《模拟电子技术基础》(第四版)童诗白_华成英_高等教育出版社_课后习题答案
模拟电子技术基础第四版课后标准答案-童诗白
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。
习题1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B.四价C.三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B从12 uA 增大到22 uA 时，I C从l mA变为2mA，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将( A ) 。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第二章
资料范本本资料为word版本，可以直接编辑和打印，感谢您的下载模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第二章地点：__________________时间：__________________说明：本资料适用于约定双方经过谈判，协商而共同承认，共同遵守的责任与义务，仅供参考，文档可直接下载或修改，不需要的部分可直接删除，使用时请详细阅读内容第2章基本放大电路自测题一．在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。
1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
(×)2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。
(√)3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。
(×)4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
(×)5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
(√)6.由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
(×)7.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
(×)二．试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b) (c)(d) (e) (f)(g) (h) (i)图T2.2解：图(a)不能。
VBB将输入信号短路。
图(b)可以。
图(c)不能。
输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。
图(d)不能。
晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。
图(e)不能。
输入信号被电容C2短路。
图(f)不能。
输出始终为零。
图(g)可能。
图(h)不合理。
因为G-S间电压将大于零。
图(i)不能。
因为T截止。
三．在图T2.3 所示电路中，已知, 晶体管β=100，。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
(1)当时，测得，若要基极电流, 则和之和=( )≈( 565 )；而若测得，则=( )≈( 3 )。
(2)若测得输入电压有效值时，输出电压有效值，则电压放大倍数( )≈( -120 )。
模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案
第8章波形的发生和信号的转换自测题一、改错：改正图T8.1所示各电路中的错误，使电路可能产生正弦波振荡。
要求不能改变放大电路的基本接法（共射、共基、共集）。
(a) (b)图T8.1解：(a)加集电极电阻R c及放大电路输入端的耦合电容。
(b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容，改同名端。
二、试将图T8.2所示电路合理连线，组成RC桥式正弦波振荡电路。
图T8.2解：④、⑤与⑨相连，③与⑧ 相连，①与⑥ 相连，②与⑦相连。
如解图T8.2所示。
解图T8.2三、已知图T8.3(a)所示方框图各点的波形如图(b)所示，填写各电路的名称。
电路1为正弦波振荡电路，电路2为同相输入过零比较器，电路3为反相输入积分运算电路，电路4 为同相输入滞回比较器。
(a)(b)图T8.3四、试分别求出图T8.4所示各电路的电压传输特性。
(a) (b)图T8.4解：图(a)所示电路为同相输入的过零比较器；图(b)所示电路为同相输入的滞回比较器，两个阈值电压为±U T =±U Z 。
两个电路的电压传输特性如解图T8.5所示。
解图T8.4五、电路如图T8.5所示。
图T8.5(1)分别说明A 1和A 2各构成哪种基本电路；(2)求出u O1与u O 的关系曲线u O1=f (u O )；(3)求出u O 与u O1的运算关系式u O =f (u O1)；(4)定性画出u O1与u O 的波形；(5)说明若要提高振荡频率，则可以改变哪些电路参数，如何改变？解:(1)A 1：滞回比较器；A 2：积分运算电路。
(2)根据12111112121()02P O O O O N R R u u u u u u R R R R =⋅+⋅=+==++ 可得：8T U V ±=±u O1与u O 的关系曲线如解图T8.5 (a)所示。
(3) u O 与u O1的运算关系式(4) u O1与u O 的波形如解图T8.5(b)所示。
模拟电路童诗白第四版习题配套答案
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS点。
( √)U大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础习题解答第四版童诗白华成英第一部分
第一部分模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)R (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS 大的特点。
( √)U大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
模拟电子技术基础第四版课后答案-童诗白精编版
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第二章.
第2章基本放大电路自测题一．在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。
1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
(×)2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。
(√)3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。
(×)4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
(×)5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
(√)6.由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
(×)7.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
(×)二．试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b) (c)(d) (e) (f)(g) (h) (i)图T2.2解：图(a)不能。
V BB 将输入信号短路。
图(b)可以。
图(c)不能。
输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。
图(d)不能。
晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。
图(e)不能。
输入信号被电容C 2短路。
图(f)不能。
输出始终为零。
图(g)可能。
图(h)不合理。
因为G -S 间电压将大于零。
图(i)不能。
因为T 截止。
三．在图T2.3 所示电路中，已知12CC V V =, 晶体管β=100，'100b R k =Ω。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
(1)当0i U V =时，测得0.7BEQ U V =，若要基极电流20BQ I A μ=, 则'b R 和W R 之和b R =( ()/CC BEQ BQ V U I - )k Ω≈( 565 )k Ω；而若测得6CEQ U V =，则c R =( ()/CC CEQ BQ V U I β- )≈( 3 )k Ω。
(2)若测得输入电压有效值5i U mV =时，输出电压有效值'0.6o U V =，则电压放大倍数u A =( /o i U U - )≈( -120 )。
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（9）√ （10）× （11）× （12）√
2.6 （1）6.4V （2）12V （3）0.5V （4）12V （5）12V
2.7
5
Q：I BQ
= VCC
− U BEQ Rb
− U BEQ R
≈ 22μ
A
ICQ = β I BQ ≈ 1.76mA
空载时：U CEQ
= VCC
− I CQ Rc
≈ 6.2V， rbe
1.21
3
1.22 过 uDS 为某一确定值（如 15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的 iD 值 ； 建立 iD＝f（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。
1.23 uI＝4V 时 T 夹断，uI＝8V 时 T 工作在恒流区，uI＝12V 时 T 工作在可变电阻区。 1.24 （a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能
第一章 半导体基础知识
自测题
一 、（ 1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二 、（ 1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V 四、UO1＝6V UO2＝5V 五、根据 PCM＝200mW 可得：UCE＝40V 时 IC＝5mA，UCE＝30V 时 IC≈6.67mA，UCE ＝20V 时 IC＝10mA，UCE＝10V 时 IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图 略。
≈ 1mA
U CEQ ≈ VCC − I EQ (Rc + Rf + Re ) = 5.7V
26mV rbe = rbb' + (1 + β ) I EQ ≈ 2.73kΩ
Ȧu
= − β (Rc ∥ RL ) rbe + (1 + β )Rf
≈ −7.7
Ri = Rb1 ∥ Rb2 ∥[rbe + (1 + β )Rf ] ≈ 3.7kΩ
（c）将 VBB 反接，且加输入耦合电容。
（d）在 VBB 支路加 Rb，在－VCC 与集电极之间加 Rc。
2.3 图 P2.3 所示各电路的交流通路；将电容开路即为直流通路，图略。
. Ui R1
R2 R 3
. Uo
. Ui R1
.
R4
Uo
(a)
(b)
. Ui R2 R3
R4
. Uo
. Ui
. Uo RL
⋅
U
' o
0.3
四 、（1）A （2）C （3）B （4）B 五 、（1）C，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C （6）B C E，A D 六、
习题
2.1
ebc大大中大
cbc小大大小
bec大小小大
2.2（a）将－VCC 改为＋VCC 。
（b）在＋VCC 与基极之间加 Rb。
(c)
(d)
2.4 空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为 5.3V。 带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为 2.3V。 2.5（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）× （7）× （8）√
2.10 （1）
I CQ
= VCC − U CEQ Rc
= 2mA
I BQ
=
I CQ β
= 20μ
A
Rb
= VCC − U BEQ I BQ
≈ 565kΩ
（2）
Ȧu
= −Uo Ui
= −100
Ȧu
=
β −
RL'
rbe
11 + =1
Rc RL
RL = 1.5kΩ
2.11
空载时，
U om
= U CEQ
− UCES 2
≈ 3.28V
RL' = 1kΩ
6
RL
= 3kΩ时，U om
=
I CQ RL' 2
≈ 2.12V
2.12 ② ① ② ① ③ ③②①③① ③③①③③
2.13（1）静态及动态分析：
U BQ
≈
Rb1 Rb1 + Rb2
⋅VCC
=
2V
I BQ
= I EQ 1+ β
≈ 10μ
A
I EQ
= U BQ − U BEQ Rf + Re
1.10 （1）S 闭合。
（2） Rmin = (V − U D ) I Dmax ≈ 233Ω，Rmax = (V − U D ) I Dmin = 700Ω。
1.11 波形如图所示。
u I /V
6 3
t
0
u O1/V
3
t
0
u O2/V
3
t
0
1.12 60℃时 ICBO≈32μA。
2
1.13 选用β＝100、ICBO＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14
8
Q：I BQ
=
VCC − U BEQ Rb + (1 + β )Re
≈ 31μ
A
ICQ = β I BQ ≈ 1.86mA
U CEQ ≈ VCC − I EQ (Rc + Re ) = 4.56V
rbe
=
rbb'
+ (1 +
β)
26mV I EQ
≈
952Ω
Ri = Rb ∥ rbe ≈ 952Ω
Ȧ u1
=
−
β1
⋅ rbe2 1+ β2 rbe1
Ri = R2 ∥ R3 ∥ rbe1
Ȧ u 2
=
β 21R4 rbe2
Ro = R4
Ȧu = Ȧu1 Ȧu2
2.17 Ȧu1 ≈ −1 Ȧu 2 ≈ +1
图略。
2ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ18 （1）求解 Q 点：
I BQ
=
VCC − U BEQ Rb + (1 + β )Re
≈ 0.996
RL = 3kΩ：Ri = Rb ∥[rbe + (1 + β )(Re ∥ RL )] ≈ 76kΩ
Ȧu
=
(1 + β )(Re ∥ RL ) rbe + (1 + β )(Re ∥ RL )
≈
0.992
（3）
求解输出电阻： Ro
=
Re
∥
Rs
∥ Rb + 1+ β
rbe
≈ 37Ω
2.19 (1)
UO
=
RL R + RL
⋅UI
≈
3.33V
当 UI＝15V 时，由于上述同样的原因，UO＝5V。
u I1/V
3
0.3 O
t
u I2 /V
3
0.3 O
t
u O/V
3.7
1 O
t
当 UI＝35V 时，UO＝UZ＝5V。
（2） I DZ = (U I − U Z ) R = 29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
≈ 45.4kΩ
七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。
习题
u i/V
10
1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A
O
1.2 不能。因为二极管的正向电流与其端电压 成
t
指数关系，当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而
烧坏。
u o /V
10
1.3 ui 和 uo 的波形如图所示。
O
（f）不能。因为输出信号被 VCC 短路，恒为零。
（g）可能。
（h）不合理。因为 G-S 间电压将大于零。
（i）不能。因为 T 截止。
三 、（1） (VCC − U BEQ ) I BQ 565 ； (VCC − U CEQ ) β I BQ 3
4
（2） − U o U i -120 ；
RL RC＋RL
t
1.4 ui 和 uo 的波形如图所示。
u i/V
5 3
O
t
-3
1
u O/V
3.7
O
t
1.5 uo 的波形如图所示。 1.6 ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V 和 14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得 0.7V 和 6V 等两种稳压值。 1.8 IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ。 1.9 （1）当 UI＝10V 时，若 UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为 4mA，小于其最小稳定 电流，所以稳压管未击穿。故
Ȧu
=
−
β (Rc ∥ RL ) rbe
≈
−95
Ro = Rc = 3kΩ
(2)
Ui
=
Ri Rs + Ri
⋅Us
≈
3.2mV
U o = Ȧu U i ≈ 304mV
若C e开路，则
Ri = Rb ∥[rbe + (1 + β )Re ] ≈ 51.3kΩ
2.3V
Ȧu
= − β RL' rbe
≈ −115
Ȧ us
≈
rbe Rs + rbe
⋅ Ȧu
≈
−47
2.8（a）饱和失真，增大 Rb，减小 Rc。 （b）截止失真，减小 Rb 。