共射直流电流放大系数
第3讲 半导体三极管和场效应管
模 拟 电 子 技 术
3. U(BR)CEO — 基极开路时 C、E 极间反向击穿电压。 间反向击穿电压。 、 ) U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。 间反向击穿电压。 、 ) U(BR)EBO — 集电极极开路时 E、B 极间反向击穿电压。 间反向击穿电压。 、 ) U(BR)CBO > U(BR)CEO > U(BR)EBO ) ) )
2 4 6
1. 截止区： 截止区： IB ≤ 0 IC = ICEO ≈ 0 条件： 条件：两个结反偏
ICEO
O
IB = 0
8 /V
模 拟 电 子 技 术
4 3 2 1
iC / mA 50 µA 放大区 40 µA 30 µA 20 µA 10 µA 截止区
2 4 6
2. 放大区： 放大区：
N 沟道 JFET
P 沟道 JFET
模 拟 电 子 技 术
二、 MOS 场效应管 一、增强型 N 沟道 MOSFET (Mental Oxide Semi— FET) )
G D B S D
N+
1. 结构与符号
S
N+
G
耗 尽 层
(掺杂浓度低) 掺杂浓度低)
P 型衬底
用金属铝引出 用扩散的方法 在绝缘层上喷金属 在硅片表面生一层 SiO2 和漏极 铝引出栅极 G D 薄制作两个 N 区 源极 S 绝缘层 S — 源极 Source G — 栅极 Gate D — 漏极 Drain
xyz (a)
xyz
图2.3.1
(b)
模 拟 电 子 技 术 提示： 提示： （1）晶体管工作于放大状态的条件：NPN管：VC> ）晶体管工作于放大状态的条件： 管 VB>VE，PNP管：VE>VB>VC；（ ）导通电压：硅管 BE|= ；（2）导通电压：硅管|V 管 0.6~0.7V，硅管 BE|= 0.2~0.3V， ，硅管|V ，
模拟电子技术基础(第四版)第1章
ID
理想二极管符号 UD
(V)
ID
开关模型等效电路
0.7V 0 0.7
0
UD
(V)
（a）理想模型 特性 ）理想模型VA特性
（b）开关模型 特性 ）开关模型VA特性
3、折线模型：正向导通时。相 、折线模型：正向导通时。 当于理想二极管串联一个等效 和一个电压源U 电阻rD和一个电压源 ON ，特 性曲线如图（ 所示 所示。 性曲线如图（c)所示。
二极管的伏安特性仍可由 二极管的伏安特性仍可由
iD = IS (e
近似描述。 近似描述。
UD / UT
−1)
D E
导通电压
IS：反向饱和电流 UT：电压当量，室温下26mV
IR
反向 漏电
开启电压 Uon
开启电压 导通电压
硅二极管 0 .5 V 0 . 6 ~ 0 .8 V (取 0 .7 V )
锗二极管 0 .1 V 0 . 2 ~ 0 .3 V (取 0 .3 V )
发射区：发射载流子 发射区： 集电区： 集电区：收集载流子 基区： 基区：传送和控制载流子 为例） （以NPN为例） 为例
演示
载流子的传输过程
以上看出，三极管内有两种载流子 自由电子 自由电子和 以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空 参与导电， 穴)参与导电，故称为双极型三极管－BJT (Bipolar 参与导电 故称为双极型三极管－ Junction Transistor)。 。
二极管伏安特性与温度T的关系： 二极管伏安特性与温度T的关系：
的增加而增加 所以二极管的正向压降 增加， 的增加而降低 降低。 由于IS随T 的增加而增加，所以二极管的正向压降VF随T 的增加而降低。 一般线性减少2 2.5mV/C° 一般线性减少2～2.5mV/C° （利用该特性，可以把二极管作为温度传感器） 利用该特性，可以把二极管作为温度传感器）
4BJT放大电路解析
3.8 V 、VC =8 V，试
放大
BJT三极管的参数
直流参数、交流参数、 极限参数 一.直流参数
①直流电流放大系数 1.共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB vCE=常数
2.共基极直流电流放大系数
=（IC－ICBO）/IE≈IC/IE
显然 与 之间有如下关系:
ICEO=（1+ ）ICBO
相当基极开路时，集电极和发射极间的反向
饱和电流。
一般希望极间的反向饱和电流尽量小些，以减小温度对BJT性能的影响。
二.交流参数
①交流电流放大系数 1.共发射极交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const
在输出特性曲线上求β
在放大区 值基本不变， 通过垂直于X 轴的直线 由IC/IB求得。
（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区
杂质浓度，且基区很薄。
（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反
向偏置。
BJT对直流和交流都有放大作用 BJT是电流控制型放大器件，场效应管是电压
控制器件
3. 三极管的三种组态
BJT的三种组态
共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。
与管子的结构尺寸和掺杂浓度 有关，与外加电压无关。一般 = 0.90.99 。 放大状态下BJT中载流子的传输过程
2. 电流分配关系 又设 1
根据 IE=IB+ IC 且令
IC= InC+ ICBO
I nC IE
ICEO= (1+ ) ICBO （穿透电流）
I C I CEO 则 IB
模电1常用半导体器件
ICEO = (1+β) ICBO
三. 极限参数
1. 集电极最大允许电流ICM 2. 集电极最大允许功耗PCM 3. 反向击穿电压U(BR)CEO 、U(BR)CBO
α=β/(1+β)
三极管的安全工作区
1 .4 场效应管（Field Effect Transistor ）
场效应管是单极性管子，其输入PN结处于反偏或 绝缘状态，具有很高的输入电阻（这一点与三极管相 反），同时，还具有噪声低、热稳定性好、抗辐射性 强、便于集成等优点。
1 .3 .5 共射NPN三极管伏安特性曲线
二. 输出特性曲线 IC=f ( IB ，UCE )
实际测试时如下进行：
IC= f ( UCE )|IB
发射结正偏、集电结反 偏时，三极管工作在放大 区(处于放大状态)，有放 大作用：IC =βIB + ICEO
两结均反偏时，三极管 工作在截至区(处于截止状 态) ，无放大作用。 IE=IC=ICEO≈0
第五章 负反馈放大器
第六章 信号运算电路
第七章 波形发生电路
第八章 功率放大电路 第九章 直流电源
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第一章 常用半导体器件
本章主要内容：
半导体材料、由半导体构成的PN 结、二极管结构特性、三极管结构特性及 场效应管结构特性。
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1 .1 半导体（Semiconductor）基本知识
• 2、《电子技术实验》.石焕玉等编. • 3、《电子技术基础》(模拟部分).康华光
主编. 高等教育出版社 • 4、《模拟电子技术基础》华成英(第四
版)习题解答（因网络不通，暂时没法放 在系网页上，需要者来复制）
第一章 半导体器件 第二章 基本放大电路 第三章 放大电路的频率特性 第四章 集成运算放大器
三极管
第5章 三极管及基本放大电路半导体三极管是一种最重要的半导体器件。
它的放大作用和开关作用促使电子技术飞跃发展。
场效应管是一种较新型的半导体器件，现在已被广泛应用于放大电路和数字电路中。
本章介绍半导体三极管、绝缘栅型场效应管以及由它们组成的基本放大电路。
5.1 半导体三极管半导体三极管简称为晶体管。
它由两个PN 结组成。
由于内部结构的特点，使三极管表现出电流放大作用和开关作用，这就促使电子技术有了质的飞跃。
本节围绕三极管的电流放大作用这个核心问题来讨论它的基本结构、工作原理、特性曲线及主要参数。
5.1.1 三极管的基本结构和类型三极管的种类很多，按功率大小可分为大功率管和小功率管；按电路中的工作频率可分为高频管和低频管；按半导体材料不同可分为硅管和锗管；按结构不同可分为NPN 管和PNP 管。
无论是NPN 型还是PNP 型都分为三个区，分别称为发射区、基区和集电区，由三个区各引出一个电极，分别称为发射极（E ）、基极（B ）和集电极（C ），发射区和基区之间的PN 结称为发射结，集电区和基区之间的PN 结称为集电结。
其结构和符号见图5-1，其中发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向。
在电路中，晶体管用字符T 表示。
具有电流放大作用的三极管，在内部结构上具有其特殊性，这就是：其一是发射区掺杂浓度大于集电区掺杂浓度，集电区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度；其二是基区很薄，一般只有几微米。
这些结构上的特点是三极管具有电流放大作用的内在依据。
（a ） (b)图5-1 两类三极管的结构示意图及符号基极BT C EBT C EB基极B发射极E发射极E集电极C集电极C N 集电区P 基区 N 发射区P集电区 N 基区 P 发射区5.1.2 三极管的电流分配关系和放大作用现以NPN 管为例来说明晶体管各极间电流分配关系及其电流放大作用，上面介绍了三极管具有电流放大用的内部条件。
为实现晶体三极管的电流放大作用还必须具有一定的外部条件，这就是要给三极管的发射结加上正向电压，集电结加上反向电压。
第二章-晶体管
（1）共基直流放大系数 IC
IE
（2）共基交流放大系数
IC
I E
由于ICBO、ICEO 很小，因此 在以后的计算中，不必区分。
二、极间反向电流
1 ICBO
发射极开路时，集电极—基极间的反向电流，称为集 电极反向饱和电流。
2 ICEO
基极开路时，集电极—发射极间的反向电流，称为集 电极穿透电流。
T
( 0.5 ~ 1) / C
2.3.2 晶体管的主要参数 一、电流放大系数
1.共射电流放大系数
（1） 共射直流放大系数 反映静态时集电极电流与基极电流之比。
（2） 共射交流放大系数 反映动态时的电流放大特性。
由于ICBO、ICEO 很小，因此 在以后的计算中，不必区分。
2. 共基电流放大系数
a. 受控特性：iC 受iB的控制
uCE＝uBE 4
放
IB＝40μ A
iC iB
饱 和3
30μ A
区
大 20μ A
iC iB
2
区
10μ A
1
b. 恒流特性:当 iB 恒定时，
0
uCE 变化对 iC 的影响很小
0μ A iB＝－ICBO
5
10
15
uCE/V
截止区
即iC主要由iB决定，与输出环路的外电路无关。
iC主要由uCE决定 uCE ↑→ iC ↑
iC /mA
=80μA =60μA =40μA
=20μA
25℃
uCE /V
（3）当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，运动 到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，
此后uCE再增加，电流也没有明显得增加，特 性曲线几乎平行于与uCE轴
模拟电路-三极管
转移特性
转移特性描述的是基极电流与集电极 电流之间的关系。在一定基极电流下， 集电极电流随着基极电流的增大而增 大，表现出一定的线性关系。
放大系数：描述三极管放大能力的一 个参数，表示集电极电流变化量与基 极电流变化量之比。
频率特性
频率响应
描述三极管在不同频率信号下的响应能力。三极管的频率响 应受其内部结构影响，存在一个截止频率和最大可用频率。
继电器的吸合和断开，实现电气设备的自动控制。
振荡器
总结词
三极管作为振荡器中的核心元件，能够产生 高频振荡信号，常用于无线通信、电子测量 等领域。
详细描述
三极管作为振荡器中的核心元件，其工作原 理是利用三极管的放大和正反馈作用，形成 一个自激振荡回路，从而产生高频振荡信号 。在无线通信中，三极管可以产生高频载波 信号，用于调制和解调无线电波。在电子测 量领域，三极管可以产生高频脉冲信号，用
于测量电子元件的响应特性和频率特性。
04
三极管的特性
输入与输出特性
输入特性
描述三极管输入端电压与电流的关系。随着输入电压的增加，基极电流逐渐增大 ，表现出非线性特性。
输出特性
描述三极管输出端电压与电流的关系。根据三极管类型（NPN或PNP），输出特性 曲线分为三个区域，分别是截止区、放大区和饱和区。
详细描述
随着温度的升高，三极管的放大倍数可能会减小，导致其性能不稳定。为了解决这一问题，可以采取散热措施， 如安装散热片或风扇，以降低三极管的温度。此外，选用具有高热稳定性的三极管型号也是解决方案之一。
噪声问题
总结词
噪声问题是指三极管在工作过程中产生 的噪声干扰，可能影响信号的传输质量 。
VS
详细描述
根据电路需求选择合适的三极管型号，如 直流参数、交流参数、功率参数等。
模拟电子电路符号
模拟电子技术基础符号说明一、几点原那么1. 电流和电压(以基极电流为例)IB( A V) 表示平均值IB ( IB Q ) 大写字母、大写下标,表示直流量(或静态电流)iB 小写字母、大写下标,表示包括直流量的瞬时总量Ib 大写字母、小写下标,表示交流有效值ib 小写字母、小写下标,表示交流瞬时值Ib 表示交流复数值ΔIB 表示直流转变量ΔiB 表示瞬时值的转变量2. 电阻R 电路中的电阻或等效电阻r 器件内部的等效电阻二、大体符号1. 电流和电压I、i 电流的通用符号U 、u 电压的通用符号If、Uf 反馈电流、电压Ii 、Ui 交流输入电流、电压Io 、Uo 交流输出电流、电压IQ 、U Q 电流、电压静态值IR 、UR 或IR E F 、UR E F 参考电流、电压iP 、uP 集成运放同相输入电流、电压iN 、uN 集成运放反相输入电流、电压uIc 共模输入电压uId 差模输入电压ΔuIc 共模输入电压增量ΔuId 差模输入电压增量Us 交流信号源电压U T 电压比较器的阈值电压U O H 电压比较器的输出高电平U O L 电压比较器的输出低电平VB B 基极回路电源电压VC C 集电极回路电源电压V D D 漏极回路电源电压VE E 发射极回路电源电压VS S 源极回路电源电压2. 功率和效率P 功率通用符号p 瞬时功率Po 输出交流功率Po m 最大输出交流功率PT 晶体管耗散功率PV 电源消耗的功率3. 频率f 频率通用符号fb w 通频带fC 使放大电路增益为0dB 时的信号频率fH 放大电路的上限截止频率fL 放大电路的下限截止频率fp 滤波电路的截止频率f0 电路的振荡频率、中心频率ω角频率通用符号4. 电阻、电导、电容、电感R 电阻通用符号G 电导通用符号C 电容通用符号L 电感通用符号Ri 放大电路的输入电阻Rif 负反馈放大电路的输入电阻RL 负载电阻RN 集成运放反相输入端外接的等效电阻RP 集成运放同相输入端外接的等效电阻Ro 放大电路的输出电阻Rof 负反馈放大电路的输出电阻Rs 信号源内阻5. 放大倍数、增益A 放大倍数或增益的通用符号2 模拟电子技术基础符号说明Ac 共模电压放大倍数Ad 差模电压放大倍数Au 电压放大倍数的通用符号, Au = Uo UiAu h 高频电压放大倍数Aul 低频电压放大倍数Au m 中频电压放大倍数Au p 有源滤波电路的通带放大倍数Aus考虑信号源内阻时的电压放大倍数的通用符号, A us =Uo UsAu u 第一个下标为输出量,第二个下标为输入量,电压放大倍数符号; Aui、Aii、Aiu 依此类推F 反馈系数通用符号Fu u 第一个下标为反馈量,第二个下标为输出量,Fu u = Uf Uo ; Fui、Fii、Fiu 依此类推三、器件参数符号1. P 型、N 型半导体和P N 结Cb 势垒电容Cd 扩散电容Cj 结电容N 电子型半导体n 电子浓度nP0 P N 结P 区达到动态平稳时的电子浓度P 空穴型半导体p 空穴浓度Uh 0 P N 结平稳时的位垒U T 温度的电压当量2. 二极管D 二极管Dz 稳压二极管ID 二极管的电流ID ( A V) 二极管的整流平均电流IF 二极管的最大整流平均电流IR 二极管的反向电流IS 二极管的反向饱和电流rd 二极管导通时的动态电阻rz 稳压管工作在稳压状态下的动态电阻Uon 二极管的开启电压模拟电子技术基础符号说明3U(B R) 二极管的击穿电压3. 双极型管T 晶体管b 基极c 集电极e 发射极Cob 共基接法时晶体管的输出电容Cμ混合π等效电路中集电结的等效电容Cπ混合π等效电路中发射结的等效电容fβ晶体管共射接法电流放大系数的上限截止频率fα晶体管共基接法电流放大系数的上限截止频率fT 晶体管的特点频率,即共射接法下使电流放大系数为1 的频率gm 跨导h11e、h12e、h21e、h22e 晶体管共射接法h 参数等效电路的四个参数IC B O 发射极开路时b - c 间的反向电流IC E O 基极开路时c - e 间的穿透电流IC M 集电极最大许诺电流PC M 集电极最大许诺耗散功率rbb′基区体电阻rb′e 发射结微变等效电阻U(B R)C E S b - e 间短路时b - c 间的击穿电压U(B R) C B O 发射极开路时b - c 间的击穿电压U(B R) C B R b - e 间加电阻时c - e 间的击穿电压U(B R) C E O 基极开路时c - e 间的击穿电压U C E S 晶体管饱和管压降Uon 晶体管b - e 间的开启电压α晶体管共基交流电流放大系数α晶体管共基直流电流放大系数β晶体管共射交流电流放大系数β晶体管共射直流电流放大系数4. 单极型管T 场效应管d 漏极g 栅极s 源极Cds d - s 间的等效电容4 模拟电子技术基础符号说明Cgs g - s 间的等效电容Cg d g - d 间的等效电容gm 跨导ID 漏极电流ID O 增强型M O S 管U G S = 2 U G S(th)时的漏极电流ID S S 耗尽型场效应管U G S = 0 时的漏极电流IS 场效应管的源极电流PD M 漏极最大许诺耗散功率rds d - s 间的微变等效电阻U G S (off) 或U P 耗尽型场效应管的夹断电压U G S (th) 或U T 增强型场效应管的开启电压5. 集成运放A 集成运放Aod 开环差模增益d II O d T IIO 的温漂d UI O d T UIO 的温漂fc 单位增益带宽fh - 3dB 带宽IIB 输入级偏置电流II O 输入失调电流KC M R 共模抑制比rid 差模输入电阻S R 转换速度UI O 输入失调电压四、其它符号D 非线性失真系数K 热力学温度的单位NF 噪声系数Q 静态工作点S 整流电路的脉动系数Sr 稳压电路中的稳压系数T 温度,周期η效率,等于输出功率与电源提供的功率之比τ时刻常数φ相位角。
模拟电子技术课件chapter1
N型半导体（掺五价元素）
硅原子
Negative（负） 自由电子为多子； 空穴为少子
磷原子
Si
Si
多余电子获很 少能量可成为 自由电子
P
Si
N型硅表示
+
施主原子(正离子)
自由电子
17
P型半导体（掺三价元素） 硅原子 空位 Si B Si
Positive（正）
空穴为多子；
自由电子为少子
硼原子
Si
iD
uD UT
rd
Q
●
UT ID
iD
+
iD
ID
uD UD
u D
-
rd
uD
36
三、高频模型
1. 正向偏置 1. 反向偏置
势垒电容Cb 加扩散电容Cd
势垒电容Cb
37
1.2.5 稳压二极管(zener diode)
稳压二极管符号 +
当稳压二极管工 作在反向击穿状 态下,当工作电 流IZ在Izmax和 Izmin之间时,其两 端电压近似为常 数 稳压二极管特性曲线 I 稳定 电压 UZ IZmin U 稳定 IZ 电流 IZmax
Industrial ~
Mechtronics ~ Medical ~ Office ~
4
应用举例
传感器
电子线路
执行器件
5
§0.3 课程特点
• 技术基础课（专业基础课） – 实践性强 – 讨论共性概念问题 – 基本分析方法、分析原则 – 为后续课程打基础 时间紧、任务重、难度大、难掌握 问题实质：实践性强、内容分散
一般，击穿电压在6V以下的属于齐纳击穿，6V以上的 主要是雪崩击穿。 6V左右，两种击穿都有。
第三章 双极型晶体管(1)详述
发射区过重的掺杂不仅不能提高发射效率，反而使发射效率降低
1）形成杂质带尾，禁带变窄 Eg Eg Eg'
Eg
3q3
16 s
NE
S kT
Eg ni ni2 ND NDeff
发射区有效杂质浓度降低为:
Neff
x
NE
x
ni2 ni2e
NE
xexp
Eg
kT
发射区有效杂质浓度降低，导致发射效率下降。
sh
Wb Lnb
x
nb
0
e
qVBC
sh Wb Lnb
kT
1
sh
x Lnb
3.3 晶体管的直流电流增益
一、少数载流子分布
（2）发射区少数载 流子分布
pE(x)
x
0
pE
x
pE0 pE0
e 1 e qVbe kT
x LpE
3.3 晶体管的直流电流增益
一、少数载流子分布
sh WB LnB
jnE jnB
0
qDnB nB0 LnB
eqVbe
kT
1
cth
WB LnB
eqVbc
kT
1
csc
h
WB LnB
jnc jnB WB
qDnB nB0 LnB
eqVbe
kT 1
csc
h
WB LnB
eqVbc kT 1
cth
以共基极连接为例，采用一维理想模型 发射结正向偏置，集电结反向偏置
WB
Ine
Inc
Ir
IE
IC
Ipe
ICB
IB
O
坐标：
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（2.28）
（3） 与 的关系
1
1
（2.29） （2.30）
2.频率参数
（1）截止频率 f
由于BJT的PN结具有电容效应，当工作频率较高时，BJT电流放
大系数 将随信号频率f的变化而变化，是频率f的函数，两者
之间的关系可近似表示为
( f
) o
1 j
（2.33）
由于大部分BJT的 o 均大于10,因此式（2.33）可近 似表示为
fT o f
（2.34）
根据 fT 的不同，晶体管可以分为低频管、高频管
和微波管。在应用双极型晶体管时，工作频率应该远
小于特征频率fT 。例如在BJT放大电路中，可以选比
输入信号频率高10倍的管子作为放大管。
2.3.3 极限参数
极限参数是指BJT安全工作时不可超过的限度。
1.集电极最大允许电流 Icmax iC 在较大的范围内， 基本不变，但当 iC 增大到一
定指数值下时降，到最大值值就的会随23 着时的所i对C 增应大的而集减电小极。电流Icm。ax 当一iC般是Icmax
时， 虽然管子不至于损坏，但 值已经明显减小。因此
在室温下，锗三极管的 ICBO 大小约为(1～2) A
A（高频管）到几十 A （低频管），甚至几百 A （大功率低频管）。硅三极管的 ICBO 要小的多，仅 千分之几到十分之几 A ，大功率管一般也不超过 数量级。
（3）集电极反向穿透电流 ICEO
ICEO 是BJT在发射极应用时，基极开路时，集电 极与发射极间的穿透电流。同一型号的管子反向电 流愈小，性能愈稳定，选用管子时，ICBO 和 ICEO 应尽 量小，硅管比锗管的极间反向电流小2-3个数量级， 因此温度稳定性也比锗管好。
区。 Pcmax 值还与环境温度有关，环境温度越高，则 Pcmax 越小。 当硅管的结温大于 150时0C，锗管的结温大于 700C时，管 子特性明显变坏，甚至烧毁。
按 Pcmax 的大小，晶体管可分为小功率管和大功率管。对 于大功率管，为了提高Pcmax ，通常加装散热装置。当散热条 件不满足要求时，允许的最大功耗将小Pcm于ax 。
（1）共基直流电流放大系数
iC
iE
（2）共射直流电流放大系数
iC
iB
（3） 与 之间的关系 1
1
（2.23） （2.24） （2.25） （2.26）
2.极间反向电流 ICBO 和 ICEO （1）集电结反向饱和电流 ICBO
ICBO 是BJT在共基极应用时，发射极开路时集电 结的反向饱和电流。
2.3.2 交流参数
交流参数是描述BJT对于动态信号的性能指标。
1.交流电流放大系数 和
（1）交流电流放大系数
diC
iC
di i E vCB 常数
E vCB 0
（2.27）
（2）交流电流放大系数
diC
iC
di i B vCE 常数
B vCE 0
f
（2.31）
f
式（2.31）中，o 为直流（或低频）电流放大系数；f 为共射
d电B（流放1大2 系倍数）的时截所止对频应率的，频表率示。共图射2电.7流示放出大了系BJ数T电由流o放下大降系3 数
的频率特性。
图2.7 的频率特性
（2）特征频率 fT
特征频率 fT 是当高频 的模等于1(0dB)时所对应的频
2.3 BJT主要参数
直流参数
直流电流放大系数 和 极间反向电流ICBO 和 ICEO
交流参数
Hale Waihona Puke 交流电流放大系数 和 频率参数 f 和 fT 极限参数
集电极最大允许电流ICmax 集电极最大允许功耗PCmax 反向击穿电压
2.3.1 直流参数
1.直流电流放大系数 和
，晶体管线性运用时， iC 不应超过 Icmax 。
2.集电极最大允许耗散功率Pc max Pc max 是指集电结上允许损耗功率的最大值，决定了晶体管
的温升。超过此值就会使管子性能变坏或烧毁。对于确定型号
的BJT， Pcmax 是一个确定值，即 Pcmax iCvCE 常数 ，在输入特
性平面上为双曲线中的一条，如图2.10所示，曲线右方为损耗
率。也就是说，当 ( f ) 1 时，集电极电流增量与基极电流 增量相等，共射接法的BJT失去电流放大能力。
根据 fT 的定义和式（2.31）可近似估算出特征频率 fT
( fT ) o
1 j fT
o
1
1 ( fT )2
f
f
（2.32）
由此可得
fT f o2 1
3. 反向击穿电压 对于BJT的两个PN结，若反向电压超过规定值就会发生
击穿。比较常用的反向击穿电压参数有：
BVCEO ：基极开路条件下，加在集电极与发射极之间使
得集电结反向击穿的电压。
BVCBO ：发射极开路下，加在集电极与基极之间使得集 电结反向击穿的电压。
BVEBO ： 集电极开路条件下，加在发射极与基极之间
使得发射结反向击穿的电压。 对于不同型号的管子：BVCBO 为几十伏到上千伏，BVEBO
一般只有几伏。以上三种反向击穿电压有以下关 系：BVEBO BVCEO BVCBO 。
图2.8 晶体管的安全工作区