C02进⾏通讯时,除了发送设备地址还需要发送数据的读写⽅向位R/W,24C02的是设备地址与R/W位组成了⼀个字节的数据。

如下图: 上图列出了⼏个存储IC的设备地址与R/W位组成的字节。

由图中可以看到,存储IC地址的bit7~bit4位固定为“1010”;bit3~bit1位由A2、A1、A0引脚的电平状态决定,如果Ax接的是电源(⾼电平),那么Ax=1,如果Ax接的是地,那么Ax=0,即由A2、A1、A0可以组合成8种设备地址,也就是说在同⼀个I2C总线上可以同时挂载8个24C02芯⽚。

EEPROM---AT24Cxx应用介绍

EEPROM---AT24Cxx应用介绍

EEPROM---AT24Cxx应⽤介绍结论:1、读写AT24CXX芯⽚,根据容量有多种⽅式:⼀、容量为AT24C01~AT24C16,⾸先发送设备地址(8位地址),再发送数据地址(8位地址),再发送或者接受数据。

⼆、AT24C32/AT24C64~AT24C512,⾸先发送设备地址(8位地址),再发送⾼位数据地址,再发送地位数据地址,再发送或者接受数据。

三、容量AT24C1024的芯⽚,是把容量⼀和容量⼆的⽅法结合,设备地址中要⽤⼀位作为数据地址位,存储地址长度是17位。

2、它的设备地址根据容量不同有区别: 1)、AT24C01~AT24C16:这⼀类⼜分为两类,分别为AT24C01/AT24C02和AT24C04~AT24C16;他们的设备地址为⾼7位,低1位⽤来作为读写标⽰位,1为读,0为写。

*1*、AT24C01/AT24C02。

AT24C01/AT24C02的A0、A1、A2引脚作为7位设备地址的低三位,⾼4为固定为1010B,低三位A0、A1、A2确定了AT24CXX的设备地址,所以⼀根I2C线上最⼤可以接8个AT24CXX,地址为1010000B~1010111B。

*2*、AT24C04~AT24C16的 A0、A1、A2只使⽤⼀部分,不⽤的悬空或者接地(数据⼿册中写的是悬空不接)。

举例:AT24C04只⽤A2、A1引脚作为设备地址,另外⼀位A0不⽤悬空,发送地址中对应的这位(A0)⽤来写⼊页寻址的页⾯号,⼀根I2C线上最⼤可以接4个,地址为101000xB~101011xB 2)、AT24C32/AT24C64:和AT24C01/AT24C02⼀样,区别是,发送数据地址变成16位。

注意事项:对AT24C32来说,WP置⾼,则只有四分之⼀受保护,即0x0C00-0x0FFF。

也就是说保护区为1KBytes。

对于低地址的四分之三,则不保护。

所以,如果数据较多时,可以有选择地存储。

串行EEPROM 93C46的操作方法

串行EEPROM 93C46的操作方法

写入一个字(16 位): // Writes memory location An ­ A0. void Write(unsigned char address,unsigned int InData) { unsigned char temp; Ewen(); SK=0; DI=1; // 101 A5­A0 CS=0; CS=1; SK=1; SK=0; // 1 address=address&0x3f|0x40; for(temp=8;temp!=0;temp­­) // 8 { DI=address&0x80; SK=1; SK=0; address<<=1; } for(temp=16;temp!=0;temp­­) // 16 { DI=InData&0x8000; SK=1; SK=0; InData<<=1; } CS=0; DO=1; CS=1; SK=1; while(DO==0) // busy test { SK=0; SK=1; } SK=0; CS=0; Ewds(); }
数据读取:
数据写入:
93C46 共有七种操作,如下列所示:
指令
功能描述
操作码 ORG=0 字节 数据 ORG=1 字 数据
READ
读取数据
10
AQ0
WRITE
写入数据
01
A6~A0
D7~D0 A5~A0 D15~D0
EWEN
擦/写使能
00
11XXXXX
11XXXX
程序流程: 1、先将要写入的字节所在的字读出。 2、根据原始地址的最后一位决定把要写入的字节放到高八位还是低八位。如果为1 高八位, 0 为低八位。 3、把合成的字写入到相应地址上。

常用串行EEPROM的编程应用

常用串行EEPROM的编程应用

常⽤串⾏EEPROM的编程应⽤常⽤串⾏EEPROM的编程应⽤(⼀)作者:温正伟原载:⽆线电本⽂所提供的实例程序:cdle070002.rarEEPROM是"Electrically Erasable Programmable Read-only"(电可擦写可编程只读存储器)的缩写,EEPROM 在正常情况下和EPROM⼀样,可以在掉电的情况下保存数据,所不同的是它可以在特定引脚上施加特定电压或使⽤特定的总线擦写命令就可以在在线的情况下⽅便完成数据的擦除和写⼊,这使EEPROM被⽤于⼴阔的的消费者范围,如:汽车、电信、医疗、⼯业和个⼈计算机相关的市场,主要⽤于存储个⼈数据和配置/调整数据。

EEPROM⼜分并⾏EEPROM和串⾏EEPROM,并⾏EEPROM器件虽然有很快的读写的速度,但要使⽤很多的电路引脚。

串⾏EEPROM器件功能上和并⾏EEPROM基本相同,提供更少的引脚数、更⼩的封装、更低的电压和更低的功耗,是现在使⽤的⾮易失性存储器中灵活性最⾼的类型。

串⾏EEPROM按总线分,常⽤的有I2C,SPI,Microwire总线。

本⽂将介绍这三种总线连接单⽚机的编程⽅法。

I2C总线I2C总线(Inter Integrated Circuit内部集成电路总线)是两线式串⾏总线,仅需要时钟和数据两根线就可以进⾏数据传输,仅需要占⽤微处理器的2个IO引脚,使⽤时⼗分⽅便。

I2C总线还可以在同⼀总线上挂多个器件,每个器件可以有⾃⼰的器件地址,读写操作时需要先发送器件地址,该地址的器件得到确认后便执⾏相应的操作,⽽在同⼀总线上的其它器件不做响应,称之为器件寻址,这个原理就像我们打电话的原理相当。

I2C总线产⽣80年代,由PHLIPS公司开发,早期多⽤于⾳频和视频设备,如今I2C总线的器件和设备已多不胜数。

最常见的采⽤I2C总线的EEPROM也已被⼴泛使⽤于各种家电、⼯业及通信设备中,主要⽤于保存设备所需要的配置数据、采集数据及程序等。

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1Features•Serial Peripheral Interface (SPI) Compatible •Supports SPI Modes 0 (0,0) and 3 (1,1)•Low-voltage and Standard-voltage Operation –2.7 (V CC = 2.7V to 5.5V)• 3.0 MHz Clock Rate (5V) •8-byte Page Mode•Block Write Protection–Protect 1/4, 1/2, or Entire Array•Write Protect (WP) Pin and Write Disable Instructions for Both Hardware and Software Data Protection •Self-timed Write Cycle (10 ms max)•High Reliability–Endurance: One Million Write Cycles –Data Retention: 100 Years•Automotive Grade Devices Available•8-lead PDIP and 8-lead JEDEC SOIC PackagesDescriptionThe AT25010/020/040 provides 1024/2048/4096 bits of serial electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) organized as 128/256/512 words of 8bits each. The device is optimized for use in many industrial and commercial applica-tions where low-power and low voltage operation are essential. The AT25010/020/040is available in space saving 8-lead PDIP and 8-lead JEDEC SOIC packages.The AT25010/020/040 is enabled through the Chip Select pin (CS) and accessed via a 3-wire interface consisting of Serial Data Input (SI), Serial Data Output (SO), and Serial Clock (SCK). All programming cycles are completely self-timed, and no sepa-rate ERASE cycle is required before WRITE.BLOCK WRITE protection is enabled by programming the status register with one of four blocks of write protection. Separate program enable and program disable instruc-tions are provided for additional data protection. Hardware data protection is provided via the WP pin to protect against inadvertent write attempts. The HOLD pin may be used to suspend any serial communication without resetting the serial sequence.Pin Configurations8-lead PDIP2AT25010/020/0400606M–SEEPR–06/03Block DiagramAbsolute Maximum Ratings*Operating Temperature.................................-55°C to + 125°C *NOTICE:Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent dam-age to the device. This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.Storage T emperature....................................-65°C to + 150°C Voltage on Any Pinwith Respect to Ground....................................-1.0V to + 7.0V Maximum Operating Voltage ..........................................6.25V DC Output Current........................................................5.0 mA3AT25010/020/0400606M–SEEPR–06/032.V IL min and V IH max are reference only and are not tested.Pin Capacitance (1)DC CharacteristicsApplicable over recommended operating range from: T AI = -40°C to +85°C, V CC = +2.7V to +5.5V, V CC = +2.7V to +5.5V (unless otherwise noted).4AT25010/020/0400606M–SEEPR–06/03AC CharacteristicsApplicable over recommended operating range from T AI = -40°C to +85°C, V CC = As Specified, CL = 1 TTL Gate and 100 pF (unless otherwise noted).5AT25010/020/0400606M–SEEPR–06/03Serial Interface DescriptionMASTER: The device that generates the serial clock.SLAVE: Because the Serial Clock pin (SCK) is always an input, the AT25010/020/040always operates as a slave.TRANSMITTER/RECEIVER: The AT25010/020/040 has separate pins designated for data transmission (SO) and reception (SI).MSB: The Most Significant Bit (MSB) is the first bit transmitted and received.SERIAL OP-CODE:received. This byte contains the op-code that defines the operations to be performed.The op-code also contains address bit A8 in both the READ and WRITE instructions.INVALID OP-CODE: If an invalid op-code is received, no data will be shifted into the AT25010/020/040, and the serial output pin (SO) will remain in a high impedance state communication.CHIP SELECT: device is not selected, data will not be accepted via the SI pin, and the serial output pin (SO) will remain in a high impedance state.HOLD: is used in conjunction with the AT25010/020/040. When the device is selected and a serial sequence is underway,while the SO pin is in the high impedance state.WRITE PROTECT:write operation.6AT25010/020/0400606M–SEEPR–06/03SPI Serial InterfaceFunctional DescriptionThe AT25010/020/040 is designed to interface directly with the synchronous serial peripheral interface (SPI) of the 6805 and 68HC11 series of microcontrollers.The AT25010/020/040 utilizes an 8-bit instruction register. The list of instructions and their operation codes are contained in Table 1. All instructions, addresses, and data are transferred with the MSB first and start with a high-to-low CS transition.Note:“A” represents MSB address bit A8.7AT25010/020/0400606M–SEEPR–06/03WRITE ENABLE (WREN): The device will power up in the write disable state when V CC is applied. All programming instructions must therefore be preceded by a Write Enable WRITE DISABLE (WRDI): To protect the device against inadvertent writes, the Write Disable instruction disables all programming modes. The WRDI instruction is indepen-READ STATUS REGISTER (RDSR): The Read Status Register instruction provides access to the status register. The READY/BUSY and Write Enable status of the device can be determined by the RDSR instruction. Similarly, the Block Write Protection bits indicate the extent of protection employed. These bits are set by using the WRSR instruction.WRITE STATUS REGISTER (WRSR): The WRSR instruction allows the user to select one of four levels of protection. The AT25010/020/040 is divided into four array seg-ments. Top quarter (1/4), Top half (1/2), or all of the memory segments can be protected. Any of the data within any selected segment will therefore be READ only. The block write protection levels and corresponding status register control bits are shown in Table 4.The two bits, BP1 and BP0 are nonvolatile cells that have the same properties and func-tions as the regular memory cells (e.g. WREN, t WC , RDSR).Table 3. Read Status Register Bit DefinitionTable 4. Block Write Protect Bits8AT25010/020/0400606M–SEEPR–06/03READ SEQUENCE (READ): Reading the AT25010/020/040 via the SO (Serial Output)the READ op-code (including A8) is transmitted via the SI line followed by the byte address to be read (A7-A0). Upon completion, any data on the SI line will be ignored.The data (D7-D0) at the specified address is then shifted out onto the SO line. If only READ sequence can be continued since the byte address is automatically incremented and data will continue to be shifted out. When the highest address is reached, the address counter will roll over to the lowest address allowing the entire memory to be read in one continuous READ cycle.WRITE SEQUENCE (WRITE): In order to program the AT25010/020/040, the Write First, the device must be write enabled via the Write Enable (WREN) Instruction. Then a Write (WRITE) Instruction may be executed. Also, the address of the memory loca-tion(s) to be programmed must be outside the protected address field location selected by the Block Write Protection Level. During an internal write cycle, all commands will be ignored except the RDSR instruction.select the device, the WRITE op-code (including A8) is transmitted via the SI line fol-lowed by the byte address (A7-A0) and the data (D7-D0) to be programmed.(LSB) data bit.The READY/BUSY status of the device can be determined by initiating a READ STA-TUS REGISTER (RDSR) Instruction. If Bit 0 = 1, the WRITE cycle is still in progress. If Bit 0 = 0, the WRITE cycle has ended. Only the READ STATUS REGISTER instruction is enabled during the WRITE programming cycle.The AT25010/020/040 is capable of an 8-byte PAGE WRITE operation. After each byte of data is received, the three low order address bits are internally incremented by one;the six high order bits of the address will remain constant. If more than 8 bytes of data are transmitted, the address counter will roll over and the previously written data will be overwritten. The AT25010/020/040 is automatically returned to the write disable state at the completion of a WRITE cycle.NOTE:brought high. A new CS falling edge is required to re-initiate the serial communication.9AT25010/020/0400606M–SEEPR–06/03Timing DiagramsSynchronous Data Timing (for mode 0)WREN TimingWRDI Timing10AT25010/020/0400606M–SEEPR–06/03RDSR TimingWRSR TimingREAD Timing11AT25010/020/0400606M–SEEPR–06/03WRITE TimingHOLD Timing12AT25010/020/0400606M–SEEPR–06/03AT25010 Ordering Information13AT25010/020/0400606M–SEEPR–06/03AT25020 Ordering Information14AT25010/020/0400606M–SEEPR–06/03AT25040 Ordering Information15AT25010/020/0400606M–SEEPR–06/03Packaging Information8P3 – PDIP16AT25010/020/0400606M–SEEPR–06/038S1 – JEDEC SOIC0606M–SEEPR–06/03xMDisclaimer: Atmel Corporation makes no warranty for the use of its products, other than those expressly contained in the Company’s standard warranty which is detailed in Atmel’s Terms and Conditions located on the Company’s web site. The Company assumes no responsibility for any errors which may appear in this document, reserves the right to change devices or specifications detailed herein at any time without notice, and does not make any commitment to update the information contained herein. No licenses to patents or other intellectual property of Atmel are granted by the Company in connection with the sale of Atmel products, expressly or by implication. Atmel’s products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems.Atmel CorporationAtmel Operations2325 Orchard Parkway San Jose, CA 95131Tel: 1(408) 441-0311Fax: 1(408) 487-2600Regional HeadquartersEuropeAtmel SarlRoute des Arsenaux 41Case Postale 80CH-1705 Fribourg SwitzerlandTel: (41) 26-426-5555Fax: (41) 26-426-5500AsiaRoom 1219Chinachem Golden Plaza 77 Mody Road Tsimshatsui East Kowloon Hong KongTel: (852) 2721-9778Fax: (852) 2722-1369Japan9F, Tonetsu Shinkawa Bldg.1-24-8 ShinkawaChuo-ku, Tokyo 104-0033JapanTel: (81) 3-3523-3551Fax: (81) 3-3523-7581Memory2325 Orchard Parkway San Jose, CA 95131Tel: 1(408) 441-0311Fax: 1(408) 436-4314Microcontrollers2325 Orchard Parkway San Jose, CA 95131Tel: 1(408) 441-0311Fax: 1(408) 436-4314La Chantrerie BP 7060244306 Nantes Cedex 3, France Tel: (33) 2-40-18-18-18Fax: (33) 2-40-18-19-60ASIC/ASSP/Smart CardsZone Industrielle13106 Rousset Cedex, France Tel: (33) 4-42-53-60-00Fax: (33) 4-42-53-60-011150 East Cheyenne Mtn. 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