晶闸管介绍
晶闸管十大品牌
积极拓展市场，与多 家知名企业合作，提 供定制化服务。
拥有先进的晶闸管制 造工艺和技术，具备 批量生产能力。
中国电子科技集团
国内大型电子科技集团，业务 涵盖军工、民用等领域。
具备自主研发和生产晶闸管的 能力，产品性能稳定可靠。
承担多项国家重点工程项目的 研发和供应任务。
株洲中车时代电气股份有限公司
04
晶闸管品牌竞争格局及 未来发展
各品牌竞争优劣势分析
01
A品牌
该品牌在晶闸管市场上具有较高的市场份额，产品线完整，品质稳定。
其优势在于品牌知名度高，客户基础广泛。劣势在于相对于竞品，其产
品价格稍高。
02
B品牌
该品牌在晶闸管市场上拥有较强的研发实力，产品创新性强。其优势在
于技术领先，产品线不断延伸。劣势在于其品牌知名度尚待提高，市场
晶闸管的基本结构与工作原理
晶闸管由P型半导体和N型半导体构成 ，中间有一个P-N结。
当晶闸管两端加正向电压时，电流从P 型半导体流向N型半导体，当加反向电 压时，电流从N型半导体流向P型半导
体。
当晶闸管两端加正向电压且触发电流达 到一定值时，晶闸管会从截止状态转为 导通状态，这时即使去掉触发电流，晶 闸管仍会保持导通状态，直到电流降到
广东风华高新科技股份有限公司
01
国内领先的电子元器件制造商，产品涵盖电容、电感等领域。
02
具备晶闸管自主研发和生产能力，产品广泛应用于家电、工业
控制等领域。
与多家知名企业合作，提供一站式采购服务。
03
中芯国际
1
国内领先的集成电路制造商，具备晶闸管制造的 先进技术和生产线。
2
产品广泛应用于通信、消费电子、汽车电子等领 域。
晶闸管介绍
晶闸管介绍：晶闸管是一种大功率开关型半导体器件，具有硅整流器件的特性。
1957年美国通用电器公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化。
晶闸管是PNPN 四层半导体结构，有三个极：阳极、阴极和控制极。
它能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制，被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
晶闸管具有硅整流器件的特性，因此能够在高电压、大电流条件下工作。
在实际应用中，晶闸管的导通和截止状态可以通过控制极触发电流来实现控制。
在正向电压条件下，晶闸管内部两个等效三极管均处于截止状态，此时晶闸管是截止的。
当控制极上施加触发电流时，晶闸管内部等效三极管导通，晶闸管进入导通状态。
在导通状态下，控制极失去作用，即使控制极上施加反向电压，晶闸管仍然保持导通状态。
要使晶闸管截止，需要使其阳压为零或为负，或将阳压减小到一定程度，使流过晶闸管的电流小于维持电流，晶闸管才自行关断。
此外，晶闸管具有正向和反向特性。
在正向特性下，只有很小的正向漏电流；在反向特性下，需要施加反向电压才能使晶闸管导通。
因此，在实际应用中需要根据具体电路要求选择合适的晶闸管类型和规格。
几种特殊的晶闸管介绍
几种特殊的晶闸管介绍1.门极双极型晶闸管（GTO）门极双极型晶闸管（Gate Turn-Off Thyristor，简称GTO）是晶闸管的一种特殊类型。
与常规晶闸管相比，GTO具有双向导通的能力，即它可以在正向和反向方向上都能够导通电流。
此外，GTO还具有一种特殊的控制功能，即在适当的条件下，可以通过施加一个反向偏置电压来关闭晶闸管。
这使得GTO可以实现更可靠且更精确的控制。
GTO的一个重要应用是在交流电动机驱动系统中。
由于GTO具有双向导通和可控关断功能，它可以在交流电源和电动机之间启动和停止电流。
此外，GTO还能够提供变频控制，使电动机能够在不同的速度和转矩下运行。
2.绝缘栅双极型晶闸管（IGBT）绝缘栅双极型晶闸管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）是一种混合型的半导体器件。
它结合了MOSFET的高输入阻抗和GTO的双向导通能力。
与常规晶闸管相比，IGBT具有更低的功率损耗和更好的开关特性。
IGBT的一个重要应用是在变频驱动系统中。
由于它具有MOSFET的高性能和GTO的高电压和电流能力，IGBT可以同时提供快速开关速度和高电压承受能力。
这使得它成为电动机驱动、电源变换和逆变器等高性能应用的理想选择。
3.双极型晶闸管（BTS）双极型晶闸管（Bilateral Thyristor Switch，简称BTS）是一种双端可控的晶闸管。
与常规晶闸管相比，BTS具有双向导通能力，即能在正向和反向方向上都能够导通电流。
它还具有可控的导通和关断功能。
BTS的一个重要应用是在直流电源系统中。
由于它具有双向导通和可控关断功能，BTS可以用于直流电源的开关和控制，实现电流的快速切换和更精确的控制。
综上所述，门极双极型晶闸管（GTO）、绝缘栅双极型晶闸管（IGBT）和双极型晶闸管（BTS）是三种特殊的晶闸管类型。
它们分别具有双向导通能力、更精确的控制和更低的功耗等优点，适用于不同的应用领域，如交流电动机驱动、变频驱动和直流电源系统。
晶闸管的工作条件_概述及解释说明
晶闸管的工作条件概述及解释说明1. 引言1.1 概述:晶闸管作为一种重要的电子器件，在电力控制和电能转换领域发挥着关键的作用。
它具有可靠性高、功率损耗小、体积小等优点，被广泛应用于各个行业。
了解晶闸管的工作条件对于正确使用和设计相关电路至关重要。
1.2 文章结构:本文将首先介绍晶闸管的工作原理，包括其结构和PN结与工作条件之间的关系。
接下来，将详细讨论晶闸管的主要工作条件，包括阻抗匹配与负载电流、触发电压与触发电流以及关断特性及其影响因素。
然后，将探讨晶闸管的保护措施和需注意事项，包括过电流保护与故障检测、温度保护与散热设计要点以及隔离和绝缘性能要求。
最后，通过总结晶闸管的工作条件概述，并说明晶闸管在实际应用中的重要性和未来技术与应用展望，来结束整篇文章。
1.3 目的:本文旨在全面介绍晶闸管的工作条件，帮助读者深入了解晶闸管的原理和使用要点。
通过本文的阐述，读者可以掌握正确选择晶闸管和应用技巧，并能够设计合适的保护措施，确保晶闸管工作稳定可靠。
2. 晶闸管的工作原理:2.1 简介晶闸管:晶闸管是一种半导体器件，具有控制电流流动的特性。
它由四个半导体层构成，并带有三个接线端，即阳极、阴极和门极。
晶闸管可以实现自锁状态，在一定触发条件下将保持开启状态，直到触发信号停止或施加反向电压为止。
2.2 PN结与工作条件:在晶闸管中，两个PN结扮演重要角色。
当施加正向电压时，P区被加上正电压（阳极）而N区被加上负电压（阴极），形成一个正偏性结。
此时穿越PN结的少数载流子会被注入N区，并形成导电通道，使得晶闸管处于导通状态。
然而，在不适当的工作条件下，PN结可能会出现击穿现象，进而使整个晶闸管失效。
因此，在工作过程中需要注意：控制正向电流并维持适当的功耗、避免超过材料的最大额定电压、保持适当温度等。
2.3 准双向导通特性与工作条件:晶闸管具有准双向导通特性，即不论施加的电压是正向还是反向，只要触发条件满足，晶闸管都能够导通。
晶闸管导通的条件
晶闸管导通的条件
1 晶闸管是什么
晶闸管（Thyristor）是由含两个p 极的外延场效应晶体管或场效应晶体管组成的一种半导体控制元件，也称作控制元件、可控硅或可控开关电源，用于控制功率的开启和关闭。
晶闸管的工作原理及用途等被广泛应用于家用电器和电力变换系统。
2 晶闸管导通的条件
晶闸管能够导通的3个条件是：
1. 第一个条件是有控制电压，晶闸管内部的两个外延PN结有基极饱和电流足够驱动晶闸管导通，因此需要有一个足够大的电压做控制电源的功能，这个控制电压一般都要比PN结极饱和电压高几十到几百伏。
2. 第二个条件是在晶闸管内部的PB结位于导通状态，能够正常传递正向电流。
3. 第三个条件是可以把晶闸管触发到通断（ON/OFF）状态，晶闸管能够在这两个状态之间迅速切换，而不受制于其他控制因素，尤其是能够在瞬间内把电流从一个节点传递到另一个节点，以控制各种电子器件的正常工作状态。
3 晶闸管的作用
晶闸管的作用：
1. 晶闸管可以用来限定电流的方向，以保护电路。
2. 晶闸管可以用来控制电压，以实现家用电器的节能效果。
3. 晶闸管可以用来控制直流功率，能发挥良好的抗干扰性能。
4. 晶闸管可以应用于控制电力变换系统，增强系统的可靠性和安全性。
4 结论
从以上介绍可以看出，晶闸管是控制电子器件和机电设备工作的重要元件，它具有方便操作，良好的可靠性和抗干扰性等特点。
且晶闸管能够在符合导通条件的情况下快速可靠地导通，以满足电子设备各种功能控制的需求。
因此，晶闸管将逐渐成为电子器件功能控制的重要元件。
第1章 晶闸管
有效值与平均值之比称为波形系数Kf则: Kf=I/Id或I= KfId 。 例:设晶闸管承受的电压有效值为２２０Ｖ，流过的电流平 均为１５７Ａ，波形系数为１.１１,考虑安全裕量，求晶 闸管电压、电流定额。 i 解：ＵＮ＝(2～3)1.414×220 IM =622 ～933Ｖ（取800Ｖ)
I K f Id I IT ( AV ) = (1.5 2) = (1.5 2) 1.57 1.57 1.11´ 157 0 （取 200 Ａ） = (1.5 2) = 166 222 A 图1-11 1.57
学习重点:
晶闸管的工作原理、基本特性、主要参数以 及选择和使用中应注意的一些问题。
1.1
引言
晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流 器（Silicon Controlled Rectifier——SCR）
1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。 1958年商业化。
第1章
1.1 引言
晶闸管
1.2 晶闸管的结构与工作原理 1.3 晶闸管的基本特性 1.4 晶闸管的主要参数 1.5 晶闸管的派生器件
1.6 电力二极管(整流二极管)
本章学习内容与重点
本章内容:
介绍晶闸管的工作原理、基本特性、主要参 数以及选择和使用中应注意的一些问题。 介绍电力二极管、晶闸管派生器件的基本特 性和使用中应注意的一些问题。
仿真实验
1.2 晶闸管的结构与工作原理
晶闸管的工作原理
⊕工作原理（从其内部四层结构来 A 分析） P1 ①定性分析 J1 N1 a. UG≤0，IG=0 G J2 P2 UAK＜0时，J1，J3反偏，J2正 J 3 偏，反向阻断，晶闸管不导通， N2 解释①。 K UAK＞0时，J1，J3正偏，J2反 偏，晶闸管不导通，解释⑤。图1-2 晶闸管的内部结构图
晶闸管工作原理.
晶闸管工作原理晶闸管是一种电子器件，它在电子学和电力控制领域有着广泛的应用。
晶闸管能够控制大电流和高电压，因此在电力传输和电动机控制等方面扮演着重要角色。
本文将详细介绍晶闸管的工作原理，以及它在不同应用领域中的工作方式。
晶闸管的基本结构由四个层组成：N型区域，P型区域，P型区域和N型区域。
晶闸管一般是通过控制一个电极上的电流来实现对另一个电极上电流的控制。
这个电极被称为“控制电极”或“闸极”，而另外两个电极分别是“阳极”和“阴极”。
当闸电流被施加在晶闸管的闸极上时，晶闸管处于关断状态，此时正向电压施加在阳极上，而阴极则是负电压。
在关断状态下，晶闸管会阻断正向电流，类似于电子开关。
当闸电流被去除或减小到一个可忽略的水平时，晶闸管的工作状态将发生变化。
当前向电流施加在阳极上时，P型的区域成为一个PN结，此时称为“在态”或“导通态”。
在导通状态下，晶闸管将允许正向电流流动。
晶闸管的转换过程是通过两种方式实现的：转流和转向。
转流是指将电流从晶闸管的阳极转移到阴极，而转向则是指将电流从阳极转移到阴极。
当闸电流被去除时，转流是通过重新注入电流来实现的。
当闸电流被减小到可忽略的水平时，转向是通过向晶闸管施加反向电压来实现的。
晶闸管通常在交流电路中被广泛应用。
在交流电路中，晶闸管可以控制电流的相位，以实现电压和电流的控制。
这使得晶闸管成为一种重要的电力控制器件。
晶闸管还可用于直流电路中，尤其是在工业自动化和电动机控制领域。
尽管晶闸管在许多应用领域中具有广泛的应用，但是在实际应用中仍然存在一些问题。
其中之一是晶闸管的损耗问题。
晶闸管在导通过程中会有一定的导通压降，从而产生额外的损耗。
此外，晶闸管还需要适当的散热措施，以确保其正常工作。
综上所述，晶闸管是一种重要的电力控制器件，它通过控制闸电流来实现电流的控制。
晶闸管的工作原理涉及其基本结构以及电流的转流和转向过程。
晶闸管在交流电路和直流电路中都有着广泛的应用，尤其在电力传输和电动机控制领域。
晶闸管的导通条件和关断条件
晶闸管的导通条件和关断条件晶闸管是一种广泛使用的半导体器件，可以实现高功率的电控制。
晶闸管的导通条件和关断条件是晶闸管工作的基本原理，也是晶闸管的设计和应用的关键。
本文将详细介绍晶闸管的导通条件和关断条件，包括物理原理、数学模型和实际应用。
一、晶闸管的物理原理晶闸管是一种四层PNPN结构的半导体器件，由一个P型区、一个N型区、一个P型区和一个N型区组成。
晶闸管的导通和关断是通过控制PNPN结中的正向和反向电压来实现的。
当晶闸管的控制端施加一个正向脉冲信号时，PNPN结中的P型区和N型区之间的正向电压将增加，当正向电压达到一定值时，PNPN 结中的P型区和N型区之间的空穴和电子会发生复合，形成一个电子流，晶闸管开始导通。
导通时晶闸管的电压降低至低电平，电流增加至高电平。
当晶闸管的控制端施加一个反向脉冲信号时，PNPN结中的N型区和P型区之间的反向电压将增加，当反向电压达到一定值时，PNPN 结中的N型区和P型区之间的电子和空穴会发生复合，形成一个电流，晶闸管开始关断。
关断时晶闸管的电压升高至高电平，电流降低至低电平。
晶闸管的导通和关断是通过控制PNPN结中的正向和反向电压来实现的，因此晶闸管的导通和关断条件与PNPN结的物理特性密切相关。
下面将介绍晶闸管的导通条件和关断条件的数学模型。
二、晶闸管的导通条件晶闸管的导通条件是指晶闸管开始导通的最小正向电压。
根据PNPN结的物理特性，晶闸管的导通条件可以用下式表示：Vgt = Vf + Vr + Vp其中，Vgt为晶闸管的触发电压，Vf为PNPN结的正向电压，Vr 为PNPN结的反向电压，Vp为PNPN结的电压降。
PNPN结的正向电压Vf取决于PNPN结的材料和掺杂浓度，通常在0.5V至0.7V之间。
PNPN结的反向电压Vr取决于PNPN结的击穿电压，通常在20V至200V之间。
PNPN结的电压降Vp取决于PNPN结中的电流和电阻，通常在0.1V至0.5V之间。
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按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。
按引脚和极性分类晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。
按封装形式分类晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。
其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。
按电流容量分类晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。
通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。
按关断速度分类晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管。
（备注：高频不能等同于快速晶闸管）工作原理晶闸管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。
晶闸管的工作条件：1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。
2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。
3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。
4. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。
1.5v主要参数编辑本段从晶闸管的内部分析工作过程晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2 当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导通，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。
图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。
因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。
设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0, 晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。
当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。
当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。
这样强烈的正反馈过程迅速进行。
从图3，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。
晶闸管已处于正向导通状态。
式（1—1）中，在晶闸管导通后，1-（a1+a2）≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。
晶闸管在导通后，门极已失去作用。
在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。
可关断晶闸管GTO（Gate Turn-Off Thyristor）亦称门控晶闸管。
其主要特点为，当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。
前已述及，普通晶闸管（SCR）靠门极正信号触发之后，撤掉信号亦能维持通态。
欲使之关断，必须切断电源，使正向电流低于维持电流IH，或施以反向电压强近关断。
这就需要增加换向电路，不仅使设备的体积重量增大，而且会降低效率，产生波形失真和噪声。
可关断晶闸管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。
GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频纺比GTR低。
目前，GTO已达到3000A、4500V的容量。
大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。
可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1仅绘出GTO典型产品的外形及符号。
大功率GTO大都制成模块形式。
尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。
这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。
GTO的一个重要参数就是关断增益，βoff，它等于阳极最大可关断电流IATM与门极最大负向电流IGM之比，有公式βoff =IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。
βoff值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。
很显然，βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。
下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。
判定GTO的电极将万用表拨至R×1档，测量任意两脚间的电阻，仅当黑表笔接G极，红表笔接K 极时，电阻呈低阻值，对其它情况电阻值均为无穷大。
由此可迅速判定G、K极，剩下的就是A极。
检查触发能力如图2(a)所示，首先将表Ⅰ的黑表笔接A极，红表笔接K极，电阻为无穷大；然后用黑表笔尖也同时接触G极，加上正向触发信号，表针向右偏转到低阻值即表明GTO 已经导通；最后脱开G极，只要GTO维持通态，就说明被测管具有触发能力。
检查关断能力现采用双表法检查GTO的关断能力，如图2(b)所示，表Ⅰ的档位及接法保持不变。
将表Ⅱ拨于R×10档，红表笔接G极，黑表笔接K极，施以负向触发信号，如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置，证明GTO具有关断能力。
估测关断增益βo ff进行到第3步时，先不接入表Ⅱ，记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1；再接上表Ⅱ强迫GTO关断，记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。
最后根据读取电流法按下式估算关断增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/ K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数；K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。
βoff≈10×n1/ n2此式的优点是，不需要具体计算IAT、IG之值，只要读出二者所对应的表针正向偏转格数，即可迅速估测关断增益值。
注意事项：（1）在检查大功率GTO器件时，建议在R×1档外边串联一节1.5V电池E′，以提高测试电压和测试电流，使GTO可靠地导通。
（2）要准确测量GTO的关断增益βoff，必须有专用测试设备。
但在业余条件下可用上述方法进行估测。
由于测试条件不同，测量结果仅供参考，或作为相对比较的依据。
编辑本段逆导晶闸管简介RCT(Reverse-Conducting Thyristir)亦称反向导通晶闸管，是一种对负阳极电压没有开关作用，反向时能通过大电流的晶闸管。
其特逆导晶闸管点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管，使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。
由于这种特殊电路结构，使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。
例如，逆导晶闸管的关断时间仅几微秒，工作频率达几十千赫，优于快速晶闸管（FSCR）。
该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中，一只RCT即可代替晶闸管和续流二极管各一只，不仅使用方便，而且能简化电路设计。
逆导晶闸管的符号、等效电路如图1(a)、(b)所示。
其伏安特性见图2。
由图显见，逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性，正向特性与普通晶闸管SCR相同，而反向特性与硅整流管的正向特性相同（仅坐标位置不同）。
逆导晶闸管的典型产品有美国无线电公司（RCA）生产的S3900MF，其外形见图1(c)。
它采用TO-220封装，三个引出端分别是门极G、阳极A、阴极K。
S3900MF的主要参数如下：断态重复峰值电压VDRM：>750V通态平均电流IT（AV）：5A最大通态电压VT：3V（IT=30A）最大反向导通电压VTR：<0.8V最大门极触发电压VGT:4V最大门极触发电流IGT:40mA关断时间toff:2.4μs通态电压临界上升率du/dt:120V/μs通态浪涌电流ITSM:80A检查利用万用表和兆欧表可以检查逆导晶闸管的好坏。
测试内容主要分逆导晶闸管三项：1．检查逆导性选择万用表R×1档，黑表笔接K极，红表笔接A极（参见图3(a)），电阻值应为5～10Ω。
若阻值为零，证明内部二极管短路；电阻为无穷大，说明二极管开路。
2．测量正向直流转折电压V（BO）按照（b）图接好电路，再按额定转速摇兆欧表，使RCT正向击穿，由直流电压表上读出V（BO）值。
3．检查触发能力实例：使用500型万用表和ZC25-3型兆欧表测量一只S3900MF型逆导晶闸管。
依次选择R×1k、R×100、R×10和R×1档测量A-K极间反向电阻，同时用读取电压法求出出内部二极管的反向导通电压VTR（实际是二极管正向电压VF）。
再用兆欧表和万用表500VDC档测得V（BO）值。
全部数据整理成表1。
由此证明被测RCT质量良好。
注意事项（1）S3900MF的VTR<0.8V，宜选R×1档测量。
（2）若再用读取电流法求出ITR值，还可以绘制反向伏安特性。
①一般小功率晶闸管不需加散热片，但应远离发热元件，如大功率电阻、大功率三极管以及电源变压器等。
对于大功率晶闸管，必须按手册申的要求加装散热装置及冷却条件，以保证管子工作时的温度不超过结温。
②晶闸管在使用中发生超越和短路现象时，会引发过电流将管子烧毁。
对于过电流，一般可在交流电源中加装快速保险丝加以保护。
快速保险丝的熔断时间极短，一般保险丝的额定电流用晶闸管额定平均电流的1.5倍来选择。
③交流电源在接通与断开时，有可能在晶闸管的导通或阻断对出现过压现象，将管子击穿。
对于过电压，可采用并联RC吸收电路的方法。
因为电容两端的电压不能突变，所以只要在晶闸管的阴极及阳极间并取RC电路，就可以削弱电源瞬间出现的过电压，起到保护晶闸管的作用。