课件05-2+能带结构+
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材料物理性能课件第二章能带理论

能带理论有助于理解光生载流子的产生和分离机 制,为提高太阳能电池的效率提供了理论指导。
3
光电子器件性能分析
能带理论用于分析光电子器件的性能,如LED、 激光器等,有助于优化其性能参数。
在能源科学中的应用
新能源材料设计
能带理论在新能源材料的设计中 发挥了重要作用,如太阳能电池
、燃料电池等。
能源转化与存储
03
电子填充
根据泡利不相容原理,每个能带只能填充有限个电子, 而电子填充的方式决定了材料的物理和化学性质。
能带理论的重要性
01
02
03
预测材料性质
通过能带理论,可以预测 材料的电子结构和性质, 如导电性、光学性质等。
指导材料设计
能带理论为材料设计提供 了理论基础,帮助科学家 了解材料性能的来源和变 化规律。
揭示新现象
能带理论的发展和应用, 不断揭示出新的物理现象 和材料特性,推动了科学 技术的发展。
能带理论的发展历程
初创期
能带理论起源于20世纪初的金属电子 论,初步建立了固体电子结构的理论 基础。
发展期
成熟期
现代计算技术和计算机模拟的进步, 使得能带理论在材料科学、物理学等 领域得到广泛应用,成为研究材料性 能的重要工具。
半导体能带结构
03
半导体的导电性
电子导电
在半导体中,部分电子可 以获得足够的能量越过禁 带,形成自由电子,在电 场作用下参与导电。
空穴导电
当价电子被激发到导带时 ,会在价带中留下空穴, 空穴也可以参与导电。
离子导电
在某些半导体中,离子的 迁移也是导电的主要方式 。
半导体的光电效应
光电导效应
当光照射在半导体表面时,光子能量 大于禁带宽度的部分光子可以激发电 子从价带跃迁到导带,产生自由电子 和空穴,从而改变半导体的导电性。
3
光电子器件性能分析
能带理论用于分析光电子器件的性能,如LED、 激光器等,有助于优化其性能参数。
在能源科学中的应用
新能源材料设计
能带理论在新能源材料的设计中 发挥了重要作用,如太阳能电池
、燃料电池等。
能源转化与存储
03
电子填充
根据泡利不相容原理,每个能带只能填充有限个电子, 而电子填充的方式决定了材料的物理和化学性质。
能带理论的重要性
01
02
03
预测材料性质
通过能带理论,可以预测 材料的电子结构和性质, 如导电性、光学性质等。
指导材料设计
能带理论为材料设计提供 了理论基础,帮助科学家 了解材料性能的来源和变 化规律。
揭示新现象
能带理论的发展和应用, 不断揭示出新的物理现象 和材料特性,推动了科学 技术的发展。
能带理论的发展历程
初创期
能带理论起源于20世纪初的金属电子 论,初步建立了固体电子结构的理论 基础。
发展期
成熟期
现代计算技术和计算机模拟的进步, 使得能带理论在材料科学、物理学等 领域得到广泛应用,成为研究材料性 能的重要工具。
半导体能带结构
03
半导体的导电性
电子导电
在半导体中,部分电子可 以获得足够的能量越过禁 带,形成自由电子,在电 场作用下参与导电。
空穴导电
当价电子被激发到导带时 ,会在价带中留下空穴, 空穴也可以参与导电。
离子导电
在某些半导体中,离子的 迁移也是导电的主要方式 。
半导体的光电效应
光电导效应
当光照射在半导体表面时,光子能量 大于禁带宽度的部分光子可以激发电 子从价带跃迁到导带,产生自由电子 和空穴,从而改变半导体的导电性。
材料的输运性质能带理论课件

能带理论结合多尺度模拟方法,可以 更准确地描述和预测材料输运性质, 从原子到宏观尺度全面了解材料的性 能。
能带理论在材料输运性质研究中的挑战与问题
01
复杂系统模拟
能带理论在复杂系统输运性质模拟方面面临较大挑战,如 何准确描述相互作用、界面效应等问题是需要解决的关键 科学问题。
02 03
量子效应
在纳米尺度,量子效应对材料输运性质具有重要影响,如 何考虑量子效应并将之纳入能带理论框架内是当前研究的 热点问题。
02
CATALOGUE
能带理论的基本概念
能带理论的定义
能带理论是一种描述固体材料电子结构和物理性质的理论框架。它基于量子力学的原理,将材料的电子结构与宏观性质联系 起来。
能带理论主要关注的是材料的电子态和能量相关的性质,它可以用来解释和预测材料的许多物理和化学性质。
能带理论的基本原理
周期性边界条件
电子结构和能量有关。
03
CATALOGUE
材料输运性质的能带理论模型
玻色-爱因斯坦统计模型
01
玻色子
具有整数自旋的粒子,服从玻色-爱 因斯坦统计模型。
占据态
在能带理论中,电子占据的能级称 为占据态。
03
02
费米子
具有半整数自旋的粒子,服从费米狄拉克统计模型。
空占据态
在能带理论中,未被电子占据的能 级称为空占据态。
在能带理论中,假设固体材料具有周期性边界条件,即材料的电 子结构在空间中是重复的。
波矢
能带理论使用波矢来描述电子的动量,波矢与能量有关,不同的波 矢代表不同的电子态。
能带
在能带理论中,将材料的电子态按照能量进行分类,这些能量范围 被称为能带。不同的能带有不同的电子态和性质。
研究生课件-能带理论

设孤立原子的一个能级 Enl ,它最多能容 纳 2 (2 l +1)个电子。
这一能级分裂成由 N条能级组成的能带后, 能带最多能容纳 2N(2l +1)个电子。
6
2N(2l+1)
例如,1s、2s能带,最多容纳 2N个电子。 2p、3p能带,最多容纳 6N个电子。
电子排布时,应从最低的能级排起。
有关能带被占据情况的几个名词:
计算表明: U0b 的数值越大所得到的能带越窄。 由于原子的内层电子受到原子核的束缚较大, 与外层电子相比,它们的势垒强度较大。
所以,内层电子的能带较窄。 外层电子的能带较宽。
26
从 E ~ k 曲线还可以
E
看出: k 值越大,
相应的能带越宽。
E7
k n 2 n 2
Na L (n 0,1,2,)
maU 2
0b
sin
a
a
cos
(
a)
cos(ka)
(4)
式中
2mE
而 k 2 是电子波的角波数*。
(4)式就是电子的能量 E 应满足的方程,也是电子
能量 E与角波数 k 之间的关系式。
注*:有兴趣的读者可参阅〈固体物理基础〉
蔡伯熏编(1990)P 268。
21
maU 2
0b
s
in
a
由周期性边界条件可以推出:布洛赫波函数 的
波数 k 只能取一些特定的分立值。
13
证明如下:
由周期性边界条件 k ( x) k ( x Na)
(3)
按照布洛赫定理:
左边为 右边为
k ( x) ei k xuk ( x)
k
(
x
Na )
这一能级分裂成由 N条能级组成的能带后, 能带最多能容纳 2N(2l +1)个电子。
6
2N(2l+1)
例如,1s、2s能带,最多容纳 2N个电子。 2p、3p能带,最多容纳 6N个电子。
电子排布时,应从最低的能级排起。
有关能带被占据情况的几个名词:
计算表明: U0b 的数值越大所得到的能带越窄。 由于原子的内层电子受到原子核的束缚较大, 与外层电子相比,它们的势垒强度较大。
所以,内层电子的能带较窄。 外层电子的能带较宽。
26
从 E ~ k 曲线还可以
E
看出: k 值越大,
相应的能带越宽。
E7
k n 2 n 2
Na L (n 0,1,2,)
maU 2
0b
sin
a
a
cos
(
a)
cos(ka)
(4)
式中
2mE
而 k 2 是电子波的角波数*。
(4)式就是电子的能量 E 应满足的方程,也是电子
能量 E与角波数 k 之间的关系式。
注*:有兴趣的读者可参阅〈固体物理基础〉
蔡伯熏编(1990)P 268。
21
maU 2
0b
s
in
a
由周期性边界条件可以推出:布洛赫波函数 的
波数 k 只能取一些特定的分立值。
13
证明如下:
由周期性边界条件 k ( x) k ( x Na)
(3)
按照布洛赫定理:
左边为 右边为
k ( x) ei k xuk ( x)
k
(
x
Na )
第二章能带理论ppt课件

能级
能带 E
能隙,禁带
N条
一般规律:
越是外层电子,能带越宽,E越大。
点阵间距越小,能带越宽,E越大。 两个能带有可能重叠。
在整堂课的教学中,刘教师总是让学 生带着 问题来 学习, 而问题 的设置 具有一 定的梯 度,由 浅入深 ,所提 出的问 题也很 明确
能带重叠示意图
金刚石的能带
钠的能带
在整堂课的教学中,刘教师总是让学 生带着 问题来 学习, 而问题 的设置 具有一 定的梯 度,由 浅入深 ,所提 出的问 题也很 明确
原子的外层电子(高能级), 势垒穿透概率 较大, 电子可以在整个固体中运动,称为 共有化电子。
原子的内层电子与原子核结合较紧,一般 不是 共有化电子。
在整堂课的教学中,刘教师总是让学 生带着 问题来 学习, 而问题 的设置 具有一 定的梯 度,由 浅入深 ,所提 出的问 题也很 明确
解定态薛定谔方程, 可以得出两点重要结论: [ 2 2 V (r)] E 2m
在整堂课的教学中,刘教师总是让学 生带着 问题来 学习, 而问题 的设置 具有一 定的梯 度,由 浅入深 ,所提 出的问 题也很 明确
阿诺德·索末菲(1868~1951) 德国物理学家,量子力学与原子物理学的开 山鼻祖人物。 1868年12月5日生于东普鲁士的柯尼斯堡。 1951年4月26日卒于巴伐亚的慕尼黑。 他对原子结构及原子光谱理论有巨大贡献。 对陀螺的运动、电磁波的传播峙别在衍射力 一而)以及金属的电子论也有一定成就。
➢电子的能量是量子化的 ➢电子的运动有隧道效应
# 原子的外层电子(在高能级) 势垒穿透概率较大, 电子可以在整个固体中运动,称为共有化电子。原子 的内层电子与原子核结合较紧,一般不是共有化电子, 称为离子实。
第二章能带理论 ppt课件

ppt课件
14
晶体中电子的平均自由程为什么远大于原子的间距?
第二章 半导体能带理论
ppt课件
1
● 回顾
能源光催化
环境光催化
将低密度的太阳能转化为 高密度的化学能(氢能)
H2O
- 导带
H2, O2
价带 +
CO2, CH4
Fundamental Research
光催化合成
ppt课件
通过光催化反应分解各种 污染物和杀灭细菌与病毒
Organics
(甲醛、苯、PCB、二恶英、 染料、农药…)
能带理论 —— 研究固体中电子运动的主要理论基础 能带理论 —— 定性阐明了晶体中电子运动的普遍性的特点
—— 说明了导体、非导体的区别
—— 晶体中电子的平均自由程为什么远大于原子的间距
在一定的条件下,一个分子在连续两次碰撞之间可能通过的各段自由程的平 均值,微粒的平均自由程是指微粒与其他微粒碰撞所通过的平均距离。
11
研究固体中电子运动的主要理论基础20世纪初 定性地阐明了晶体中电子运动的普遍性的特点
说明了导体、半导体及绝缘体的区别
晶体中电子的平均自由程为什么远大于原子的间距
提供了分析半导体理论问题的基础,推动了半导体
技术的发展
随着计算机技术的发展20世纪六十年代,能带理论的研究从 定性的普遍性规律发展到对具体材料复杂能带结构的计
ppt课件
5
阿诺德·索末菲(1868~1951) 德国物理学家,量子力学与原子物理学的开 山鼻祖人物。 1868年12月5日生于东普鲁士的柯尼斯堡。 1951年4月26日卒于巴伐亚的慕尼黑。 他对原子结构及原子光谱理论有巨大贡献。 对陀螺的运动、电磁波的传播峙别在衍射力 一而)以及金属的电子论也有一定成就。
能带与带隙课件

内层电子的能带较窄。 外层电子的能带较宽。
PPT学习交流
2
三、能带与带隙
2、能带表示图示( E(k)~k ) (1)分为三种类型
第一种类型:简约区图示 第二种类型:扩展区图示 第三种类型:重复区图示
PPT学习交流
3
能带表示图示
第一种类型:简约区图示
特点:
(1)k限制在第一布里渊区 内,此时的波矢k称为简 约波矢;
三、能带与带隙
1、近自由电子近似简并微扰理论的结果表明:
(1)对于波矢 k l 2 而言,N很大,故k很密集,可
以认为 En (k ) 是k的N准连a 续函数;
(2) En (k ) 且每个 En (k
在k n 处不连续(这里 n1,2,3......
) 均含有a许多能级,称其为能带;
),
(3) En (k )总体称为能带结构(n为能带编号);
用简约波矢描述状态时,必须同时指明属于哪 一个能带,否则不能确定具体状态。 扩展区图示:一个布里渊区表示一个能带
重复区图示: En(k)是k的周期函数
PPT学习交流
8
一个状态的标志
(1)属于哪一个能带? (2)简约波矢是多少?
PPT学习交流
9
(4)相邻两个能带 En (k )与En1(k) 之间可以相接,重叠
或是分开,对于一维周期性势场来说属于分开情况,则出
现带隙称为禁带。
PPT学习交流
1
E(k)图与能带P167图4-5
E (k )
20
f ( x ) g ( x ) h ( x )
能带
4
禁带
3
k ( x )
2
1
32 a 9 2a . a 4 x a 2 a 2 3 a 1 k 5.7
能带理论

反的斜率,因此k和-k态具有相反的速度
➢ 在一个完全为电子充满的能带中,尽管就每一个电
子来讲,都荷带一定的电流-qv
➢ 但是k和-k态的电子电流正好相抵消,所以总的电流
等于0。
E
k 0 k1 k2k3 k4 k5
§3.2.1 原子能级及能带理论
3. 导体、绝缘体和半导体的能带论解释 对于被电子部分占满的能带,在外电场作用下,电子可
带,中间隔一禁带。
➢ 但是,两个能带并不相对应与s能级和p能级,而是上下
两个能带中都包含2N个状态,各可容纳4N个电子。
➢ 根据能量最小原理和泡利不相容原理,先占满低能量的
能带,然后再占据更高能量的能带。
➢ 4N个价电子正好填满下面低能量的能带,而上面高能
量的能带是空的,没有电子。
§3.2.1 原子能级及能带理论
价电子的共有化运动形成一个能带,使其处于价级分裂 后的能级上,叫做价带
价带的宽度约为几个电子伏特(eV)。 如果能带中(包括价带)所有的能级都按泡里不相容原
理填满了电子,则称为满带。
对于满带,其中的能级已为电子所占满,在外电场作用 下,满带中的电子并不能形成电流。
§3.2.2 晶体中电子的状态
满带中激发而成的空的量子状态形成的导电作用等效于 带正电荷的准粒子的导电,这些空的量子状态称为空穴
§3.2.1 原子能级及能带理论
3. 导体、绝缘体和半导体的能带论解释
半导体的禁带宽度一般比较窄,Eg约为0.1 ~2eV
➢ 半导体锗(Ge)的禁带宽度Eg为0.67eV ➢ 半导体硅(Si)的禁带宽度Eg为1.12eV ➢ 其他纯净的半导体的禁带宽度也都在1eV左右
§3.3 半导体的特性
1. 理想半导体的能带模型
➢ 在一个完全为电子充满的能带中,尽管就每一个电
子来讲,都荷带一定的电流-qv
➢ 但是k和-k态的电子电流正好相抵消,所以总的电流
等于0。
E
k 0 k1 k2k3 k4 k5
§3.2.1 原子能级及能带理论
3. 导体、绝缘体和半导体的能带论解释 对于被电子部分占满的能带,在外电场作用下,电子可
带,中间隔一禁带。
➢ 但是,两个能带并不相对应与s能级和p能级,而是上下
两个能带中都包含2N个状态,各可容纳4N个电子。
➢ 根据能量最小原理和泡利不相容原理,先占满低能量的
能带,然后再占据更高能量的能带。
➢ 4N个价电子正好填满下面低能量的能带,而上面高能
量的能带是空的,没有电子。
§3.2.1 原子能级及能带理论
价电子的共有化运动形成一个能带,使其处于价级分裂 后的能级上,叫做价带
价带的宽度约为几个电子伏特(eV)。 如果能带中(包括价带)所有的能级都按泡里不相容原
理填满了电子,则称为满带。
对于满带,其中的能级已为电子所占满,在外电场作用 下,满带中的电子并不能形成电流。
§3.2.2 晶体中电子的状态
满带中激发而成的空的量子状态形成的导电作用等效于 带正电荷的准粒子的导电,这些空的量子状态称为空穴
§3.2.1 原子能级及能带理论
3. 导体、绝缘体和半导体的能带论解释
半导体的禁带宽度一般比较窄,Eg约为0.1 ~2eV
➢ 半导体锗(Ge)的禁带宽度Eg为0.67eV ➢ 半导体硅(Si)的禁带宽度Eg为1.12eV ➢ 其他纯净的半导体的禁带宽度也都在1eV左右
§3.3 半导体的特性
1. 理想半导体的能带模型
05---能带理论

波函数的解
满足此薛定諤方程式,同时满足这样的边界条件的波函数为:
n 2 n A sin x A sin x L n
2 L 2 n n k
( k=nπ /L, n=1,2,…)
0
L L L L
0
L L L
0
0 0
0
0 0
L
能量的本征值
dn n n A cos x dx L L
2. 这里的kx, ky, kz是可正可负的量,同时是2π /L 的整数倍。 电子状态由一组量子数(nx、 ny、nz)来代表,它对应一 组状态角波数(kx、 ky、 kz)。
一个 k 对应电子的一个状态。
3) k空间
如果以 kx、 ky、 kz 为三个直角坐标轴,建立 一个假想的空间。这个空间称为波矢空间、 k 空间,或动量空间*。 在 k 空间中,电子的每个状态可以用 一个状态点来表示,这个点的坐标是
满足这样的边界条件的薛定諤方程式(3)的数学解一定是
k n (r ) exp(ikn r )
这是一种平面波,其波矢为:
(4)
kn k x i k y j k表电子状态的量子数。
2 2 k x nx nx (nx 0, 1, 2, ) Na L 2 2 k y ny ny (ny 0, 1, 2, ) Na L 2 2 k z nz nz (nz 0, 1, 2, ) Na L
这节课要搞清楚的问题:
使金属产生自由电子的原因是什么? 使电子能量量子化的原因是什么? 电子的状态用什么来描述? 使得电子能带不连续(禁带的出现)的原因是什么?
金属中的电子不是完全的自由电子
金属中的电子状态一直被认为是自由电子状态,然而这 是一种不完全面认识。 1. 如果是完全的自由电子,那么电子的能量应该可以连续变 化,然而金属中的自由电子的能量也是量子化的。 2. 量子化的电子能量分布应该是准连续分布的,然而实际晶 体中的电子在某些能量范围内是不能稳定存在的,也就是说 存在一些对电子来说是禁止的能量范围。 这些都是传统的自由电子理论不能解释的。 高分子、导电陶瓷中的自由电子也有同样的现象和问题。
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2. 周期势中的电子:Bloch定理
• Bloch定理 • 对于电子的Schroedinger方程:
其中U(r)具有晶格的周期性。
• Bloch定理:上列方程中单电子Hamiltonian的本征态可以写为平面
波与晶格周期函数的乘积:
其中
对所有的晶格矢量R满足
;Bloch函数
2. 周期势中的电子:Bloch定理
• Zone边界处的近似解: • 在Zone边界处,即在 附近,动能对于 相同:
•
是波函数的重要系数,
也是重要系数。
• 我们可以在(6.15)中限制K,只考虑这两个系数。 • 对于系数矢量 ,系数行列式为:
• 这样,能量值就是
2. 周期势中的电子:晶格矢展开
• 在Zone边界处,出现一个能量劈裂: • 能隙中心有自由电子色散的能量 • 系数的比值为: • (6.20)的负(-)号解是一个余玄驻波,正(+)号是正玄驻波。 详见图6.4. • 在低能态(binding)中,电子局域于势能最小处,即原子上;在 高能态(antibinding)中电子局域于原子之间。 • 两个波函数有同样的周期性,因为它们有同样的波矢 • 注意:波函数的周期是2a,波函数的平方的周期是晶格常数a. 给出。
2. 周期势中的电子:晶格矢展开
• 上面是一个简单例子,可以直接解;但是,对于一般的情况,没有 这么简单。 • 下面给出一个针对一般情况的解决方案。 • 首先,将势函数按倒格矢做Fourier级数展开:
• 因为U(r)是实函数,有 • 这个展开可行的深层原因是:对于典型地晶体势,Fourier展开系
• 进一步简化,
• 但是,保持 • (6.12)化为 为有限的常数;相应地,有
其中
表示势垒强度。
2. 周期势中的电子:Kronig–Penney模型
• (6.13)中右边的绝对值小于1,即[-1,+1],才有解:
Fig. 6.3. (b) Transcendental function B(K) from (6.13) for β = 5. The dashed lines indicate the [−1, 1] interval for which solutions exist for (6.13). (c) Band gap between first and second subband (in units of EX = ℏ2π2/(2ma2)) as a function of β. For smaller β the band gap is ∝ β. For thick barriers (β → ∞) the band gap saturates towards 3EX as expected for uncoupled wells.
• Bloch定理在这里就不做证明了。 • 如果Enk是一个能量本征值,于是对于所有的倒格矢G,Enk+G也是一 个能量本征值:
• 则能量值在倒空间具有周期性。 • 下图是不同的k取法的能带结构:
2. 周期势中的电子:自由电子色散关系
• 如果整个波函数(6.3)满足Schroedinger方程(6.2),那Bloch 函数就满足
这里的k是Bloch波矢,与上面方程中的K和(kappa)不同。
• 波函数及其导数在x=0中的电子:Kronig–Penney模型
• 在(6.11c,d)左边,波函数及其导数在x=-b处的连续性已经用上了。 • 关于A、B、C、D的方程组(6.11)要有非平庸解,其系数行列式必 须等于零。由此可得方程
2. 周期势中的电子:Kronig–Penney模型
• 色散关系结果(虚线是相应的自由电子结果,注意能隙):
Fig. 6.3. (d, e) The resulting energy dispersion (in units of EX) as a function of the superlattice wavevector k for (d) β = 5 and (e) β = 20 in (6.13). The dashed lines are the free-electron dispersion (for β = 0) (see Fig. 6.2a)
半导体物理:第四章 能带结构
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 引言 周期势中的电子 典型半导体的能带结构 合金半导体 无定形半导体 半导体带隙 带隙的温度依赖性 电子载流子 空穴载流子
10. 能带的应变效应
11. 态密度
1. 引言
• 在晶体中运动的电子会感受到如下的周期势:
R是任意晶格矢量。 • 这个势来源于离子实,以及其它的电子。 • 这是一个多体问题,包含所有的电子和离子实。 • 要求解这个问题,必须简化!
数随着G增大而快速减小。即,对于非屏蔽势,有
• 波函数可表示为所有允许的Bloch波矢的Fourier级数(或积分):
2. 周期势中的电子:晶格矢展开
• 方程(6.6)中的动能项和势能项化为
• 使用
,(6.16b)可重写为
• 现在,Schroedinger方程可写为无限代数方程组:
2. 周期势中的电子:晶格矢展开
• 如上图,阱宽为a,势垒宽为b,周期为P=a+b。势能在阱底为0,在 势垒处为U0。 • Schroedinger方程为
2. 周期势中的电子:Kronig–Penney模型
• 采用平面波试探解,有
• 第一个方程定义在[0,a],有
• 第二个方程定义在(a,a+b],有
• Bloch定理的周期性要求,波函数在x=-b必须具有形式:
• 讨论最简单的情况:U=0。对于倒空间的任意矢量k,容易得到
• 如果定义
,则有
•
可以限制到BZ里面。
2. 周期势中的电子:自由电子色散关系
• 采用各种的倒格矢,色散关系就有很多分支。下图是1D、3D sc、3D fcc的 色散关系:
2. 周期势中的电子:Kronig–Penney模型
• Kronig–Penney模型很简单,可以解析求解,但可以很好地展示周期 势对电子色散关系的作用。