5.电子工程师必备基础知识手册(五)：半导体器件
半导体器件的基本知识
半导体器件的基本知识在现代科技的高速发展中，半导体器件扮演着至关重要的角色。
从我们日常使用的智能手机、电脑，到各种智能家电、汽车电子系统，几乎都离不开半导体器件的身影。
那么，究竟什么是半导体器件？它们又是如何工作的呢？让我们一起来揭开半导体器件的神秘面纱，了解一些基本的知识。
首先，我们要明白什么是半导体。
半导体是一种导电性介于导体和绝缘体之间的材料，常见的半导体材料有硅、锗等。
半导体的导电性可以通过掺入杂质来精确控制，这一特性使得半导体成为制造各种电子器件的理想材料。
半导体器件的种类繁多，其中最常见的有二极管、三极管和集成电路等。
二极管是一种最简单的半导体器件，它具有单向导电性。
就好像是一个只能单向通行的道路，电流只能从一个方向通过，而不能反向流动。
二极管在电路中常用于整流，即将交流电转换为直流电。
例如，在我们的手机充电器中，就用到了二极管来将市电的交流电整流为直流电，以便给手机电池充电。
三极管则比二极管复杂一些，它有三个电极：基极、发射极和集电极。
三极管可以起到放大电流的作用。
打个比方，如果把输入的电流信号比作一股小水流，那么经过三极管放大后，就会变成一股大水流。
三极管的放大作用在各种放大器电路中得到了广泛应用，比如音响系统中的音频放大器，就是利用三极管来放大声音信号，从而让我们能够听到响亮清晰的声音。
集成电路则是将多个半导体器件集成在一块小小的芯片上，它是现代电子技术的核心。
集成电路的出现极大地缩小了电子设备的体积，提高了性能和可靠性。
我们的电脑CPU 就是一种高度复杂的集成电路，它包含了数以亿计的晶体管，能够进行高速的计算和数据处理。
半导体器件的工作原理主要基于半导体中的两种载流子：电子和空穴。
在半导体中，电子和空穴的运动形成了电流。
通过控制半导体中的杂质浓度、电场等因素，可以实现对电流的控制和调节，从而实现各种不同的功能。
制造半导体器件是一个非常复杂和精细的过程。
首先，需要通过一系列的工艺步骤将半导体材料制备成晶圆，然后在晶圆上通过光刻、蚀刻等工艺制造出各种半导体器件的结构。
什么是半导体器件
什么是半导体器件半导体器件是一种在电子领域中广泛应用的元件，它在现代科技和信息社会中起着至关重要的作用。
本文将详细介绍半导体器件的定义、原理、分类以及应用领域。
一、定义半导体器件是一类以半导体材料为基础制成的电子组件，其电导特性介于导体和绝缘体之间。
半导体材料通常是一种特定的固体晶体，例如硅(Si)和锗(Ge)。
通过控制材料中的杂质浓度和器件结构，可以改变半导体器件的电性能。
二、原理半导体器件的电导特性是由材料的能带结构决定的。
在纯净的半导体材料中，价带和导带之间存在能隙，电子必须获得足够的能量才能从价带跃迁到导带中。
但是，通过引入适量的杂质原子，如三价元素和五价元素，可以改变半导体的导电性能。
掺杂三价元素的半导体被称为P型半导体，因为它有多余的正电荷；而掺杂五价元素的半导体被称为N型半导体，因为它有多余的负电荷。
当P型和N型半导体材料接触时，形成PN结。
在PN结中，存在由扩散电流和漂移电流组成的结电流。
当外加正向偏置电压时，电子从N区域进入P区域，同时空穴从P区域进入N区域，导致电流通过PN结。
相反，当外加反向偏置电压时，电子和空穴受到电场力的约束，电流非常小。
三、分类根据不同的应用需求，半导体器件可以分为多种类型，其中常见的包括：1. 二极管二极管是最简单的半导体器件之一，它由P型和N型半导体材料组成。
二极管具有单向导电性，电流只能从P区域流向N区域，而反向电流非常小。
二极管广泛应用于电源电路、信号检测和电子开关等领域。
2. 三极管三极管是一种具有放大作用的半导体器件，它由P型、N型和P型三个区域组成。
三极管主要通过控制小信号电流来实现对大信号电流的放大。
它在放大电路、开关电路和振荡电路中得到广泛应用。
3. 场效应晶体管（FET）场效应晶体管是一种控制型半导体器件，它根据控制电压的大小和极性来改变电流流动。
FET有多种类型，如MOSFET和JFET等，它们在数字电路、功率放大和模拟电路中扮演着重要的角色。
半导体器件知识点
半导体器件知识点半导体器件是指基于半导体材料制造的用于控制和放大电信号的电子元件。
它在现代电子技术中扮演着重要的角色，广泛应用于计算机、通信、消费电子、能源等领域。
本文将介绍与半导体器件相关的几个重要知识点。
一、半导体材料半导体器件的核心是半导体材料。
半导体是介于导体和绝缘体之间的一类材料，具有一定的导电性能。
常见的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge)等。
它们具有禁带宽度，当外加电场或温度变化时，半导体的导电性能会发生变化。
二、PN结PN结是半导体器件中最基本的结构之一。
它由P型半导体和N型半导体的结合组成。
P型半导体中的载流子主要是空穴，N型半导体中的载流子主要是电子。
PN结的形成使得电子和空穴发生扩散运动，形成电场区域，从而产生电流。
三、二极管二极管是一种基本的半导体器件。
它由PN结组成，具有单向导电性能。
正向偏置时，电流顺利通过；反向偏置时，电流几乎无法通过。
二极管广泛用于电源电路、信号检测和电波混频等应用。
四、晶体管晶体管是半导体器件中的重要组成部分，常见的有三极管和场效应晶体管。
它可以实现电流放大和控制，是现代电子设备中的核心部件之一。
晶体管广泛应用于放大器、开关、时钟和计算机存储器等领域。
五、集成电路集成电路是将大量的晶体管、电阻、电容和其他元件集成在同一片半导体芯片上。
它具有体积小、功耗低和可靠性高的特点。
集成电路分为模拟集成电路和数字集成电路，应用于电子计算机、通信设备和消费电子产品等领域。
六、光电器件光电器件是利用光与半导体材料相互作用的器件。
常见的光电器件有光电二极管、光敏电阻、光电晶体管和光电开关等。
光电器件广泛应用于光通信、光电转换、激光器等领域。
七、功率半导体器件功率半导体器件是用于大电流和高电压应用的特殊半导体器件。
常见的功率半导体器件有晶闸管、功率二极管和功率MOSFET。
功率半导体器件广泛应用于电动车、工业控制和能源转换等领域。
八、封装技术为了保护和连接半导体芯片，需要进行封装。
半导体器件的基础知识
半导体器件的基础知识半导体器件，听起来是不是有点高大上？其实啊，它就像我们生活里那些隐藏在幕后，却起着超级大作用的小能手。
就说咱们现在用的手机吧，那可是个半导体器件的大集合。
你看啊，手机里的芯片，就像人的大脑一样，控制着整个手机的运行。
这个芯片呢，就是一种典型的半导体器件。
半导体是个啥玩意儿呢？简单来讲，它就像是一种有特殊脾气的材料。
既不像导体那么热情好客，电流在里面跑得飞快；也不像绝缘体那么冷漠，电流根本进不去。
半导体啊，它就像是个有点小傲娇的家伙，电流在它里面的通行情况是可以被控制的。
咱再打个比方，半导体就像一扇有魔法的门。
有时候它可以开得大大的，让电流这个小客人畅通无阻地跑过去；有时候呢，它又会把门关得紧紧的，电流就只能在门外干着急。
这多神奇啊！那半导体器件是怎么做到控制电流的呢？这就不得不提到半导体里面的一些小秘密了。
半导体里有两种很重要的东西，一种叫电子，一种叫空穴。
这电子就像是一个个调皮的小豆子，空穴呢，就像是小豆子们跑走之后留下的小坑。
它们在半导体里跑来跑去，就像一群小朋友在操场上做游戏。
当我们给半导体加上一些特殊的条件，比如说电压啊，就像是给这些小朋友们下了一些特殊的指令，它们就会按照我们的想法来运动，这样就可以控制电流的大小和方向了。
像二极管这种半导体器件，就像是一个非常有原则的小卫士。
它只允许电流从一个方向通过，就像一个单行道。
如果电流想从反方向走，哼，二极管就会把它挡得死死的。
这在电路里可太有用了。
比如说在给电池充电的时候，就可以利用二极管的这个特性，防止电流倒流，保护电池不被损坏。
这就好比是在一条河上建了一个只能单向流水的小水坝，水只能按照我们想要的方向流，多聪明的设计啊。
还有三极管呢，这个家伙就更厉害了。
它就像是一个电流的小指挥官。
一点点小的电流变化，经过三极管这么一放大，就会变成很大的电流变化。
这就像我们在舞台上用一个小喇叭，本来很小的声音，通过喇叭一放大，就变得震耳欲聋了。
半导体器件
阳极
D 阴极
符号
铝合金小球
金属触丝
N 型锗片
N 型硅
阳极引线
阴极引线
阳极引线 PN 结 金锑合金
底座
(a)点接触型
外壳
阴极引线
(b) 面接触型
5.2.2 二极管的伏安特性
?二极管是由 PN 结构成的,它也具有单向导电性。某种硅二
极管伏安特性如图示： 1. 正向特性
I (mA)
60
正向:由死区电压分为 死区和导通区。
2.P 型半导体 ?在本征半导体中掺入微量 硼(三价元素)。
Si
Si
+
BSi
Si
B
Si 空 Si 穴
掺入硼杂质的半导体中 ,空穴的数目远大于自由电子的数目。 空穴为多数载流子 ,自由电子是少数载流子 ,空穴导电是主要导 电方式,称为空穴型半导体或 P型半导体。
不论是N型半导体还是 P型半导体,都只有一种载流子占 多数,然而整个半导体晶体仍是电中性的 。
温度愈高,载流子数目就愈多 ,导电性 能就愈好 —温度对半导体器件性能 影响很大。
硅原子 共价键
5.1.2 N型半导体和P型半导体
在常温下,本征半导体的两种载流子数量还是极少的 ,其导电 能力相当低。
如果在半导体晶体中掺入微量杂质元素 ,将得到掺杂半导体 , 而掺杂半导体的导电能力将大大提高 。
由于掺入杂质元素的不同 ,掺杂半导体可分为两大类 — —N型半导体 和P 型半导体 。
?半导体两端加外电压时 ,半导体中出现 两部分电流 ：
一是自由电子作定向运动所形成的电子电流；
一是被原子核束缚 价电子填补空穴所形成的空穴电流。
?载流子:自由电子和空穴都称为 载流子。 ?半导体中的自由电子和空穴总是 成对 价电子 出现,同时又不断进行复合。在一定温 度下,载流子的产生与复合会达到 动态 平衡, 载流子便维持一定数目。
常用半导体器件重点知识
常用半导体器件重点知识在现代电子技术的领域中，半导体器件扮演着至关重要的角色。
从我们日常使用的智能手机、电脑，到工业生产中的各种自动化设备，都离不开半导体器件的应用。
接下来，让我们一同深入了解一些常用半导体器件的重点知识。
首先，我们来谈谈二极管。
二极管是一种最简单的半导体器件，它具有单向导电性。
这意味着电流只能从二极管的正极流向负极，而不能反向流动。
二极管在电路中有着广泛的应用，比如整流电路，它能将交流电转换为直流电。
在电源电路中，二极管常用于防止电流反向流动，起到保护电路的作用。
三极管是另一种常见的半导体器件，它分为 NPN 型和 PNP 型。
三极管的主要作用是放大信号和作为电子开关。
当三极管工作在放大区时，小的基极电流变化可以引起较大的集电极电流变化，从而实现信号的放大。
而在开关状态下，三极管可以快速地导通和截止，控制电路的通断。
场效应管也是常用的半导体器件之一，它分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管。
与三极管相比，场效应管具有输入电阻高、噪声低、功耗小等优点。
在集成电路中，场效应管得到了广泛的应用。
接下来要说的是集成电路。
集成电路是将多个半导体器件和电路元件集成在一块芯片上的电子器件。
它极大地提高了电路的性能和可靠性，减小了电路的体积和重量。
集成电路的发展使得电子设备变得越来越小巧、功能越来越强大。
在了解这些半导体器件的基本原理后，我们还需要知道它们的特性参数。
对于二极管，重要的参数有正向压降、反向击穿电压、最大整流电流等。
三极管的特性参数包括电流放大倍数、集电极发射极击穿电压、集电极最大允许电流等。
而场效应管的特性参数有开启电压、跨导、漏极饱和电流等。
在实际应用中，选择合适的半导体器件非常重要。
需要根据电路的工作条件、性能要求、成本等因素进行综合考虑。
例如，在高频率的电路中，通常会选择性能较好的场效应管；而在一些对成本要求较为严格的电路中，可能会选择价格相对较低的三极管。
此外，半导体器件的封装形式也会影响其性能和使用。
半导体器件的基本知识
半导体器件的基本知识
半导体器件是一种利用半导体材料制成的电子元件，具有电流控制和电压放大的特性。
在半导体器件中，最常见的是二极管和晶体管。
一、二极管
二极管是一种由P型半导体和N型半导体组成的电子元件，具有单向导电性。
当二极管的正极连接正电压时，P型半导体中的空穴向N型半导体中的电子流动，形成电流；当二极管的正极连接负电压时，P型半导体中的空穴被吸收，N 型半导体中的电子也被吸收，电流被截止。
二、晶体管
晶体管是一种由P型半导体、N型半导体和中间夹层组成的电子元件，具有电流放大和控制的特性。
晶体管的夹层被称为基区，当基区加上正电压时，P型半导体中的空穴向基区流动，N型半导体中的电子向基区流动，形成电流；当基区加上负电压时，P型半导体中的空穴被吸收，N型半导体中的电子也被吸收，电流被截止。
晶体管的电流放大是通过控制基区电压来实现的。
三、场效应管
场效应管是一种利用场效应原理制成的电子元件，具有电流放大和控制的特性。
场效应管的主要部分是栅极和源极之间的沟道，当栅极加上正电压时，沟道中的电子会被吸引到栅极附近，形成导电通道，电流得以通过；当栅极加上负电压时，
沟道中的电子被排斥，导通被截止。
四、集成电路
集成电路是一种将多个半导体器件集成在一起的电子元件，可以实现多种功能。
集成电路的制造需要先在单晶硅片上形成多个半导体器件，然后通过金属线连接这些器件，形成一个完整的电路。
集成电路的种类很多，包括数字集成电路、模拟集成电路、混合集成电路等。
以上是半导体器件的基本知识，半导体器件的应用非常广泛，涉及到电子、通讯、计算机、医疗、汽车等领域。
半导体器件重要知识点总结
半导体器件重要知识点总结一、半导体基础知识1. 半导体的概念及特性：半导体是指导电性介于导体和绝缘体之间的一类材料。
由于半导体材料的导电性能受温度、光照等外部条件的影响比较大，它可以在不同的条件下表现出不同的导电特性。
半导体材料常见的有硅、锗等。
2. P型半导体和N型半导体：P型半导体是指在半导体材料中掺入了3价元素，如硼、铝等，使其成为带正电荷的空穴主导的半导体材料。
N型半导体是指在半导体材料中掺入了5价元素，如磷、砷等，使其成为自由电子主导的半导体材料。
3. 掺杂：半导体器件在制造过程中一般都要进行掺杂，以改变其导电性能。
掺杂分为N型掺杂和P型掺杂，通过掺杂可以使半导体材料的导电性能得到调控，从而获得所需要的电子特性。
4. pn结：pn结是指将P型半导体和N型半导体直接连接而成的结构，它是构成各类半导体器件的基础之一。
pn结具有整流、发光、光电转换等特性，在各类器件中得到了广泛的应用。
二、半导体器件的基本知识1. 二极管（Diode）：二极管是一种基本的半导体器件，它采用pn结的结构，在正向偏置时可以导通，而在反向偏置时则将电流阻断。
二极管在各类电子电路中具有整流、电压稳定、信号检测等重要作用。
2. 晶体管（Transistor）：晶体管是一种由半导体材料制成的三电极器件，它采用多个pn结的结构，其主要功能是放大信号、开关电路和稳定电路等。
晶体管在各类电子器件中扮演着至关重要的作用，是现代电子技术的重要组成部分。
3. 集成电路（IC）：集成电路是将大量的半导体器件集成在一块半导体芯片上的器件，它可以实现各种功能，如存储、计算、通信等。
集成电路在现代电子技术中已成为了各类电子产品不可或缺的一部分，是现代电子产品的核心之一。
4. MOS场效应管（MOSFET）：MOSFET是一种基于金属-氧化物-半导体的结构的场效应晶体管，它在功率控制、开关电路、放大器等方面有着重要的应用。
MOSFET在各类电源、电动机控制等领域得到了广泛的应用。
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www.powersystems.eetchina .com电子工程师必备基础知识手册电子工程师必备基础知识手册((五)：半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件一、 中国半导体器件型号命名方法中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N 型锗材料、B-P 型锗材料、C-N 型硅材料、D-P 型硅材料。
表示三极管时：A-PNP 型锗材料、B-NPN 型锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN 型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN 型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18 表示NPN 型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2 三极或具有两个pn 结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn 结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA 注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA 注 册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP 型高频管、B-PNP 型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN 型低频管、F-P 控制极可控硅、G-N 控制极可控硅、H-N 基极单结晶体管、J-P 沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA 登记的顺序号。
两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA 登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。
A、B、C、D、E、F 表示这一器件是原型号产品的改进产品。
美国半导体分立器件型号命名方法三、美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。
美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。
JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。
第二部分：用数字表示pn 结数目。
1-二极管、2=三极管、3-三个pn 结器件、n-n 个pn 结器件。
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。
N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。
多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分：用字母表示器件分档。
A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。
如： JAN2N3251A 表示PNP 硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA 登记顺序号、A-2N3251A 档。
国际电子联合会半导体器件型号命名方法四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。
这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：第一部分：用字母表示器件使用的材料。
A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。
A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。
三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。
A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。
常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀。
其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E 分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V 之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN 硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP 锗高频小功率三极管。
五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法欧洲早期半导体分立器件型号命名法欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。
第一部分：O-表示半导体器件第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。
第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。
第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。
俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。
一、半导体二极管参数符号及其意义半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF 下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。
在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR 时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。
测试反向电参数时，给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向（整流）电流。
在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流。
在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数；电容比Q---优值（品质因素）δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率PFT（AV）---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率 PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率。
硅二极管结温不高于150 度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率。
在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率RF（r）---正向微分电阻。
在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。
在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I 称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rs(rs)----串联电阻Rth----热阻R(th)ja----结到环境的热阻Rz(ru)---动态电阻R(th)jc---结到壳的热阻r δ---衰减电阻r(th)---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温 Tjm---最高结温ton---开通时间toff---关断时间tr---上升时间trr---反向恢复时间ts---存储时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数λp---发光峰值波长△ λ---光谱半宽度η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降（正向峰值电压）VF---正向压降（正向直流电压）△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VF（AV）---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压（反向直流电压）VRM---反向峰值电压（最高测试电压）V（BR）---击穿电压Vth---阀电压（门限电压）VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM---反向工作峰值电压V v---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量 Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数Vk---膝点电压（稳流二极管）VL ---极限电压双极型晶体管参数符号及其意义二、双极型晶体管参数符号及其意义Ccb---集电极与基极间电容Cce---发射极接地输出电容Ci---输入电容Cib---共基极输入电容Cie---共发射极输入电容Cies---共发射极短路输入电容Cieo---共发射极开路输入电容Cn---中和电容（外电路参数）Co---输出电容Cob---共基极输出电容。